CN111627391A - Amoled像素驱动电路、显示面板及显示装置 - Google Patents

Amoled像素驱动电路、显示面板及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种AMOLED像素驱动电路、显示面板及显示装置。其中，所述AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压，以通过所述底栅驱动电压调控所述驱动薄膜晶体阈值电压。本申请AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管通过采用双栅型薄膜晶体管，当其阈值电压负偏严重时，可以通过底栅驱动电压调节驱动薄膜晶体管的底栅电压调控其阈值电压，确保在黑画面时OLED不会启亮，以保证显示面板的对比度，提升应用AMOLED像素驱动电路的显示面板及显示装置的显示效果。

Description

AMOLED像素驱动电路、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种AMOLED像素驱动电路、显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
目前大尺寸AMOLED面板像素电路普遍采用3T1C等为代表的外部补偿电路，这类电路的不足在于，在驱动喷墨打印技术的OLED器件时，如果驱动TFT的阈值电压严重负漂，将无法实现纯黑画面，影响AMOLED面板的显示效果。
发明内容
本申请实施例提供一种AMOLED像素驱动电路、显示面板及显示装置，可以通过底栅驱动电压调节驱动薄膜晶体管的底栅电压调控其阈值电压，确保在黑画面时OLED不会启亮，以保证显示面板的对比度，提升应用AMOLED像素驱动电路的显示面板及显示装置的显示效果。
为解决上述问题，一方面，本申请提供一种AMOLED像素驱动电路，所述AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压，以通过所述底栅驱动电压调控所述驱动薄膜晶体阈值电压。
在本申请一些实施例中，所述AMOLED像素驱动电路包括：
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的顶栅连接第一电路节点，第一电极接入电源电压，第二电极连接第二电路节点；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的顶栅接入第一扫描信号，第三电极接入数据电压，第四电极连接所述第一电路节点；
第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的顶栅接入第二扫描信号，第五电极连接所述第二电路节点，第六电极接入参考电压；
电容，一端连接所述第一电路节点，另一端连接所述第二电路节点；
有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二电路节点，阴极接入公共接地电压；
所述第一薄膜晶体管为所述驱动薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压。
在本申请一些实施例中，所述底栅驱动电压对所述驱动薄膜晶体阈值电压的调控呈线性关系。
在本申请一些实施例中，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压，与所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压之差小于0；
其中，所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压为等效底栅驱动电压和所述第一薄膜晶体管的阈值电压之和，所述等效底栅驱动电压为所述底栅驱动电压与预设比例系数之积，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压为所述数据电压和所述参考电压之差。
在本申请一些实施例中，所述底栅驱动电压为外部信号源输入。
在本申请一些实施例中，所述AMOLED像素驱动电路中还包括用于提供所述底栅驱动电压的信号源。
在本申请一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管为自对准共面型的双栅型薄膜晶体管，或者为背沟道刻蚀型的双栅型薄膜晶体管。
在本申请一些实施例中，所述底栅为所述AMOLED像素驱动电路的遮光层。
另一方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括AMOLED像素驱动电路，所述AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压，以通过所述底栅驱动电压调控所述驱动薄膜晶体阈值电压。
在本申请一些实施例中，所述AMOLED像素驱动电路包括：
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的顶栅连接第一电路节点，第一电极接入电源电压，第二电极连接第二电路节点；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的顶栅接入第一扫描信号，第三电极接入数据电压，第四电极连接所述第一电路节点；
第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的顶栅接入第二扫描信号，第五电极连接所述第二电路节点，第六电极接入参考电压；
电容，一端连接所述第一电路节点，另一端连接所述第二电路节点；
