CN111604809A - 基板研磨系统及方法和基板研磨装置 - Google Patents

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Abstract

第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。

Description

基板研磨系统及方法和基板研磨装置
相关申请的相互参照
本申请基于2019年2月22日申请的日本专利申请号2019-30179，在此通过参照编入其记载内容。
技术领域
本发明涉及一种用于对半导体晶片等基板的表面进行研磨处理的系统及方法和基板研磨装置。
背景技术
在形成由各种材料在半导体晶片上反复形成为膜状的多层配线结构构成的半导体设备时，用于通过所谓的CMP(Chemical Mechanical Polishing：化学机械抛光)对基板的表面进行研磨的基板研磨装置被广泛使用。例如，在形成有配线用的槽的基板的表面形成金属膜，然后通过CMP仅保留形成于槽内的金属膜并研磨除去不需要的膜，由此形成金属配线。
随着半导体设备的高集成化·高密度化，电路的配线越来越微细化，多层配线的层数也增加，制造工序中的半导体设备表面的平坦化、被研磨层与基底层的分界面的检测精度变得越来越重要。因此，为了适当地控制基板研磨结束的时机，希望正确地测定研磨中的基板的膜厚。
作为测定基板的膜厚的膜厚测定器，例如涡电流传感器被广泛地使用，但是在具有多层配线结构的基板中，形成于被研磨的金属膜的下层的配线对涡电流传感器的输出信号产生影响，从而成为了正确测定膜厚时的障碍。
因此，在专利文献1(日本特开2007-276035号公报)所记载的研磨装置中，来自涡电流传感器的输出信号越小，噪声、半导体晶片的图案的影响越小，此外，由于随着研磨的进行输出信号值存在逐渐变小的倾向，因此通过将规定值(代表值)确定为阈值，并将比该代表值大的信号判断为噪声而去除，从而降低噪声、下层的配线模式的影响。
在上述专利文献所记载的研磨装置中，在来自传感器的信号強度小的情况下，即，在研磨进行而被研磨层的剩余膜厚小或几乎没有的情况下，认为能够降低被研磨层的下层的配线模式的影响。然而，在想要以一定程度的剩余膜厚结束研磨的情况下，不能说能够有效地去除下层的配线模式的影响。
此外，在半导体加工中，通常进行多次基板研磨，在该情况下，希望将在之前进行的基板研磨中测定的数据有效地利用到之后的基板研磨中。
发明内容
本发明鉴于上述内容，目的在于提供一种有效地降低下层的配线模式的影响，并能够正确地检测基板研磨的终点的基板研磨系统及方法和基板研磨装置。
本发明的一模式的基板研磨系统由第一基板研磨装置及第二基板研磨装置构成，该第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备用于测定基板的被研磨层的膜厚的膜厚传感器，该第一基板研磨装置及该第二基板研磨装置通过将基板向研磨垫按压来进行被研磨层的研磨，该基板研磨系统的特征在于，第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的所述膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出，第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。
本发明的一模式的基板研磨方法，通过第一基板研磨装置及第二基板研磨装置依次进行被研磨层的研磨，该第一基板研磨装置及该第二基板研磨装置具备用于测定基板的被研磨层的膜厚的膜厚传感器，该第一基板研磨装置及该第二基板研磨装置通过将基板向研磨垫按压来进行被研磨层的研磨，该基板研磨方法的特征在于，第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出，第二基板研磨装置将第一偏移值的信息存储于存储部，第二基板研磨装置基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，第二基板研磨装置输出指示基板研磨的终点的控制信号。
本发明的一模式的基板研磨装置，其中，具备：研磨头，该研磨头用于通过将具有被研磨层的基板向研磨垫按压来进行被研磨层的研磨；膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定被研磨层的膜厚；存储部，该存储部将对被研磨层的之前的研磨中的、表示被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值的信息作为第一偏移值存储；输出补正部，该输出补正部根据第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。
附图说明
图1是概略性地表示本发明的实施方式的基板研磨系统的结构的说明图。
图2是表示包含基板研磨的半导体加工的一例的说明图。
图3是概略性地表示基板研磨装置的结构的立体图。
图4是表示研磨头的结构的剖视图。
图5是表示涡电流传感器的结构的框图。
图6是表示晶片与研磨台的位置关系的俯视图。
图7是表示第一研磨装置的传感器输出的一例的说明图。
图8是表示第一研磨装置的膜厚轮廓的一例的说明图。
图9是表示第二研磨装置的膜厚轮廓的一例的说明图。
图10是表示第二研磨装置的传感器输出的一例的说明图。
图11是表示第一研磨装置的基板研磨处理的顺序的一例的流程图。
图12是表示第二研磨装置的基板研磨处理的顺序的一例的流程图。
图13是表示研磨垫的损耗量与传感器输出的关系的曲线图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，对相同或相当的结构要素标注相同的符号并省略重复的说明。
