CN111638750A - 一种烧写器以及一种rtc的校正方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种RTC的校正方法，应用于内置了RTC芯片的烧写器中，包括：从上位机中获取配置文件以及烧录文件；获取RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合配置文件，确定出针对目标芯片的校正数据；将校正数据存储至目标芯片中，以对目标芯片进行RTC校正；将烧录文件烧录至目标芯片。应用本申请的方案，可以方便有效地进行芯片的RTC校正，提高了校正效率。本申请还提供了一种烧写器，具有相应技术效果。

Description

一种烧写器以及一种RTC的校正方法

技术领域

本发明涉及校正技术领域，特别是涉及一种烧写器以及一种RTC的校正方法。

背景技术

众所周知，由于晶体的老化，温度等因素的影响，需要对芯片的RTC(Real TimeClock，实时时钟)进行校正。特别是在智能电表中，结算方式已经由传统的电量结算转换为金额结算，并且费率模式也较传统的电表更为复杂，使得对智能电表中的实时时钟的精度提出了更高的要求。根据行业标准，通常要求其在工作温度范围内的精度满足1s/day以内，即误差要低于11.5ppm，在23℃时满足小于0.5s/day。目前通常采用的是二次曲线校正的方法，修正晶体的温度偏差，从而提升智能电表的实时时钟的精度。

目前，不同的厂家都会单独设计其校正的流程和对应的校准工具，导致用户操作复杂，特别是用户需要批量进行芯片的RTC校正时，不利于提高校正效率。

综上所述，如何方便有效地进行芯片的RTC校正，是目前本领域技术人员急需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种烧写器以及一种RTC的校正方法，以方便有效地进行芯片的RTC校正。

为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一种RTC的校正方法，应用于内置了RTC芯片的烧写器中，包括：

从上位机中获取配置文件以及烧录文件；

获取所述RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的校正数据；

将所述校正数据存储至所述目标芯片中，以对所述目标芯片进行RTC校正；

将所述烧录文件烧录至所述目标芯片。

优选的，所述获取所述RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的校正数据，包括：

获取所述RTC芯片的温度值以及秒脉冲捕获值；

获取所述目标芯片的温度值以及秒脉冲捕获值；

根据所述RTC芯片的温度值以及所述目标芯片的温度值，确定出针对所述目标芯片的温度校正值；

根据所述RTC芯片的秒脉冲捕获值以及所述目标芯片的秒脉冲捕获值，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的RTC校正值；

将所述温度校正值以及所述RTC校正值作为确定出的针对所述目标芯片的校正数据。

优选的，所述根据所述RTC芯片的温度值以及所述目标芯片的温度值，确定出针对所述目标芯片的温度校正值，包括：

将所述目标芯片的温度值与所述RTC芯片的温度值的差值，作为确定出的针对所述目标芯片的温度校正值。

优选的，所述根据所述RTC芯片的秒脉冲捕获值以及所述目标芯片的秒脉冲捕获值，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的RTC校正值，包括：

通过

将计算出的Δc作为确定出的针对所述目标芯片的RTC校正值，以使所述目标芯片基于aT²+bT+c+Δc确定出秒脉冲对应的振动频率；

其中，f₁表示所述目标芯片的秒脉冲捕获值，f₂表示所述RTC芯片的秒脉冲捕获值，a,b,c均为保存在所述配置文件中的针对所述目标芯片的固定参数，T为环境温度值，y₁＝aT²+bT+c，表示的是所述目标芯片在未进行RTC校正前所采用的频率响应曲线，y₂＝aT²+bT+c+Δc，表示的是所述目标芯片在进行了RTC校正后所采用的频率响应曲线。

优选的，在所述从上位机中获取配置文件以及烧录文件之前，还包括：

对所述烧写器进行自检，并在自检通过之后，执行所述上位机中获取配置文件以及烧录文件的操作。

优选的，在所述从上位机中获取配置文件以及烧录文件之后，在所述确定出针对所述目标芯片的校正数据之前，还包括：

根据所述配置文件，判断是否执行RTC校正；

如果是，则执行所述获取所述RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的校正数据的操作；

如果否，则将所述烧录文件烧录至所述目标芯片。

一种烧写器，包括：

内置于烧写器中的RTC芯片；

控制器，用于从上位机中获取配置文件以及烧录文件，获取所述RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的校正数据；