有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二电路节点，阴极接入公共接地电压；
所述第一薄膜晶体管为所述驱动薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压。
在本申请一些实施例中，所述底栅驱动电压对所述驱动薄膜晶体阈值电压的调控呈线性关系。
在本申请一些实施例中，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压，与所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压之差小于0；
其中，所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压为等效底栅驱动电压和所述第一薄膜晶体管的阈值电压之和，所述等效底栅驱动电压为所述底栅驱动电压与预设比例系数之积，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压为所述数据电压和所述参考电压之差。
在本申请一些实施例中，所述底栅驱动电压为外部信号源输入。
在本申请一些实施例中，所述AMOLED像素驱动电路中还包括用于提供所述底栅驱动电压的信号源。
在本申请一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管为自对准共面型的双栅型薄膜晶体管，或者为背沟道刻蚀型的双栅型薄膜晶体管。
在本申请一些实施例中，所述底栅为所述AMOLED像素驱动电路的遮光层。
另一方面，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，所述面板中包括包括AMOLED像素驱动电路，所述AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压，以通过所述底栅驱动电压调控所述驱动薄膜晶体阈值电压。
在本申请一些实施例中，所述AMOLED像素驱动电路包括：
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的顶栅连接第一电路节点，第一电极接入电源电压，第二电极连接第二电路节点；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的顶栅接入第一扫描信号，第三电极接入数据电压，第四电极连接所述第一电路节点；
第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的顶栅接入第二扫描信号，第五电极连接所述第二电路节点，第六电极接入参考电压；
电容，一端连接所述第一电路节点，另一端连接所述第二电路节点；
有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二电路节点，阴极接入公共接地电压；
所述第一薄膜晶体管为所述驱动薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压。
在本申请一些实施例中，所述底栅驱动电压对所述驱动薄膜晶体阈值电压的调控呈线性关系。
在本申请一些实施例中，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压，与所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压之差小于0；
其中，所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压为等效底栅驱动电压和所述第一薄膜晶体管的阈值电压之和，所述等效底栅驱动电压为所述底栅驱动电压与预设比例系数之积，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压为所述数据电压和所述参考电压之差。
在本申请一些实施例中，所述底栅驱动电压为外部信号源输入。
在本申请一些实施例中，所述AMOLED像素驱动电路中还包括用于提供所述底栅驱动电压的信号源。
在本申请一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管为自对准共面型的双栅型薄膜晶体管，或者为背沟道刻蚀型的双栅型薄膜晶体管。
在本申请一些实施例中，所述底栅为所述AMOLED像素驱动电路的遮光层。
本申请实施例中AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压，以通过所述底栅驱动电压调控所述驱动薄膜晶体阈值电压。本申请AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管通过采用双栅型薄膜晶体管，当其阈值电压负偏严重时，可以通过底栅驱动电压调节驱动薄膜晶体管的底栅电压调控其阈值电压，确保在黑画面时OLED不会启亮，以保证显示面板的对比度，提升应用AMOLED像素驱动电路的显示面板及显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有的一种AMOLED像素电路的3T1C示意图；
图2是现有AMOLED像素驱动电路的驱动时序示意图；
图3是本申请实施例中提供AMOLED像素驱动电路的一个实施例流程示意图；
图4是本申请实施例中提供AMOLED像素驱动电路的驱动时序示意图；
图5是本申请实施例中双栅TFT的等效阈值电压和VLS的实验曲线示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
