CN111653675B - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光装置，其包括第一发光单元及第二发光单元。第一发光单元包括第一复合层，且第一复合层包括有机发光层。第二发光单元邻近于第一发光单元，第二发光单元包括第二复合层，且第二复合层包括量子点发光层。第一复合层的厚度不同于第二复合层的厚度。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种包括多个具有不同厚度的复合层的混合式发光装置。
背景技术
在传统的发光装置中，不同发光单元的发光材料可能具有不同发光效率或使用寿命，其可能会影响发光装置的发光均匀性。因此，本发明提出一种能减少上述问题的发光装置。
发明内容
在一些实施例中，发光装置包括第一发光单元及第二发光单元。第一发光单元包括第一复合层，且第一复合层包括有机发光层。第二发光单元邻近于第一发光单元，第二发光单元包括第二复合层，且第二复合层包括量子点发光层。第一复合层的厚度不同于第二复合层的厚度。
在一些实施例中，发光装置包括第一发光单元及第二发光单元。第一发光单元包括第一复合层，且第一复合层包括有机发光层。第二发光单元邻近于第一发光单元，第二发光单元包括第二复合层，且第二复合层包括量子点发光层。有机发光层的厚度不同于量子点发光层的厚度。
在一些实施例中，发光装置包括第一发光单元及第二发光单元。第一发光单元包括第一复合层，且第一复合层包括有机发光层。第二发光单元邻近于第一发光单元，第二发光单元包括第二复合层，且第二复合层包括量子点发光层，其中有机发光层与量子点发光层是以不同的制程所制造。
附图说明
在阅读以下以各图式与附图所绘示的实施例的详细说明后，本发明的上述目的与其他目的毫无疑问地对本领域的技术人员而言将变得显而易见。
图1为本发明第一实施例的发光装置的剖面示意图。
图2为第二实施例的发光装置的复合层的剖面示意图。
图3为第三实施例的发光装置的复合层的剖面示意图。
图4为第四实施例的发光装置的剖面示意图。
图5为第四实施例的变化实施例的第一发光单元、第二发光单元及第三发光单元的面积示意图。
图6为第五实施例的发光装置的剖面示意图。
图7为第六实施例的发光装置制造方法中提供基板、主动阵列层及阳极的步骤的示意图。
图8为第六实施例的发光装置制造方法中形成像素定义层的步骤的示意图。
图9A-9D为第六实施例的发光装置制造方法中形成复合层、阴极及覆盖层的步骤的示意图。
图10A-10D为第七实施例的发光装置制造方法中形成复合层、阴极及覆盖层的步骤的示意图。
图11为本发明的发光装置制造方法的制程流程示意图。
图12为本发明的发光装置制造方法的另一制程流程示意图。
附图标记说明：10-发光装置；100-基板；102-像素定义层；1021、1022、1023-孔洞；102s-侧表面；102t-上表面；104-阳极；1041-第一阳极；1042-第二阳极；1043-第三阳极；106、106a、106b-阴极；1061-第一阴极；1062-第二阴极；1080-主动层；1082-闸极；1084-源极；1086-汲极；1100、1102、1104、116-绝缘层；112-间隔物；114-闸绝缘层；118-接触件；120-喷墨制程；124-蒸镀制程；126-金属屏蔽；AM-主动阵列层；CGL-电荷产生层；CL1-第一复合层；CL2-第二复合层；CL3-第三复合层；CP、122a、122b-覆盖层；EIL-电子注入层；EILa-第一电子注入层；EILb-第二电子注入层；EILc-第三电子注入层；ETL-电子传输层；ETLa-第一电子传输层；ETLb-第二电子传输层；ETLc-第三电子传输层；HIL-电洞注入层；HILa-第一电洞注入层；HILb-第二电洞注入层；HILc-第三电洞注入层；HTL-电洞传输层；HTLa-第一电洞传输层；HTLb-第二电洞传输层；HTLc-第三电洞传输层；LU1-第一发光单元；LU2-第二发光单元；LU3-第三发光单元；OEL-有机发光层；QEL-量子点发光层；S100、S102、S104、S106、S108、S110、S112、S1081、S1082-步骤；SEL11、SEL21-第一子层；SEL12、SEL22-第二子层；SEL13、SEL23-第三子层；T1、T2-厚度；Tr-晶体管；V-法线方向。
具体实施方式
藉由参考下文中的详细说明并同时结合附图，本领域的技术人员可理解本发明的内容。为了说明清楚而能了解的目的，本发明中的各附图只绘示发光装置的一部分，且各附图中的某些元件并非依照实际比例绘制。此外，图中所示各元件的数量及/或尺寸仅作为示意说明，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，发光设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」、「包括」和「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。
应理解的是，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」或「连接到」另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或膜层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接到」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
「大约」、「本质上」、「相等」或「相同」等词一般是指所给定值或范围的20％以内，或者指所给定值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
