CN111621771A - 用于化学气相沉积处理的加热装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置，包括：壳体，包围限定出腔室；加热组件，设于腔室中，并包括多个导热部和多个加热部；其中，至少两个的导热部相互分体设置，任一导热部与任至少一个的加热部相配合，加热部生发热量，导热部将来自加热部的热量散发至腔室中。本发明能够促进腔室之中温度的均匀分布，并由此提高载具和载具之上硅片的受热均匀程度。

Description

用于化学气相沉积处理的加热装置

技术领域

本发明涉及硅片制造的技术领域，具体而言，涉及一种用于化学气相沉积处理的加热装置。

背景技术

硅片在太阳能电池生产、半导体设备制造等诸多领域均具有广泛的应用前景。

采用等离子增强化学气相沉积(英文名称：Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，英文简称：PECVD)是对硅片进行表面处理，是提高硅片性能的重要手段。

在实施化学气相沉积处理时，需要采用加热装置对硅片进行加热。相关技术中的其中一项不足是，加热装置对硅片进行加热时的温度均匀性不够理想，并由此使得硅片的生产质量难以得到保证。

发明内容

本发明旨在解决上述技术问题的至少之一。

为此，本发明的目的在于提供一种用于化学气相沉积处理的加热装置。

为实现本发明的目的，本发明的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置，包括：壳体，包围限定出腔室；加热组件，设于腔室中，并包括多个导热部和多个加热部；其中，至少两个的导热部相互分体设置，任一导热部与任至少一个的加热部相配合，加热部生发热量，导热部将来自加热部的热量散发至腔室中。

本实施例对导热部进行了分体设置。其中，导热部的数量为多个，相邻或相互靠近的两个导热部之间相互分隔，以减少二者之间的温度传递。并且，各个导热部均设有与其各自适配的加热部。由此，各个加热部可分别对位于其上方的导热部进行加热升温。相互分体设置的两个或多个导热部的温度可被分别控制，并且温度传递情况得到抑制。由此，本实施例的加热组件对被加工件的升温更加均匀，并由此提高了例如硅片的被加工件的产品性能。

另外，本发明上述实施例提供的技术方案还可以具有如下附加技术特征：

上述技术方案中，导热部和加热部之间具有第一间隙。

本实施例使得导热部和加热部之间具有间隙，间隙的设置能够有效避免因导热部局部过热而导致的变形问题。由此，本实施例能够有效保护导热部，避免其变形，延长其使用寿命。

上述任一技术方案中，导热部包括：第一导热部；第二导热部，围绕第一导热部的周缘设置；其中，第一导热部和第二导热部之间具有第二间隙。

设置间隙可为第一导热部和第二导热部受热后出现膨胀现象留有安全余量。此外，本实施例可对位于中间位置的导热部和位于四周位置的导热部进行分别加热和控制，第二间隙的设置可达到避免中间温度和四周温度相互干扰影响的作用。

上述任一技术方案中，第一导热部和第二导热部中的任一者设有缺口，第一导热部和第二导热部中相对于任一者的另一者设有凸起，凸起的至少一部分伸入缺口。

本实施例可实现第一导热部和第二导热部在安装位置方面的相互配合，以便于导热部并平坦且平稳地铺设于腔室之中。

上述任一技术方案中，第一导热部包括至少两个并相互分体设置的第一导热部拼接单元；和/或第二导热部包括至少两个并相互分体设置的第二导热部拼接单元。

本实施列可分别对第一导热部和第二导热部进行进一步地分割，使得多个相互分体独立的第一导热部拼接单元共同限定出第一导热部，或使得多个相互分体独立的第二导热部拼接单元共同限定出第二导热部。由此，本实施例能够进一步提高加热装置在升温加热时的升温均匀程度。

上述任一技术方案中，加热部包括：第一加热部，适于加热第一导热部；第二加热部，适于加热第二导热部；其中，第一加热部和第二加热部适于被分别控制。

各个第一导热部和各个第二导热部对应各自的加热部，通过分体式导热部的不同温度组合，可使得各个第一导热部和各个第二导热部共同限定出的整个导热部对载具和载具上面的硅片实现均匀地加热升温，进而保证工艺效果。