校正数据写入模块，用于将所述校正数据存储至所述目标芯片中，以对所述目标芯片进行RTC校正；

烧录模块，用于将所述烧录文件烧录至所述目标芯片。

优选的，所述控制器包括：

文件获取单元，用于从上位机中获取配置文件以及烧录文件；

RTC芯片数据获取单元，用于获取所述RTC芯片的温度值以及秒脉冲捕获值；

目标芯片数据获取单元，用于获取所述目标芯片的温度值以及秒脉冲捕获值；

温度校正值计算单元，用于根据所述RTC芯片的温度值以及所述目标芯片的温度值，确定出针对所述目标芯片的温度校正值；

RTC校正值计算单元，用于根据所述RTC芯片的秒脉冲捕获值以及所述目标芯片的秒脉冲捕获值，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的RTC校正值；

校正数据生成单元，用于将所述温度校正值以及所述RTC校正值作为确定出的针对所述目标芯片的校正数据。

优选的，所述温度校正值计算单元，具体用于：

将所述目标芯片的温度值与所述RTC芯片的温度值的差值，作为确定出的针对所述目标芯片的温度校正值。

优选的，所述RTC校正值计算单元，具体用于：

通过

将计算出的Δc作为确定出的针对所述目标芯片的RTC校正值，以使所述目标芯片基于aT²+bT+c+Δc确定出秒脉冲对应的振动频率；

其中，f₁表示所述目标芯片的秒脉冲捕获值，f₂表示所述RTC芯片的秒脉冲捕获值，a,b,c均为保存在所述配置文件中的针对所述目标芯片的固定参数，T为环境温度值，y₁＝aT²+bT+c，表示的是所述目标芯片在未进行RTC校正前所采用的频率响应曲线，y₂＝aT²+bT+c+Δc，表示的是所述目标芯片在进行了RTC校正后所采用的频率响应曲线。

应用本发明实施例所提供的技术方案，采用烧写器进行RTC校正。具体的，本申请考虑到，目标芯片通常需要通过烧写器实现文件烧录，因此本申请在烧写器中内置了RTC芯片，从而使得用户在利用烧写器将烧录文件烧录至目标芯片中，可以同时实现对目标芯片的RTC校正。具体的，烧写器可以从上位机中获取配置文件以及烧录文件，获取RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合配置文件，便可以确定出针对目标芯片的校正数据。将校正数据存储至目标芯片中，从而实现对目标芯片进行RTC校正。由于本申请的方案在烧写器将烧录文件烧录至目标芯片的同时，实现了对目标芯片的RTC校正，使得用户无需再单独使用专门的RTC校准工具，即本申请的方案可以方便有效地进行芯片的RTC校正，提高了校正效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明中一种RTC的校正方法的实施流程图；

图2为本发明中一种烧写器的结构示意图。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种RTC的校正方法，可以方便有效地进行芯片的RTC校正，提高了校正效率。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图1，图1为本发明中一种RTC的校正方法的实施流程图，该RTC的校正方法应用于内置了RTC芯片的烧写器中，包括：

步骤S101：从上位机中获取配置文件以及烧录文件。

本申请在烧写器中内置了RTC芯片，并且可以理解的是，由于本申请是基于该内置的RTC芯片实现对目标芯片的RTC校正，因此，内置在烧写器中的RTC芯片通常可以采用高精度RTC芯片，从而有利于提高本申请方案的校正精度。高精度RTC芯片可以输出高精度的秒脉冲信号。

烧写器可以从上位机中获取配置文件以及烧录文件，烧录文件即为需要烧录至目标芯片中的数据内容，配置文件则可以包括目标芯片的配置数据，实现后续对校正数据的计算，当然，具体场合中，配置文件中还可以根据实际需要包含有其他类型的数据内容，例如包括一些烧录相关的目标芯片的配置信息等，并不影响本发明的实施。

步骤S102：获取RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合配置文件，确定出针对目标芯片的校正数据。

烧写器可以获取RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，即以RTC芯片的数据信息作为基准，结合配置文件中包括的关于目标芯片的配置数据，计算出针对目标芯片的校正数据。