虽然诸如第一、第二、第三等用词可用于描述各种不同的构件，但此些构件并不受该些用词所限制。该些用词仅用于将一构件与说明书中的其他构件进行区别。权利要求可不使用相同的用词，而是就所请元件的顺序使用第一、第二、第三等用词。因此在下文中，第一构件在权利要求中可为第二构件。
在不脱离本发明的精神下，可将下文中所述的数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1，其为第一实施例的发光装置的剖面示意图。为了清楚呈现发光装置10的特征，图1绘示出发光装置10的一部分，例如第一发光单元LU1及第二发光单元LU2。发光装置10可包括显示设备、电子装置、可挠式装置、拼接装置或其他合适的装置，但不限于此。发光装置10可为混合式显示设备。例如，发光装置10可包括至少二种类型的材料，例如有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED或QD-LED)、其他合适的发光材料或其组合，但不限于此。如图1所示，发光装置10可包括第一发光单元LU1及第二发光单元LU2，第二发光单元LU2邻近于第一发光单元LU1，第一发光单元LU1可包括第一复合层CL1，且第二发光单元LU2可包括第二复合层CL2，但不限于此。另一方面，发光装置10可包括基板100、主动阵列层AM、像素定义层(pixel defining layer,PDL)102及多个复合层(例如第一复合层CL1及第二复合层CL2，但不限于此)。像素定义层102与复合层设置于基板100上，且主动阵列层AM设置于复合层与基板100之间。基板100可包括玻璃基板、石英基板、可挠式基板、塑料基板或其他合适的基板，但不限于此。基板100的材料可包括透明材料或非透明材料。塑料基板的材料可包括聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或其他合适的材料，但不限于此。像素定义层102可具有多个孔洞，复合层中的一个可设置于对应的孔洞内。如图1所示，第一复合层CL1可设置于孔洞1021内，第二复合层CL2可设置于邻近于孔洞1021的另一孔洞1022内，但不限于此。在一些实施例中，一个发光单元(例如第一发光单元LU1或第二发光单元LU2)可包含在一个孔洞的垂直区域内的所有的元件(或膜层)。像素定义层102的材料可包括不透明绝缘材料，但不限于此。
如图1所示，第一复合层CL1的厚度T1可不同于第二复合层CL2的厚度T2。例如，厚度T1可大于厚度T2，但不限于此。在一些实施例中(未图示)，厚度T1可小于厚度T2。厚度T1可定义为第一复合层CL1在法线方向V上的最大厚度，详细的测量方式将于后进行描述。
如图1所示，第二复合层CL2的厚度T2对第一复合层CL1的厚度T1的比值(T2/T1)可为大于或等于0.1且小于1(0.1≤T2/T1<1)，但不限于此。在一些实施例中，该比值(T2/T1)可大于或等于0.3且小于或等于0.9(0.3≤T2/T1≤0.9)。在一些实施例中，第一复合层CL1的厚度T1对第二复合层CL2的厚度T2的比值(T1/T2)可为大于或等于0.1且小于1(0.1≤T1/T2<1)，但不限于此。在一些实施例中，该比值(T1/T2)可大于或等于0.3且小于或等于0.9(0.3≤T1/T2≤0.9)。在一些实施例中，第一复合层CL1的厚度T1可在100纳米(nanometer,nm)至200纳米的范围内(100nm≤T1≤200nm)，但不限于此。在一些实施例中，第一复合层CL1的厚度T1可在130纳米至180纳米的范围内(130nm≤T1≤180nm)。在一些实施例中，第二复合层CL2的厚度T2可在20纳米至100纳米的范围内(20nm≤T2≤100nm)，但不限于此。在一些实施例中，第二复合层CL2的厚度T2可在60纳米至90纳米的范围内(60nm≤T2≤90nm)。
在一些实施例中，发光装置10可包括至少二种类型的材料，例如，第一复合层CL1可包括有机发光层OEL，第二复合层CL2可包括量子点发光层QEL，但不限于此。在一些实施例中(图1)，有机发光层OEL及/或量子点发光层QEL可包括至少一个子层，但不限于此。在一些实施例中(图1)，有机发光层OEL及/或量子点发光层QEL可包括多个子层，该多个子层分别具有相同或不同的厚度，但不限于此。举例而言，如图1所示，第一复合层CL1的有机发光层OEL可包括第一子层SEL11、第二子层SEL12及第三子层SEL13，第二复合层CL2的量子点发光层QEL可包括第一子层SEL21、第二子层SEL22及第三子层SEL23，但不限于此。有机发光层OEL的子层的数量及/或量子点发光层QEL的子层的数量是作为示例，并不限于此。在一些实施例中，第一复合层CL1的有机发光层OEL的子层的数量可相同于或不同于第二复合层CL2的量子点发光层QEL的子层的数量。在一些实施例中，第一子层SEL11、第二子层SEL12及第三子层SEL13可包括有机发光材料。在一些实施例中，第一子层SEL21、第二子层SEL22及第三子层SEL23可包括量子点发光材料，但不限于此。有机发光材料可包括NPD、mcp:Ir(用以发出红色波长光)、CBP:Irppy(用以发出绿色波长光)、mcp:Firpic(用以发出蓝色波长光)、TPBi或其任何组合，但不限于此。量子点发光材料可包括核/壳结构。核可以包括硫化铟(In2S3)、硫化铜(Cu2S)、硫化银(Ag2S)或其任何组合，但不限于此。壳可以包括硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)或其组合，但不限于此。第一发光单元LU1的其中一个有机子层的厚度可在10纳米至200纳米的范围内(10nm≤厚度≤200nm)，但不限于此。第二发光单元LU2的其中一个量子点子层的厚度可在100纳米至900纳米的范围内(100nm≤厚度≤900nm)，但不限于此。
