CN107272821A - 实时时钟校准方法及装置、存储介质、电子设备 - Google Patents

实时时钟校准方法及装置、存储介质、电子设备 Download PDF

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Abstract

一种实时时钟校准方法及装置、存储介质、电子设备，所述方法包括：获取当前温度值；从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，获取与当前温度值对应的频率偏差；根据所述当前温度值对应的频率偏差，对实时时钟进行校准；其中：频率偏差与温度值的映射关系包括：样本第一二次曲线及样本第二二次曲线，采用如下步骤生成：获取在不同温度值下，样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；将温度值不大于第一温度值的所有偏差拟合出样本第一二次曲线，将温度值不小于第一温度值对应的所有偏差拟合出样本第二二次曲线。上述方案能够提高RTC计时精度。

Description

实时时钟校准方法及装置、存储介质、电子设备
技术领域
本发明涉及实时时钟领域，尤其涉及一种实时时钟校准方法及装置、存储介质、电子设备。
背景技术
在嵌入式系统中，实时时钟(Real Time Clock，RTC)是一种高密度集成的专用模块，能够实现保持跟踪时间、日期和年月等功能，确保计时精确可靠。
实时时钟通常采用精度较高的晶体振荡器作为时钟源。由于晶体振荡频率会随着温度呈现二次曲线漂移，导致RTC模块随温度变化产生频率偏差，进而导致计时误差。为降低计时误差，RTC模块中通常加入了温度补偿电路，通过温度补偿电路，将计时误差控制在±5PPM(Percent Per Million，百万分之一)的范围内，保证一天的计时精度误差在0.5秒内。
温度补偿电路通常是采用微控制单元(Micro Controller Unit，MCU)芯片内部或者外部的温度传感器测量温度值，根据“温度—频率特性曲线”得出该温度值对应的频率偏差值，MCU通过修改秒脉冲分频值实现补偿修正。因此，“温度—频率特性曲线”，也即RTC模块中的晶体的频率偏差与温度值的映射关系的准确性直接决定了计时精度误差。
现有技术中，晶体的频率偏差与温度值的映射关系的误差较大，导致RTC的计时精度误差较大。
发明内容
本发明实施例解决的技术问题是如何降低晶体的频率偏差与温度值的映射关系的误差，提高RTC的计时精度。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种实时时钟校准方法，包括：获取当前温度值；从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，获取与当前温度值对应的频率偏差；根据所述当前温度值对应的频率偏差，对所述实时时钟进行校准；其中：所述预设的频率偏差与温度值的映射关系包括：样本第一二次曲线以及样本第二二次曲线，所述样本第一二次曲线和所述样本第二二次曲线采用如下步骤生成：获取在不同温度值下，样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，将温度值不小于所述第一温度值对应的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线。
可选的，所述将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，包括：计算在所有不大于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不大于所述第一温度值的每一温度值对应的第一算术平均数；根据所述所有不大于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第一算术平均数，拟合出所述样本第一二次曲线。
可选的，所述将温度值不小于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线，包括：计算在所有不小于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不小于所述第一温度值的每一温度值对应的第二算术平均数；根据所述所有不小于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第二算术平均数，拟合出所述样本第二二次曲线。
可选的，所述预设的频率偏差与温度值的映射关系还包括：待测试晶体的第一二次曲线和待测试晶体的第二二次曲线；所述待测试晶体的第一二次曲线和所述待测试晶体的第二二次曲线采用如下步骤生成：获取在不同温度值下，所述样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；获取所述样本中每一颗晶体的温度值不大于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数及对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第一二次曲线的开口系数；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数；获取所述样本中每一颗晶体的温度值不小于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数以及对称轴的算术平均数；将所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数与所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴的算术平均数相减，得到的差值作为预设值；在所述第二温度值下，计算待测试晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差；将所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数；根据第二温度值下所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差，以及所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数，计算所述待测试晶体的第二二次曲线的对称轴；将所述待测试晶体对应的第二二次曲线的对称轴与所述预设值相加，得到的和值作为所述待测试晶体对应的第一二次曲线的对称轴；所述第二温度值大于所述第一温度值。