上述任一技术方案中，用于化学气相沉积处理的加热装置还包括：保护气体输出装置，适于向腔室中输入保护气体，以保护加热组件。

本实施例的保护气体输出装置可向腔室中输出例如氮气或氩气等的惰性气体，其作用在于避免腔室中的部件，尤其是加热组件，受到腐蚀性气体的破坏，以延长加热装置的使用寿命，降低其维修成本。

上述任一技术方案中，用于化学气相沉积处理的加热装置还包括：支撑座，设于腔室中，并与壳体连接；其中，支撑座适于支撑加热组件。

支撑座能够对加热组件进行有效地支撑固定，并使得加热组件与载具之间的距离更为合理，从而保证加热组件的加热升温效果。

上述任一技术方案中，加热组件还包括：保护罩，与导热部相互配合，以共同限定出部分封闭的保护空间，加热部设于保护空间中。

保护罩与导热部之间具有间隙，以使得该保护空间为部分封闭的结构。保护罩能够有效避免腐蚀性气体对加热部造成影响。尤其，当加热装置还包括保护气体输出装置时，部分封闭的保护空间可有效阻止保护气体输出装置喷出的保护气体的流失，并阻止腐蚀性气体进入加热部的周围。

上述任一技术方案中，加热组件还包括：第一支撑件，由保护罩之上伸出，适于支撑导热部；和/或第二支撑件，由保护罩之上伸出，适于支撑加热部。

第一支撑件可保证导热部被稳定安放，并使得导热部与加热部之间留有间隙。第二支撑件可保证加热部被稳定地支撑固定，并对加热部的设置位置进行调节，保证其设置高度合理，避免加热部因距离过近而对导热部或保护罩造成损坏。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本发明一个实施例的用于化学气相沉积处理的加热装置的第一结构示意图；

图2为本发明一个实施例的用于化学气相沉积处理的加热装置的第二结构示意图。

其中，图1和图2中附图标记与部件名称之间的对应关系为：

100：加热装置，110：壳体，120：腔室，130：载具，140：导热部，142：第一导热部，144：第二导热部，150：加热部，152：第一加热部，154：第二加热部，160：保护气体输出装置，170：支撑座，180：保护罩，190：传动滚轮，192：第一支撑件，194：第二支撑件，200：硅片，X₁：第一间隙，X₂：第二间隙。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

下面参照图1和图2描述本发明一些实施例的用于化学气相沉积处理的加热装置100。

实施例1：

如图1和图2所示，本发明的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。包括：壳体110和加热组件。壳体110包围限定出腔室120。加热组件设于腔室120中，并包括多个导热部140和多个加热部150。其中，至少两个的导热部140相互分体设置，任一导热部140与任至少一个的加热部150相配合，加热部150生发热量，导热部140将来自加热部150的热量散发至腔室120中。

具体而言，本实施例的加热装置100用于对被加工件进行等离子增强化学气相沉积处理。等离子增强化学气相沉积处理是对物质或物体进行表面处理的重要技术手段，该处理方法利用强电场或磁场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体经过经一系列化学和等离子体反应，在被加工件表面形成薄膜。比如，采用等离子增强化学气相沉积处理的手段，可在用于制造太阳能电池或半导体设备的硅片200的表面沉积出氮化硅薄膜层，氮化硅薄膜层可以减少太阳光的反射率，增加太阳能电池的光电转换效率。此外，在硅片200的表面沉积薄膜层，还能够提高硅片200的抗氧化性能、化学稳定性能或绝缘性能。

在执行化学气相沉积处理前，需要对例如硅片200的被加工件进行升温。一方面，为了保证生产效率和产能，需要使得待加工能够尽快达到化学气相沉积处理所需的指定温度。另一方面，为了保证处理效果，还需要待加工的受热温度尽量均匀。有鉴于此，本实施例提供了一种能够均匀升温的用于化学气相沉积处理的加热装置100，以达到保证产能并提高产品质量的目的。

