CN111630721B - 中继器 - Google Patents

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Abstract

中继器包括第1面侧天线、第2面侧天线以及收发机，第1面侧天线以及第2面侧天线分别具备：第1导体以及第2导体，在第1方向上对置；一个或者多个第3导体，位于第1导体以及第2导体之间，向第1方向延伸；第4导体，与第1导体以及第2导体连接，向第1方向延伸；以及供电线，与第3导体中的任一个电磁连接，第1导体以及第2导体经由第3导体电容性地连接，第1面侧天线的供电线经由收发机与第2面侧天线的供电线连接。

Description

中继器
相关申请的相互参照
本申请主张在2018年1月22日向日本国提出专利申请的特愿2018-008395号的优先权，该在先申请的全部公开内容引入于此以供参考。
技术领域
本公开涉及中继器。
背景技术
从天线辐射的电磁波被金属导体反射。被金属导体反射的电磁波产生180°的相位偏移。反射的电磁波与从天线辐射的电磁波合成。从天线辐射的电磁波有时通过与有相位偏移的电磁波的合成而振幅变小。结果，从天线辐射的电磁波的振幅变小。通过将天线与金属导体的距离设为进行辐射的电磁波的波长λ的1/4，从而降低了反射波的影响。
与此相对，提出了通过人工的磁壁来降低反射波的影响的技术。该技术例如记载在非专利文献1、2中。
在先技术文献
非专利文献
非专利文献1：村上他，“使用电介质基板的人工磁导体的低姿势设计和频带特性”信学论(B)，Vol.J98-B No.2，pp.172-179
非专利文献2：村上他，“用于带有AMC反射板的偶极天线的反射板的最佳结构”信学论(B)，Vol.J98-B No.11，pp.1212-1220
发明内容
本公开中的一实施方式的中继器包括：第1面侧天线、第2面侧天线以及收发机，所述第1面侧天线以及所述第2面侧天线分别具备：第1导体以及第2导体，在第1方向上对置；一个或者多个第3导体，位于所述第1导体以及所述第2导体之间，向所述第1方向延伸；第4导体，与所述第1导体以及所述第2导体连接，向所述第1方向延伸；以及供电线，与所述第3导体中的任一个电磁连接。所述第1导体以及所述第2导体经由所述第3导体而电容性地连接。所述第1面侧天线的供电线经由所述收发机与所述第2面侧天线的供电线连接。
本公开中的一实施方式的中继器包括：天线和收发机，所述天线具备：第1导体以及第2导体，在第1方向上对置；一个或者多个第3导体，位于所述第1导体以及所述第2导体之间，向所述第1方向延伸；第4导体，与所述第1导体以及所述第2导体连接，向所述第1方向延伸；以及供电线，与所述第3导体中的任一个电磁连接。所述第1导体以及所述第2导体经由所述第3导体电容性地连接。所述天线的供电线经由所述收发机与其他中继器的天线的供电线连接。
附图说明
图1是表示谐振器的一实施方式的立体图。
图2是俯视图1所示的谐振豁的图。
图3A是图1所示的谐振器的截面图。
图3B是图1所示的谐振器的截面图。
图4是图1所示的谐振器的截面图。
图5是表示图1所示的谐振器的单位构造体的概念图。
图6是表示谐振器的一实施方式的立体图。
图7是俯视图6所示的谐振器的图。
图8A是图6所示的谐振器的截面图。
图8B是图6所示的谐振器的截面图。
图9是图6所示的谐振器的截面图。
图10是表示谐振器的一实施方式的立体图。
图11是俯视图10所示的谐振器的图。
图12A是图10所示的谐振器的截面图。
图12B是图10所示的谐振器的截面图。
图13是图10所示的谐振器的截面图。
图14是表示谐振器的一实施方式的立体图。
图15是俯视图14所示的谐振器的图。
图16A是图14所示的谐振器的截面图。
图16B是图14所示的谐振器的截面图。
图17是图14所示的谐振器的截面图。
图18是表示谐振器的一实施方式的俯视下的图。
图19A是图18所示的谐振器的截面图。
图19B是图18所示的谐振器的截面图。
图20是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图21是俯视谐振器的一实施方式的图。
图22A是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图22B是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图22C是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图23是俯视谐振器的一实施方式的图。
图24是俯视谐振器的一实施方式的图。
图25是俯视谐振器的一实施方式的图。
图26是俯视谐振器的一实施方式的图。
图27是俯视谐振器的一实施方式的图。
图28是俯视谐振器的一实施方式的图。
图29A是俯视谐振器的一实施方式的图。
图29B是俯视谐振器的一实施方式的图。
图30是俯视谐振器的一实施方式的图。
图31A是表示谐振器的一例的概略图。
图31B是表示谐振器的一例的概略图。
图31C是表示谐振器的一例的概略图。
图31D是表示谐振器的一例的概略图。
图32A是俯视谐振器的一实施方式的图。
图32B是俯视谐振器的一实施方式的图。
图32C是俯视谐振器的一实施方式的图。
图32D是俯视谐振器的一实施方式的图。
图33A是俯视谐振器的一实施方式的图。
图33B是俯视谐振器的一实施方式的图。
图33C是俯视谐振器的一实施方式的图。
图33D是俯视谐振器的一实施方式的图。
图34A是俯视谐振器的一实施方式的图。
图34B是俯视谐振器的一实施方式的图。
图34C是俯视谐振器的一实施方式的图。
图34D是俯视谐振器的一实施方式的图。
图35是俯视谐振器的一实施方式的图。
图36A是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图36B是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图37是俯视谐振器的一实施方式的图。
图38是俯视谐振器的一实施方式的图。
图39是俯视谐振器的一实施方式的图。
图40是俯视谐振器的一实施方式的图。
图41是俯视谐振器的一实施方式的图。
图42是俯视谐振器的一实施方式的图。
图43是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图44是俯视谐振器的一实施方式的图。
图45是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图46是俯视谐振器的一实施方式的图。
图47是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图48是俯视谐振器的一实施方式的图。
图49是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图50是俯视谐振器的一实施方式的图。
图51是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图52是俯视谐振器的一实施方式的图。
图53是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图54是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图55是俯视谐振器的一实施方式的图。
图56A是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图56B是表示谐振器的一实施方式的截面图。
图57是俯视谐振器的一实施方式的图。
图58是俯视谐振器的一实施方式的图。
图59是俯视谐振器的一实施方式的图。
图60是俯视谐振器的一实施方式的图。
图61是俯视谐振器的一实施方式的图。
图62是俯视谐振器的一实施方式的图。
图63是俯视天线的一实施方式的图。
图64是表示天线的一实施方式的截面图。
图65是俯视天线的一实施方式的图。
图66是表示天线的一实施方式的截面图。
图67是俯视天线的一实施方式的图。
图68是表示天线的一实施方式的截面图。
图69是表示天线的一实施方式的截面图。
图70是俯视天线的一实施方式的图。
图71是表示天线的一实施方式的截面图。
图72是俯视天线的一实施方式的图。
图73是表示天线的一实施方式的截面图。
图74是俯视天线的一实施方式的图。
图75A是表示天线的一实施方式的截面图。
图75B是表示天线的一实施方式的截面图。
图76是俯视天线的一实施方式的图。
图77是俯视天线的一实施方式的图。
图78是图43所示的天线的截面图。
图79是表示无线通信模块的一实施方式的框图。
图80是表示无线通信模块的一实施方式的局部剖视立体图。
图81是表示无线通信设备的一实施方式的框图。
图82是表示无线通信设备的一实施方式的俯视图。
图83是表示无线通信设备的一实施方式的截面图。
图84是表示无线通信设备的一实施方式的俯视图。
图85是表示无线通信设备的一实施方式的截面图。
图86是表示天线的一实施方式的截面图。
图87是表示无线通信设备的概略电路的图。
图88是表示无线通信设备的概略电路的图。
图89是表示中继器的一实施方式的框图。
图90是表示中继器的一实施方式的俯视图。
图91是表示中继器的一实施方式的俯视图。
图92是表示中继器的一实施方式的俯视图。
图93是表示中继器的一实施方式的截面图。
图94是表示中继器的一实施方式的截面图。
图95是表示中继器的一实施方式的截面图。
图96是表示中继器的一实施方式的框图。
图97是表示中继器的一实施方式的截面图。
图98是表示中继器的一适用例的概略图。
图99是表示中继器的一适用例的概略图。
图100是表示中继器的一适用例的概略图。
具体实施方式
本公开涉及提供一种使用新的谐振构造的中继器。根据本公开所涉及的中继器，金属导体对反射波的影响较少。
以下说明本公开的多个实施方式。谐振构造能够包括谐振器。谐振构造包括谐振器和其他构件，能够复合地实现。图1至图62所示的谐振器10包括基体20、对导体30、第3导体40以及第4导体50。基体20与对导体30、第3导体40以及第4导体50相接。在谐振器10中，对对导体30、第3导体40以及第4导体50作为谐振器发挥功能。谐振器10能够以多个谐振频率进行谐振。将谐振器10的谐振频率中的一个谐振频率设为第1频率f1。第1频率f1的波长为λ1。谐振器10可以将至少一个谐振频率中的至少一个作为工作频率。谐振器10将第1频率f1设为工作频率。
基体20能够包括陶瓷材料以及树脂材料中的任一种作为组成。陶瓷材料包括氧化铝质烧结体、氮化铝质烧结体、莫来石质烧结体、玻璃陶瓷烧结体、使结晶成分在玻璃母材中析出的结晶化玻璃、以及云母或钛酸铝等微晶烧结体。树脂材料包括使环氧树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂以及液晶聚合物等未固化物固化而成的材料。
对导体30、第3导体40以及第4导体50能够包括金属材料、金属材料的合金、金属糊膏的固化物以及导电性高分子中的任一种作为组成。对导体30、第3导体40以及第4导体50可以全部是相同的材料。对导体30、第3导体40以及第4导体50可以全部是不同的材料。对导体30、第3导体40以及第4导体50的任一个组合可以是相同的材料。金属材料包括铜、银、钯、金、铂、铝、铬、镍、镉铅、硒、锰、锡、钒、锂、钴以及钛等。合金包括多种金属材料。金属糊膏剂包括将金属材料的粉末与有机溶剂以及粘接剂一起混炼而得到的物质。粘接剂包括环氧树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂。导电性聚合物包括聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚吡咯系聚合物等。
谐振器10具有两个对导体30。对导体30包括多个导电体。对导体30包括第1导体31以及第2导体32。对导体30能够包括三个以上的导电体。对导体30的各导体在第1方向上与其他导体分离。在对导体30的各导体中，一个导体能够与其他导体成对。对导体30的各导体能够从处于成对的导体之间的谐振器作为电壁而观察到。第1导体31位于在第1方向上与第2导体32分离的位置。第1导体31、第2导体32沿与第1方向相交的第2平面扩展。
在本公开中，将第1方向(first axis)表示为x方向。在本公开中，将第3方向(third axis)表示为y方向。在本公开中，将第2方向(second axis)表示为z方向。在本公开中，将第1平面(first plane)表示为xy面。在本公开中，将第2平面(second plane)表示为yz面。在本公开中，将第3平面(third plane)表示为zx面。这些平面是坐标空间(coordinate space)中的平面(plane)，并不表示特定的面(plate)以及特定的面(surface)。在本公开中，有时将xy平面中的面积(surface integral)称为第1面积。在本公开中，有时将yz平面中的面积称为第2面积。在本公开中，有时将zx平面中的面积称为第3面积。面积(surface integral)是以平方米(square meter)等单位进行计数。在本公开中，有时将x方向上的长度简称为“长度”。在本公开中，有时将y方向上的长度简称为“宽度”。在本公开中，有时将z方向上的长度简称为“高度”。