可选的，所述第一温度值为23℃，所述第二温度值为70℃。
本发明实施例还提供了一种实时时钟校准装置，包括：温度值获取单元，用于获取当前温度值；频率偏差获取单元，用于从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，获取与当前温度值对应的频率偏差；校准单元，用于根据所述当前温度值对应的频率偏差，对所述实时时钟进行校准；其中：所述预设的频率偏差与温度值的映射关系包括：样本第一二次曲线以及样本第二二次曲线，所述样本第一二次曲线和所述样本第二二次曲线采用如下步骤生成：获取在不同温度值下，样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，将温度值不小于所述第一温度值对应的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线。
可选的，所述将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，包括：计算在所有不大于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不大于所述第一温度值的每一温度值对应的第一算术平均数；根据所述所有不大于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第一算术平均数，拟合出所述样本第一二次曲线。
可选的，所述将温度值不小于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线，包括：计算在所有不小于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不小于所述第一温度值的每一温度值对应的第二算术平均数；根据所述所有不小于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第二算术平均数，拟合出所述样本第二二次曲线。
可选的，所述预设的频率偏差与温度值的映射关系还包括：待测试晶体的第一二次曲线和待测试晶体的第二二次曲线；所述待测试晶体的第一二次曲线和所述待测试晶体的第二二次曲线采用如下步骤生成：获取在不同温度值下，所述样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；获取所述样本中每一颗晶体的温度值不大于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数及对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第一二次曲线的开口系数；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数；获取所述样本中每一颗晶体的温度值不小于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数以及对称轴的算术平均数；将所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数与所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴的算术平均数相减，得到的差值作为预设值；在所述第二温度值下，计算待测试晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差；将所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数；根据第二温度值下所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差，以及所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数，计算所述待测试晶体的第二二次曲线的对称轴；将所述待测试晶体对应的第二二次曲线的对称轴与所述预设值相加，得到的和值作为所述待测试晶体对应的第一二次曲线的对称轴；所述第二温度值大于所述第一温度值。
可选的，所述第一温度值为23℃，所述第二温度值为70℃。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行上述任一种所述的实时时钟校准方法的步骤。
本发明实施例还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行上述任一种所述的实时时钟校准方法的步骤。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
根据当前温度值，从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，获取对应的频率偏差，进而对实时时钟进行校准。在预设的频率偏差与温度值的映射关系中，包括温度值不大于第一温度值的所有偏差拟合出的样本第一二次曲线，以及温度值不小于第一温度值的所有偏差拟合出的样本第二二次曲线。与现有技术中所拟合出的一条二次曲线相比，上述方案拟合出两条分段的二次曲线，能够降低晶体的频率偏差与温度值的映射关系的误差，提高RTC的计时精度。
进一步地，将样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均值，作为待测试晶体的第二二次曲线的开口系数；根据待测试晶体在第二温度值下对应的频率差值与第一温度值下对应的频率差值的偏差，以及待测试晶体的第二二次曲线的开口系数，计算待测试晶体的第二二次曲线的对称轴。将样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数的算术平均值，作为待测试晶体的第一二次曲线的开口系数；将待测试晶体的第二二次曲线的对称轴与预设值相加，得到的和值作为待测试晶体的第一二次曲线的对称轴。针对每一颗待测试晶体，均单独获取对应的第一二次曲线和第二二次曲线，且每一颗待测试晶体的第一二次曲线均无需通过对待测试晶体进行低温测试即可得出，故可以在进一步降低晶体的频率偏差与温度值的映射关系的误差的同时，降低获取晶体的频率偏差与温度值的映射关系的成本。
附图说明
图1是现有技术拟合得到的二次函数对应曲线的示意图；
图2是本发明实施例中的一种实时时钟校准方法的流程图；
图3是本发明实施例中的一种频率偏差与温度值的映射关系生成方法的流程图；
图4是本发明实施例中的一种样本第一二次曲线的示意图；
图5是本发明实施例中的一种样本第二二次曲线的示意图；
图6是本发明实施例中的另一种频率偏差与温度值的映射关系生成方法的流程图；