具体的计算校正数据的方式可以根据实际情况进行设定和调整，例如可以参照目前已有的一些RTC校正方法。

在本发明的一种具体实施方式中，步骤S102具体可以包括以下几个步骤：

步骤一：获取RTC芯片的温度值以及秒脉冲捕获值；

步骤二：获取目标芯片的温度值以及秒脉冲捕获值；

步骤三：根据RTC芯片的温度值以及目标芯片的温度值，确定出针对目标芯片的温度校正值；

步骤四：根据RTC芯片的秒脉冲捕获值以及目标芯片的秒脉冲捕获值，并结合配置文件，确定出针对目标芯片的RTC校正值；

步骤五：将温度校正值以及RTC校正值作为确定出的针对目标芯片的校正数据。

该种实施方式中，得到的校正数据包括两项，一项是温度校正值，另一项是RTC校正值，即不仅对目标芯片的RTC进行校正，还同时进行了温度校正，有利于进一步地提高校正效果。

温度校正值表示的是目标芯片所测量的温度与实际温度之间的误差量，RTC校正值则表示目标芯片所采用的频率响应曲线与实际的频率响应曲线之间的误差量。

具体的，本申请按照烧写器内置的RTC芯片的1s作为实际的1s，将检测出的RTC芯片的温度作为实际的温度，也即作为实际的环境温度。例如可以在烧写器中内置有温度检测装置以检测出RTC芯片的温度值，目标芯片的温度值则可以由目标芯片中的相关温度检测部件获取，并传输至烧写器中。

获取了RTC芯片的温度值以及目标芯片的温度值之后，便可以确定出针对目标芯片的温度校正值，考虑到本申请是以烧写器中内置的RTC芯片作为基准，因此，在本发明的一种具体实施方式中，上述步骤三可以具体包括：

将目标芯片的温度值与RTC芯片的温度值的差值，作为确定出的针对目标芯片的温度校正值。

例如获取到的RTC芯片的温度值为25℃，而目标芯片的温度值为24.5℃，则将24.5℃-25℃＝-0.5℃作为针对目标芯片的温度校正值，使得经过了RTC校正的目标芯片在后续的工作过程中，便会将测量出的温度值减去-0.5℃，即加上0.5℃之后作为当前的实际温度。

本申请在获取了RTC芯片的秒脉冲捕获值以及目标芯片的秒脉冲捕获值之后，便可以根据RTC芯片的秒脉冲捕获值以及目标芯片的秒脉冲捕获值，并结合配置文件，确定出针对目标芯片的RTC校正值。

秒脉冲捕获值指的是通过定时器读取到的计数频率，例如实际应用中控制器通常为MCU，MCU中内置了定时器。并且可以理解的是，由于本申请是以RTC芯片作为基准，因此，将RTC芯片输出的秒脉冲视为是标准的1Hz的秒脉冲，从而实现对目标芯片的RTC校正。当然，如前文的描述，RTC芯片应当选取为高精度的RTC芯片，以输出高精度的秒脉冲信号。

将RTC芯片的秒脉冲捕获值表示为f₂，将目标芯片的秒脉冲捕获值表示为f₁，则

表示的就是目标芯片的秒脉冲周期与实际的秒脉冲周期之间的误差。例如在23℃时，RTC芯片内部的晶体每振动了32768次，认为对应的时长是1秒整，基于此，RTC芯片会输出一个频率为1Hz的秒脉冲。定时器对RTC芯片输出的秒脉冲进行检测，例如当电平出现上升沿时开始计数，出现下一个上升沿时停止计数，假设定时器的计数值达到了200M，即表示在当前的温度下，将RTC芯片输出的秒脉冲视为是标准的1Hz的秒脉冲，则计数器中的晶振跳动了200M下。相应的，也需要对目标芯片输出的秒脉冲进行检测，并且可以理解的是，如果目标芯片与RTC芯片之间不存在误差，即目标芯片输出的秒脉冲也是一个标准的1Hz的秒脉冲，则计数器中的晶振应该也是跳动了200M下。假设目标芯片的秒脉冲的周期为1.000040秒，则计数器中的晶振会跳动200008000下，即该例子中，