在一些实施例中(图1)，有机发光层OEL(及/或量子点发光层QEL)的第二子层可设置于其第一子层与第三子层之间。在一些实施例中，第二子层的厚度可小于第一子层的厚度及/或第三子层的厚度，但不限于此。如图1所示，第二子层SEL12可设置于第一子层SEL11与第三子层SEL13之间，第二子层SEL12的厚度可小于第一子层SEL11的厚度及/或第三子层SEL13的厚度。如图1所示，第二子层SEL22可设置于第一子层SEL21与第三子层SEL23之间，第二子层SEL22的厚度可小于第一子层SEL21的厚度及/或第三子层SEL23的厚度。
包含有多个子层(发光层)的发光单元(例如第一发光单元LU1或第二发光单元LU2)可发出具有较高亮度的光或可增加其使用寿命，但不限于此。在一些实施例中(图1)，设置于较厚的子层(如SEL11、SEL13、SEL21或SEL23)之间的较薄的子层(如SEL12或SEL22)可增加电子、电洞的复合效率(recombination efficiency)，或可增加发光单元的使用寿命。在其他实施例中，复合层可包括至少一个子层，且可调整复合层或发光层的厚度。
在一些实施例中，第一复合层CL1(或第二复合层CL2)可包括设置于对应的阳极与对应的阴极之间的多个膜层，详细说明将于后进行描述。例如，第一复合层CL1(及/或第二复合层CL2)可包括至少一个电洞注入层HIL、至少一个电洞传输层HTL、至少一个电子注入层EIL、至少一个电子传输层ETL及至少一个电荷产生层CGL，且此些膜层可设置于所对应的阳极与所对应的阴极之间，但不限于此。在一些实施例中，上述第一复合层CL1(及/或第二复合层CL2)的膜层可依据不同的需求进行修改。如图1所示，第一复合层CL1(及/或第二复合层CL2)可包括多个电子传输层ETL、多个电洞传输层HTL、多个电荷产生层CGL、一电子注入层EIL及一电洞注入层HIL。在一些实施例中(图1)，子层(如第一子层SEL11、第一子层SEL21、第二子层SEL12、第二子层SEL22及/或第三子层SEL13、第三子层SEL23)可设置在一个电子传输层ETL与一个电洞传输层HTL之间，但不限定于此。在一些实施例中，电荷产生层CGL可设置在其中两个子层之间，但不限定于此。例如(图1)，在第一复合层CL1中，电洞注入层HIL、电洞传输层HTL、第三子层SEL13、电子传输层ETL、电荷产生层CGL、电洞传输层HTL、第二子层SEL12、电子传输层ETL、电荷产生层CGL、电洞传输层HTL、第一子层SEL11、电子传输层ETL及电子注入层EIL可依序设置于基板100上，第三子层SEL13可设置于基板100与第二子层SEL12之间，但不限于此。例如(图1)，在第二复合层CL2中，电洞注入层HIL、电洞传输层HTL、第三子层SEL23、电子传输层ETL、电荷产生层CGL、电洞传输层HTL、第二子层SEL22、电子传输层ETL、电荷产生层CGL、电洞传输层HTL、第一子层SEL21、电子传输层ETL及电子注入层EIL可依序设置于基板100上，第三子层SEL23可设置于基板100与第二子层SEL22之间，但不限于此。第一复合层CL1(或第二复合层CL2)的结构(例如膜层的数量或堆栈顺序)并不限于以上叙述。
电子注入层EIL的材料可包括氟化锂(LiF)、钙(Ca)、铯(Cs)或其任何组合，但不限于此。电子传输层ETL的材料可包括硫化铟(IN2S3)、n-硫化铜(n-Cu2S)、n-硫酸银(n-Ag2S)、n-硒化锌(n-ZnSe)、n-硫化锌(n-ZnS)、n-氧化锌(n-ZnO)、n-碲化锌(n-ZnTe)或其任何组合，但不限于此。电洞注入层HIL的材料可包括3，4-乙烯二氧噻吩单体(PEDOT:PASS)或其任何组合，但不限于此。电洞传输层HTL的材料可包括PVK:TCTA、p-硒化锌(p-ZnSe)、p-硫化锌(p-ZnS)、p-碲化锌(p-ZnTe)或其任何组合，但不限于此。在一些实施例中，电子注入层EIL、电子传输层ETL、电洞注入层HIL及/或电洞传输层HTL的厚度可在10纳米至80纳米的范围内(10nm≤厚度≤80nm)，但不限于此。在一些实施例中，电子注入层EIL、电子传输层ETL、电洞注入层HIL及/或电洞传输层HTL的厚度可在40纳米至80纳米的范围内(40nm≤厚度≤80nm)。电荷产生层CGL的材料可包括MADN(2-methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene,2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽)、BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-PhenanthrolineSynonym,2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉)、NPB:MoO3(NPB:molybdenum oxide,NPB:氧化钼)、NPD(neoprotopanaxadiol,新原戊二醇)或其任何组合，但不限于此。在一些实施例中，电荷产生层CGL的厚度可在5纳米至100纳米的范围内(5nm≤厚度≤100nm)，但不限于此。在一些实施例中，电荷产生层CGL的厚度可在20纳米至80纳米的范围内(20nm≤厚度≤80nm)，但不限于此。