在一例中，第1导体31、第2导体32在x方向上位于基体20的两端部。第1导体31、第2导体32的一部分能够面向基体20外。第1导体31、第2导体32的一部分位于基体20内，另一部分位于基体20外。第1导体31、第2导体32可以位于基体20中。
第3导体40作为谐振器发挥功能。第3导体40能够包括线型、贴片型、以及缝隙型的谐振器的至少一个型。在一例中，第3导体40位于基体20之上。在一例中，第3导体40在z方向上位于基体20的端部。在一例中，第3导体40能够位于基体20中。第3导体40的一部分位于基体20内，另一部分能够位于基体20外。第3导体40的一部分的面能够面向基体20外。
第3导体40包括至少一个导电体。第3导体40能够包括多个导电体。在第3导体40包括多个导电体的情况下，第3导体40能够称作第3导体组。第3导体40包括至少一个导体层。第3导体40在一个导体层中包括至少一个导电体。第3导体40能够包括多个导体层。例如，第3导体40能够包括3层以上的导体层。第3导体40在多个导体层的每一个中包括至少一个导电体。第3导体40在xy平面扩展。xy平面包括x方向。第3导体40的各导体层沿着xy平面扩展。
在多个实施方式的一例中，第3导体40包括第1导体层41以及第2导体层42。第1导体层41沿着xy平面扩展。第1导体层41可以位于基体20之上。第2导体层42沿着xy平面扩展。第2导体层42能够与第1导体层41电容性地耦合。第2导体层42能够与第1导体层41电连接。电容耦合的两个导体层能够在y方向上对置。电容耦合的两个导体层能够在x方向上对置。电容耦合的两个导体层能够在第1平面内对置。换言之，在第1平面中对置的两个导体层在一个导体层中存在两个导电体。第2导体层42的至少一部分能够位于与第1导体层41在z方向上重叠的位置。第2导体层42能够位于基体20中。
第4导体50位于与第3导体40分离的位置。第4导体50与对导体30的第1导体31、第2导体32电连接。第4导体50与第1导体31以及第2导体32电连接。第4导体50沿着第3导体40扩展。第4导体50沿着第1平面扩展。第4导体50从第1导体31延伸至第2导体32。第4导体50位于基体20之上。第4导体50能够位于基体20中。第4导体50的一部分能够位于基体20内，另一部分能够位于基体20外。第4导体50的一部分的面能够面向基体20外。
在多个实施方式的一例中，第4导体50能够作为谐振器10中的接地导体发挥功能。第4导体50能够成为谐振器10的电位基准。第4导体50能够与具备谐振器10的设备的接地连接。
在多个实施方式的一例中，谐振器10能够具备第4导体50和基准电位层51。基准电位层51在z方向上位于与第4导体50分离的位置。基准电位层51与第4导体50电绝缘。基准电位层51能够成为谐振器10的电位基准。基准电位层51能够与具备谐振器10的设备的接地电连接。第4导体50能够与具备谐振器10的设备的接地电分离。基准电位层51在z方向上与第3导体40或者第4导体50中的任一个对置。
在多个实施方式的一例中，基准电位层51经由第4导体50与第3导体40对置。第4导体50位于第3导体40与基准电位层51之间。基准电位层51与第4导体50的间隔比第3导体40与第4导体50的间隔窄。
在具备基准电位层51的谐振器10中，第4导体50能够包括一个或者多个导电体。在具备基准电位层51的谐振器10中，第4导体50包括一个或者多个导电体，且第3导体40可以为与对导体30连接的一个导电体。在具备基准电位层51的谐振器10中，第3导体40以及第4导体50分别能够具备至少一个谐振器。
在具备基准电位层51的谐振器10中，第4导体50能够包括多个导体层。例如，第4导体50能够包括第3导体层52以及第4导体层53。第3导体层52能够与第4导体层53电容性地耦合。第3导体层52能够与第1导体层41电连接。电容耦合的两个导体层能够在y方向上对置。电容耦合的两个导体层能够在x方向上对置。电容耦合的两个导体层能够在xy平面内对置。
在z方向上对置而电容耦合的两个导体层的距离比该导体组与基准电位层51的距离短。例如，第1导体层41与第2导体层42的距离比第3导体40与基准电位层51的距离短。例如，第3导体层52与第4导体层53的距离比第4导体50与基准电位层51的距离短。
第1导体31以及第2导体32各自能够包括一个或者多个导电体。第1导体31以及第2导体32各自能够是一个导电体。第1导体31以及第2导体32各自能够包括多个导电体。第1导体31以及第2导体32各自能够包括至少一个第5导体层301和多个第5导体302。对导体30包括至少一个第5导体层301和多个第5导体302。
第5导体层301在y方向上扩展。第5导体层301沿着xy平面扩展。第5导体层301是层状的导电体。第5导体层301能够位于基体20之上。第5导体层301能够位于基体20中。多个第5导体层301在z方向上相互分离。多个第5导体层301沿z方向排列。多个第5导体层301在z方向上一部分重叠。第5导体层301将多个第5导体302电连接。第5导体层301成为连接多个第5导体302的连接导体。第5导体层301能够与第3导体40的任一个导体层电连接。在一实施方式中，第5导体层301与第2导体层42电连接。第5导体层301能够与第2导体层42一体化。在一实施方式中，第5导体层301能够与第4导体50电连接。第5导体层301能够与第4导体50一体化。
各第5导体302在z方向上扩展。多个第5导体302在y方向上相互分离。第5导体302之间的距离为λ1的1/2波长以下。若电连接的第5导体302之间的距离为λ1/2以下，则第1导体31以及第2导体32各自能够降低谐振频带的电磁波从第5导体302之间泄露。由于对导体30的谐振频带的电磁波的泄露较小，因此能够从单位构造体看作为电壁。多个第5导体302的至少一部分与第4导体50电连接。在一实施方式中，多个第5导体302的一部分能够将第4导体50和第5导体层301电连接。在一实施方式中，多个第5导体302能够经由第5导体层301与第4导体50电连接。多个第5导体302的一部分能够将一个第5导体层301与其他第5导体层301电连接。第5导体302能够采用通孔导体以及贯穿孔导体。
谐振器10包括作为谐振器发挥功能的第3导体40。第3导体40能够作为人工磁壁(AMC；Artificial Magnetic Conductor)发挥功能。人工磁壁也能够被称为反应性阻抗面(RIS；Reactive Impedance Surface)。
谐振器10在x方向上对置的两个对导体30之间包括作为谐振器发挥功能的第3导体40。两个对导体30被视为从第3导体40向yz平面扩展的电壁(Electric Conductor)。谐振器10的y方向的端被电释放。谐振器10的y方向的两端的zx平面成为高阻抗。谐振器10的y方向的两端的zx平面从第3导体40被视为磁壁(Magnetic Conductor)。谐振器10由两个电壁以及两个高阻抗面(磁壁)包围，由此第3导体40的谐振器在z方向上具有人工磁壁特性(Artificial Magnetic Conductor Character)。通过由两个电壁以及两个高阻抗面包围，第3导体40的谐振器以有限的数量具有人工磁壁特性。
“人工磁壁特性”的工作频率下的入射波与反射波的相位差为0度。在谐振器10中，第1频率f1下的入射波与反射波的相位差为0度。在“人工磁壁特性”中，在动作频带中，入射波与反射波的相位差为-90度～+90度。动作频带是指第2频率f2以及第3频率f3之间的频带。第2频率f2是入射波与反射波之间的相位差为+90度的频率。第3频率f3是入射波与反射波之间的相位差为-90度的频率。基于第2以及第3频率而决定的动作频带的宽度例如在工作频率为约2.5GHz的情况下，可以为100MHz以上。动作频带的宽度例如在工作频率为约400MHz的情况下，可以为5MHz以上。
谐振器10的工作频率能够与第3导体40各自的谐振器的谐振频率不同。谐振器10的工作频率能够根据基体20、对导体30、第3导体40以及第4导体50的长度、大小、形状、材料等而变化。
在多个实施方式的一例中，第3导体40能够包括至少一个单位谐振器40X。第3导体40能够包括一个单位谐振器40X。第3导体40能够包括多个单位谐振器40X。单位谐振器40X位于与第4导体50在z方向上重叠的位置。单位谐振器40X与第4导体50对置。单位谐振器40X能够作为频率选择表面(FSS；Frequency Selective Surface)发挥功能。多个单位谐振器40X沿着xy平面排列。多个单位谐振器40X能够在xy平面上规则地排列。单位谐振器40X能够由方格(square grid)、斜格(oblique grid)、矩形网格(rectangular grid)以及六角形网格(hexagonal grid)排列。
第3导体40能够包括在z方向上排列的多个导体层。第3导体40的多个导体层分别包括至少一个对应量的单位谐振器。例如，第3导体40包括第1导体层41以及第2导体层42。
第1导体层41包括至少一个对应量的第1单位谐振器41X。第1导体层41能够包括一个第1单位谐振器41X。第1导体层41能够包括多个将一个第1单位谐振器41X分为多个的第1部分谐振器41Y。多个第1部分谐振器41Y能够通过相邻的单位构造体10X成为至少一个对应量的第1单位谐振器41X。多个第1部分谐振器41Y位于第1导体层41的端部。第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y能够称为第3导体。
第2导体层42包括至少一个对应量的第2单位谐振器42X。第2导体层42能够包括一个第2单位谐振器42X。第2导体层42能够包括多个将一个第2单位谐振器42X分为多个的第2部分谐振器42Y。多个第2部分谐振器42Y能够通过相邻的单位构造体10X而成为至少一个对应量的第2单位谐振器42X。多个第2部分谐振器42Y位于第2导体层42的端部。第2单位谐振器42X以及第2部分谐振器42Y能够称为第3导体。
第2单位谐振器42X以及第2部分谐振器42Y的至少一部分位于与第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y在Z方向上重叠的位置。第3导体40的各层的单位谐振器以及部分谐振器的至少一部分在Z方向上重叠而成为一个单位谐振器40X。单位谐振器40X在各层中包括至少一个对应量的单位谐振器。
在第1单位谐振器41X包括线型或者贴片型的谐振器的情况下，第1导体层41具有至少一个第1单位导体411。第1单位导体411能够作为第1单位谐振器41X或者第1部分谐振器41Y发挥功能。第1导体层41具有在xy方向上以n行m列排列的多个第1单位导体411。n以及m是相互独立的1以上的自然数。在图1～9等所示的一例中，第1导体层41具有排列成2行3列的格子状的六个第1单位导体411。第1单位导体411能够以方格、斜格、矩形网格以及六角形网格排列。相当于第1部分谐振器41Y的第1单位导体411位于第1导体层41的xy平面上的端部。
在第1单位谐振器41X是缝隙型的谐振器的情况下，第1导体层41的至少一个导体层在xy方向上扩展。第1导体层41具有至少一个第1单位缝隙412。第1单位缝隙412能够作为第1单位谐振器41X或者第1部分谐振器41Y发挥功能。第1导体层41能够包括在xy方向上以n行m列排列的多个第1单位缝隙412。n以及m是相互独立的1以上的自然数。在图6～9等所示的一例中，第1导体层41具有排列成2行3列的格子状的六个第1单位缝隙412。第1单位缝隙412能够以方格、斜格、矩形网格以及六角形网格排列。相当于第1部分谐振器41Y的第1单位缝隙412位于第1导体层41的xy平面上的端部。
在第2单位谐振器42X是线型或者贴片型的谐振器的情况下，第2导体层42包括至少一个第2单位导体421。第2导体层42能够包括在xy方向上排列的多个第2单位导体421。第2单位导体421能够以方格、斜格、矩形网格以及六角形网格排列。第2单位导体421能够作为第2单位谐振器42X或者第2部分谐振器42Y发挥功能。相当于第2部分谐振器42Y的第2单位导体421位于第2导体层42的xy平面上的端部。
第2单位导体421在z方向上，至少一部分与第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y的至少一方重叠。第2单位导体421能够与多个第1单位谐振器41X重叠。第2单位导体421能够与多个第1部分谐振器41Y重叠。第2单位导体421能够仅与一个第1单位谐振器41X和四个第1部分谐振器41Y重叠。第2单位导体421能够仅与一个第1单位谐振器41X重叠。第2单位导体421的重心能够与一个第1单位谐振器41X重叠。第2单位导体421的重心能够位于多个第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y之间。第2单位导体421的重心能够位于在x方向或者y方向上排列的两个第1单位谐振器41X之间。
第2单位导体421的至少一部分能够与两个第1单位导体411重叠。第2单位导体421能够仅与一个第1单位导体411重叠。第2单位导体421的重心能够位于两个第1单位导体411之间。第2单位导体421的重心能够与一个第1单位导体411重叠。第2单位导体421的至少一部分能够与第1单位缝隙412重叠。第2单位导体421能够仅与一个第1单位缝隙412重叠。第2单位导体421的重心能够位于在x方向或者y方向上排列的两个第1单位缝隙412之间。第2单位导体421的重心能够与一个第1单位缝隙412重叠。