图7是本发明实施例中的一种第一二次曲线的对称轴与第二二次曲线的对称轴的比较示意图；
图8是本发明实施例中的一种实时时钟校准装置的结构示意图。
具体实施方式
“温度—频率特性曲线”，也即实时时钟模块(RTC)中晶体振荡器的温度与频率偏差的映射关系，其精确度直接决定了RTC计时精度误差。为最大程度地减少计时误差，需要为每一颗晶体都采用高次函数进行曲线拟合。然而，在采用高次曲线进行曲线拟合时，所需的测试点较多，导致测试成本较高，并且在实际生产中进行低温测试的成本更高。为降低成本，在实际生产中，通常仅使用二次曲线拟合，也即拟合出的“温度—频率特性曲线”为二次曲线。
现有技术中，参照下表1，给出了实际测量得到的9颗晶体在不同温度值下实测振荡频率与标定振荡频率(32768Hz)的频率差值。
表1
表1中，每一行对应在某一温度值下，编号1～9的9颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值，频率差值的单位为PPM。
在每一个温度值下，针对于编号为1～9的每一颗晶体，将每一颗晶体在-33℃、1℃、23℃、45℃以及70℃时的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值，分别与该编号对应的23℃时的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值相减，得到该编号对应的频率差值相对于23℃的频率差值的偏差。
参照下表2，得到编号为1～9的每一颗晶体的频率差值相对于23℃对应晶体的频率差值的偏差。
表2
表2中，算术平均数为：编号为1～9的晶体在某一温度值下的频率差值与23℃下的频率差值的偏差的算术平均数。
根据表2中的算术平均数，使用MATLAB等数学仿真工具，拟合出的二次函数的方程为：
y＝-0.0341x2+1.5702x-18.2607； (1)
需要说明的是，式(1)中的二次函数的方程及其对应的二次曲线，为相对于23℃的二次函数和二次曲线。
式(1)对应的曲线如图1所示。图1中，曲线11为式(1)对应的曲线，曲线12为根据编号为1～9的晶体对应的偏差的算术平均数标定得到的二次曲线。
根据式(1)，将-33℃、1℃、23℃、45℃以及70℃依次代入上式(1)，可以计算得到-33℃、1℃、23℃、45℃以及70℃下的频率差值相对于23℃的频率差值的偏差。结合表2，将根据式(1)计算得到偏差与表2中的实际偏差相减，得到的误差值参照下表3。
表3
根据表3，计算得到所有误差的平方和为90.95。
从上述内容可以得知，现有技术中，拟合得到的二次曲线的误差较大，导致RTC的计时误差较大。
在本发明实施例中，根据当前温度值，从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，获取对应的频率偏差，进而对实时时钟进行校准。在预设的频率偏差与温度值的映射关系中，包括温度值不大于第一温度值的所有偏差拟合出的样本第一二次曲线，以及温度值不小于第一温度值的所有偏差拟合出的样本第二二次曲线。与现有技术中，拟合出的一条二次曲线相比，上述方案能够降低晶体的频率偏差与温度值的映射关系的误差，提高RTC的计时精度。
为使本发明实施例的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参照图2，给出了本发明实施例中的一种实时时钟校准方法，以下通过具体步骤进行详细说明。
步骤S201，获取当前温度值。
在具体实施中，实时时钟包括晶体振荡器，晶体振荡器包括晶体以及振荡电路。在对实时时钟进行校准时，可以先获取晶体振荡器中晶体的当前温度值。
在实际应用中，可以通过MCU芯片中内置的温度传感器来获取晶体的当前温度值，也可以通过独立于MCU芯片并与MCU芯片耦接的温度传感器来获取晶体的当前温度值。
在获取到晶体的当前温度值之后，执行步骤S202。
步骤S202，从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，获取与当前温度值对应的频率偏差。
在实际应用中，可以预先生成频率偏差与温度值的映射关系。在获取当晶体的当前温度值之后，即可从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，得到对应的频率偏差。
在具体实施中，频率偏差与温度值的映射关系可以预先存储在MCU中预先设置的存储器中。在对实时时钟进行校准时，即可从存储器中读取频率偏差与温度值的映射关系。
步骤S203，根据所述当前温度值对应的频率偏差，对所述实时时钟进行校准。
在具体实施中，在获取到当前温度值对应的频率偏差之后，即可对实时时钟进行校准。
在现有技术中，预设的频率偏差与温度值的映射关系可以参照上式(1)以及图1。从式(1)以及图1可知，现有技术中的频率偏差与温度值的映射关系的误差较大，精确度较低。
为降低频率偏差与温度值的映射关系，在本发明实施例中，提供了一种频率偏差与温度值的映射关系的生成方法，参照图3，以下通过具体步骤进行详细说明。
步骤S301，获取不同温度值下，样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值。
在具体实施中，可以预先选取多颗同一型号的晶体作为样本。例如，选择9颗同一型号的晶体作为样本。在不同的温度值下，依次测量样本中每一颗晶体的振荡频率作为不同温度值下样本中每一颗晶体的实测振荡频率。将不同温度值下样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率相减，得到不同温度值下样本中每一颗晶体对应的频率差值。
在本发明一实施例中，设定温度值为-33℃、1℃、23℃、45℃以及70℃，样本中包括9个同一型号的晶体，标定振荡频率为32768Hz。分别在-33℃、1℃、23℃、45℃以及70℃下，依次测量样本中9颗晶体对应的实测振荡频率。将-33℃、1℃、23℃、45℃以及70℃下样本中每一颗晶体对应的实测振荡频率与标定振荡频率相减，得到-33℃、1℃、23℃、45℃以及70℃下样本中每一颗晶体对应的频率差值，得到的具体数值参照本发明上述提供的表1。
步骤S302，计算样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差。
在具体实施中，可以在所设定的不同温度值下，从中选择一个温度值作为第一温度值。在选择第一温度值时，可以选择所设定的不同温度值中的中间的某一个温度值，也即在所设定的不同温度值中，存在大于第一温度值的温度值，并同时存在小于第一温度值的温度值。此外，在设定第一温度值时，还可以综合考虑第一温度值的实现的难易程度，可以将第一温度值设置为较容易实现的温度值。