在一些实施例中(图1)，发光装置10可包括多个阳极104及一个阴极106。阳极104可设置于主动阵列层AM上或电连接于主动阵列层AM，第一复合层CL1及第二复合层CL2可设置于阳极104与阴极106之间。在一些实施例中，阳极104中的一个可对应发光单元(如第一发光单元LU1或第二发光单元LU2)中的一个设置，且阴极106可对应发光单元中的至少一个设置，但不限于此。例如，第一发光单元LU1可包括第一阳极1041及第一阴极1061分别电连接于第一复合层CL1，第二发光单元LU2可包括第二阳极1042及第二阴极1062分别电连接于第二复合层CL2。在一些实施例中(图1)，第一阳极1041及第二阳极1042可以是以相同的制程(例如涂布制程及/或图案化制程，但不限于此)所制造。第一阳极1041或第二阳极1042的材料可包括金属材料、透明导电材料或其任何组合，但不限于此。第一阳极1041或第二阳极1042的材料可包括铝(Al)、银(Ag)、氧化锌(ZnO)、硫化锌(ZnS)、氧化铟锡(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或其任何组合，但不限于此。在一些实施例中，阴极106可为共享阴极，第一阴极1061及第二阴极1062可分别为该共享阴极的一部分，但不限于此。在一些实施例中(图1)，第一阴极1061与第二阴极1062可以是以相同的制程(例如涂布制程及/或图案化制程)所制造，但不限于此。第一阴极1061或第二阴极1062的材料可包括金属材料、透明导电材料或其任何组合，但不限于此。举例而言，发光装置10为底部发光型发光装置，第一阴极1061或第二阴极1062的材料可包括金属(例如镁银(MgAg)或银(Ag))，且阳极(如第一阳极1041或第二阳极1042)的材料可包括透明导电材料，但不限于此。举例而言，发光装置10为顶部发光型发光装置，阴极(如第一阴极1061及第二阴极1062)的材料可包括透明导电材料，且阳极(如第一阳极1041或第二阳极1042)的材料可包括金属，但不限于此。
在一些实施例中(图1)，主动阵列层AM可包括多个晶体管Tr。发光单元(如第一发光单元LU1或第二发光单元LU2)可分别包括至少一个晶体管Tr，但不限于此。晶体管Tr可包括主动层1080、闸极1082、源极1084及汲极1086。阳极104可分别通过接触件电连接于对应的晶体管Tr的汲极1086，但不限于此。主动阵列层AM可包括讯号线(扫描线、数据线、重置线及/或防护线，但不限于此)、绝缘层或其他部件。在一些实施例中，发光装置10可为主动阵列发光装置或被动阵列发光装置，但不限于此。在一些实施例中，发光单元可由外部晶体管或电路所控制，但不限于此。
在一些实施例中(图1)，发光装置10可包括覆盖层CP，覆盖层CP可设置于像素定义层102及/或复合层上。覆盖层CP可包括单一层或多层。在一些实施例中，覆盖层CP可包括至少一个无机层及/或至少一个有机层。例如(图1)，覆盖层CP可包括无机-有机-无机(inorganic-organic-inorganic,IOI)堆栈层，且覆盖层CP可包括绝缘层1100、绝缘层1102及绝缘层1104。绝缘层1100及绝缘层1104的材料可包括无机绝缘材料，绝缘层1102的材料可包括有机绝缘材料，但不限于此。
在一些实施例中，第一发光单元LU1的有机发光层OEL发出的光与第二发光单元LU2的量子点发光层QEL发出的光可具有不同的颜色或波长。
本发明中所述的数个不同实施例中的技术特征可进行替换、重组或混合。为了较容易比对此些实施例间的差异，下文会详述不同实施例间的相异点且不再赘述相同的特征。
请参考图2，其为第二实施例的发光装置的复合层的剖面示意图。图2作为示例地示出图1中的第一发光单元LU1的第一复合层CL1的剖面结构。相异于第一实施例，图2中所示的第一发光单元LU1的第一复合层CL1的有机发光层OEL可为单一膜层，但不限于此。第一复合层CL1可包括至少一个电子注入层EIL、至少一个电子传输层ETL、至少一个电洞注入层HIL以及至少一个电洞传输层HTL，但不限于此。举例而言，第一阳极1041、电洞注入层HIL、电洞传输层HTL、有机发光层OEL、电子传输层ETL、电子注入层EIL、第一阴极1061可依序设置于基板100上，且第一阳极1041可设置于基板100与电洞注入层HIL之间，但不限于此。在一些实施例中，第一阳极1041、第一阴极1061或设置于第一阳极1041(或第二阳极1042)与第一阴极1061(或第二阴极1062)之间的第一复合层CL1(或第二复合层CL2)中的其他膜层可具有非平坦的上表面及/或非平坦的下表面，非平坦的上表面及/或非平坦的下表面可增加两个相邻膜层之间的接触表面面积，或可增加第一发光单元LU1的发光效率。其中非平坦的表面可为具有粗糙度的表面。
在一些实施例中，有机发光层OEL的厚度可不同于量子点发光层QEL的厚度。在一些实施例中，有机发光层OEL的厚度对量子点发光层QEL的厚度的比值可为大于或等于0.1且小于1(0.1≤比值<1)，但不限于此。在一些实施例中，量子点发光层QEL的厚度对有机发光层OEL的厚度的比值可为大于或等于0.1且小于1(0.1≤比值<1)，但不限于此。在一些实施例中，可依据发光层的材料调整不同发光单元的发光层的厚度。
上述复合层(例如第一复合层CL1)的厚度可为在法线方向V上阳极(例如第一阳极1041)与阴极(例如第一阴极1061)之间的最大厚度，但不限于此。上述复合层(例如第一复合层CL1)的厚度例如可在法线方向V上由阳极(例如第一阳极1041)的上表面测量至阴极(例如第一阴极1061)的下表面。上述有机发光层OEL的厚度及/或量子点发光层QEL的厚度可为在法线方向V上，有机发光层OEL及/或量子点发光层QEL的最大厚度，但不限于此。上述复合层的厚度、有机发光层OEL的厚度及/或量子点发光层QEL的厚度可通过扫描式电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)或高分辨率穿透式电子显微镜(highresolution transmission electron microscope,HRTEM)测量，但不限于此。
请参考图3，其为第三实施例的发光装置的复合层的剖面示意图。第三实施例相异于第一实施例，其第一复合层CL1的有机发光层OEL可包括二个子层(例如第一子层SEL11及第二子层SEL12)。详细而言，第一阳极1041、电洞注入层HIL、电洞传输层HTL1、电洞传输层HTL2、第一子层SEL11、电子传输层ETL1、电荷产生层CGL、电洞传输层HTL3、第二子层SEL12、电子传输层ETL2、电子注入层EIL及第一阴极1061可依序设置于基板100上，且第一阳极1041可设置于基板100与电洞注入层HIL之间，但不限于此。上述结构可应用在其他发光单元(例如第二发光单元LU2)中的复合层。在一些实施例中，第一子层SEL11的厚度可相同或不同于第二子层SEL12的厚度，但不限于此。在一些实施例中，电洞传输层的数量、电洞注入层的数量、电子传输层的数量、电子注入层的数量及/或有机发光层的数量可依据需求进行调整。在一些实施例中，电洞传输层的数量可不同于电子传输层的数量。在一些实施例中，电洞注入层的数量可不同于电子注入层的数量。