在第2单位谐振器42X是缝隙型的谐振器的情况下，第2导体层42的至少一个导体层沿着xy平面扩展。第2导体层42具有至少一个第2单位缝隙422。第2单位缝隙422能够作为第2单位谐振器42X或者第1部分谐振器41Y发挥功能。第2导体层42能够包括在xy平面上排列的多个第2单位缝隙422。第2单位缝隙422能够以方格、斜格、矩形网格以及六角形网格排列。相当于第2部分谐振器42Y的第2单位缝隙422位于第2导体层42的xy平面上的端部。
第2单位缝隙422在y方向上，至少一部分与第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y的至少一方重叠。第2单位缝隙422能够与多个第1单位谐振器41X重叠。第2单位缝隙422能够与多个第1部分谐振器41Y重叠。第2单位缝隙422能够与一个第1单位谐振器41X和四个第1部分谐振器41Y重叠。第2单位缝隙422能够仅与一个第1单位谐振器41X重叠。第2单位缝隙422的重心能够与一个第1单位谐振器41X重叠。第2单位缝隙422的重心能够位于多个第1单位谐振器41X之间。第2单位缝隙422的重心能够位于在x方向或者y方向上排列的两个第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y之间。
第2单位缝隙422的至少一部分能够与两个第1单位导体411重叠。第2单位缝隙422能够仅与一个第1单位导体411重叠。第2单位缝隙422的重心能够位于两个第1单位导体411之间。第2单位缝隙422的重心能够与一个第1单位导体411重叠。第2单位缝隙422的至少一部分能够与第1单位缝隙412重叠。第2单位缝隙422能够仅与一个第1单位缝隙412重叠。第2单位缝隙422的重心能够位于在x方向或者y方向上排列的两个第1单位缝隙412之间。第2单位缝隙422的中心能够与一个第1单位缝隙412重叠。
单位谐振器40X包括至少一个对应量的第1单位谐振器41X和至少一个对应量的第2单位谐振器42X。单位谐振器40X能够包括一个第1单位谐振器41X。单位谐振器40X能够包括多个第1单位谐振器41X。单位谐振器40X能够包括一个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X能够包括多个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X能够包括第1单位谐振器41X中的一部分。单位谐振器40X能够包括一个或者多个部分的第1单位谐振器41X。单位谐振器40X包括一个或者多个的部分的第1单位谐振器41X以及一个或者多个第1部分谐振器41Y至多个的部分的谐振器。单位谐振器40X所包括的多个部分的谐振器与相当于至少一个对应量的第1单位谐振器41X匹配。单位谐振器40X不包括第1单位谐振器41X，而能够包括多个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X例如能够包括四个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X能够仅包括多个部分的第1单位谐振器41X。单位谐振器40X能够包括一个或者多个部分的第1单位谐振器41X以及一个或者多个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X例如能够包括两个部分的第1单位谐振器41X以及两个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X的x方向上的两端各自的、所包括的第1导体层41的镜像能够大致相同。单位谐振器40X相对于在z方向上延伸的中心线，所包括的第1导体层41能够成为大致对称。
单位谐振器40X能够包括一个第2单位谐振器42X。单位谐振器40X能够包括多个第2单位谐振器42X。单位谐振器40X能够包括一个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X能够包括多个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X能够包括第2单位谐振器42X中的一部分。单位谐振器40X能够包括一个或者多个部分的第2单位谐振器42X。单位谐振器40X包括一个或者多个部分的第2单位谐振器42X以及一个或者多个第2部分谐振器42Y至多个部分的谐振器。单位谐振器40X所包括的多个部分的谐振器与相当于至少一个对应量的第2单位谐振器42X匹配。单位谐振器40X不包括第2单位谐振器42X，而能够包括多个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X例如能够包括四个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X能够仅包括多个部分的第2单位谐振器42X。单位谐振器40X能够包括一个或者多个部分的第2单位谐振器42X以及一个或者多个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X例如能够包括两个部分的第2单位谐振器42X以及两个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X的x方向上的两端各自的所包括的第2导体层42的镜像能够大致相同。单位谐振器40X相对于在y方向上延伸的中心线，所包括的第2导体层42能够成为大致对称。
在多个实施方式的一例中，单位谐振器40X包括一个第1单位谐振器41X和多个部分的第2单位谐振器42X。例如，单位谐振器40X包括一个第1单位谐振器41X和四个第2单位谐振器42X的一半。该单位谐振器40X包括一个对应量的第1单位谐振器41X和两个对应量的第2单位谐振器42X。单位谐振器40X所包括的结构并不限定于该例子。
谐振器10能够包括至少一个单位构造体10X。谐振器10能够包括多个单位构造体10X。多个单位构造体10X能够在xy平面上排列。多个单位构造体10X能够以方格、斜格、矩形网格以及六角形网格排列。单位构造体10X包括方格(square grid)、斜格(oblique grid)、矩形网格(rectangular grid)以及六角形网格(hexagonal grid)中的任一个重复单位。单位构造体10X能够通过沿着xy平面无限地排列而作为人工磁壁(AMC)发挥功能。
单位构造体10X能够包括基体20的至少一部分、第3导体40的至少一部分、第4导体50的至少一部分。单位构造体10X所包括的基体20、第3导体40、第4导体50的部位在z方向上重叠。单位构造体10X包括单位谐振器40X、与该单位谐振器40X在z方向上重叠的基体20的一部分、以及与该单位谐振器40X在z方向上重叠的第4导体50。谐振器10能够包括例如以2行3列排列的六个单位构造体10X。
谐振器10能够在x方向上对置的两个对导体30之间具有至少一个单位构造体10X。两个对导体30被视为从单位构造体10X向yz平面扩展的电壁。单位构造体10X的y方向的端被释放。单位构造体10X的y方向的两端的zx平面成为高阻抗。单位构造体10X的y方向的两端的zx平面被视为磁壁。单位构造体10X在反复排列时，能够相对于z方向线对称。单位构造体10X被两个电壁以及两个高阻抗面(磁壁)包围，从而在z方向上具有人工磁壁特性。通过由两个电壁以及两个高阻抗面(磁壁)包围，单位构造体10X以有限的数量具有人工磁壁特性。
谐振器10的工作频率能够与第1单位谐振器41X的工作频率不同。谐振器10的工作频率能够与第2单位谐振器42X的工作频率不同。谐振器10的工作频率能够根据构成单位谐振器40X的第1单位谐振器41X以及第2单位谐振器42X的耦合等而变化。
第3导体40能够包括第1导体层41和第2导体层42。第1导体层41包括至少一个第1单位导体411。第1单位导体411包括第1连接导体413和第1浮游导体414。第1连接导体413与对导体30中的任一个连接。第1浮游导体414不与对导体30连接。第2导体层42包括至少一个第2单位导体421。第2单位导体421包括第2连接导体423和第2浮游导体424。第2连接导体423与对导体30中的任一个连接。第2浮游导体424不与对导体30连接。第3导体40能够包括第1单位导体411以及第2单位导体421。
第1连接导体413与第1浮游导体414相比能够增长沿着x方向的长度。第1连接导体413与第1浮游导体414相比能够缩短沿着x方向的长度。第1连接导体413与第1浮游导体414相比，能够使沿着x方向的长度为一半。第2连接导体423与第2浮游导体424相比能够增长沿着x方向的长度。第2连接导体423与第2浮游导体424相比能够缩短沿着x方向的长度。第2连接导体423与第2浮游导体424相比，能够使沿着x方向的长度为一半。
第3导体40能够包括在谐振器10谐振时成为第1导体31与第2导体32之间的电流路的电流路40I。电流路40I能够与第1导体31和第2导体32连接。电流路40I在第1导体31与第2导体32之间具有静电电容。电流路40I的静电电容在第1导体31与第2导体32之间电串联连接。电流路40I在第1导体31与第2导体32之间导电体隔离。电流路40I能够包括与第1导体31连接的导电体和与第2导体32连接的导电体。
在多个实施方式中，在电流路40I中，第1单位导体411与第2单位导体421在z方向上一部分对置。在电流路40I中，第1单位导体411与第2单位导体421电容耦合。第1单位导体411在x方向上的端部具有电容成分。第1单位导体411在z方向上与第2单位导体421对置的y方向上的端部能够具有电容成分。第1单位导体411在z方向上与第2单位导体421对置的x方向上的端部、且y方向上的端部能够具有电容成分。第2单位导体421在x方向上的端部具有电容成分。第2单位导体421在z方向上与第1单位导体411对置的y方向上的端部能够具有电容成分。第2单位导体421在z方向上与第1单位导体411对置的x方向上的端部、且y方向上的端部能够具有电容成分。
谐振器10能够通过增大电流路40I中的电容耦合来降低谐振频率。在实现所希望的工作频率时，谐振器10通过增大电流路40I的静电电容耦合，能够缩短沿着x方向的长度。第3导体40的第1单位导体411和第2单位导体421在基体20的层叠方向上对置而电容耦合。第3导体40能够通过对置的面积来调整第1单位导体411与第2单位导体421之间的静电电容。
在多个实施方式中，第1单位导体411的沿着y方向的长度与第2单位导体421的沿着y方向的长度不同。谐振器10在第1单位导体411与第2单位导体421的相对的位置从理想的位置沿着xy平面偏离的情况下，沿着第3方向的长度在第1单位导体411与第2单位导体421中不同，从而能够减小静电电容的大小的变化。
在多个实施方式中，电流路40I与第1导体31以及第2导体32在空间上分离，由第1导体31以及第2导体32电容性地耦合的一个导电体构成。
在多个实施方式中，电流路40I包括第1导体层41和第2导体层42。该电流路40I包括至少一个第1单位导体411和至少一个第2单位导体421。该电流路40I包括两个第1连接导体413、两个第2连接导体423、以及一个第1连接导体413以及一个第2连接导体423中的任一个。该电流路40I的第1单位导体411和第2单位导体421能够沿着第1方向交替地排列。
在多个实施方式中，电流路40I包括第1连接导体413和第2连接导体423。该电流路40I包括至少一个第1连接导体413和至少一个第2连接导体423。在该电流路40I中，第3导体40在第1连接导体413与第2连接导体423之间具有静电电容。在实施方式的一例中，第1连接导体413与第2连接导体423对置，能够具有静电电容。在实施方式的一例中，第1连接导体413能够经由其他导电体与第2连接导体423电容性地连接。
在多个实施方式中，电流路40I包括第1连接导体413和第2浮游导体424。该电流路40I包括两个第1连接导体413。在该电流路40I中，第3导体40在两个第1连接导体413之间具有静电电容。在实施方式的一例中，两个第1连接导体413能够经由至少一个第2浮游导体424而电容性地连接。在实施方式的一例中，两个第1连接导体413能够经由至少一个第1浮游导体414和多个第2浮游导体424而电容性地连接。
在多个实施方式中，电流路40I包括第1浮游导体414和第2连接导体423。该电流路40I包括两个第2连接导体423。在该电流路40I中，第3导体40在两个第2连接导体423之间具有静电电容。在实施方式的一例中，两个第2连接导体423能够经由至少一个第1浮游导体414而电容性地连接。在实施方式的一例中，两个第2连接导体423能够经由多个第1浮游导体414和至少一个第2浮游导体424而电容性地连接。
在多个实施方式中，第1连接导体413以及第2连接导体423分别能够设为谐振频率下的波长λ的4分之1的长度。第1连接导体413以及第2连接导体423各自分别作为波长λ的2分之1的长度的谐振器而发挥功能。第1连接导体413以及第2连接导体423分别能够通过各自的谐振器电容耦合而在奇模式和偶模式下进行振荡。谐振器10能够将电容耦合后的偶模式中的谐振频率作为工作频率。
电流路40I能够在多个部位与第1导体31连接。电流路40I能够在多个部位与第2导体32连接。电流路40I能够包括独立地从第1导体31导电至第2导体32的多个导电路径。