本实施例的加热装置100包括壳体110。壳体110具体包括箱体和设置在箱体之上的盖体。盖体与箱体相互配合，共同限定出具有真空环境的腔室120。腔室120之中设有载具130。载具130用于承载例如硅片200的被加工件。多个硅片200并列陈放在载具130之上。加热装置100还可包括传动滚轮190。至少两个的传动滚轮190在腔室120之中沿水平方向并列设置，并通过滚动而对载具130和载具130之上的硅片200进行传递，以使得搭载硅片200的载具130行走移动。加热组件的作用在于向硅片200提供热量，以使得硅片200的温度升高。

本实施例的目的在于提高腔室120之中的温度分布均匀程度，并由此提高载具130之上的硅片200的加热均匀程度和性能。具体而言，在相关技术的化学气相沉积镀膜设备中，通常采用铝板加热器对于例如硅片200的被加工件进行加热。为了保证热传递效率，相关技术在一整块铝板上加工出多个槽，进而把一个个独立的加热管嵌装在铝板之中，一根或多根的根加热管可以单独控温。加热管通过接触式热传导来升高和控制整个铝板的温度，从而对铝板上的载具和被加工件进行加热。然而，整块铝板实现热传导的问题在于，其容易使得腔室之中各处位置的温度分布不均匀。举例而言，当铝板中间位置被位于中间部位的加热管加热到指定温度时，中间部位的加热管会停止加热。但同时，由于铝板四周边缘的周围环境低，因此铝板四周区域在被加热的同时也仍在不断散热。为了使铝板四周区域达到和中间区域在理论上相同的指定温度，则需要使得铝板四周的加热管比中间加热管具有更高的温度，以由此来提供更多的能量给铝板的四周区域。然而，上述加热方式导致铝板四周和加热管接触区域的温度高于铝板中间温度，并进而使得四周边缘加热管在接触加热铝板四周边缘区域的同时，也在通过热传导不断给铝板中间区域提供新的热量。最终，整个铝加热器的中间区域温度大大高于四周区域，相应地，铝板加热器上方的整个载具的温度也出现中间温度高边缘温度低的情况，载具上的硅片200之间的温度均匀性也因此得不到保证。各个硅片200的温度不均最终导致工艺效果大大降低。

综上，为了提高硅片200的升温均匀程度，本实施例对加热组件的结构进行了改进。本实施例的加热组件包括多个导热部140和多个加热部150。加热部150具体可为电阻加热部件或红外加热部件，其可具有棒状或管状的结构。导热部140设置在加热部150的上部位置，其可具有板状结构。导热部140可通过铝板、铜板、钢板等传热效率高的金属板件制成。加热部150在电力驱动下生发热量，导热部140则对来自加热部150的热量进行传导和发散。为了避免导热部140各处温度不均的问题，本实施例对导热部140进行了分体设置。其中，导热部140的数量为多个，相邻或相互靠近的两个导热部140之间相互分隔，以减少二者之间的温度传递。并且，各个导热部140均设有与其各自适配的加热部150。由此，各个加热部150可分别对位于其上方的导热部140进行加热升温。相互分体设置的两个或多个导热部140的温度可被分别控制，并且温度传递情况得到抑制。由此，本实施例的加热组件对被加工件的升温更加均匀，并由此提高了例如硅片200的被加工件的产品性能。

实施例2：

如图1和图2所示，本发明的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。除上述实施例1的技术特征以外，本实施例进一步地包括了以下技术特征。

导热部140和加热部150之间具有第一间隙X₁。

本实施例中，加热组件可设置在载具130的上方和/或下方，加热部150和导热部140分别沿水平方向设置。本实施例在导热部140和加热部150之间设置间隙，以对导热部140进行保护。第一间隙X₁的长度可为5毫米至20毫米。

具体而言，对于相关技术中的铝板加热器而言，其加热管嵌装在铝板槽里，铝板槽内表面和加热管接触的区域和其余区域温差明显。局部温度的偏高会导致铝板产生热应力并因此而变形。有鉴于此，本实施例对加热部150的设置位置和其与导热部140的连接关系进行改变。本实施例使得导热部140和加热部150之间具有间隙，间隙的设置能够有效避免因导热部140局部过热而导致的变形问题。由此，本实施例能够有效保护导热部140，避免其变形，延长其使用寿命。