例如，设定温度值为-33℃、1℃、23℃、45℃以及70℃，则设定第一温度值为23℃。通常情况下而言，实现23℃的温度环境要易于实现-33℃的温度环境。
第一温度值也可以为所设定的不同温度值中间的任何一个值，也可以为所有这些温度值的平均值，或其他选择方法，只需要在所设定的不同温度值中，存在大于第一温度值的温度值，并同时存在小于第一温度值的温度值即可，此处不再赘述。
将步骤S301中得到的不同温度值下样本中每一颗晶体对应的频率差值，与第一温度值下对应晶体的频率差值相减，得到样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差。
设定第一温度值为23℃，以上文提供的表1为例，针对编号为1的晶体，从表1中可知，在-33℃时对应的频率差值为-101.74PPM，在23℃时对应的频率差值为5.55PPM，则编号为1的晶体在-33℃的频率差值相对于23℃下的频率差值的偏差为-101.74-5.55＝-107.29PPM。
以此类推，参照表2，给出了样本中所有晶体对应的频率差值相对于23℃下对应晶体的频率差值的偏差。
步骤S303，将温度值不大于第一温度值的所有偏差拟合出样本第一二次曲线，将温度值不小于第一温度值的所有偏差拟合出样本第二二次曲线。
在具体实施中，根据步骤S303所得到的样本第一二次曲线和样本第二二次曲线所对应的映射关系，即为晶体的相对于第一温度值的温度值与频率偏差的映射关系。
在具体实施中，在拟合样本第一二次曲线时，可以先计算在所有不大于第一温度值的每一温度值下，样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为每一温度值下样本的第一算术平均数。根据每一温度值下样本的第一算术平均数，拟合出样本第一二次曲线。
在拟合样本第二二次曲线时，可以先计算在所有不小于第一温度值的每一温度值下，样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为每一温度值下样本的第二算术平均数。根据每一温度值下样本的第二算术平均数，拟合出样本第二二次曲线。
在本发明实施例中，某一温度值下编号为n的晶体对应的偏差是指：△f1-△f2，其中：△f1为某一温度值下，编号为n的晶体对应的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；△f2为第一温度值下，编号为n的晶体对应的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值。
需要说明的是，拟合得到的样本第一二次曲线为相对于第一温度值的二次曲线，拟合得到的样本第二二次曲线为相对于第一温度值的二次曲线。
下面通过举例，分别对样本第一二次曲线以及样本第二二次曲线的拟合进行说明。
结合表2，设定第一温度值为23℃，则计算-33℃下编号为1～9的晶体对应的偏差的算术平均数，作为-33℃对应的第一算术平均数，得到的值为-106.6844；计算1℃下，编号为1～9的晶体对应的偏差的算术平均数，作为1℃对应的第一算术平均数，得到的值为-18.1889；计算在23℃下，编号为1～9的晶体对应的偏差的算术平均数，作为23℃对应的第一算术平均数，得到的值为0。
根据-33℃对应的第一算术平均数、1℃对应的第一算术平均数以及23℃对应的第一算术平均数，拟合生成样本第一二次曲线并得到对应的第一二次函数，第一二次函数的方程为：
y＝-0.0317x2+1.5879x-19.7451； (2)
样本第一二次曲线的示意图参照图4。图4中，曲线41为式(2)对应的曲线；曲线42为根据编号为1～9的晶体在-33℃对应的第一算术平均数、1℃对应的第一算术平均数以及23℃对应的第一算术平均数拟合得到的二次曲线。
计算在23℃下，编号为1～9的晶体对应的偏差的算术平均数，作为23℃对应的第二算术平均数，得到的值为0；计算在45℃下编号为1～9的晶体对应的偏差的算术平均数，作为45℃对应的第二算术平均数，得到的值为-15.1444；计算在70℃下编号为1～9的晶体对应的偏差的算术平均数，作为70℃对应的第二算术平均值，得到的值为-76.2033。
根据23℃对应的第二算术平均数、45℃对应的第二算术平均数、70℃对应的第二算术平均数，拟合生成样本第二二次曲线并得到对应的第二二次函数，第二二次函数的方程为：
y＝-0.0373x2+1.8493x-22.7919； (3)
样本第二二次曲线的示意图参照图5。图5中，曲线51为式(3)对应的曲线；曲线52为根据编号为1～9的晶体在23℃对应的第二算术平均数、45℃对应的第二算术平均数以及70℃对应的第二算术平均数拟合得到的二次曲线。
将-33℃代入到式(2)，计算得到的拟合曲线计算值为-106.6671PPM；将1℃代入到式(2)，计算得到的拟合曲线计算值为-18.1889PPM；将23℃带入到式(2)，得到的拟合曲线计算值为0.0103PPM。将23℃带入到式(3)，得到的拟合曲线计算值为0.0103PPM；将45℃代入到式(3)，得到的频率差值为-15.1059PPM；将70℃代入到式(3)，得到的拟合曲线计算值为-76.1109PPM。
将根据式(2)和式(3)计算得到的频率差值，与步骤S302中得到的各晶体对应的偏差进行比较，得到的结果参照表4。
参照表4，给出了各晶体对应的偏差与根据式(2)和式(3)计算得到的拟合曲线计算值之间的偏差的误差。
表4
例如，对于编号为1的晶体，从表2中可知，在-33℃，编号为1的晶体的偏差为-107.29PPM。从表4中可知，拟合曲线计算值为-106.6671PPM，则编号为1的晶体对应的偏差与拟合曲线计算值之间的误差为-107.29-(-106.6671)＝-0.6229。以此类推，即可根据表2得到表4。
在表4中，所有的误差的平方和为42.93，与表2中的误差平方和为90.95相比，有效降低了误差。也就是说，本发明实施例中提供的方案有效提高了频率偏差与温度值的映射关系的精确度，从而提高了实时时钟校准的精度。
由此可见，根据当前温度值，从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，获取对应的频率偏差，进而对实时时钟进行校准。在预设的频率偏差与温度值的映射关系中，包括温度值不大于第一温度值的所有偏差拟合出的样本第一二次曲线，以及温度值不小于第一温度值的所有偏差拟合出的样本第二二次曲线。与现有技术中，拟合出的一条二次曲线相比，上述方案能够降低“温度—频率特性曲线”的误差，提高RTC的计时校准精度。