在与第1连接导体413电容耦合的第2浮游导体424中，该电容耦合侧的第2浮游导体424的端相比于与对导体30的距离，与第1连接导体413的距离短。在与第2连接导体423进行电容耦合的第1浮游导体414中，该电容耦合侧的第1浮游导体414的端相比于与对导体30的距离，与第2连接导体423的距离短。
在多个实施方式的谐振器10中，第3导体40的导体层在y方向上的长度能够各不相同。第3导体40的导体层在z方向上与其他导体层电容性地耦合。谐振器10在导体层的y方向上的长度不同时，即使导体层在y方向上偏移，静电电容的变化也变小。谐振器10通过导体层的y方向上的长度不同，能够扩大导体层相对于y方向的偏移的允许范围。
在多个实施方式的谐振器10中，第3导体40具有基于导体层间的电容耦合的静电电容。具有该静电电容的电容部位能够在y方向上排列多个。在y方向上排列的多个电容部位能够成为电磁上并联的关系。谐振器10通过具有并联地电排列的多个电容部位，能够相互补充各个电容误差。
在谐振器10处于谐振状态时，在对导体30、第3导体40、第4导体50中流动的电流循环。当谐振器10处于谐振状态时，交流电流在谐振器10中流动。在谐振器10中，将流过第3导体40的电流设为第1电流，将流过第4导体50的电流设为第2电流。当谐振器10处于谐振状态时，第1电流在x方向上向与第2电流不同的方向流动。例如，当第1电流在+x方向上流动时，第2电流在-x方向上流动。此外，例如，在第1电流在-x方向流动时，第2电流在+x方向上流动。即，在谐振器10处于谐振状态时，循环电流在+x方向以及-x方向上交替地流动。谐振器10通过使产生磁场的循环电流反复反转，而辐射电磁波。
在多个实施方式中，第3导体40包括第1导体层41和第2导体层42。第3导体40的第1导体层41和第2导体层42电容性地耦合，因此在谐振状态下，被视为在大区域中电流在一个方向上流动。在多个实施方式中，流过各导体的电流在y方向的端部密度大。
谐振器10中，第1电流以及第2电流经由对导体30循环。在谐振器10中，第1导体31、第2导体32、第3导体40以及第4导体50成为谐振电路。谐振器10的谐振频率成为单位谐振器的谐振频率。在谐振器10包括一个单位谐振器的情况下，或者，谐振器10包括单位谐振器的一部分的情况下，谐振器10的谐振频率根据与基体20、对导体30、第3导体40以及第4导体50以及谐振器10的周围的电磁耦合而变化。例如，在第3导体40的周期性缺乏的情况下，谐振器10整体成为一个单位谐振器，或者整体成为一个单位谐振器的一部分。例如，谐振器10的谐振频率根据第1导体31以及第2导体32的z方向的长度、第3导体40以及第4导体50的x方向的长度、第3导体40以及第4导体50的静电电容而变化。例如，第1单位导体411与第2单位导体421之间的容量大的谐振器10能够缩短第1导体31以及第2导体32的z方向的长度、以及第3导体40以及第4导体50的x方向的长度，并且能够实现谐振频率的低频率化。
在多个实施方式中，谐振器10在z方向上第1导体层41成为电磁波的有效的辐射面。在多个实施方式中，谐振器10的第1导体层41的第1面积比其他导体层的第1面积大。该谐振器10通过增大第1导体层41的第1面积，能够增大电磁波的辐射。
在多个实施方式中，谐振器10能够包括一个或者多个阻抗元件45。阻抗元件45在多个端子之间具有阻抗值。阻抗元件45使谐振器10的谐振频率变化。阻抗元件45能够包括电阻器(Resistor)、电容器(Capacitor)、以及电感器(Inductor)。阻抗元件45能够包括能改变阻抗值的可变元件。可变元件能够根据电信号来变更阻抗值。可变元件能够通过物理机构来改变阻抗值。
阻抗元件45管理与在x方向上排列的第3导体40的两个单位导体连接。阻抗元件45能够与在x方向上排列的两个第1单位导体411连接。阻抗元件45能够与在x方向上排列的第1连接导体413和第1浮游导体414连接。阻抗元件45能够与第1导体31和第1浮游导体414连接。阻抗元件45在y方向上的中央部与第3导体40的单位导体连接。阻抗元件45与两个第1单位导体411的y方向上的中央部连接。
阻抗元件45在xy平面内在x方向上排列的两个导电体之间电串联连接。阻抗元件45能够串联地电连接于在x方向上排列的两个第1单位导体411之间。阻抗元件45能够电串联地连接在x方向上排列的第1连接导体413与第1浮游导体414之间。阻抗元件45能够电串联地连接于第1导体31与第1浮游导体414之间。
阻抗元件45能够与在z方向上重叠而具有静电电容的两个第1单位导体411以及第2单位导体421并联电连接。阻抗元件45能够与在z方向上重叠而具有静电电容的第2连接导体423以及第1浮游导体414并联电连接。
谐振器10通过追加电容器作为阻抗元件45，能够降低谐振频率。谐振器10通过追加电感器作为阻抗元件45，能够提高谐振频率。谐振器10能够包括不同的阻抗值的阻抗元件45。谐振器10能够包括不同电容的电容器作为阻抗元件45。谐振器10能够包括不同电感的电感器作为阻抗元件45。谐振器10通过追加不同的阻抗值的阻抗元件45，谐振频率的调整范围变大。谐振器10同时能够包括电容器以及电感器作为阻抗元件45。谐振器10通过同时追加电容器以及电感器作为阻抗元件45，从而谐振频率的调整范围变大。谐振器10通过具备阻抗元件45，从而整体能够成为一个单位谐振器、或者整体成为一个单位谐振器的一部分。
图1～5是表示作为多个实施方式的一例的谐振器10的图。图1是谐振器10的概略图。图2是从z方向俯视xy平面的图。图3A是沿着图2所示的IIIa-IIIa线的截面图。图3B是沿着图2所示的IIIb-IIIb线的截面图。图4是沿着图3A、3B所示的IV-IV线的截面图。图5是表示作为多个实施方式的一例的单位构造体10X的概念图。
在图1～5所示的谐振器10中，第1导体层41包括贴片型的谐振器作为第1单位谐振器41X。第2导体层42包括贴片型的谐振器作为第2单位谐振器42X。单位谐振器40X包括一个第1单位谐振器41X和四个第2部分谐振器42Y。单位构造体10X包括单位谐振器40X、与单位谐振器40X在z方向上重叠的基体20的一部分以及第4导体50的一部分。
图6～9是表示作为多个实施方式的一例的谐振器10的图。图6是谐振器10的概略图。图7是从z方向俯视xy平面的图。图8A是沿着图7所示的VIIIa-VIIIa线的截面图。图8B是沿着图7所示的VIIIb-VIIIb线的截面图。图9是沿着图8A、8B所示的IX-IX线的截面图。
在图6～9所示的谐振器10中，第1导体层41包括缝隙型的谐振器作为第1单位谐振器41X。第2导体层42包括缝隙型的谐振器作为第2单位谐振器42X。单位谐振器40X包括一个第1单位谐振器41X和四个第2部分谐振器42Y。单位构造体10X包括单位谐振器40X和与单位谐振器40X在z方向上重叠的基体20的一部分以及第4导体50的一部分。
图10～13是表示作为多个实施方式的一例的谐振器10的图。图10是谐振器10的概略图。图11是从z方向俯视xy平面的图。图12A是沿着图11所示的XIIa-XIIa线的截面图。图12B是沿着图11所示的XIIb-XIIb线的截面图。图13是沿着图12A、12B所示的XIII-XIII线的截面图。
在图10～13所示的谐振器10中，第1导体层41包括贴片型的谐振器作为第1单位谐振器41X。第2导体层42包括缝隙型的谐振器作为第2单位谐振器42X。单位谐振器40X包括一个第1单位谐振器41X和四个第2部分谐振器42Y。单位构造体10X包括单位谐振器40X和与单位谐振器40X在z方向上重叠的基体20的一部分以及第4导体50的一部分。
图14～17是表示多个实施方式的一例的谐振器10的图。图14是谐振器10的概略图。图15是从z方向俯视xy平面的图。图16A是沿着图15所示的XVIa-XVIa线的截面图。图16B是沿着图15所示的XVIb-XVIb线的截面图。图17是沿着图16A、16B所示的XVII-XVII线的截面图。
在图14～17所示的谐振器10中，第1导体层41包括缝隙型的谐振器作为第1单位谐振器41X。第2导体层42包括贴片型的谐振器作为第2单位谐振器42X。单位谐振器40X包括一个第1单位谐振器41X和四个第2部分谐振器42Y。单位构造体10X包括单位谐振器40X和与单位谐振器40X在z方向上重叠的基体20的一部分以及第4导体50的一部分。
图1～17所示的谐振器10是一例。谐振器10的结构并不限定于图1～17所示的构造。图18是表示包括其他结构的对导体30的谐振器10的图。图19A是沿着图18所示的XIXa-XIXa线的截面图。图19B是沿着图18所示的XIXb-XIXb线的截面图。
图1～19所示的基体20是一例。基体20的结构并不限定于图1～19所示的结构。如图20所示，基体20能够在内部包括空洞20a。在z方向上，空洞20a位于第3导体40与第4导体50之间。空洞20a的介电常数与基体20的介电常数相比低。基体20通过具有空洞20a，能够缩短第3导体40与第4导体50的电磁距离。
如图21所示，基体20能够包括多个构件。基体20能够包括第1基体21、第2基体22以及连接体23。第1基体21以及第2基体22能够经由连接体23机械地连接。连接体23能够在内部包括第6导体303。第6导体303与第4导体50或者第5导体302电连接。第6导体303与第4导体50以及第5导体302一起成为第1导体31或者第2导体32。
图1～21所示的对导体30是一例。对导体30的结构并不限定于图1～21所示的结构。图22～28是表示包括其他结构的对导体30的谐振器10的图。图22是与图19A相当的截面图。如图22A所示，第5导体层301的数量能够适当变更。如图22B所示，第5导体层301也可以不位于基体20之上。如图22C所示，第5导体层301可以不位于基体20中。
图23是相当于图18的俯视图。如图23所示，谐振器10能够使第5导体302离开单位谐振器40X的边界。图24是相当于图18的俯视图。如图24所示，两个对导体30能够具有向成对的其他对导体30侧伸出的凸部。这样的谐振器10例如能够通过在具有凹部的基体20涂敷金属糊膏并使其固化而形成。
图25是相当于图18的俯视图。如图25所示，基体20能够具有凹部。如图25所示，对导体30具有从x方向上的外表面向内侧凹陷的凹部。如图25所示，对导体30沿着基体20的表面扩展。这样的谐振器10例如能够通过向具有凹部的基体20喷射微细的金属材料而形成。
图26是相当于图18的俯视图。如图26所示，基体20能够具有凹部。如图26所示，对导体30具有从x方向上的外表面向内侧凹陷的凹部。如图26所示，对导体30沿着基体20的凹部扩展。这样的谐振器10例如能够通过沿着贯穿孔导体的排列分割母基板来制造。该对导体30能够称为端面贯穿孔等。
图27是相当于图18的俯视图。如图27所示，基体20能够具有凹部。如图27所示，对导体30具有从x方向上的外表面向内侧凹陷的凹部。这样的谐振器10例如能够通过沿着贯穿孔导体的排列分割母基板来制造。该对导体30能够称为端面贯穿孔等。
图28是相当于图18的俯视图。如图28所示，对导体30的x方向上的长度可以比基体20短。对导体30的结构并不限定于这些。两个对导体30能够是互不相同的结构。例如，一方的对导体30可以包括第5导体层301以及第5导体302，另一方的对导体30可以是端面贯穿孔。
图1～28所示的第3导体40是一例。第3导体40的结构并不限定于图1～28所示的结构。单位谐振器40X、第1单位谐振器41X以及第2单位谐振器42X并不限定于方形。单位谐振器40X、第1单位谐振器41X以及第2单位谐振器42X能够称为单位谐振器40X等。例如，如图29A所示，单位谐振器40X等可以是三角形，如图29B所示，也可以是六边形。如图30所示，单位谐振器40X等的各边能够向与x方向以及y方向不同的方向延伸。第3导体40的第2导体层42能够位于基体20之上，第1导体层41能够位于基体20中。第3导体40的第2导体层42位于比第1导体层41更远离第4导体50的位置。
图1～30所示的第3导体40是一例。第3导体40的结构并不限定于图1～30所示的结构。包括第3导体40的谐振器可以是线型的谐振器401。图31A所示的是曲折线型的谐振器401。图31B所示的是螺旋型的谐振器401。第3导体40所包括的谐振器可以是缝隙型的谐振器402。缝隙型的谐振器402能够在开口内具有一个或者多个第7导体403。开口内的第7导体403的一端被释放，另一端与规定开口的导体电连接。在图31C所示的单位缝隙中，五个第7导体403位于开口内。单位缝隙通过第7导体403而成为与曲折线相当的形状。在图31D所示的单位缝隙中，一个第7导体403位于开口内。单位缝隙通过第7导体403成为相当于螺旋的形状。
图1～31所示的谐振器10的结构是一例。谐振器10的结构并不限定于图1～31所示的结构。例如，谐振器10的对导体30能够包括三个以上。例如，一个对导体30能够在x方向上与两个对导体30对置。该两个对导体30与该对导体30的距离不同。例如，谐振器10能够包括两对对导体30。两对对导体30的各对的距离以及各对的长度可能不同。谐振器10能够包括5个以上第1导体。谐振器10的单位构造体10X在y方向上能够与其他单位构造体10X排列。谐振器10的单位构造体10X在x方向上不经由对导体30而与其他单位构造体10X排列。图32～34是表示谐振器10的例子的图。在图32～34所示的谐振器10中，单位构造体10X的单位谐振器40X用正方形表示，但不限定于此。