实施例3：

如图1和图2所示，本发明的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。除上述任一实施例的技术特征以外，本实施例进一步地包括了以下技术特征。

导热部140包括：第一导热部142和第二导热部144。第二导热部144围绕第一导热部142的周缘设置。其中，第一导热部142和第二导热部144之间具有第二间隙X₂。

本实施例中，第二导热部144围绕第一导热部142的周缘设置。举例而言，第一导热部142的数量为一个，其具有例如矩形或六边形的多边形结构，第二导热部144的数量为多个，其围绕第一导热部142的外部边缘布置。其中，任一第二导热部144分别与第一导热部142之间具有间隙。设置间隙可为第一导热部142和第二导热部144受热后出现膨胀现象留有安全余量。各个第二导热部144与第一导热部142之间的间隙可以相同，亦可不同。

换言之，本实施例的导热部140采用了中间和四周式的分体式结构。位于中间的第一导热部142和环布在四周的第二导热部144可被分别地独立控制，并且相邻的第一导热部142和第二导热部144之间的热传导现象被有效降低。

由此，本实施例可对位于中间位置的导热部140和位于四周位置的导热部140进行分别加热和控制，以达到避免中间温度高于四周温度或四周温度高于中间温度的情形。

实施例4：

如图2所示，本发明的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。除上述任一实施例的技术特征以外，本实施例进一步地包括了以下技术特征。

第一导热部142和第二导热部144中的任一者设有缺口，第一导热部142和第二导热部144中相对于任一者的另一者设有凸起，凸起的至少一部分伸入缺口。

举例而言，第一导热部142的相对两侧可分别设有一个或多个的第一凸起，第一凸起由第一导热部142的侧部向外凸伸，并自然地限定出来第一缺口。

第一凸起的形状为直条形，第一缺口的形状为L型缺口。相应地，第二导热部144的相对两侧可分别设有一个或多个的第二凸起，第二凸起由第二导热部144的侧部向外凸伸，并自然地限定出来第二缺口。第二凸起的形状为直条形，第二缺口的形状为L型缺口。安装装配时，第一凸起和第二凸起相互搭接。第一凸起伸入第二缺口，第二凸起伸入第一缺口。第一凸起和第二凸起之间保留有间隙。

本实施例可实现第一导热部142和第二导热部144在安装位置方面的相互配合，以便于导热部140并平坦且平稳地铺设于腔室120之中。

实施例5：

本发明的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。除上述任一实施例的技术特征以外，本实施例进一步地包括了以下技术特征。

第一导热部142包括至少两个并相互分体设置的第一导热部拼接单元，和/或第二导热部144包括至少两个并相互分体设置的第二导热部拼接单元。

换言之，本实施列可分别对第一导热部142和第二导热部144进行进一步地分割，使得多个相互分体独立的第一导热部拼接单元共同限定出第一导热部142，或使得多个相互分体独立的第二导热部拼接单元共同限定出第二导热部144。由此，本实施例能够进一步提高加热装置100在升温加热时的升温均匀程度。

实施例6：

如图2所示，本发明的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。除上述任一实施例的技术特征以外，本实施例进一步地包括了以下技术特征。

加热部150包括：第一加热部152和第二加热部154。第一加热部152适于加热第一导热部142。第二加热部154适于加热第二导热部144。其中，第一加热部152和第二加热部154适于被分别控制。

本实施例中，各个第一导热部142和各个第二导热部144对应各自的加热部150，通过分体式导热部140的不同温度组合，可使得各个第一导热部142和各个第二导热部144共同限定出的整个导热部140对载具130和载具130上面的硅片200实现均匀地加热升温，进而保证工艺效果。

实施例7：

如图2所示，本发明的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。除上述任一实施例的技术特征以外，本实施例进一步地包括了以下技术特征。