在本发明实施例中，只是选择数颗晶体作为样本，来获取样本中的晶体对应的样本第一二次曲线以及样本第二二次曲线。然而，在实际应用中，大规模生产晶体数以万计，样本中的晶体很可能无法表征所有晶体的特性，因此，仅采用样本中的晶体生成的样本第一二次曲线以及样本第二二次曲线表征晶体的频率偏差与温度值的映射关系，仍存在一定的局限性。
因此，在本发明实施例中，提供了另一种晶体的频率偏差与温度值的映射关系的生成方法。
参照图6，给出了本发明实施例中的另一种频率偏差与温度值的映射关系的生成方法，以下通过具体步骤进行详细说明。
步骤S601，在样本中，拟合出样本中每一颗晶体的第一二次曲线和第二二次曲线。
在具体实施中，在预先设定的样本中，分别获取样本中每一颗晶体温度值不大于第一温度值的所有偏差，拟合出样本中每一颗晶体的第一二次曲线；分别获取样本中每一颗晶体温度值不小于第一温度值的所有偏差，拟合出样本中每一颗晶体的第二二次曲线。
在本发明一实施例中，继续以样本中包括编号依次为1～9的9颗晶体为例。
在表2中，根据样本中每一颗晶体在-33℃、1℃以及23℃下的偏差，分别拟合出编号为1～9的9颗晶体一一对应的第一二次曲线，也即拟合出9条第一二次曲线，分别为：编号为1的晶体对应的第一二次曲线、编号为2的晶体对应的第一二次曲线、……、编号为9的晶体对应的第一二次曲线。根据样本中每一颗晶体在23℃、45℃以及70℃下的偏差，分别拟合出编号1～9的9颗晶体一一对应的第二二次曲线，也即拟合出9条第二二次曲线，分别为：编号为1的晶体对应的第二二次曲线、编号为2的晶体对应的第二二次曲线、……、编号为9的晶体对应的第二二次曲线。
步骤S602，确定待测试晶体的第一二次曲线的开口系数。
在具体实施中，可以根据获取到的样本中每一颗晶体的第一二次曲线，确定待测试晶体的第一二次曲线的开口系数。
在获取样本中每一颗晶体的第一二次曲线之后，可以分别获取样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数。
参照表5，给出了样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数。
表5
1 2 3 4 5 6 7 8 9
a_low -0.0316 -0.0318 -0.0321 -0.0312 -0.0316 -0.0332 -0.0319 -0.0314 -0.0317
表5中，a_low为样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数。
从表5中可知，编号为1～9的晶体的第一二次曲线的开口系数较为接近。因此，在具体实施中，可以计算编号1～9的晶体的第一二次曲线的开口系数的算术平均值，将得到的值作为待测试晶体的第一二次曲线的开口系数。
在表5中，计算得到的样本中编号1～9的晶体对应的第一二次曲线的开口系数的算术平均值为-0.0317，因此，设定待测试晶体的第一二次曲线的开口系数为-0.0317。
步骤S603，确定待测试晶体的第二二次曲线的开口系数。
在具体实施中，可以根据获取到的样本中每一颗晶体的第二二次曲线，确定待测试晶体的第二二次曲线的开口系数。
在获取样本中每一颗晶体的第二二次曲线之后，可以分别获取样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数。
参照表6，给出了样本中每一颗晶体一一对应的第二二次曲线的开口系数。
表6
1 2 3 4 5 6 7 8 9
a_high -0.0374 -0.0375 -0.0374 -0.0374 -0.0375 -0.0372 -0.0372 -0.0371 -0.0373
表6中，a_high为样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数。
从表6中可知，样本中编号为1～9的晶体的第二二次曲线的开口系数较为接近。因此，在具体实施中，可以计算样本中编号1～9的晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均值，将得到的值作为待测试晶体的第二二次曲线的开口系数。
在表6中，计算得到的样本中编号1～9的晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均值为-0.0373，因此，待测试晶体的第二二次曲线的开口系数为-0.0373。
步骤S604，确定待测试晶体的第二二次曲线的对称轴。
在具体实施中，针对待测试晶体，可以在第二温度值下，计算该待测试晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值。之后，计算该待测试晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应的频率差值的偏差。
在本发明实施例中，第一温度值小于第二温度值。在本发明一实施例中，设定第一温度值为23℃，设定第二温度值为70℃。
在实际应用中，晶体在出厂前，需要经过高温老化测试。因此，在对晶体进行老化测试时，可以记录待测试晶体在第二温度值下的实测振荡频率。将待测试晶体在第二温度值下的实测振荡频率与标定振荡频率相减，得到待测试晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值。
根据第二温度值下待测试晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应的频率差值的偏差，以及经由步骤S603确定的待测试晶体的第二二次曲线的开口系数，计算得到待测试晶体的第二二次曲线的对称轴。
在具体实施中，待测试晶体的第二二次曲线的方程可以为：y＝a(x-x0)2。将第二温度值下待测试晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应的频率差值的偏差作为y，将待测试晶体的第二二次曲线的开口系数作为a，将第二温度值与第一温度值的差值作为x，代入至式y＝a(x-x0)2中，得到的x0即为待测试晶体的第二二次曲线的对称轴。
步骤S605，确定待测试晶体的第一二次曲线的对称轴。
在具体实施中，在获取到待测试晶体的第二二次曲线的对称轴之后，将待测试晶体的第二二次曲线的对称轴与预设值相加，得到的和值作为待测试晶体的第一二次曲线的对称轴。