目前大尺寸AMOLED面板像素电路普遍采用3T1C等为代表的外部补偿电路，这类电路的不足在于，在驱动喷墨打印技术的OLED器件时，如果驱动TFT的阈值电压严重负漂，将无法实现纯黑画面，影响AMOLED面板的显示效果。
请参阅图1，图1为现有的AMOLED像素驱动电路的3T1C结构示意图，其中，AMOLED像素驱动电路的基本电路组成包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体T2、第三薄膜晶体管T3、电容Cst及有机发光二极管(OLED器件)，具体的，在S点复位以及栅极点数据写入阶段，第一薄膜晶体管T1栅极连接第一电路节点G，漏极连接电源电压VDD，源级连接公共接地电压VSS；第二薄膜晶体T2的栅极连接第一扫描信号WR，漏极连接数据电压Data，源级连接第一电路节点G；第三薄膜晶体T3的顶栅接入第二扫描信号RD，漏极连接参考电压Sense，源级连接第二电路节点S。
请参阅图2，其中，图2为现有AMOLED像素驱动电路的驱动时序示意图，其中Writing为AMOLED像素驱动电路的数据写入阶段，Emmission为AMOLED像素驱动电路的发光阶段，对于喷墨打印技术(IJP)OLED器件来说，存在以下问题：当T1的Vth严重负漂时，T1无法关断，OLED阳极点位将被抬升，OLED器件可能启亮，导致无法实现黑画面。
在一个具体示例中，假设图1中AMOLED像素驱动电路中各电压设置：VDD＝24V,VSS＝0V，WR/RD:Vgh＝24V,Vgl＝-8V,Data_Black＝0V，Sense＝2V；
假定：Vth_TFT＝-3V，Vth_OLED＝2V
其中，Vgh为打开TFT的电压，Vgl为关闭TFT的电压，Vth_TFT为T1的阈值电压，阈值电压(Threshold voltage)为传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压，Vgs为T1栅极相对于源极的电压。
那么黑画面时，Vgs-Vth_TFT＝Data_Black-Sense-Vth_TFT＝0-2+3＝1V>0V，即T1导通，OLED器件阳极点电位升高，升高到2V时，OLED器件将启亮，即黑画面下无法实现纯黑。
基于此，本发明实施例提供一种AMOLED像素驱动电路、显示面板及显示装置，以下分别进行详细说明。
首先，本发明实施例中提供一种AMOLED像素驱动电路，所述AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压，以通过所述底栅驱动电压调控所述驱动薄膜晶体阈值电压。
本申请实施例中AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管通过采用双栅型薄膜晶体管，当其阈值电压负偏严重时，可以通过底栅驱动电压调节驱动薄膜晶体管的底栅电压调控其阈值电压，确保在黑画面时OLED不会启亮，以保证显示面板的对比度，提升应用AMOLED像素驱动电路的显示面板及显示装置的显示效果。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，请参阅图3，图4为本申请实施例的AMOLED像素驱动电路图，该AMOLED像素驱动电路为3T1C结构电路，所述AMOLED驱动电路包括：
第一薄膜晶体管T1，所述第一薄膜晶体管T1的顶栅连接第一电路节点G，第一电极接入电源电压VDD，第二电极连接第二电路节点S；
第二薄膜晶体管T2，所述第二薄膜晶体管T2的顶栅接入第一扫描信号WR，第三电极接入数据电压Data，第四电极连接所述第一电路节点G；
具体的，第二薄膜晶体管T2为开关TFT。
第三薄膜晶体管T3，所述第三薄膜晶体管T3的顶栅接入第二扫描信号RD，第五电极连接所述第二电路节点S，第六电极接入参考电压Sense；
具体的，第一电极至第六电极可以为栅极或漏极，具体根据电压方向决定。
电容Cst，一端连接所述第一电路节点G，另一端连接所述第二电路节点S；
有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二电路节点S，阴极接入公共接地电压VSS；
所述第一薄膜晶体管T1为所述驱动薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管T1的底栅接入底栅驱动电压VLS。
请参阅图4，图4为图3所示实施例中AMOLED像素驱动电路的驱动时序示意图，不论数据电压Data、第一扫描信号WR和第二扫描信号RD如何，底栅驱动电压VLS的驱动时序均不变，保持稳定的输出。
如图5所示，为某些双栅TFT的Vth-VLS实验曲线，发明人在对双栅TFT的研究过程中发现，所述底栅驱动电压对所述驱动薄膜晶体阈值电压的调控呈线性关系，如图5所示，VLS越大，双栅TFT的等效阈值电压Vth’_TFT越小，因此可以通过合理调整VLS大小，来调整双栅TFT的等效阈值电压Vth’_TFT。
在本申请一些实施例中，所述第一薄膜晶体管T1栅极相对于源极的电压Vgs，与所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压Vth’_TFT之差小于0；
其中，所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压Vth’_TFT为等效底栅驱动电压和所述第一薄膜晶体管的阈值电压Vth之和，所述等效底栅驱动电压为所述底栅驱动电压VLS与预设比例系数之积，所述第一薄膜晶体管T1栅极相对于源极的电压Vgs为所述数据电压Data和所述参考电压Sense之差。
具体的，该预设比例系数与薄膜晶体管的设计相关，可以预先根据实验数据计算得出，例如-0.4等。