请参考图4，其为第四实施例的发光装置的剖面示意图。发光装置10还包括第三发光单元LU3，第三发光单元LU3可设置于第一发光单元LU1与第二发光单元LU2之间或邻设于第一发光单元LU1及/或第二发光单元LU2，第三发光单元LU3可包括第三复合层CL3。第三复合层CL3的结构可相同或不同于第一复合层CL1及/或第二复合层CL2，且第一复合层CL1的结构可相似于第二实施例(或第一实施例)中的结构。在一些实施例中，第三复合层CL3可包括有机发光层OEL或量子点发光层QEL，但不限于此。在一些实施例中，第一复合层CL1(及/或第二复合层CL2)的厚度可相同或不同于第三复合层CL3的厚度。在一些实施例中(图4)，第二复合层CL2的厚度T2可大于第三复合层CL3的厚度T3，且第三复合层CL3的厚度T3可大于第一复合层CL1的厚度T1，但不限于此。在一些实施例中(图4)，第一复合层CL1可发出红色波长光，第三复合层CL3可发出绿色波长光，第二复合层CL2可发出蓝色波长光，但不限于此。
如图4所示，在一些实施例中，第一复合层CL1可包括第一电子注入层EILa及第一电子传输层ETLa，其设置于有机发光层OEL的一侧，第二复合层CL2可包括第二电子注入层EILb及第二电子传输层ETLb，其设置于量子点发光层QEL的一侧，第三复合层CL3可包括第三电子注入层EILc及第三电子传输层ETLc，其设置于有机发光层OEL的一侧。在一些实施例中，第一电子注入层EILa、第二电子注入层EILb及第三电子注入层EILc可彼此互相连接，或第一电子注入层EILa、第二电子注入层EILb及第三电子注入层EILc可以是以相同的制程所设置。在一些实施例中，第一电子传输层ETLa、第二电子传输层ETLb及第三电子传输层ETLc可彼此互相连接，或第一电子传输层ETLa、第二电子传输层ETLb及第三电子传输层ETLc可以是以相同的制程所设置。在一些实施例中(图4)，电子注入层(及/或电子传输层)可对应多个发光单元设置，或电子注入层(及/或电子传输层)为连续的，但不限于此。
在一些实施例中(图4)，第一复合层CL1可包括第一电洞注入层HILa及第一电洞传输层HTLa，其设置于有机发光层OEL的另一侧，第二复合层CL2可包括第二电洞注入层HILb及第二电洞传输层HTLb，其设置于量子点发光层QEL的另一侧，第三复合层CL3可包括第三电洞注入层HILc及第三电洞传输层HTLc，其设置于有机发光层OEL的另一侧。第一电洞注入层HILa、第二电洞注入层HILb及第三电洞注入层HILc可彼此互相连接，且第一电洞传输层HTLa、第二电洞传输层HTLb及第三电洞传输层HTLc可彼此互相连接。例如，第一电洞注入层HILa、第二电洞注入层HILb及第三电洞注入层HILc可以是以相同的制程所设置，且第一电洞传输层HTLa、第二电洞传输层HTLb及第三电洞传输层HTLc可以是以相同的制程所设置。另一方面，电洞注入层(及/或电洞传输层)可对应多个发光单元设置，或者电洞注入层(及/或电洞传输层)为连续的，但不限于此。
在一些实施例中，不同发光单元的电子注入层、电子传输层、电洞注入层及/或电洞传输层可彼此互相连接或互相分隔。在一些实施例中，不同发光单元的电子注入层、电子传输层彼此互相连接，但不同发光单元的电洞注入层及/或电洞传输层互相分隔。在一些实施例中，不同发光单元的电子注入层及/或电子传输层互相分隔，但不同发光单元的电洞注入层及/或电洞传输层彼此互相连接。
如图4所示，阳极104可在设置(或形成)像素定义层102之前设置(或形成)，像素定义层102可在法线方向V上部分覆盖(或重迭于)阳极104。此外，发光装置10可包括多个间隔物112设置于像素定义层102上，间隔物112在法线方向V上可不重迭于像素定义层102的孔洞。在一些实施例中，间隔物112的材料可不同于像素定义层102的材料，或间隔物112与像素定义层102可以是以不同的制程所形成，但不限于此。在一些实施例中，间隔物112的材料可相同于像素定义层102的材料，或间隔物112与像素定义层102可以是以相同的制程所形成，但不限于此。
在一些实施例中，第一复合层CL1的膜层及/或第二复合层CL2的膜层可以是以相同或不同的制程(例如喷墨制程或蒸镀制程)所制造，但不限于此。
请参考图5，其为第四实施例的变化实施例的第一发光单元、第二发光单元及第三发光单元的面积示意图。举例而言，图5绘示出在其中一个像素之中的第一发光单元LU1、第二发光单元LU2及第三发光单元LU3的面积，第一发光单元LU1、第二发光单元LU2及第三发光单元LU3可为不同颜色(或波长)的子像素，但不限于此。在一些实施例中，用于发出不同颜色(或波长)的光的材料会具有不同的发光效率，且不同颜色(或波长)的光的强度会不相同。在一些实施例中，当不同发光单元发出的光的强度不同时，不同发光单元的面积会不相同。例如(图5)，第一发光单元LU1、第二发光单元LU2及/或第三发光单元LU3的面积可不相同，以增加光强度的均匀性。例如，当发光单元(如第二发光单元LU2)所发出的蓝光具有最弱的强度，而发光单元(如第一发光单元LU1)所发出的红光具有最强的强度时，发出蓝光的发光单元的面积可例如大于发出红光的发光单元的面积，但不限于此。如图5所示，第二发光单元LU2的面积可大于第三发光单元LU3的面积，第三发光单元LU3的面积可大于第一发光单元LU1的面积，但不限于此。在一些实施例中，可依据发光层的材料调整第一发光单元LU1、第二发光单元LU2及/或第三发光单元LU3的面积。在一些实施例中，第一发光单元LU1的面积可不同或相同于第二发光单元LU2(及/或第三发光单元LU3)的面积。