在具体实施中，预设值可以通过如下步骤获取：获取样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴，以及样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴；计算样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数，以及样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴的算术平均数；将样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数与样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴的算术平均数相减，得到的差值作为预设值。
继续以样本中包括编号为1～9的9颗晶体为例进行说明。
参照表7，给出了样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴以及第二二次曲线的对称轴。
表7
1 2 3 4 5 6 7 8 9
x_low 25.3228 24.7689 25.6231 24.7648 25.3829 24.8031 25.2320 24.7086 24.7666
x_high 25.0294 24.5147 25.3824 24.5308 25.0427 24.5511 24.9355 24.3491 24.5657
表7中，x_low为样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴，x_high为样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴。
为更直观显示，将表7中的样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴以及第二二次曲线的对称轴以图的形式表示。参照图7，给出了本发明实施例中的一种第一二次曲线的对称轴与第二二次曲线的对称轴的比较示意图。
图7中，横坐标为晶体编号，纵坐标为样本中每一颗晶体对应的对称轴，曲线71为样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴，曲线72为样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴。
从图7中可知，样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴与第二二次曲线的对称轴呈良好的跟随性。
因此，在具体实施中，可以计算样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均值，以及样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴的算术平均值。将样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均值与样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴的算术平均值相减，得到的差值即为预设值。
求取表7中的x_low的算术平均值以及x_high的算术平均值，将x_low的算术平均值与x_high的算术平均值相减，得到的差值为0.2721，即为得到的预设值。
例如，针对待测试晶体，第二二次曲线的对称轴为x_high＝20.0294，预设值为0.2781，则待测试晶体对应的第一二次曲线的对称轴为x_low＝x_high+0.2781＝20.3075。
综上，根据步骤S601～步骤S605，即可确定待测试晶体的第一二次曲线以及第二二次曲线，也即获取到了待测试晶体的频率偏差与温度值的映射关系。
由此可见，在确定待测试晶体的第一二次曲线时，只需要根据待测试晶体的第二二次曲线即可反推得到第一二次曲线，而无需在较低温度下测量待测试晶体的振荡频率以得到待测试晶体的实测振荡频率，进而计算待测试晶体的第一二次曲线，故可以降低测试成本。
参照表8，设定编号为1～9的9颗待测试晶体，计算根据步骤S601～步骤S605所确定的第一二次曲线和第二二次曲线得到的偏差，与实际测量得到的偏差之间的误差。
表8
1 2 3 4 5 6 7 8 9
-33℃ 0.7045 -0.2801 -0.8178 1.8457 0.1790 -0.5401 -0.0451 1.5497 0.3389
1℃ 0.2727 0.0462 0.1083 0.4395 0.1078 0.1189 0.2727 0.4618 0.2073
23℃ 0.1630 0.0820 0.2211 0.0890 0.1516 0.0991 0.1630 0.0901 0.0904
45℃ 0.1002 0.1167 0.1428 0.0721 0.1611 -0.0083 0.0002 -0.1004 0.0541
70℃ 0 0 0 0 0 0 0 0 0
根据表8，计算得到的所有误差的平方和为8.39。相比于现有技术中的误差的平方和为90.95，以及本发明上述实施例中的表4对应的平方和42.93，更进一步的提高了晶体的频率偏差与温度值的映射关系的精确度，进一步提高了实时时钟校准的精度。
参照图8，本发明实施例还提供了一种实时时钟校准装置80，包括：温度值获取单元801、频率偏差获取单元802以及校准单元803，其中：
温度值获取单元801，用于获取当前温度值；
频率偏差获取单元802，用于从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，获取与当前温度值对应的频率偏差；其中：所述预设的频率偏差与温度值的映射关系包括：样本第一二次曲线以及样本第二二次曲线，所述样本第一二次曲线和所述样本第二二次曲线采用如下步骤生成：获取在不同温度值下，样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，将温度值不小于所述第一温度值对应的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线；
校准单元803，用于根据所述当前温度值对应的频率偏差，对所述实时时钟进行校准。
在具体实施中，所述将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，包括：计算在所有不大于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不大于所述第一温度值的每一温度值对应的第一算术平均数；根据所述所有不大于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第一算术平均数，拟合出所述样本第一二次曲线。