图1～34所示的谐振器10的结构是一例。谐振器10的结构并不限定于图1～34所示的结构。图35是从z方向俯视xy平面的图。图36A是沿着图35所示的XXXVIa-XXXVIa线的截面图。图36B是沿着图35所示的XXXVIb-XXXVIb线的截面图。
在图35、36所示的谐振器10中，第1导体层41包括贴片型的谐振器的一半作为第1单位谐振器41X。第2导体层42包括贴片型的谐振器的一半作为第2单位谐振器42X。单位谐振器40X包括一个第1部分谐振器41Y和一个第2部分谐振器42Y。单位构造体10X包括单位谐振器40X、与单位谐振器40X在Z方向上重叠的基体20的一部分以及第4导体50的一部分。在图35所示的谐振器10中，三个单位谐振器40X在x方向上排列。三个单位谐振器40X中包括的第1单位导体411以及第2单位导体421成为一个电流路40I。
图37是表示图35所示的谐振器10的另一例。图37所示的谐振器10与图35所示的谐振器10相比在x方向上较长。谐振器10的尺寸并不限定于图37所示的谐振器10，能够适当变更。在图37的谐振器10中，第1连接导体413的x方向的长度与第1浮游导体414不同。在图37的谐振器10中，第1连接导体413的x方向的长度比第1浮游导体414短。图38表示图35所示的谐振器10的另一例。图38所示的谐振器10的第3导体40的x方向的长度不同。在图38的谐振器10中，第1连接导体413的x方向的长度比第1浮游导体414长。
图39表示谐振器10的另一例。图39表示图37所示的谐振器10的另一例。在多个实施方式中，在谐振器10中，在x方向上排列的多个第1单位导体411以及第2单位导体421电容性地耦合。在谐振器10中，电流不从一方流向另一方，两个电流路401能够在y方向上排列。
图40表示谐振器10的另一例。图40表示图39所示的谐振器10的另一例。在多个实施方式中，谐振器10的与第1导体31连接的导电体的数量和与第2导体32连接的导电体的数量能够不同。在图40的谐振器10中，一个第1连接导体413与两个第2浮游导体424电容性地耦合。在图40的谐振器10中，两个第2连接导体423与一个第1浮游导体414电容性地耦合。在多个实施方式中，第1单位导体411的数量能够与电容耦合于该第1单位导体411的第2单位导体421的数量不同。
图41表示图39所示的谐振器10的另一例。在多个实施方式中，第1单位导体411在x方向上的第1端部电容耦合的第2单位导体421的数量和在x方向上的第2端部电容耦合的第2单位导体421数量能够不同。在图41的谐振器10中，一个第2浮游导体424在x方向上的第1端部两个第1连接导体413电容耦合，在第2端部三个第1浮游导体414电容耦合。在多个实施方式中，在y方向上排列的多个导电体在y方向上的长度可能不同。在图41的谐振器10中，在y方向上排列的三个第1浮游导体414在y方向上的长度不同。
图42表示谐振器10的另一例。图43是沿着图42所示的XLIII-XLIII线的截面图。在图42、43所示的谐振器10中，第1导体层41包括贴片型的谐振器的一半作为第1单位谐振器41X。第2导体层42包括贴片型的谐振器的一半作为第2单位谐振器42X。单位谐振器40X包括一个第1部分谐振器41Y和一个第2部分谐振器42Y。单位构造体10X包括单位谐振器40X和与单位谐振器40X在z方向上重叠的基体20的一部分以及第4导体50的一部分。图42所示的谐振器10的一个单位谐振器40X向x方向延伸。
图44表示谐振器10的另一例。图45是沿着图44所示的XLV-XLV线的截面图。在图44、45所示的谐振器10中，第3导体40仅包括第1连接导体413。第1连接导体413在xy平面中与第1导体31对置。第1连接导体413与第1导体31电容性地耦合。
图46表示谐振器10的另一例。图47是沿着图46所示的XLVII-XLVII线的截面图。在图46、47所示的谐振器10中，第3导体40具有第1导体层41以及第2导体层42。第1导体层41具有一个第1浮游导体414。第2导体层42具有两个第2连接导体423。该第1导体层41在xy平面中与对导体30对置。两个第2连接导体423与一个第1浮游导体414在z方向上重叠。一个第1浮游导体414与两个第2连接导体423电容性地耦合。
图48表示谐振器10的另一例。图49是沿着图48所示的XLIX-XLIX线的截面图。在图48、49所示的谐振器10中，第3导体40仅包括第1浮游导体414。第1浮游导体414在xy平面中与对导体30对置。第1连接导体413与对导体30电容性地耦合。
图50表示谐振器10的另一例。图51是沿着图50所示的LI-LI线的截面图。图50、51所示的谐振器10的第4导体50的结构与图42、43所示的谐振器10不同。图50、51所示的谐振器10具备第4导体50和基准电位层51。基准电位层51与具备谐振器10的设备的接地电连接。基准电位层51经由第4导体50与第3导体40对置。第4导体50位于第3导体40与基准电位层51之间。基准电位层51与第4导体50的间隔比第3导体40与第4导体50的间隔窄。
图52表示谐振器10的另一例。图53是沿着图52所示的LIII-LIII线的截面图。谐振器10具备第4导体50和基准电位层51。基准电位层51与具备谐振器10的设备的接地电连接。第4导体50具备谐振器。第4导体50包括第3导体层52以及第4导体层53。第3导体层52以及第4导体层53电容耦合。第3导体层52以及第4导体层53在z方向上对置。第3导体层52以及第4导体层53的距离比第4导体层53与基准电位层51的距离短。第3导体层52以及第4导体层53的距离比第4导体50与基准电位层51的距离短。第3导体40成为一个导体层。
图54表示图53所示的谐振器10的另一例。谐振器10具备第3导体40、第4导体50以及基准电位层51。第3导体40包括第1导体层41以及第2导体层42。第1导体层41包括第1连接导体413。第2导体层42包括第2连接导体423。第1连接导体413与第2连接导体423电容性地耦合。基准电位层51与具备谐振器10的设备的接地电连接。第4导体50包括第3导体层52以及第4导体层53。第3导体层52以及第4导体层53电容耦合。第3导体层52以及第4导体层53在z方向上对置。第3导体层52以及第4导体层53的距离比第4导体层53与基准电位层51的距离短。第3导体层52以及第4导体层53的距离比第4导体50与基准电位层51的距离短。
图55表示谐振器10的另一例。图56A是沿着图55所示的LVIa-LVIa线的截面图。图56B是沿着图55所示的LVIb-LVIb线的截面图。在图55所示的谐振器10中，第1导体层41具有四个第1浮游导体414。图55所示的第1导体层41不具有第1连接导体413。在图55所示的谐振器10中，第2导体层42具有六个第2连接导体423和三个第2浮游导体424。两个第2连接导体423分别与两个第1浮游导体414电容性地耦合。一个第2浮游导体424与四个第1浮游导体414电容性地耦合。两个第2浮游导体424与两个第1浮游导体414电容性地耦合。
图57是表示图55所示的谐振器的另一例的图。图57的谐振器10的第2导体层42的大小与图55所示的谐振器10不同。在图57所示的谐振器10中，第2浮游导体424的沿着x方向的长度比第2连接导体423的沿着x方向的长度短。
图58是表示图55所示的谐振器的另一例的图。图58的谐振器10的第2导体层42的大小与图55所示的谐振器10不同。在图58所示的谐振器10中，多个第2单位导体421各自的第1面积不同。在图58所示的谐振器10中，多个第2单位导体421各自在x方向上的长度不同。在图58所示的谐振器10中，多个第2单位导体421各自在y方向上的长度不同。在图58中，多个第2单位导体421的第1面积、长度以及宽度互不相同，但并不限定于此。在图58中，多个第2单位导体421的第1面积、长度以及宽度的一部分可能互不相同。多个第2单位导体421的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。多个第2单位导体421的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部可能互不相同。多个第2单位导体421的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。多个第2单位导体421的一部分能够使第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部相互一致。
在图58所示的谐振器10中，在y方向上排列的多个第2连接导体423的第1面积互不相同。在图58所示的谐振器10中，在y方向上排列的多个第2连接导体423在x方向上的长度互不相同。在图58所示的谐振器10中，在y方向上排列的多个第2连接导体423在y方向上的长度互不相同。在图58中，多个第2连接导体423的第1面积、长度以及宽度互不相同，但并不限定于此。在图58中，多个第2连接导体423的第1面积、长度以及宽度的一部分可能互不相同。多个第2连接导体423的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。多个第2连接导体423的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部可能互不相同。多个第2连接导体423的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。多个第2连接导体423的一部分的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部相互一致。
在图58所示的谐振器10中，在y方向上排列的多个第2浮游导体424的第1面积互不相同。在图58所示的谐振器10中，在y方向上排列的多个第2浮游导体424在x方向上的长度互不相同。在图58所示的谐振器10中，在y方向上排列的多个第2浮游导体424在y方向上的长度互不相同。在图58中，多个第2浮游导体424的第1面积、长度以及宽度互不相同，但并不限定于此。在图58中，多个第2浮游导体424的第1面积、长度以及宽度的一部分可能互不相同。多个第2浮游导体424的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。多个第2浮游导体424的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部可能互不相同。多个第2浮游导体424的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。多个第2浮游导体424的一部分的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。
图59是表示图57所示的谐振器10的另一例的图。图59的谐振器10的y方向上的第1单位导体411的间隔与图57所示的谐振器10不同。图59的谐振器10与x方向上的第1单位导体411的间隔相比，y方向上的第1单位导体411的间隔小。在谐振器10中，对导体30能够作为电壁而发挥功能，因此电流在x方向上流动。在该谐振器10中，能够忽略沿y方向流过第3导体40的电流。第1单位导体411的y方向的间隔能够比第1单位导体411的x方向上的间隔短。通过缩短第1单位导体411的y方向的间隔，能够增大第1单位导体411的面积。
图60～62是表示谐振器10的另一例的图。这些谐振器10具有阻抗元件45。阻抗元件45连接的单位导体并不限定于图60～62所示的例子。图60～62所示的阻抗元件45能够省略一部分。阻抗元件45能够取得电容特性。阻抗元件45能够取得电感特性。阻抗元件45能够是机械或者电气可变元件。阻抗元件45能够连接在一个层中存在的不同的两个导体。
天线具有辐射电磁波的功能以及接收电磁波的功能的至少一者。本公开的天线包括第1天线60以及第2天线70，但不限定于这些。
第1天线60具备基体20、对导体30、第3导体40、第4导体50以及第1供电线61。在一例中，第1天线60在基体20之上具有第3基体24。第3基体24能够具有与基体20不同的组成。第3基体24能够位于第3导体40之上。图63～76是表示作为多个实施方式的一例的第1天线60的图。
第1供电线61向作为人工磁壁周期性地排列的谐振器的至少一个供电。在向多个谐振器供电的情况下，第1天线60能够具有多个第1供电线。第1供电线61能够与作为人工磁壁周期性地排列的谐振器中的任一个进行电磁连接。第1供电线61能够与从作为人工磁壁而周期性地排列的谐振器观察为电壁的一对导体中的任一个进行电磁连接。
第1供电线61对第1导体31、第2导体32以及第3导体40的至少一个进行供电。在向第1导体31、第2导体32以及第3导体40的多个部分供电的情况下，第1天线60能够具有多个第1供电线。第1供电线61能够与第1导体31、第2导体32以及第3导体40中的任意一个进行电磁连接。在第1天线60除了第4导体50以外还具备基准电位层51的情况下，第1供电线61能够与第1导体31、第2导体32、第3导体40以及第4导体50中的任一个电磁连接。第1供电线61与对导体30中的第5导体层301以及第5导体302中的任一个电连接。第1供电线61的一部分能够与第5导体层301成为一体。