在一些实施例中，发光单元的形状可包括圆角矩形、六角形、菱形、圆形，但不限于此。在一些实施例中，发光单元可包括圆形、多边形、三角形、弧形或其他不规则形状，但不限于此。在一些实施例中，发光单元的面积可通过显微镜由像素定义层102中对应的孔洞所定义，但不限于此。例如，发光单元的面积可由像素定义层102中的孔洞的下表面所定义。
在一些实施例中，第一发光单元LU1、第二发光单元LU2及第三发光单元LU3可分别包括有机发光层或量子点发光层。然而，在混合式发光装置中，第一发光单元LU1、第二发光单元LU2及第三发光单元LU3中的至少一个包括有机发光层，且第一发光单元LU1、第二发光单元LU2及第三发光单元LU3中的至少另一个包括量子点发光层。第一发光单元LU1的发光层的材料类型可不同于第二发光单元LU2的发光层的材料类型，第一发光单元LU1的发光层的材料类型可不同或相同于第三发光单元LU3的发光层的材料类型。
请参考图6，其为第五实施例的发光装置的剖面示意图。相异于第四实施例，第一复合层CL1、第二复合层CL2及第三复合层CL3的电子注入层(如EILa、EILb及EILc)、电子传输层(如ETLa、ETLb及ETLc)、电洞注入层(如HILa、HILb及HILc)及电洞传输层(如HTLa、HTLb及HTLc)可由像素定义层102所分隔，或者第一复合层CL1、第二复合层CL2及第三复合层CL3的电子注入层、电子传输层、电洞注入层及电洞传输层可为非连续的。在一些实施例中，互相分隔的电子注入层、互相分隔的电子传输层、互相分隔的电洞注入层或互相分隔的电洞传输层可以是以相同或不同的图案化制程所形成，但不限于此。此外，像素定义层102可包括多个侧表面102s，第一发光单元LU1的第一阳极1041、第二发光单元LU2的第二阳极1042及/或第三发光单元LU3的第三阳极1043可例如接触像素定义层102的侧表面102s的至少一部分，此些阳极可以是以相同或不同的图案化制程所形成，但不限于此。在一些实施例中，第一复合层CL1、第二复合层CL2及/或第三复合层CL3中的一部分的膜层(例如电子注入层、电子传输层、电洞注入层或电洞传输层)可由像素定义层102所分隔，但第一复合层CL1、第二复合层CL2及/或第三复合层CL3中的其他部分的膜层可为连续的。
请参考图7、图8、图9A-9D及图11。图7为第六实施例的发光装置制造方法中提供基板、主动阵列层及阳极的步骤的示意图。图8为形成像素定义层的步骤的示意图。图9A-9D为形成复合层、阴极及覆盖层的步骤的示意图。图11为本发明的发光装置制造方法的制程流程示意图。发光装置中部件的形成可包括常用于半导体制程或其他制程中的沉积制程或图案化制程(例如微影与蚀刻制程)，其于下文中将不再赘述。
请参考图7与图11，步骤S100可为提供基板100。接着，步骤S102可为形成主动阵列层AM。例如，可于基板100上形成(或设置)主动阵列层AM，且形成主动阵列层AM的步骤可包括形成(或设置)多个晶体管Tr及多个绝缘层。例如，可依序形成多个闸极1082、一闸绝缘层114、多个主动层1080、多个汲极1086(及多个源极1084)、一绝缘层116，其中多个汲极1086与多个源极1084可以是以相同制程所形成，但不限于此。汲极1086及源极1084可在法线方向V上部分覆盖(或重迭于)对应的主动层1080。晶体管Tr的制造方法或结构并不限于以上叙述。此外，多个穿孔可形成(或设置)于绝缘层116中。接着，步骤S104可为形成(或设置)多个阳极104，其可形成(或设置)于绝缘层116上，而阳极104的导电材料可设置于(或填充于)穿孔内以形成多个接触件118，阳极104可电连接于对应的汲极1086。
请参考图8与图11，步骤S106可为形成(或设置)像素定义层102，其可形成(或设置)于阳极104上。像素定义层102可在法线方向V上部分覆盖(或重迭于)阳极104，且像素定义层102包括多个孔洞(孔洞1021、孔洞1022及孔洞1023)，各孔洞可暴露出对应的阳极104的一部分。在一些实施例中，可在形成像素定义层102之前形成阳极104，或步骤S104可于步骤S106后进行，但不限于此。在一些实施例中(图6)，可在形成(或设置)像素定义层102之后形成阳极104。
请参考图9A与图11，步骤S108可为形成(或设置)至少一个复合层。例如可于孔洞1021内形成(或设置)第一复合层CL1，且可于孔洞1023内形成(或设置)第三复合层CL3。第一复合层CL1及第三复合层CL3可包括量子点发光层或有机发光层，且第一复合层CL1与第三复合层CL3可由喷墨制程120所形成，但不限于此。第一复合层CL1与第三复合层CL3可以是以相同制程或不同制程所形成。
请参考图9B与图11，步骤S110可为形成(或设置)阴极。例如，可于第一复合层CL1及/或第三复合层CL3上或对应于第一复合层CL1及/或第三复合层CL3形成(或设置)阴极106a，或阴极106a可在法线方向V上重迭于第一复合层CL1及/或第三复合层CL3，且阴极106a不会形成(或设置)于孔洞1022上或对应于孔洞1022形成(或设置)。接着，步骤S112可为形成(或设置)覆盖层。例如，可于阴极106a上形成(或设置)覆盖层122a，覆盖层122a可覆盖阴极106a的一部分，且暴露出阴极106a的另一部分，但不限于此。
请参考图9C及图11，可再次进行步骤S108，且可于孔洞1022内形成(或设置)第二复合层CL2，第二复合层CL2可包括有机发光层或量子点发光层，且第一复合层CL1的发光层的材料类型可不同于第二复合层CL2的发光层的材料类型，第二复合层CL2可由蒸镀制程124所形成，但不限于此。此外，在形成(或设置)第二复合层CL2之前，可以在与孔洞1022相邻的像素定义层102的一部分上形成至少一个间隔物112。例如，可于蒸镀制程124中使用金属屏蔽126(例如精密金属屏蔽)，金属屏蔽126可设置于间隔物112上，但不限于此。在一些实施例中(图9C)，第二复合层CL2可覆盖像素定义层102的侧表面102s的至少一部分与像素定义层102的上表面102t的一部分，但不限于此。在一些实施例中(未图示)，第二复合层CL2不会覆盖像素定义层102的上表面102t。