用于化学气相沉积处理的加热装置100还包括：保护气体输出装置160，适于向腔室120中输入保护气体，以保护加热组件。

本实施例的保护气体输出装置160可向腔室120中输出例如氮气或氩气等的惰性气体，其作用在于避免腔室120中的部件，尤其是加热组件，受到腐蚀性气体的破坏，以延长加热装置100的使用寿命，降低其维修成本。

具体而言，保护气体输出装置160伸入腔室120之中，并布设在加热组件的周围。比如，第一导热部142位于腔室120底部的中心位置，第二导热部144围绕在第一导热部142的周围，并且与第一导热部142之间保留一定的间隙。保护气体输出装置160包括往复弯折的管路结构，其可围绕任一第一导热部142的周缘布设，亦可围绕任一第二导热部144的周缘布设。第二导热部144与腔室120的底部侧壁边缘之间同样具有供保护气体输出装置160通过的间隙。

保护气体输出装置160贯穿壳体110以伸入腔室120。其位于壳体110之外的部分为开口端，其伸入腔室120之内的部分为闭口端，并且保护气体输出装置160伸入腔室120之内部分的管路结构的管壁之上设有多个间隔布置的小孔。开口端与外部气源连通，外部气源连通向保护气体输出装置160之中输入保护气体，保护气体通过间隔布置的小孔散出，以对其周围的加热组件实施保护。

其中，本实施例的保护气体输出装置160并非一直开启和工作。当用于化学气相沉积处理的设备需要进行工艺清洗时，腔室120内会存在腐蚀性气体。因此，在实施工艺清洗时，本实施例可开启保护气体输出装置160，保护气体输出装置160喷出氮气等保护气体，以保证加热组件，尤其是加热部150的周围环境里充满保护气体，由此降低腐蚀性气体对加热组件的腐蚀，进而大大保证和提高加热组件的寿命。当设备进行正常的工艺加工时，则保护气体输出装置160停止工作，以避免保护气体对设备工艺造成影响。

实施例8：

如图2所示，本发明的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。除上述任一实施例的技术特征以外，本实施例进一步地包括了以下技术特征。

用于化学气相沉积处理的加热装置100还包括：支撑座170，支撑座170设于腔室120中，并与壳体110连接。其中，支撑座170适于支撑加热组件。

本实施例中，加热组件具体设置在载具130的下部位置，其由下至上地为载具130和其上的硅片200供应热量。为了对加热组件进行支撑固定，并使得其和载具130之间的距离更为合理，本实施例为加热装置100设置了支撑座170。支撑座170可包括支撑板和支脚，支脚的数量为一个或多个，支撑板沿水平方向设置，以承载加热组件，支脚设置在支撑板的下方，其分别与支撑板和壳体110的底部内壁连接。

支撑座170能够对加热组件进行有效地支撑固定，并使得加热组件与载具130之间的距离更为合理，从而保证加热组件的加热升温效果。

实施例9：

如图2所示，本发明的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。除上述任一实施例的技术特征以外，本实施例进一步地包括了以下技术特征。

加热组件还包括：保护罩180，保护罩180与导热部140相互配合，以共同限定出部分封闭的保护空间，加热部150设于保护空间中。

本实施例中，保护罩180的作用在于对加热部150进行保护。保护罩180设置在支撑座170之上，并且其具有长方体结构，板状的导热部140设置在保护罩180之上，以与保护罩180共同包围限定出盒形的保护空间。保护罩180与导热部140之间具有间隙，以使得该保护空间为部分封闭的结构。保护罩180能够有效避免腐蚀性气体对加热部150造成影响。尤其，当加热装置100还包括保护气体输出装置160时，部分封闭的保护空间可有效阻止保护气体输出装置160喷出的保护气体的流失，并阻止腐蚀性气体进入加热部150的周围。

实施例10：

如图2所示，本发明的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。除上述任一实施例的技术特征以外，本实施例进一步地包括了以下技术特征。

加热组件还包括：第一支撑件192和/或第二支撑件194。第一支撑件192由保护罩180之上伸出，适于支撑导热部140。第二支撑件194由保护罩180之上伸出，适于支撑加热部150。