秒，也就是误差为40ppm，说明在当前的温度下，目标芯片将实际的1.000040秒认为是1秒，目标芯片慢了0.00004秒。

在进行步骤四时，具体的计算方式可以根据需要进行选取，例如在本发明的一种具体实施方式中，上述步骤四可以具体包括：

通过

将计算出的Δc作为确定出的针对目标芯片的RTC校正值，以使目标芯片基于aT²+bT+c+Δc确定出秒脉冲对应的振动频率；

其中，f₁表示目标芯片的秒脉冲捕获值，f₂表示RTC芯片的秒脉冲捕获值，a,b,c均为保存在配置文件中的针对目标芯片的固定参数，T为环境温度值，y₁＝aT²+bT+c，表示的是目标芯片在未进行RTC校正前所采用的频率响应曲线，y₂＝aT²+bT+c+Δc，表示的是目标芯片在进行了RTC校正后所采用的频率响应曲线。

y₁＝aT²+bT+c是目标芯片的厂家给出的频率响应曲线，例如y₁＝-9.42×10^-4T²+0.03849T+32766.966，表示的当温度为T时，目标芯片需要振动y₁下，视为是1秒，即振动频率为y₁。

本申请的该种实施方式中，考虑到厂家给出的y₁中，a,b通常较为准确，但常数项参数c存在一定的误差，并且随着芯片晶体的老化，常数项参数c也会发生变化，因此，该种实施方式中将计算出的Δc作为确定出的针对目标芯片的RTC校正值，以使目标芯片后续运行时，可以基于aT²+bT+c+Δc确定出秒脉冲对应的振动频率。

例如在前述的例子中，

求解：

便可以计算出Δc，从而得到校正之后的响应曲线y₂。

此外，还需要强调的是，该种实施方式中的环境温度值T通常选用的是获取的RTC芯片的温度值。并且可以理解的是，为了避免RTC芯片与目标芯片之间的存在实际的温度差，通常需要将烧写器与目标芯片置入同一环境中，并静置一段时间后再执行本申请的方案，以保证RTC芯片以及目标芯片的实际温度是一致的，且均等于环境温度。即保障y₁＝aT²+bT+c以及y₂＝aT²+bT+c+Δc中的T是一致的。

该种实施方案中，通过：

计算出Δc从而对目标芯片在未进行RTC校正前所采用的频率响应曲线y₁进行常数项参数的校正，方案简单方便，并且可以在任意温度下进行本申请方案的校正，只需要保证RTC芯片以及目标芯片所处的温度是一致的即可。

步骤S103：将校正数据存储至目标芯片中，以对目标芯片进行RTC校正。

得到了校正数据之后，便需要将校正数据存储至目标芯片中，例如前述例子中，得到的校正数据包括温度校正值以及RTC校正值，温度校正值表示的是目标芯片所测量的温度与实际温度之间的误差量，RTC校正值则表示目标芯片所采用的频率响应曲线与实际的频率响应曲线之间的误差量。

目标芯片在后续的运行过程中，便可以根据校正数据进行RTC校正，目标芯片根据校正数据实现RTC校正的具体操作可参阅上文的例子，当然，目标芯片中需要设置有相关程序能够读取校正数据并在工作过程中进行实时校正。

此外，通常需要将校正数据存储在目标芯片中的掉电不丢失的数据存储区域，例如可以存储至目标芯片的Info区。

步骤S104：将烧录文件烧录至目标芯片。

通常，可以将烧录文件烧录至目标芯片的Flash中，烧录完成之后，便可以结束烧录进程。

应用本发明实施例所提供的技术方案，采用烧写器进行RTC校正。具体的，本申请考虑到，目标芯片通常需要通过烧写器实现文件烧录，因此本申请在烧写器中内置了RTC芯片，从而使得用户在利用烧写器将烧录文件烧录至目标芯片中，可以同时实现对目标芯片的RTC校正。具体的，烧写器可以从上位机中获取配置文件以及烧录文件，获取RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合配置文件，便可以确定出针对目标芯片的校正数据。将校正数据存储至目标芯片中，从而实现对目标芯片进行RTC校正。由于本申请的方案在烧写器将烧录文件烧录至目标芯片的同时，实现了对目标芯片的RTC校正，使得用户无需再单独使用专门的RTC校准工具，即本申请的方案可以方便有效地进行芯片的RTC校正，提高了校正效率。