请参考图9D与图11，可再次进行步骤S110，可于第二复合层CL2上或对应于第二复合层CL2形成(或设置)阴极106b，且阴极106b可连接于(或接触)阴极106a。在一些实施例中(未图标)，阴极106b的至少一部分可形成(或设置)于阴极106a的一部分上，但不限于此。接着，可再次进行步骤S112，且可于阴极106b上或对应于阴极106b形成覆盖层122b。覆盖层122b可连接于(或接触)覆盖层122a。在一些实施例中，覆盖层122b的一部分可在法线方向V上重迭于覆盖层122a的一部分。
覆盖层122a、122b可包括至少一个有机绝缘层或至少一个无机绝缘层。在一些实施例中(图9D)，覆盖层122a、122b可包括IOI层(inorganic insulating layer-organicinsulating layer-inorganic insulating layer)，但不限于此。
在一些实施例中(未图示)，第二复合层CL2与第三复合层CL3可以是以相同的制程所形成。在一些实施例中(未图示)，第二复合层CL2的发光层的材料类型(例如为量子点发光层或有机发光层)可相同于第三复合层CL3的发光层的材料类型。在一些实施例中，第一复合层CL1的发光层的材料类型可相同于第三复合层CL3的发光层的材料类型。须注意的是，第一复合层CL1的发光层的材料类型可不同于第二复合层CL2的发光层的材料类型。
在一些实施例中，于进行蒸镀制程124以形成其他复合层之前，喷墨制程120可用于形成其中一些复合层。由于用于进行喷墨制程120的腔室可能具有较佳的洁净度，其可减少后续由蒸镀制程124所形成的其他复合层被喷墨制程120所影响。在一些实施例中，在进行蒸镀制程124或其他后续制程之前，覆盖层122a可例如覆盖第一复合层CL1及/或第三复合层CL3，覆盖层122a可用以减少第一复合层CL1及/或第三复合层CL3受蒸镀制程124或后续制程影响的机会。
在一些实施例中，第一复合层CL1、第二复合层CL2及第三复合层CL3可包括上述实施例中所述的复合层结构。在一些实施例中，量子点发光层可由喷墨制程120或蒸镀制程124所形成，有机发光层可由喷墨制程120或蒸镀制程124所形成。可于进行蒸镀制程124之前进行喷墨制程120。在其他实施例中，可于进行蒸镀制程124之后进行喷墨制程120。在一些实施例中，其中一个复合层中的膜层可由喷墨制程120或蒸镀制程124所形成，但不限于此。在一些实施例中，其中一个复合层中的部分膜层可由喷墨制程120所形成，而剩余部分的膜层可由蒸镀制程124所形成。在一些实施例中，第一复合层CL1、第二复合层CL2及/或第三复合层CL3可以是以相同制程(例如喷墨制程120、蒸镀制程124或其他合适的制程)所形成。
请参考图10A-10D，其为第七实施例的发光装置制造方法中形成复合层、阴极及覆盖层的步骤的示意图。相异于第六实施例，在进行用于形成(或设置)第二复合层CL2的喷墨制程120之前，可进行用于形成(或设置)第一复合层CL1及/或第三复合层CL3的蒸镀制程124。请参考图10A与图11，步骤S108可为形成(或设置)至少一个复合层。图10A中所呈现的步骤S108可接续在图8所呈现的步骤S106之后。例如，在第七实施例中，第一复合层CL1与第三复合层CL3可以是以相同或不同的制程所形成。如图10A所示，第一复合层CL1及第三复合层CL3可覆盖像素定义层102的侧表面102s的至少一部分与像素定义层102的上表面102t的一部分，但不限于此。此外，在形成(或设置)第一复合层CL1与第三复合层CL3之前，可于像素定义层102的一部分上形成(或设置)间隔物112，至少一个间隔物112可设置于像素定义层102的二个相邻孔洞之间，且间隔物112在法线方向V上不会重迭于像素定义层102的孔洞。在一些实施例中，间隔物112与像素定义层102可以是以相同的制程所形成，或间隔物112与像素定义层102可包括相同的材料。在一些实施例中，间隔物112与像素定义层102可以是以不同的制程所形成，且间隔物112与像素定义层102可包括不同的材料。此外，可于蒸镀制程124中使用金属屏蔽126，且金属屏蔽126可设置于间隔物112上，但不限于此。
请参考图10B与图11，步骤S110可为形成(或设置)阴极。例如，可于第一复合层CL1及/或第三复合层CL3上或对应于第一复合层CL1及/或第三复合层CL3形成(或设置)阴极106a，或阴极106a可在法线方向V上重迭于第一复合层CL1及第三复合层CL3，阴极不会形成(或设置)于孔洞1022上或对应于孔洞1022，阴极106a可覆盖设置于孔洞1021与孔洞1022之间的间隔物112，且阴极106a不会覆盖设置于孔洞1022与孔洞1023之间的间隔物112，但不限于此。接着，步骤S112为形成(或设置)覆盖层。例如，可于阴极106a上形成覆盖层122a，覆盖层122a可部分覆盖阴极106a，或暴露出阴极106a的另一部分，但不限于此。
请参考图10C与图11，可再次进行步骤S108，可于孔洞1022内形成(或设置)第二复合层CL2，第二复合层CL2可由喷墨制程102所形成(或设置)。如图10C所示，第二复合层CL2可部分覆盖像素定义层102的侧表面102s，但不限于此。
请参考图10D与图11，可再次进行步骤S110，可于第二复合层CL2上形成阴极106b，且阴极106b可连接于阴极106a。接着，可再次进行步骤S112，且可于阴极106b上形成(或设置)覆盖层122b。覆盖层122b可连接于(或接触)覆盖层122a。在一些实施例中，覆盖层122b的一部分可在法线方向V上重迭于覆盖层122a的一部分。