本实施例中，第一支撑件192和第二支撑件194的数量可分别为一个或多个。第一支撑件192和第二支撑件194可分别设在支撑座170之上，并在贯穿保护罩180后由保护罩180之上伸出，亦可直接设置在保护罩180之上并向外凸伸。第一支撑件192可保证导热部140被稳定安放，并使得导热部140与加热部150之间留有间隙。第二支撑件194可保证加热部150被稳定地支撑固定，并对加热部150的设置位置进行调节，保证其设置高度合理，避免加热部150因距离过近而对导热部140或保护罩180造成损坏。

具体实施例

本实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置100。其包括：壳体110和加热组件。壳体110包围限定出腔室120，设置在腔室120之中的加热组件包括导热部140和加热部150。加热部150为适于生发热量的管件，导热部140为铝制的导热板。导热部140设置在加热部150的上部位置，其包括设置在中心位置的第一导热部142和围绕在第一导热部142的第二导热部144。导热部140和加热部150之间具有第一间隙X₁。腔室120为持续真空加热状态，导热部140和加热部150保持一定距离，即：第一间隙X₁。其中，第一间隙X₁的宽度可为5毫米或20毫米。第一间隙X₁的设置改善了铝板的导热部140之上热应力集的现象，并由此避免了铝板变形。此外，导热部140之上无需加工用于容纳加热部150的开槽，因此本实施例降低了成本，同时通过能保证加热组件具有更好的温度均匀性。

第一导热部142和第二导热部144之间具有第二间隙X₂。第一导热部142和第二导热部144相互搭接。第一导热部142和第二导热部144的面积可以相同，亦可不同。加热部150具体包括第一加热部152和第二加热部154。第一加热部152与第一导热部142相互适配，并对第一导热部142供热，第二加热部154与第二导热部144相互适配，并对第二导热部144供热。由此，第一导热部142和第二导热部144的温度可被独立控制，并且不会相互影响。通过分体式的导热部140的不同温度组合，可使整个载具130和上面的硅片200达到优异的温度均匀程度，进而保证硅片200的工艺效果和生产质量。

此外，本实施例还包括支撑座170，支撑座170设于腔室120的底部，并与壳体110连接。支撑座170之上设有保护罩180，保护罩180与导热部140把加热部150包覆在半封闭环境里。保护气体输出装置160贯穿壳体110以伸入腔室120。其位于壳体110之外的部分为开口端，其伸入腔室120之内的部分为闭口端，并且保护气体输出装置160伸入腔室120之内部分的管路结构的管壁之上设有多个间隔布置的小孔。开口端与外部气源连通，外部气源连通向保护气体输出装置160之中输入保护气体，保护气体通过间隔布置的小孔散出，以对其周围的加热组件实施保护。保护罩180的设置可以起到隔热的，避免热量的散失的作用。保护罩180的周侧和第二导热部144间留有一定间隙，保护罩180在受热环境下会膨胀变形，预留间隙，可作为安全余量。

加热部150的周围布置有保护气体输出装置160。当设备需要工艺清洗时，腔室120内会存在腐蚀性气体，通过设置保护气体输出装置160，因保护气体输出装置160会喷出氮气，从而可保证加热部150周围环境里充满氮气，大大降低了腐蚀性气体的进入，进而保证和延长了加热部150的寿命。当设备正常进行工艺加工时，保护气体输出装置160不会喷出氮气，避免对设备工艺造成影响。加热组件还包括第一支撑件192和第二支撑件194。第一支撑件192由保护罩180之上伸出，适于支撑导热部140。第二支撑件194由保护罩180之上伸出，适于支撑加热部150。

保护气体输出装置160的布设方式可为以下的任意一种。本实施例可在第一导热部142和第二导热部144的中间预留安装空间，并在此安装空间内围绕第一导热部142布设一圈管道结构的保护气体输出装置160。本实施例还可在第一导热部142和第二导热部144的中间预留安装空间，并在此安装空间内围绕第一导热部142布设一圈管道结构的保护气体输出装置160，并在靠近腔室120的一侧，围绕第一导热部142沿第二导热部144的周侧布设一圈管道结构的保护气体输出装置160。本实施例还可分别沿第二导热部144的边侧围绕第二导热部144布设一圈管道结构的保护气体输出装置160，沿第一导热部142的边侧围绕第一导热部142布设一圈管道结构的保护气体输出装置160。本实施例亦可分别沿第二导热部144边侧围绕第一导热部142布设一圈管道结构的保护气体输出装置160。