在本发明的一种具体实施方式中，在步骤S101之前，还可以包括：

对烧写器进行自检，并在自检通过之后，执行上位机中获取配置文件以及烧录文件的操作。

该种实施方式中，烧写器还可以进行自检的操作，如果自检失败，则可以终止后续的操作进程，并且可以输出提示信息，当然，在自检通过之后，便可以执行步骤S101的操作。

在本发明的一种具体实施方式中，在步骤S101之后，在步骤S102之前，还可以包括：

根据配置文件，判断是否执行RTC校正；

如果是，则执行获取RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合配置文件，确定出针对目标芯片的校正数据的操作；

如果否，则将烧录文件烧录至目标芯片。

该种实施方式中，使得用户可以选择性地进行RTC校正，提高了方案的使用灵活性。例如可以在配置文件中设置有相应的标志位，以判断是否需要执行RTC校正，如果需要，便可以触发步骤S102，如果用户不需要进行RTC校正，则可以直接触发步骤S104，将烧录文件烧录至目标芯片中，便可以结束烧录进程。

相应于上面的方法实施例，本发明实施例还提供了一种烧写器，可与上文相互对应参照。

参见图2所示，为本发明中一种烧写器的结构示意图，包括：

内置于烧写器中的RTC芯片10；

控制器20，用于从上位机中获取配置文件以及烧录文件，获取RTC芯片10的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合配置文件，确定出针对目标芯片的校正数据；

校正数据写入模块30，用于将校正数据存储至目标芯片中，以对目标芯片进行RTC校正；

烧录模块40，用于将烧录文件烧录至目标芯片。

在本发明的一种具体实施方式中，控制器20包括：

文件获取单元，用于从上位机中获取配置文件以及烧录文件；

RTC芯片10数据获取单元，用于获取RTC芯片10的温度值以及秒脉冲捕获值；

目标芯片数据获取单元，用于获取目标芯片的温度值以及秒脉冲捕获值；

温度校正值计算单元，用于根据RTC芯片10的温度值以及目标芯片的温度值，确定出针对目标芯片的温度校正值；

RTC校正值计算单元，用于根据RTC芯片10的秒脉冲捕获值以及目标芯片的秒脉冲捕获值，并结合配置文件，确定出针对目标芯片的RTC校正值；

校正数据生成单元，用于将温度校正值以及RTC校正值作为确定出的针对目标芯片的校正数据。

在本发明的一种具体实施方式中，温度校正值计算单元，具体用于：

将目标芯片的温度值与RTC芯片10的温度值的差值，作为确定出的针对目标芯片的温度校正值。

在本发明的一种具体实施方式中，RTC校正值计算单元，具体用于：

通过

将计算出的Δc作为确定出的针对目标芯片的RTC校正值，以使目标芯片基于aT²+bT+c+Δc确定出秒脉冲对应的振动频率；

其中，f₁表示目标芯片的秒脉冲捕获值，f₂表示RTC芯片的秒脉冲捕获值，a,b,c均为保存在配置文件中的针对目标芯片的固定参数，T为环境温度值，y₁＝aT²+bT+c，表示的是目标芯片在未进行RTC校正前所采用的频率响应曲线，y₂＝aT²+bT+c+Δc，表示的是目标芯片在进行了RTC校正后所采用的频率响应曲线。

在本发明的一种具体实施方式中，控制器20还用于：对烧写器进行自检，并在自检通过之后，从上位机中获取配置文件以及烧录文件。

在本发明的一种具体实施方式中，控制器20还用于：

根据配置文件，判断是否执行RTC校正；

如果是，则控制器20执行获取RTC芯片10的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合配置文件，确定出针对目标芯片的校正数据的操作；

如果否，则触发烧录模块40。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。

专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种RTC的校正方法，其特征在于，应用于内置了RTC芯片的烧写器中，包括：

从上位机中获取配置文件以及烧录文件；

获取所述RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的校正数据；

将所述校正数据存储至所述目标芯片中，以对所述目标芯片进行RTC校正；

将所述烧录文件烧录至所述目标芯片。

2.根据权利要求1所述的RTC的校正方法，其特征在于，所述获取所述RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的校正数据，包括：

获取所述RTC芯片的温度值以及秒脉冲捕获值；

获取所述目标芯片的温度值以及秒脉冲捕获值；

根据所述RTC芯片的温度值以及所述目标芯片的温度值，确定出针对所述目标芯片的温度校正值；

根据所述RTC芯片的秒脉冲捕获值以及所述目标芯片的秒脉冲捕获值，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的RTC校正值；