请参考图12，图12为本发明的发光装置制造方法的另一制程流程示意图。相异于图11中所示的制造方法的制程流程，可在进行步骤S1081(形成第一复合层CL1及/或第三复合层CL3)之后进行步骤S1082(形成第二复合层CL2)，可在进行步骤S1082(形成第二复合层CL2)之后进行步骤S110(形成阴极)，并可在进行步骤S110(形成阴极)之后进行步骤S112(形成覆盖层)，形成在不同复合层(如第一复合层CL1、第二复合层CL2及第三复合层CL3)上的阴极及/或覆盖层可以是以相同的制程所形成，或形成在不同复合层(如第一复合层CL1、第二复合层CL2及第三复合层CL3)上的阴极及/或覆盖层可为连续的。
综上所述，混合式发光装置可包括至少一个具有有机发光层的发光单元以及至少一个具有量子点发光层的发光单元。有机发光层或量子点发光层可设置于发光单元的复合层中，发光单元中的复合层可包括至少一个子层(发光层)，且可调整复合层的厚度或发光层的厚度。因此，不同发光单元中的复合层的厚度或发光层的厚度可不相同。此外，可通过调整发光单元中复合层的厚度或发光层的厚度以调整发光单元的亮度或使用寿命。因此，根据本发明，发光装置可增加均匀亮度或使用寿命。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种发光装置，其特征在于，包括：
一第一发光单元，包括一第一复合层，该第一复合层包括一有机发光层；以及
一第二发光单元，邻近于该第一发光单元且包括一第二复合层，该第二复合层包括一量子点发光层；
其中，该第一复合层发出红色波长光，该第二复合层发出蓝色波长光，该第一复合层的厚度小于该第二复合层的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第一复合层的厚度对该第二复合层的厚度的比值为大于或等于0.1且小于1。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该有机发光层与该量子点发光层是以不同的制程所制造。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第一发光单元还包括一第一阳极及一第一阴极分别电连接于该第一复合层，且该第二发光单元还包括一第二阳极及一第二阴极分别电连接于该第二复合层。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，该第一阳极与该第二阳极是以相同的制程所制造。
6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，该第一阴极与该第二阴极是以相同的制程所制造。
7.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，还包括一像素定义层，其中该第一阳极或该第二阳极接触该像素定义层的一侧表面的至少一部分。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该有机发光层包括多个子层，且该多个子层分别具有不同的厚度。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该量子点发光层包括多个子层，且该多个子层分别具有不同的厚度。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该有机发光层或该量子点发光层包括一第一子层、一第二子层及一第三子层，该第二子层设置于该第一子层与该第三子层之间，且该第二子层的厚度小于该第一子层的厚度或该第三子层的厚度。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该有机发光层发出的光与该量子点发光层发出的光具有不同的颜色。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括一像素定义层，其中该第一复合层或该第二复合层设置于该像素定义层的一孔洞内，且该第一复合层或该第二复合层覆盖该像素定义层的一侧表面的至少一部分与该像素定义层的一上表面的一部分。
13.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括一像素定义层及一间隔物，该间隔物形成于该像素定义层上，其中该间隔物不重迭于该像素定义层的一孔洞。
14.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第一发光单元的面积不同于该第二发光单元的面积。
15.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第一复合层及该第二复合层分别包括一电子注入层或一电子传输层，且该第一复合层的该电子注入层与该第二复合层的该电子注入层互相分隔，或该第一复合层的该电子传输层与该第二复合层的该电子传输层互相分隔；
其中该第一复合层及该第二复合层分别包括一电洞注入层或一电洞传输层，且该第一复合层的该电洞注入层与该第二复合层的该电洞注入层互相分隔，或该第一复合层的该电洞传输层与该第二复合层的该电洞传输层互相分隔。
16.一种发光装置，其特征在于，包括：
一第一发光单元，包括一第一复合层，该第一复合层包括一有机发光层；以及
一第二发光单元，邻近于该第一发光单元，该第二发光单元包括一第二复合层，该第二复合层包括一量子点发光层；
其中，该第一复合层发出红色波长光，该第二复合层发出蓝色波长光，该有机发光层的厚度小于该量子点发光层的厚度。
17.根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于，该有机发光层的厚度对该量子点发光层的厚度的比值为大于或等于0.1且小于1。
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