包括第一导热部142和第二导热部144的导热部140架设在第一支撑件192一端部，第一支撑件192的另一端部穿过保护罩180底部固定在支撑座170上，并使第一导热部142和第二导热部144分别与第一加热部152和第二加热部154保持一定距离。第一加热部152和第二加热部154通过热辐射的方式传递热量给第一导热部142和第二导热部144，可使得每个第一导热部142和第二导热部144上获得更好的热均匀性，同时大大改善了因为局部温差过大产生热应力而引起的第一导热部142和第二导热部144的变形。

载具130通过传动滚轮190传输进腔室120并支撑。载具130四周为真空的腔室120的内腔壁。当载具130上的温度比腔壁温度高时，载具130四周外侧的热量会不断向四周腔壁传递，造成热量损失。而载具130中间区域则没有四周外侧的热量损失情况。例如铝板加热器的加热组件工作时，通过电气控制使第二导热部144的温度大于第一导热部142的温度，并由此使得第二导热部144辐射出比第一导热部142更多的热量，进而使载具130四周外侧区域接受到更多的热量来额外补偿四周的热量损失外，同时实现和载具130中间区域温度匹配。由此，本实施例能更好的保证整个载具130上的温度均匀性，最终更好地保证载具130上所有硅片200的温度均匀性，保证硅片200达到良好的工艺效果。此外，第一导热部142包括至少两个并相互分体设置的第一导热部拼接单元，第二导热部144包括至少两个并相互分体设置的第二导热部拼接单元，由此进一步提高载具130的温度均匀性，保证良好的工艺效果。

综上，本发明实施例的有益效果为：

1.本发明的实施例能够促进腔室120之中温度的均匀分布，并由此提高载具130和载具130之上硅片200的受热均匀程度。

2.本发明的实施例能够在保证硅片200生产效率的基础上，提高硅片200的工艺效果和生产质量。

在本发明中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”则指两个或两个以上，除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，包括：

壳体，包围限定出腔室；

加热组件，设于所述腔室中，并包括多个导热部和多个加热部；

其中，至少两个的所述导热部相互分体设置，任一所述导热部与任至少一个的所述加热部相配合，所述加热部生发热量，所述导热部将来自所述加热部的热量散发至所述腔室中。

2.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，

所述导热部和所述加热部之间具有第一间隙。

3.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，所述导热部包括：

第一导热部；

第二导热部，围绕所述第一导热部的周缘设置；

其中，所述第一导热部和所述第二导热部之间具有第二间隙。

4.根据权利要求3所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，

所述第一导热部和所述第二导热部中的任一者设有缺口，所述第一导热部和所述第二导热部中相对于所述任一者的另一者设有凸起，所述凸起的至少一部分伸入所述缺口。

5.根据权利要求3所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，

所述第一导热部包括至少两个并相互分体设置的第一导热部拼接单元；和/或

所述第二导热部包括至少两个并相互分体设置的第二导热部拼接单元。

6.根据权利要求3所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，所述加热部包括：

第一加热部，适于加热所述第一导热部；

第二加热部，适于加热所述第二导热部；

其中，所述第一加热部和所述第二加热部适于被分别控制。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，还包括：

保护气体输出装置，适于向所述腔室中输入保护气体，以保护所述加热组件。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，还包括：

支撑座，设于所述腔室中，并与所述壳体连接；

其中，所述支撑座适于支撑所述加热组件。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，所述加热组件还包括：

保护罩，与所述导热部相互配合，以共同限定出部分封闭的保护空间，所述加热部设于所述保护空间中。

10.根据权利要求9所述的用于化学气相沉积处理的加热装置，其特征在于，所述加热组件还包括：

第一支撑件，由所述保护罩之上伸出，适于支撑所述导热部；和/或

第二支撑件，由所述保护罩之上伸出，适于支撑所述加热部。

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