在具体实施中，所述将温度值不小于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线，包括：计算在所有不小于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不小于所述第一温度值的每一温度值对应的第二算术平均数；根据所述所有不小于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第二算术平均数，拟合出所述样本第二二次曲线。
在具体实施中，所述预设的频率偏差与温度值的映射关系还包括：待测试晶体的第一二次曲线和待测试晶体的第二二次曲线；所述待测试晶体的第一二次曲线和所述待测试晶体的第二二次曲线采用如下步骤生成：获取在不同温度值下，所述样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；获取所述样本中每一颗晶体的温度值不大于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数及对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第一二次曲线的开口系数；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数；获取所述样本中每一颗晶体的温度值不小于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数以及对称轴的算术平均数；将所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数与所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴的算术平均数相减，得到的差值作为预设值；在所述第二温度值下，计算待测试晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差；将所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数；根据第二温度值下所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差，以及所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数，计算所述待测试晶体的第二二次曲线的对称轴；将所述待测试晶体对应的第二二次曲线的对称轴与所述预设值相加，得到的和值作为所述待测试晶体对应的第一二次曲线的对称轴；所述第二温度值大于所述第一温度值。
在具体实施中，所述第一温度值为23℃，所述第二温度值为70℃。所述第一温度值选择23℃是因为生产车间通常恒温23℃，32768Hz晶体在23℃附近是极大值；所述第二温度值选择70℃是因为32768Hz晶体的一般最大高温规格是70℃。在实际应用中，可以根据实际生产车间和晶体规格，对第一温度值和第二温度值进行相应调整。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时可以执行本发明上述实施例中提供的实时时钟校准方法的步骤。
本发明实施例还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时可以执行本发明上述实施例中提供的实时时钟校准方法的步骤。
本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指示相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：ROM、RAM、磁盘或光盘等。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (12)

1.一种实时时钟校准方法，其特征在于，包括：
获取当前温度值；
从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，获取与当前温度值对应的频率偏差；
根据所述当前温度值对应的频率偏差，对所述实时时钟进行校准；其中：
所述预设的频率偏差与温度值的映射关系包括：样本第一二次曲线以及样本第二二次曲线，所述样本第一二次曲线和所述样本第二二次曲线采用如下步骤生成：获取在不同温度值下，样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，将温度值不小于所述第一温度值对应的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线。
2.如权利要求1所述的实时时钟校准方法，其特征在于，所述将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，包括：
计算在所有不大于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不大于所述第一温度值的每一温度值对应的第一算术平均数；
根据所述所有不大于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第一算术平均数，拟合出所述样本第一二次曲线。
3.如权利要求1所述的实时时钟校准方法，其特征在于，所述将温度值不小于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线，包括：
计算在所有不小于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不小于所述第一温度值的每一温度值对应的第二算术平均数；
根据所述所有不小于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第二算术平均数，拟合出所述样本第二二次曲线。
4.如权利要求1所述的实时时钟校准方法，其特征在于，所述预设的频率偏差与温度值的映射关系还包括：待测试晶体的第一二次曲线和待测试晶体的第二二次曲线；所述待测试晶体的第一二次曲线和所述待测试晶体的第二二次曲线采用如下步骤生成：
获取在不同温度值下，所述样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；
获取所述样本中每一颗晶体的温度值不大于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数及对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第一二次曲线的开口系数；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数；