第1供电线61能够与第3导体40电磁连接。例如，第1供电线61与第1单位谐振器41X的一个电磁连接。例如，第1供电线61与第2单位谐振器42X的一个电磁连接。第1供电线61相对于第3导体40的单位导体在与x方向上的中央不同的点进行电磁连接。在一实施方式中，第1供电线61向第3导体40所包括的至少一个谐振器供给电力。在一实施方式中，第1供电线61将来自第3导体40所包括的至少一个谐振器的电力向外部供电。第1供电线61的至少一部分能够位于基体20中。第1供电线61能够从基体20的两个zx面、两个yz面以及两个xy面中的某一个面向外部。
第1供电线61能够从z方向的正方向以及相反方向与第3导体40相接。第4导体50能够在第1供电线61的周围省略。第1供电线61能够通过第4导体50的开口与第3导体40电磁连接。第1导体层41能够在第1供电线61的周围省略。第1供电线61能够通过第1导体层41的开口与第2导体层42连接。第1供电线61能够沿着xy平面与第3导体40相接。对导体30能够在第1供电线61的周围省略。第1供电线61能够通过对导体30的开口与第3导体40连接。第1供电线61相对于第3导体40的单位导体从该单位导体的中心部离开而连接。
图63是从z方向在xy平面俯视第1天线60的图。图64是沿着图63所示的LXIV-LXIV线的截面图。图63、64所示的第1天线60在第3导体40之上具有第3基体24。第3基体24在第1导体层41之上具有开口。第1供电线61经由第3基体24的开口与第1导体层41电连接。
图65是从z方向在xy平面俯视第1天线60的图。图66是沿着图65所示的LXVI-LXVI线的截面图。在图65、66所示的第1天线60中，第1供电线61的一部分位于基体20之上。第1供电线61能够在xy平面内与第3导体40连接。第1供电线61能够在xy平面内与第1导体层41连接。在一实施方式中，第1供电线61能够与第2导体层42在xy平面连接。
图67是从z方向在xy平面俯视第1天线60的图。图68是沿着图67所示的LXVIII-LXVIII线的截面图。在图67、68所示的第1天线60中，第1供电线61位于基体20中。第1供电线61能够从z方向上的相反方向与第3导体40连接。第4导体50能够具有开口。第4导体50能够在z方向上与第3导体40重叠的位置具有开口。第1供电线61能够经由开口面向开口基体20的外部。
图69是从x方向在yz面观察第1天线60的截面图。对导体30能够具有开口。第1供电线61能够经由开口面向基体20的外部。
第1天线60辐射的电磁波在第1平面中x方向的偏波成分比y方向的偏波成分大。在金属板从z方向接近第4导体50时，x方向的偏波成分比水平偏波成分衰减小。第1天线60能够维持金属板从外部接近时的辐射效率。
图70表示第1天线60的另一例。图71是沿着图70所示的LXXI-LXXI线的截面图。图72表示第1天线60的另一例。图73是沿着图72所示的LXXIII-LXXIII线的截面图。图74表示第1天线60的另一例。图75A是沿着图74所示的LXXVa-LXXVa线的截面图。图75B是沿着图74所示的LXXVb-LXXVb线的截面图。图76表示第1天线60的另一例。图76所示的第1天线60具有阻抗元件45。
第1天线60能够通过阻抗元件45改变工作频率。第1天线60包括与第1供电线61连接的第1供导电体415和不与第1供电线61连接的第1单位导体411。阻抗匹配在阻抗元件45与第1供导电体415和其他导电体连接时变化。第1天线60通过利用阻抗元件45将第1供导电体415与其他导电体连接，能够调整阻抗的匹配。在第1天线60中，阻抗元件45为了调整阻抗匹配，能够插入第1供导电体415与其他导电体之间。在第1天线60中，阻抗元件45为了调整工作频率，能够插入到不与第1供电线61连接的两个第1单位导体411之间。在第1天线60中，阻抗元件45为了调整工作频率，能够插入到不与第1供电线61连接的第1单位导体411与对导体30中的任一个之间。
第2天线70具备基体20、对导体30、第3导体40、第4导体50、第2供电层71以及第2供电线72。在一例中，第3导体40位于基体20中。在一例中，第2天线70在基体20之上具有第3基体24。第3基体24能够具有与基体20不同的组成。第3基体24能够位于第3导体40之上。第3基体24能够位于第2供电层71之上。
第2供电层71位于在第3导体40的上方隔开间隔的位置。基体20、或者第3基体24能够位于第2供电层71与第3导体40之间。第2供电层71包括线型、贴片型以及缝隙型的谐振器。第2供电层71能够称为天线元件。在一例中，第2供电层71能够与第3导体40进行电磁耦合。第2供电层71的谐振频率通过与第3导体40的电磁耦合，而从单独的谐振频率变化。在一例中，第2供电层71接受来自第2供电线72的电力的传送，与第3导体40一起谐振。在一例中，第2供电层71接受来自第2供电线72的电力的传送，与第3导体40以及第3导体一起谐振。
第2供电线72与第2供电层71电连接。在一实施方式中，第2供电线72向第2供电层71传送电力。在一实施方式中，第2供电线72将来自第2供电层71的电力传送至外部。
图77是从z方向在xy平面俯视第2天线70的图。图78是沿着图77所示的LXXVIII-LXXVIII线的截面图。在图77、78所示的第2天线70中，第3导体40位于基体20中。第2供电层71位于基体20之上。第2供电层71位于与单位构造体10X在z方向上重叠的位置。第2供电线72位于基体20之上。第2供电线72在xy平面中与第2供电层71电磁连接。
本公开的无线通信模块包括无线通信模块80作为多个实施方式的一例。图79是无线通信模块80的框结构图。图80是无线通信模块80的概要结构图。无线通信模块80具备第1天线60、电路基板81以及RF模块82。无线通信模块80能够具备第2天线70来代替第1天线60。
第1天线60位于电路基板81之上。第1天线60的第1供电线61经由电路基板81与RF模块82电磁连接。第1天线60的第4导体50与电路基板81的接地导体811电磁连接。
接地导体811能够在xy平面上扩展。接地导体811在xy平面中面积比第4导体50宽。接地导体811在y方向上比第4导体50长。接地导体811在x方向上比第4导体50长。第1天线60在y方向上能够位于比接地导体811的中心更靠端侧的位置。第1天线60的中心在xy平面中能够与接地导体811的中心不同。第1天线60的中心能够与第1导体31以及第2导体32的中心不同。第1供电线61与第3导体40连接的点能够与xy平面中的接地导体811的中心不同。
第1天线60，经由对导体30第1电流以及第2电流循环。第1天线60通过位于比接地导体811的中心更靠y方向上的端侧，从而在接地导体811中流动的第2电流成为非对称。在接地导体811中流动的第2电流成为非对称时，包括第1天线60以及接地导体811的天线构造体的辐射波的x方向的偏波成分变大。通过使辐射波的x方向的偏波成分变大，辐射波的综合辐射效率能够提高。
RF模块82能够控制向第1天线60供给的电力。RF模块82对基带信号进行调制，并向第1天线60供给。RF模块82能够将由第1天线60接收的电气信号调制为基带信号。
第1天线60的谐振频率的变化因电路基板81侧的导体而较小。无线通信模块80通过具有第1天线60，能够降低从外部环境受到的影响。
第1天线60能够与电路基板81一体构成。在第1天线60与电路基板81为一体结构的情况下，第4导体50与接地导体811成为一体结构。
本公开的无线通信设备包括无线通信设备90作为多个实施方式的一例。图81是无线通信设备90的框结构图。图82是无线通信设备90的俯视图。图82所示的无线通信设备90省略了结构的一部分。图83是无线通信设备90的截面图。图83所示的无线通信设备90省略了结构的一部分。无线通信设备90具备无线通信模块80、电池91、传感器92、存储器93、控制器94、第1框体95以及第2框体96。无线通信设备90的无线通信模块80具有第1天线60，但也能够具有第2天线70。图84是无线通信设备90的另一实施方式之一。无线通信设备90所具有的第1天线60能够具有基准电位层51。
电池91向无线通信模块80供给电力。电池91能够向传感器92、存储器93以及控制器94的至少一个供给电力。电池91能够包括一次电池以及二次电池的至少一者。电池91的负极与电路基板81的接地端子电连接。电池91的负极与第1天线60的第4导体50电连接。
传感器92例如是速度传感器、振动传感器、加速度传感器、陀螺仪传感器、旋转角传感器、角速度传感器、地磁传感器、磁传感器、温度传感器、湿度传感器、气压传感器、光传感器、照度传感器、UV传感器、气体传感器、气体浓度传感器、气氛传感器、水平传感器、味道传感器、压力传感器、空气压传感器、触点传感豁、风力传感器、红外线传感器、人感传感器、位移量传感器、图像传感器、重量传感器、烟传感器、漏液传感器、生命传感器、电池余量传感器、超声波传感器或者GPS(Global Positioning System)信号的接收装置等。
存储器93能够包括例如半导体存储器等。存储器93能够用作控制器94的工作存储器发挥功能。存储器93可以包括在控制器94中。存储器93存储记述了实现无线通信设备90的各功能的处理内容的程序、以及在无线通信设备90中的处理中使用的信息等。
控制器94能够包括例如处理器。控制器94可以包括一个以上的处理器。处理器可以包括读入特定的程序来执行特定的功能的通用的处理器、以及专用于特定的处理的专用的处理器。专用的处理器可以包括面向特定用途的IC。面向特定用途的IC也称为ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)。处理器可以包括可编程逻辑器件。可编程逻辑器件也称为PLD(Programmable Logic Device)。PLD可以包括FPGA(Field-Programmable Gate Array：现场可编程门阵列)。控制器94可以是一个或者多个处理器协作的SoC(System-on-a-Chip)、以及SiP(System In a Package)中的任一个。控制器94可以在存储器93中保存各种信息、或者用于使无线通信设备90的各结构部动作的程序等。
控制器94生成从无线通信设备90发送的发送信号。控制器94例如可以从传感器92取得测定数据。控制器94可以生成与测定数据相应的发送信号。控制器94能够向无线通信模块80的RF模块82发送基带信号。
第1框体95以及第2框体96保护无线通信设备90的其他器件。第1框体95能够在xy平面上扩展。第1框体95支承其他器件。第1框体95能够支承无线通信模块80。无线通信模块80位于第1框体95的上表面95A之上。第1框体95能够支承电池91。电池91位于第1框体95的上表面95A之上。在多个实施方式的一例中，在第1框体95的上表面95A之上无线通信模块80、电池91沿着x方向排列。第1导体31位于电池91与第3导体40之间。电池91从第3导体40观察位于对导体30的对面侧。
第2框体96能够覆盖其他器件。第2框体96包括位于第1天线60的z方向侧的下表面96A。下表面96A沿着xy平面扩展。下表面96A不限定于平坦，能够包括凹凸。第2框体96能够具有第8导体961。第8导体961位于第2框体96的内部、外侧以及内侧中的至少一方。第8导体961位于第2框体96的上表面以及侧面中的至少一方。
第8导体961与第1天线60对置。第8导体961的第1部位9611在z方向上与第1天线60对置。第8导体961除了第1部位9611之外，还能够包括在x方向上与第1天线60对置的第2部位以及在y方向上与第1天线对置的第3部位中的至少一方。第8导体961的一部分与电池91对置。
第8导体961能够包括在x方向上从第1导体31向外侧延伸的第1延部9612。第8导体961能够包括在x方向上从第2导体32向外侧延伸的第2延部9613。第1延部9612能够与第1部位9611电连接。第2延部9613能够与第1部位9611电连接。第8导体961的第1延部9612在在z方向上与电池91对置。第8导体961能够与电池91电容性地耦合。第8导体961能够成为与电池91之间的电容。
第8导体961与第1天线60的第3导体40隔离。第8导体961未与第1天线60的各导体电连接。第8导体961能够与第1天线60隔离。第8导体961能够与第1天线60中的任一个导体进行电磁耦合。第8导体961的第1部位9611能够与第1天线60进行电磁耦合。从z方向俯视时，第1部位9611能够与第3导体40重叠。第1部位9611通过与第3导体40重叠，基于电磁耦合的传播能够变大。第8导体961与第3导体40的电磁耦合能够成为互感。
第8导体961沿着x方向扩展。第8导体961沿着xy平面扩展。第8导体961的长度比第1天线60的沿着x方向的长度长。第8导体961的沿着x方向的长度比第1天线60的沿着x方向的长度长。第8导体961的长度能够比无线通信设备90的动作波长λ的1/2长。第8导体961能够包括沿着y方向延伸的部位。第8导体961能够在xy平面内弯曲。第8导体961能够包括沿着z方向延伸的部位。第8导体961能够从xy平面向yz平面或者zx平面弯曲。
具备第8导体961的无线通信设备90能够使第1天线60以及第8导体961电磁耦合而作为第3天线97发挥功能。第3天线97的工作频率fc可以与第1天线60单独的谐振频率不同。第3天线97的工作频率fc可以比第8导体961单独的谐振频率更接近第1天线60的谐振频率。第3天线97的工作频率fc能够在第1天线60的谐振频带内。第3天线97的工作频率fc能够在第8导体961单独的谐振频带外。图85是第3天线97的另一实施方式。第8导体961能够与第1天线60一体地构成。图85省略了无线通信设备90的一部分的结构。在图85的例中，第2框体96也可以不具备第8导体961。