将所述温度校正值以及所述RTC校正值作为确定出的针对所述目标芯片的校正数据。

3.根据权利要求2所述的RTC的校正方法，其特征在于，所述根据所述RTC芯片的温度值以及所述目标芯片的温度值，确定出针对所述目标芯片的温度校正值，包括：

将所述目标芯片的温度值与所述RTC芯片的温度值的差值，作为确定出的针对所述目标芯片的温度校正值。

4.根据权利要求2所述的RTC的校正方法，其特征在于，所述根据所述RTC芯片的秒脉冲捕获值以及所述目标芯片的秒脉冲捕获值，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的RTC校正值，包括：

通过

将计算出的Δc作为确定出的针对所述目标芯片的RTC校正值，以使所述目标芯片基于aT²+bT+c+Δc确定出秒脉冲对应的振动频率；

其中，f₁表示所述目标芯片的秒脉冲捕获值，f₂表示所述RTC芯片的秒脉冲捕获值，a,b,c均为保存在所述配置文件中的针对所述目标芯片的固定参数，T为环境温度值，y₁＝aT²+bT+c，表示的是所述目标芯片在未进行RTC校正前所采用的频率响应曲线，y₂＝aT²+bT+c+Δc，表示的是所述目标芯片在进行了RTC校正后所采用的频率响应曲线。

5.根据权利要求1所述的RTC的校正方法，其特征在于，在所述从上位机中获取配置文件以及烧录文件之前，还包括：

对所述烧写器进行自检，并在自检通过之后，执行所述上位机中获取配置文件以及烧录文件的操作。

6.根据权利要求1至5任一项所述的RTC的校正方法，其特征在于，在所述从上位机中获取配置文件以及烧录文件之后，在所述确定出针对所述目标芯片的校正数据之前，还包括：

根据所述配置文件，判断是否执行RTC校正；

如果是，则执行所述获取所述RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的校正数据的操作；

如果否，则将所述烧录文件烧录至所述目标芯片。

7.一种烧写器，其特征在于，包括：

内置于烧写器中的RTC芯片；

控制器，用于从上位机中获取配置文件以及烧录文件，获取所述RTC芯片的数据信息以及待烧录的目标芯片的数据信息，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的校正数据；

校正数据写入模块，用于将所述校正数据存储至所述目标芯片中，以对所述目标芯片进行RTC校正；

烧录模块，用于将所述烧录文件烧录至所述目标芯片。

8.根据权利要求7所述的烧写器，其特征在于，所述控制器包括：

文件获取单元，用于从上位机中获取配置文件以及烧录文件；

RTC芯片数据获取单元，用于获取所述RTC芯片的温度值以及秒脉冲捕获值；

目标芯片数据获取单元，用于获取所述目标芯片的温度值以及秒脉冲捕获值；

温度校正值计算单元，用于根据所述RTC芯片的温度值以及所述目标芯片的温度值，确定出针对所述目标芯片的温度校正值；

RTC校正值计算单元，用于根据所述RTC芯片的秒脉冲捕获值以及所述目标芯片的秒脉冲捕获值，并结合所述配置文件，确定出针对所述目标芯片的RTC校正值；

校正数据生成单元，用于将所述温度校正值以及所述RTC校正值作为确定出的针对所述目标芯片的校正数据。

9.根据权利要求8所述的烧写器，其特征在于，所述温度校正值计算单元，具体用于：

将所述目标芯片的温度值与所述RTC芯片的温度值的差值，作为确定出的针对所述目标芯片的温度校正值。

10.根据权利要求8所述的烧写器，其特征在于，所述RTC校正值计算单元，具体用于：

通过

将计算出的Δc作为确定出的针对所述目标芯片的RTC校正值，以使所述目标芯片基于aT²+bT+c+Δc确定出秒脉冲对应的振动频率；

其中，f₁表示所述目标芯片的秒脉冲捕获值，f₂表示所述RTC芯片的秒脉冲捕获值，a,b,c均为保存在所述配置文件中的针对所述目标芯片的固定参数，T为环境温度值，y₁＝aT²+bT+c，表示的是所述目标芯片在未进行RTC校正前所采用的频率响应曲线，y₂＝aT²+bT+c+Δc，表示的是所述目标芯片在进行了RTC校正后所采用的频率响应曲线。

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