本实施例中的AMOLED像素驱动电路采用双栅结构的驱动TFT，可以通过调节底栅驱动电压VLS来调控其阈值电压Vth；当Vth负漂严重使得OLED在黑画面启亮时，通过施加底栅驱动电压VLS将等效阈值电压Vth’_TFT控制在合适的范围内(例如Vgs与Vth’_TFT之差小于0)，可以实现纯黑画面，提升显示面板的显示效果。
在一个具体实施例中，在上述具体举例其他条件不变的情况下，设定VLS＝-5V，假设比例系数为0.4，其等效阈值电压定义为Vth’_TFT。
则Vth’_TFT＝Vth_TFT+VLS*(-0.4)＝-1V
黑画面下，Vgs-Vth’_TFT＝Data_Black-Sense-Vth’_TFT＝0-2+1＝-1V<0，T1处于截止状态，OLED器件无法启亮，即可以实现黑画面。
在本申请一些实施例中，所述底栅驱动电压为外部信号源输入，外部信号源可以是提供底栅驱动电压VLS的外部电压源或者等效电压源。或者所述AMOLED像素驱动电路中还包括用于提供所述底栅驱动电压的信号源，同样的，该信号源可以是提供底栅驱动电压VLS的外部电压源或者等效电压源。
在本申请的另一个具体实施例中，所述第一薄膜晶体管T1底栅为所述AMOLED像素驱动电路的遮光层(Light shield，LS)。
具体的，本申请实施例中所述驱动薄膜晶体管(即所述第一薄膜晶体管T1)为自对准共面型的双栅型薄膜晶体管，或者为背沟道刻蚀型的双栅型薄膜晶体管。具体的，所述驱动薄膜晶体可以是自对准共面型铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)的双栅型薄膜晶体管，或者为背沟道刻蚀型IGZO的双栅型薄膜晶体管。
为了更好实施本发明实施例中AMOLED像素驱动电路，在AMOLED像素驱动电路基础之上，本发明实施例中还提供一种显示面板，所述显示面板包括AMOLED像素驱动电路，所述AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压，以通过所述底栅驱动电压调控所述驱动薄膜晶体阈值电压。
在本申请一些实施例中，所述AMOLED像素驱动电路包括：
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的顶栅连接第一电路节点，第一电极接入电源电压，第二电极连接第二电路节点；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的顶栅接入第一扫描信号，第三电极接入数据电压，第四电极连接所述第一电路节点；
第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的顶栅接入第二扫描信号，第五电极连接所述第二电路节点，第六电极接入参考电压；
电容，一端连接所述第一电路节点，另一端连接所述第二电路节点；
有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二电路节点，阴极接入公共接地电压；
所述第一薄膜晶体管为所述驱动薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压。
在本申请一些实施例中，所述底栅驱动电压对所述驱动薄膜晶体阈值电压的调控呈线性关系。
在本申请一些实施例中，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压，与所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压之差小于0；
其中，所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压为等效底栅驱动电压和所述第一薄膜晶体管的阈值电压之和，所述等效底栅驱动电压为所述底栅驱动电压与预设比例系数之积，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压为所述数据电压和所述参考电压之差。
在本申请一些实施例中，所述底栅驱动电压为外部信号源输入。
在本申请一些实施例中，所述AMOLED像素驱动电路中还包括用于提供所述底栅驱动电压的信号源。
在本申请一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管为自对准共面型的双栅型薄膜晶体管，或者为背沟道刻蚀型的双栅型薄膜晶体管。
在本申请一些实施例中，所述底栅为所述AMOLED像素驱动电路的遮光层。
通过采用如上实施例中描述的AMOLED像素驱动电路，进一步提升了该显示面板的显示性能。
为了更好实施本发明实施例中显示面板，在显示面板基础之上，本发明实施例中还提供一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，所述面板中包括包括AMOLED像素驱动电路，所述AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压，以通过所述底栅驱动电压调控所述驱动薄膜晶体阈值电压。
在本申请一些实施例中，所述AMOLED像素驱动电路包括：
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的顶栅连接第一电路节点，第一电极接入电源电压，第二电极连接第二电路节点；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的顶栅接入第一扫描信号，第三电极接入数据电压，第四电极连接所述第一电路节点；
第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的顶栅接入第二扫描信号，第五电极连接所述第二电路节点，第六电极接入参考电压；
电容，一端连接所述第一电路节点，另一端连接所述第二电路节点；