在无线通信设备90中，第8导体961相对于第3导体40电容性地耦合。第8导体961与第4导体50进行电磁耦合。第3天线97在空中包括第8导体的第1延部9612以及第2延部9613，从而与第1天线60相比增益提高。
无线通信设备90能够位于各种物体之上。无线通信设备90能够位于导电体99之上。图86是表示无线通信设备90的一实施方式的俯视图。导电体99是传导电的导体。导电体99的材料包括金属、高掺杂的半导体、导电塑料、包括离子的液体。导电体99能够包括在表面上不传导电的非导体层。传导电的部位和非导体层能够包括共同的元素。例如，包括铝的导电体99能够在表面包括铝氧化物的非导体层。传导电的部位与非导体层能够包括不同的元素。
导电体99的形状不限定于平板，能够包括箱形等立体形状。导电体99形成的立体形状包括长方体、圆柱。该立体形状能够包括一部分凹陷的形状、一部分贯通的形状、一部分突出的形状。例如，导电体99能够为圆环(torus)型。
导电体99包括能够载置无线通信设备90的上表面99A。上表面99A能够在导电体99的整个面扩展。上表面99A能够是导电体99的一部分。上表面99A的面积能够比无线通信设备90的面积大。无线通信设备90能够放置在导电体99的上表面99A上。上表面99A能够使面积比无线通信设备90的面积小。无线通信设备90能够在导电体99的上表面99A上放置一部分。无线通信设备90能够以各种朝向放置在导电体99的上表面99A上。无线通信设备90的朝向能够是任意的。无线通信设备90能够通过固定件而适当固定于导电体99的上表面99A上。固定件包括像双面胶带以及粘接剂等那样以面固定的固定件。固定件包括如螺钉以及钉子等那样以点固定的固定件。
导电体99的上表面99A能够包括沿着j方向延伸的部位。沿着j方向延伸的部位的沿着j方向的长度比沿着k方向的长度长。j方向与k方向正交。j方向是导电体99伸长的方向。k方向是导电体99与j方向相比长度较短的方向。无线通信设备90放置在上表面99A上，以使x方向沿着j方向。无线通信设备90能够放置在导电体99的上表面99A上，以使与第1导体31以及第2导体32排列的x方向一致。在无线通信设备90位于导电体99之上时，第1天线60能够与导电体99进行电磁耦合。第1天线60的第4导体50中，第2电流沿着x方向流动。与第1天线60进行电磁耦合的导电体99由第2电流感应电流。若第1天线60的x方向与导电体99的j方向一致，则导电体99，电流沿着j方向流动的电流变大。若第1天线60的x方向与导电体99的j方向一致，则导电体99的基于感应电流的辐射变大。x方向相对于j方向的角度能够为45度以下。
无线通信设备90的接地导体811与导电体99分离。接地导体811与导电体99分离。无线通信设备90能够放置在上表面99A上，以使沿着上表面99A的长边的方向与第1导体31以及第2导体32排列的x方向一致。上表面99A除了方形的面以外，还能够包括菱形、圆形。导电体99能够包括菱形状的面。该菱形状的面能够为载置无线通信设备90的上表面99A。无线通信设备90能够载置在上表面99A上，以使沿着上表面99A的长对角线的方向与第1导体31以及第2导体32排列的x方向一致。上表面99A并不限定于平坦。上表面99A能够包括凹凸。上表面99A能够包括曲面。曲面包括直纹面(ruled surface)。曲面包括柱面。
导电体99在xy平面扩展。导电体99与沿着y方向的长度相比，能够使沿着x方向的长度变长。导电体99能够使沿着y方向的长度比第3天线97的工作频率fc中的波长λc的2分之1短。无线通信设备90能够位于导电体99之上。导电体99在z方向上位于与第4导体50分离的位置。导电体99的沿着x方向的长度比第4导体50长。导电体99的xy平面中的面积比第4导体50宽。导电体99在z方向上位于与接地导体811分离的位置。导电体99的沿着x方向的长度比接地导体811长。导电体99的xy平面中的面积比接地导体811宽。
无线通信设备90在导电体99伸长的方向上，能够以第1导体31以及第2导体32排列的x方向一致的朝向放置在导电体99之上。换言之，无线通信设备90能够以在xy平面中第1天线60的电流流动的方向与导电体99伸长的方向一致的朝向放置在导电体99之上。
第1天线60的谐振频率的变化因电路基板81侧的导体而较小。无线通信设备90通过具有第1天线60，能够降低外部环境受到的影响。
在无线通信设备90中，接地导体811与导电体99电容性地耦合。无线通信设备90通过包括导电体99中的比第3天线97向外扩展的部位，与第1天线60相比增益提高。
无线通信设备90能够在空中的谐振电路与导电体99上的谐振电路不同。图87是在空中形成的谐振构造的概略电路。图88是在导电体99上形成的谐振构造的概略电路。L3是谐振器10的电感，L8是第8导体961的电感，L9是导电体99的电感，M是L3与L8的互感。C3是第3导体40的电容，C4是第4导体50的电容，C8是第8导体961的电容，C8B是第8导体961与电池91的电容，C9是导电体99与接地导体811的电容。R3是谐振器10的辐射电阻，R8是第8导体961的辐射电阻。谐振器10的工作频率比第8导体的谐振频率低。无线通信设备90在空中，接地导体811作为底盘接地发挥功能。无线通信设备90的第4导体50与导电体99电容性地耦合。在导电体99上，无线通信设备90的导电体99作为实质的底盘接地发挥功能。
在多个实施方式中，无线通信设备90具有第8导体961。该第8导体961与第1天线60电磁耦合，且与第4导体50电容性地耦合。无线通信设备90通过增大基于电容耦合的电容C8B，能够在从空中向导电体99上放置时提高工作频率。无线通信设备90通过增大由电磁耦合产生的互感M，能够在从空中向导电体99上放置时降低工作频率。无线通信设备90通过改变电容C8B与互感M的平衡，能够调整从空中向导电体99上放置时的工作频率的变化。无线通信设备90通过改变电容C8B与互感M的平衡，能够减小从空中向导电体99上放置时的工作频率的变化。
无线通信设备90具有与第3导体40进行电磁耦合且与第4导体50电容性地耦合的第8导体961。通过具有该第8导体961，无线通信设备90能够调整从空中向导电体99上放置时的工作频率的变化。通过具有该第8导体961，无线通信设备90能够减小从空中向导电体99上放置时的工作频率的变化。
不包括第8导体961的无线通信设备90也同样地，在空中，接地导体811作为底盘接地发挥功能。不包括第8导体961的无线通信设备90也同样地，在导电体99上，导电体99作为实质的底盘接地发挥功能。包括谐振器10的谐振构造即使底盘接地改变也能够振荡。与具备基准电位层51的谐振器10以及不具备基准电位层51的谐振器10能够振荡相对应。
<<中继器>>
本公开的中继器(repeater)包括中继器190作为多个实施方式的一例。图89是中继器190的框结构图。中继器190不是单独的，而是能够使用多个。相互连接的多个中继器190之一接收到的信号被传输到其他中继器190而被无线发送。中继器190具备无线通信模块80、收发机83、电池91、存储器93、控制器94、第1框体95以及第2框体96。
如上所述，无线通信模块80具备第1天线60、电路基板81以及RF模块82。无线通信模块80能够具备第2天线70来代替第1天线60。无线通信模块80通过第1天线60收发无线信号。无线信号例如是各种传感器检测到的信号，能够是从传感器以无线方式发送的信号。
收发机83在相互连接的天线之间收发信号。例如，一个中继器190所具备的收发机83将由无线通信模块80的第1天线60接收到的信号有线地传输到其他中继器190的收发机83。而且，其他中继器190通过无线通信模块80的第1天线60发送由收发机83接收到的信号。多个中继器190的收发机83通过电缆等信号线相互连接。
电池91向中继器190供给电力。电池91能够向无线通信模块80、收发机83、存储器93以及控制器94中的至少一个供电。如上所述，电池91能够包括一次电池以及二次电池中的至少一者。
如上所述，存储器93能够用作控制器94的工作存储器。
控制器94可以包括如上所述的一个以上的处理豁。此外，控制器94可以如上述那样在存储器93中保存各种信息或者用于使无线通信设备90的各结构部动作的程序等。
第1框体95以及第2框体96保护中继器190所具备的器件。如上所述，第1框体95可以在xy平面上扩展。在多个实施方式的一例中，在第1框体95的上表面95A之上，无线通信模块80、电池91沿着x方向排列。如上所述，第2框体96包括位于第1天线60的z方向侧的下表面96A。下表面96A沿着xy平面扩展。
图90以及图91是中继器190的俯视图。图90以及图91所示的中继器190省略了结构的一部分。在多个实施方式的一例中，组合使用两个中继器190(第1中继器以及第2中继器)。图90表示第1中继器。此外，图91表示第2中继器。
在图90的例子中，中继器190(第1中继器)设置于金属壁等导电体99的第1面99FR。此外，在图91的例子中，中继器190(第2中继器)设置于导电体99的第2面99BK。导电体99例如是金属制的门。第1面99FR例如是导电体99的表面的面。此外，第2面99BK例如是导电体99的背面的面(即，与第1面99FR形成表里的面)。如图90所示，中继器190设置于导电体99的第1面99FR，以使电路基板81上的收发机83以及沿着x方向延伸的第1天线60和电池91被第1框体95以及第2框体96覆盖。此外，如图91所示，中继器190设置于导电体99的第2面99BK，以使电路基板81上的收发机83以及沿着x方向延伸的第1天线60和电池91被第1框体95以及第2框体96覆盖。
在多个实施方式的另一例中，能够使用在x方向上在整体的中心构成为镜像对称的两种中继器190。例如，如图92所示，设置于导电体99的第2面99BK的中继器190(第2中继器)能够与设置于第1面99FR的中继器190(第1中继器)镜对称。
图93是沿着图90以及图91所示的中继器190的P-P线的截面图。在多个实施方式的一例中，两个中继器190(第1中继器以及第2中继器)分别设置于导电体99的z方向的表里即第1面99FR和第2面99BK。在多个实施方式的一例中，两个中继器190的y方向的位置相同。在多个实施方式的另一例中，两个中继器190的y方向的位置可能不同。以下，在区分两个中继器190的情况下，配置于第1面99FR的中继器190有时记载为第1中继器190FR。此外，配置于第2面99BK的中继器190有时记载为第2中继器190BK。
在多个实施方式的一例中，第1中继器190FR所具备的第1天线60(第1面侧天线)的第1供电线61与第1中继器190FR所具备的收发机83连接。此外，第2中继器190BK所具备的第1天线60(第2面侧天线)的第1供电线61与第2中继器190BK所具备的收发机83连接。如图93所示，第1中继器190FR所具备的收发机83与第2中继器190BK所具备的收发机83采用通过导电体99的内部的电缆等信号线而连接。即，第1面侧天线的第1供电线61经由收发机83与第2面侧天线的第1供电线61连接。通过这样的结构，第1面侧天线能够接收从导电体99的第1面99FR侧到来的电波信号，并经由信号线传递到第2面侧天线。而且，第2面侧天线辐射从第1面侧天线接收到的信号。即，通过将由信号线连接的第1中继器190FR和第2中继器190BK设置于导电体99(例如金属壁)的两面，能够进行导电体99的两侧的通信。
图94表示多个实施方式的另一例中的中继器190。如图94所示，第2中继器190BK能够与第1中继器190FR镜对称。第1中继器190FR所具备的收发机83与第2中继器190BK所具备的收发机83能够隔着导电体99使x方向的位置一致。因此，能够缩短连接第1中继器190FR所具备的收发机83与第2中继器190BK所具备的收发机83的信号线的长度。此外，由于能够减小为了通过信号线而对导电体99进行的加工区域(例如孔)，因此第1中继器190FR和第2中继器190BK的设置变得更加容易。
图95表示多个实施方式的另一例中的中继器190。图95的中继器190所包括的第1天线60能够具有基准电位层51。基准电位层51能够代替第4导体50而与接地导体811电连接。
此外，作为多个实施方式的另一例，能够共用多个中继器190所具备的无线通信模块80以外的要素而设为一个中继器190A。图96是中继器190A的框结构图。中继器190A具备：具备第1面侧天线的无线通信模块80-1、具备第2面侧天线的无线通信模块80-2、收发机83、电池91、存储器93、控制器94、第1框体95以及第2框体96。控制器94控制无线通信模块80-1、无线通信模块80-2以及收发机83。收发机83在第1面侧天线与第2面侧天线之间进行信号的收发。
图97是设置于导电体99的中继器190A的截面图。在多个实施方式的一例中，中继器190A在作为导电体99的z方向的表里的第1面99FR和第2面99BK分别设置有一部分。中继器190A中的具备第2面侧天线的无线通信模块80-2设置于第2面99BK。此外，中继器190A的无线通信模块80-2以外的要素设置于第1面99FR。例如，设置于第1面99FR的收发机83通过电缆等信号线与无线通信模块80-2的电路基板81连接。此外，通过收发机83从第1面99FR侧的电池91经由电力线向无线通信模块80-2供电。