获取所述样本中每一颗晶体的温度值不小于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数以及对称轴的算术平均数；将所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数与所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴的算术平均数相减，得到的差值作为预设值；
在第二温度值下，计算待测试晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；
计算所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差；
将所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数；
根据第二温度值下所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差，以及所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数，计算所述待测试晶体的第二二次曲线的对称轴；
将所述待测试晶体对应的第二二次曲线的对称轴与所述预设值相加，得到的和值作为所述待测试晶体对应的第一二次曲线的对称轴；
所述第二温度值大于所述第一温度值。
5.如权利要求4所述的实时时钟校准方法，其特征在于，所述第一温度值为23℃，所述第二温度值为70℃。
6.一种实时时钟校准装置，其特征在于，包括：
温度值获取单元，用于获取当前温度值；
频率偏差获取单元，用于从预设的频率偏差与温度值的映射关系中，获取与当前温度值对应的频率偏差；
校准单元，用于根据所述当前温度值对应的频率偏差，对所述实时时钟进行校准；
其中：所述预设的频率偏差与温度值的映射关系包括：样本第一二次曲线以及样本第二二次曲线，所述样本第一二次曲线和所述样本第二二次曲线采用如下步骤生成：获取在不同温度值下，样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，将温度值不小于所述第一温度值对应的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线。
7.如权利要求6所述的实时时钟校准装置，其特征在于，所述将温度值不大于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第一二次曲线，包括：
计算在所有不大于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不大于所述第一温度值的每一温度值对应的第一算术平均数；
根据所述所有不大于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第一算术平均数，拟合出所述样本第一二次曲线。
8.如权利要求6所述的实时时钟校准装置，其特征在于，所述将温度值不小于所述第一温度值的所有偏差拟合出所述样本第二二次曲线，包括：
计算在所有不小于所述第一温度值的每一温度值下所述样本中每一颗晶体对应的偏差的算术平均数，作为所有不小于所述第一温度值的每一温度值对应的第二算术平均数；
根据所述所有不小于所述第一温度值的每一温度值及其对应的所述第二算术平均数，拟合出所述样本第二二次曲线。
9.如权利要求6所述的实时时钟校准装置，其特征在于，所述预设的频率偏差与温度值的映射关系还包括：待测试晶体的第一二次曲线和待测试晶体的第二二次曲线；所述待测试晶体第一二次曲线和所述待测试晶体的第二二次曲线采用如下步骤生成：
获取在不同温度值下，所述样本中每一颗晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；计算所述样本中每一颗晶体对应的频率差值相对于第一温度值下对应晶体的频率差值的偏差；
获取所述样本中每一颗晶体的温度值不大于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数及对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第一二次曲线的开口系数；计算所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数；
获取所述样本中每一颗晶体的温度值不小于所述第一温度值的所有偏差，分别拟合出所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线；获取所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴；计算所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数以及对称轴的算术平均数；将所述样本中每一颗晶体的第一二次曲线的对称轴的算术平均数与所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的对称轴的算术平均数相减，得到的差值作为预设值；
在第二温度值下，计算待测试晶体的实测振荡频率与标定振荡频率的频率差值；
计算所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差；
将所述样本中每一颗晶体的第二二次曲线的开口系数的算术平均数，作为所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数；
根据第二温度值下所述待测试晶体对应的频率差值相对于所述第一温度值下对应的频率差值的偏差，以及所述待测试晶体的第二二次曲线的开口系数，计算所述待测试晶体的第二二次曲线的对称轴；
将所述待测试晶体对应的第二二次曲线的对称轴与所述预设值相加，得到的和值作为所述待测试晶体对应的第一二次曲线的对称轴；
所述第二温度值大于所述第一温度值。
10.如权利要求9所述的实时时钟校准装置，其特征在于，所述第一温度值为23℃，所述第二温度值为70℃。
11.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述计算机指令运行时执行权利要求1～5任一项所述的实时时钟校准方法的步骤。
12.一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，其特征在于，所述处理器运行所述计算机指令时执行权利要求1～5任一项所述的实时时钟校准方法的步骤。
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