有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二电路节点，阴极接入公共接地电压；
所述第一薄膜晶体管为所述驱动薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压。
在本申请一些实施例中，所述底栅驱动电压对所述驱动薄膜晶体阈值电压的调控呈线性关系。
在本申请一些实施例中，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压，与所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压之差小于0；
其中，所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压为等效底栅驱动电压和所述第一薄膜晶体管的阈值电压之和，所述等效底栅驱动电压为所述底栅驱动电压与预设比例系数之积，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压为所述数据电压和所述参考电压之差。
在本申请一些实施例中，所述底栅驱动电压为外部信号源输入。
在本申请一些实施例中，所述AMOLED像素驱动电路中还包括用于提供所述底栅驱动电压的信号源。
在本申请一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管为自对准共面型的双栅型薄膜晶体管，或者为背沟道刻蚀型的双栅型薄膜晶体管。
在本申请一些实施例中，所述底栅为所述AMOLED像素驱动电路的遮光层。
通过采用如上实施例中描述的包括AMOLED像素驱动电路的显示面板，进一步提升了该显示装置的显示性能。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。
具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种AMOLED像素驱动电路、显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述AMOLED像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管为双栅型薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压，以通过所述底栅驱动电压调控所述驱动薄膜晶体阈值电压。
2.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述AMOLED像素驱动电路包括：
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的顶栅连接第一电路节点，第一电极接入电源电压，第二电极连接第二电路节点；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的顶栅接入第一扫描信号，第三电极接入数据电压，第四电极连接所述第一电路节点；
第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的顶栅接入第二扫描信号，第五电极连接所述第二电路节点，第六电极接入参考电压；
电容，一端连接所述第一电路节点，另一端连接所述第二电路节点；
有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第二电路节点，阴极接入公共接地电压；
所述第一薄膜晶体管为所述驱动薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的底栅接入底栅驱动电压。
3.根据权利要求2所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述底栅驱动电压对所述驱动薄膜晶体阈值电压的调控呈线性关系。
4.根据权利要求2所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压，与所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压之差小于0；
其中，所述第一薄膜晶体管的等效阈值电压为等效底栅驱动电压和所述第一薄膜晶体管的阈值电压之和，所述等效底栅驱动电压为所述底栅驱动电压与预设比例系数之积，所述第一薄膜晶体管栅极相对于源极的电压为所述数据电压和所述参考电压之差。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述底栅驱动电压为外部信号源输入。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述AMOLED像素驱动电路中还包括用于提供所述底栅驱动电压的信号源。
7.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管为自对准共面型的双栅型薄膜晶体管，或者为背沟道刻蚀型的双栅型薄膜晶体管。
8.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述底栅为所述AMOLED像素驱动电路的遮光层。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的AMOLED像素驱动电路。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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