中继器190A通过共享多个中继器190所具备的无线通信模块80以外的要素，能够削减使用中继器190A的系统整体中的部件数量。例如，中继器190A通过共享待机电流产生的部件，能够降低消耗电力。例如，中继器190A通过共享电池91，维护变得容易。
<<中继器的适用例>>
导电体99(例如金属壁)反射电磁波。因此，电磁波不会通过导电体99向背侧传播。如上所述，相互连接的多个中继器190之一接收到的信号被传输到其他中继器190而被无线发送。通过将中继器190的至少一个设置于第1面99FR，将其他中继器190的至少一个设置于第2面99BK，能够进行导电体99的两侧的通信。中继器190例如能够设置在以下那样的导电体99的两面。
图98表示设置有中继器190的金属制的闸门。导电体99能够是闸门。闸门例如能够是雨门或者防火卷帘。通过用户手动操作关闭装置605，使闸门沿着引导导轨603移动，并卷绕于卷取轴601而保存于壳体602内。即，闸门能够在保存状态和展开状态(使用中的状态)这两个状态下移动。闸门包括沿着x方向延伸的多个板条604(细长带状的金属板)。在多个实施方式的一例中，第1面侧天线以及第2面侧天线安装于一个板条604的两面。在多个实施方式的另一例中，第1面侧天线安装于第1板条的第1面。此外，第2面侧天线安装于与第1板条不同的第2板条的第2面。此外，在保存状态下，多个板条604重叠地保存于壳体602内。因此，第1面侧天线以及第2面侧天线的至少一方在保存状态下被其他板条604阻断。在此，其他板条604是除了安装有第1面侧天线的板条以及安装有第2面侧天线的板条以外的板条。在保存状态下，第1面侧天线以及第2面侧天线中的至少一方的通信被阻断。如果第1面侧天线以及第2面侧天线中的至少一方的通信被阻断而经过规定时间(例如1分钟等)，中继器190能够具备电源断开的功能。在未使用闸门的情况下，中继器190不需要动作。通过电源断开的功能，中继器190能够避免不必要的电力消耗。
图99表示设置有中继器190的另一金属制的闸门。图99的闸门不具有卷取轴601。图99的闸门根据用户的操作，沿着导轨606移动。在图99的闸门中，使用时朝向z轴正方向的第1面在保存状态下朝向y轴正方向。此外，在图99的闸门中，使用时朝向z轴负方向的第2面在保存状态下朝向y轴负方向。在图99的例子中，y轴负方向例如是顶棚等，因此通信信号被遮挡。即，在该情况下，在保存状态下，第1面侧天线以及第2面侧天线中的至少一方也被阻断通信。此外，图99的闸门也能够具备电源断开的功能。
图100表示设置有中继器190的金属制的集装箱。导电体99能够是集装箱。中继器190例如通过设置在集装箱的侧面等的金属壁上，能够将内部的状态传递到外部。例如，中继器190能够向外部发送检测向集装箱的内部的侵入者等的人感传感器的检测信号等。通过设置中继器190，能够从外部监视密闭空间的内部的状态。此外，中继器190能够设置于比集装箱大型的设备。例如，中继器190能够设置于具有金属壁的机械设备(作为一例的屏蔽室)中。此外，中继器190能够设置在比集装箱小型的设备中。例如，中继器190能够设置在机动车的车身部分。此外，例如，中继器190能够设置在将机动车的发动机室和室内隔开的分隔板。通过中继器190，能够将表示发动机室的状态的各种传感器的检测数据良好地发送到室内。
如上所述，中继器190根据上述结构，由金属导体引起的反射波的影响较少。因此，中继器190设置于导电体99的两面，能够进行隔着导电体99的良好的通信。在此，通过将以往的单极天线垂直地竖立于导电体99，能够隔着导电体99进行通信。但是，单极天线需要具有与通信信号的频率相应的长度(高度)。例如，在将单极天线竖立于闸门等的情况下，无法卷绕单极天线，可能产生无法保存闸门的问题。另一方面，由于中继器190能够将辐射导体与导电体99平行地设置，因此高度非常低。因此，中继器190在设置于闸门等导电体99的情况下，不会阻碍导电体99的保存。在此，设置于导电体99的两面的两个中继器190能够通过用上述的中继器190A进行置换来进一步降低消耗电力。
本公开所涉及的结构并不仅限定于以上说明的实施方式，能够进行各种变形或者变更。例如，各构成部等所包括的功能等能够以在逻辑上不矛盾的方式进行再配置，能够将多个构成部等组合为一个或者进行分割。
例如，中继器190能够代替导电体99而配置于电介质。即，第1面侧天线也可以配置于电介质的第1面，第2面侧天线也可以配置于电介质的第2面。电介质损耗大的树脂、厚的混凝土壁、或者厚的玻璃板等电介质不反射电磁波。但是，电磁波在通过这样的电介质时会大幅衰减。因此，这样的电介质能够妨碍良好的通信。通过上述的结构，中继器190设置在电介质的两面，能够进行隔着电介质的良好的通信。
此外，例如信号线不通过导电体99的内部，而能够沿着导电体99的表面将收发机83彼此连接。例如，对于难以在内部设置用于使信号线穿过的孔的导电体99，也能够应用中继器190。
此外，代替使用信号线，通过使用电磁耦合，能够将收发机83彼此连接。例如，收发机83彼此能够经由导电体99所具有的缝隙等进行电磁耦合。
此外，例如通过信号线连接的两个中继器190能够埋入设置于导电体99的孔中而使用。即，中继器190的至少一部分能够设置在导电体99的内部。此时，能够相对于导电体99的表面，进一步高度低地设置中继器190。
说明本公开所涉及的结构的图是示意性的。附图上的尺寸比率等不一定与现实一致。
在本公开中，“第1”、“第2”、“第3”等记载是用于区分该结构的标识符的一例。本公开中的“第1”以及“第2”等记载所区分的结构更够变换该结构中的编号。例如，第1频率能够与第2频率交换作为标识符的“第1”和“第2”。同时进行标识符的交换。在交换标识符后，该结构也被区分。标识符可以删除。删除了标识符的结构通过符号来区分。例如，第1导体31能够是导体31。仅基于本公开中的“第1”以及“第2”等标识符的记载，不用于该结构的顺序的解释、小编号的标识符存在的依据以及大编号的标识符存在的依据。在本公开中，第2导体层42具有第2单位缝隙422，但包括第1导体层41不具有第1单位缝隙的结构。
-符号说明-
10 谐振器(Resonator)
10X 单位构造体(Unit structure)
20 基体(Base)
20a 空洞(Cavity)
21 第1基体(First Base)
22 第2基体(Second Base)
23 连接体(Connector)
24 第3基体(Third Base)
30 对导体(Pair conductors)
301 第5导体层(Fifth conductive layer)
302 第5导体(Fifth conductor)
303 第6导体(Sixth conductor)
31 第1导体(First conductor)
32 第2导体(Second conductor)
40 第3导体组(Third conductor group)
401 第1谐振器(First resonator)
402 缝隙(Slot)
403 第7导体(Seventh conductor)
40X 单位谐振器(Unit resonator)
40I 电流路(Current path)
41 第1导体层(First conductive layer)
411 第1单位导体(First unit conductor)
412 第1单位缝隙(First unit slot)
413 第1连接导体(First connecting conductor)
414 第1浮游导体(First floating conductor)
415 第1供电导体(First feeding conductor)
41X 第1单位谐振器(First unit resonator)
41Y 第1部分谐振器(First divisional resonator)
42 第2导体层(Second conductive layer)
421 第2单位导体(Second unit conductor)
422 第2单位缝隙(Second unit slot)
423 第2连接导体(Second connecting conductor)
424 第2浮游导体(Second floating conductor)
42X 第2单位谐振器(Second unit resonator)
42Y 第2部分谐振器(Second divisional resonator)
45 阻抗元件(Impedance element)
50 第4导体(Fourth conductor)
51 基准电位层(Reference potential layer)
52 第3导体层(Third conductive layer)
53 第4导体层(Fourth conductive layer)
60 第1天线(First antenna)
61 第1供电线(First feeding line)
70 第2天线(Second antenna)
71 第2供电层(Second feeding layer)
72 第2供电线(Second feeding line)
80 无线通信模块(Wireless communication module)
81 电路基板(Circuit board)
811 接地导体(Ground conductor)
82 RF模块(RF module)
83 收发机(Transceiver)
90 无线通信设备(Wireless communication device)
91 电池(Battery)
92 传感器(Sensor)
93 存储器(Memory)
94 控制器(Controller)
95 第1框体(First case)
95A 上表面(Upper surface)
96 第2框体(Second case)
96A 下表面(Under surface)
961 第8导体(Eighth conductor)
9611 第1部位(First body)
9612 第1延部(First extra-body)
9613 第2延部(Second extra-body)
97 第3天线(Third antenna)
99 导电体(Electrical conductive body)
99A 上表面(Upper surface)
190 中继器(Repeater)
190A 中继器(Repeater)
fc 第3天线的工作频率(Operating frequency of the third antenna)
λc 第3天线的工作波长(Operating wavelength of the third antenna)。

Claims (8)

1.一种中继器，包括：
第1面侧天线、第2面侧天线以及收发机，
所述第1面侧天线以及所述第2面侧天线分别具备：
第1导体以及第2导体，在第1方向上对置；
一个或者多个第3导体，位于所述第1导体以及所述第2导体之间，向所述第1方向延伸；
第4导体，与所述第1导体以及所述第2导体连接，向所述第1方向延伸；
基体，与所述第1导体、所述第2导体、所述第3导体及所述第4导体相接；以及
供电线，与所述第3导体中的任一个电磁连接，
所述第1导体以及所述第2导体经由所述第3导体电容性地连接，并形成为电壁，
所述第3导体包括第1单位导体及第2单位导体，
所述第1单位导体与所述第2单位导体在所述基体的层叠方向上对置且进行电容耦合，
所述第1单位导体的沿着与所述第1方向垂直的第3方向的长度和所述第2单位导体的沿着所述第3方向的长度不同，
所述第1面侧天线的供电线经由所述收发机与所述第2面侧天线的供电线连接。
2.根据权利要求1所述的中继器，其中，
所述第1面侧天线配置在导电体的第1面，
所述第2面侧天线配置在所述导电体的第2面。
3.根据权利要求2所述的中继器，其中，
所述导电体能够在保存状态和展开状态这两个状态下移动，
所述第1面侧天线以及所述第2面侧天线的至少一方在所述保存状态下被阻断。
4.根据权利要求3所述的中继器，其中，
所述第1面侧天线以及所述第2面侧天线的至少一方在所述保存状态下被其他导电体阻断。
5.根据权利要求2～4中的任一项所述的中继器，其中，
所述导电体包括沿着第1方向延伸的多个板条，
所述第1面侧天线以及所述第2面侧天线安装于一个板条的两面。
6.根据权利要求2～4中的任一项所述的中继器，其中，
所述导电体包括沿着第1方向延伸的多个板条，
所述第1面侧天线安装于第1板条的所述第1面，
所述第2面侧天线安装于与所述第1板条不同的第2板条的所述第2面。
7.根据权利要求1所述的中继器，其中，
所述第1面侧天线配置在电介质的第1面，
所述第2面侧天线配置在所述电介质的第2面。
8.一种中继器，包括：
天线和收发机，
所述天线具备：
第1导体以及第2导体，在第1方向上对置；
一个或者多个第3导体，位于所述第1导体以及所述第2导体之间，向所述第1方向延伸；
第4导体，与所述第1导体以及所述第2导体连接，向所述第1方向延伸；
基体，与所述第1导体、所述第2导体、所述第3导体及所述第4导体相接；以及
供电线，与所述第3导体中的任一个电磁连接，
所述第1导体以及所述第2导体经由所述第3导体电容性地连接，并形成为电壁，
所述第3导体包括第1单位导体及第2单位导体，
所述第1单位导体与所述第2单位导体在所述基体的层叠方向上对置且进行电容耦合，
所述第1单位导体的沿着与所述第1方向垂直的第3方向的长度和所述第2单位导体的沿着所述第3方向的长度不同，
所述天线的供电线经由所述收发机与其他中继器的天线的供电线连接。
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