图1表示本发明的一实施方式的研磨系统。在图1中，第一研磨装置1A和第二研磨装置1B分别与研磨管理服务器2连接，发送接收作为研磨对象的晶片(基板)W的识别信息(批次ID，晶片编号)、用于后述的传感器输出补正的偏移信息等各种数据。图2是表示晶片研磨加工的一例的说明图，形成于晶片W的上部的被研磨层5(TiN等金属层，图2的(a)的斜线部)在第一研磨装置1A中，被研磨到下层露出为止(图2的(b))。之后，晶片W被输送到成膜装置3，作为被研磨层的金属层被成膜(图2的(c))，晶片W被输送到第二研磨装置1B且被研磨层5被研磨以成为所期望的膜厚(图2的(d))。
图3概略性地表示本发明的一实施方式的研磨装置的结构，图1的第一研磨装置1A及第二研磨装置1B具备相同的结构。研磨装置10(1A，1B)具备：研磨台13，该研磨台13安装有具有研磨面11a的研磨垫11；研磨头(顶环)15，该研磨头15用于保持作为基板的一例的晶片W且将晶片W向研磨台13上的研磨垫11按压并研磨；研磨液供给喷嘴14，该研磨液供给喷嘴14用于向研磨垫11供给研磨液(例如浆料)；以及研磨控制部12，该研磨控制部12控制晶片W的研磨。
研磨台13经由台軸13a与配置于其下方的台电动机17连结，通过该台电动机17使研磨台13向箭头所示的方向旋转。在该研磨台13的上表面粘贴有研磨垫11，研磨垫11的上表面构成研磨晶片W的研磨面11a。研磨头15与研磨头轴16的下端连结。研磨头15构成为能够通过真空吸附在其下表面保持晶片W。研磨头轴16通过未图示的上下移动机构上下移动。
晶片W的研磨像以下那样进行。使研磨头15及研磨台13分别向箭头所示的方向旋转，从研磨液供给喷嘴14向研磨垫11上供给研磨液(浆料)。在该状态，研磨头15将晶片W向研磨垫11的研磨面11a按压。晶片W的表面通过研磨液所含的磨粒的机械性作用与研磨液的化学性作用被研磨。
图4是表示研磨头15的结构的剖视图。研磨头15具备：圆板状的载体20；在载体20的下方形成有多个压力室(气囊)D1、D2、D3、D4的圆形的柔软的弹性膜21；以及配置为包围晶片W、并按压研磨垫11的挡环22。压力室D1、D2、D3、D4形成于弹性膜21与载体20的下表面之间。
弹性膜21具有多个环状的分隔壁21a，压力室D1、D2、D3、D4被这些分隔壁21a彼此分隔。中央的压力室D1为圆形，其他压力室D2、D3、D4为环状。这些压力室D1、D2、D3、D4排列为同心圆状。
压力室D1、D2、D3、D4与流体线路G1、G2、G3、G4连接，被调整压力后的加压流体(例如加压空气等加压气体)通过流体线路G1、G2、G3、G4被供给到压力室D1、D2、D3、D4内。在流体线路G1、G2、G3、G4连接有真空线路U1、U2、U3、U4，通过真空线路U1、U2、U3、U4在压力室D1、D2、D3、D4形成负压。
压力室D1、D2、D3、D4的内部压力通过后述的处理部32及研磨控制部12能够彼此独立地变化，由此，能够独立地调整对于晶片W的对应的四个区域，即中央部、内侧中间部、外侧中间部、以及周缘部的研磨压力。
在挡环22与载体20之间配置有环状的弹性膜23。在该弹性膜23的内部形成有环状的压力室D5。该压力室D5与流体线路G5连接，被调整压力后的加压流体(例如加压空气)通过流体线路G5被供给到压力室D5内。此外，在流体线路G5连接有真空线路U5，通过真空线路U5在压力室D5形成负压。
随着压力室D5内的压力变化，挡环22的整体与弹性膜21一起在上下方向上移动，因此，压力室D5内的压力施加到挡环22，从而挡环22构成为能够独立于弹性膜21而直接按压研磨垫11。在晶片W的研磨中，挡环22在晶片W的周围按压研磨垫11，并且弹性膜21将晶片W向研磨垫11按压。
载体20固定于头轴16的下端，头轴16与上下移动机构25连结。该上下移动机构25构成为使头轴16及研磨头15上升及下降，进而使研磨头15位于规定的高度。作为作为该研磨头位置决定机构而发挥功能的上下移动机构25，使用伺服电机和滚珠丝杠机构的组合。
上下移动机构25使研磨头15位于规定的高度，在该状态下，向压力室D1～D5供给加压流体。弹性膜21受到压力室D1～D4内的压力而将晶片W向研磨垫11按压，挡环22受到压力室D5内的压力而按压研磨垫11。在该状态下，晶片W被研磨。
在图3中，研磨装置10具备作为获取晶片W的膜厚的膜厚传感器的涡电流传感器30。如图5所示，涡电流传感器30具备：配置于研磨台13的内部的传感器线圈32；与该传感器线圈32连接的交流电源34；以及同步测波部36，该涡电流传感器30与研磨控制部12连接。
传感器线圈32由多个线圈构成，通过从交流电源34供给的交流电流形成磁场，使在形成于晶片W的导电膜产生涡电流，并且检测由流经导电膜的涡电流产生的磁通。同步测波部36具备cos同步测波电路及sin同步测波电路，并检测包含传感器线圈32的电路的阻抗(电阻成分及感应电抗成分)。
在图3中，研磨控制部12具备膜厚推定部40、终点检测部42、输出补正部44、读取部46、存储器48以及通信部50。膜厚推定部40根据前述的涡电流传感器30的输出(阻抗)计算出晶片W的被研磨层的膜厚。由于随着晶片W上的被研磨层的膜厚减少，由涡电流传感器检测出的阻抗也减少，因此通过监视由涡电流传感器30检测出的阻抗的变化，从而能够计算出晶片W的被研磨层的膜厚。
终点检测部42将存储于存储器48的研磨对象物的膜厚的目标值的数据与由膜厚推定部40计算出的膜厚的测定值进行比较，并控制研磨头15的动作，以使得在检测出测定值达到目标值时结束晶片W的研磨。输出补正部44对来自涡电流传感器30的输出值(测定值)进行补正，并且计算出补正所需要的偏移值。读取部46检测晶片W的识别信息(批次ID、晶片编号)。
存储器48除了存储被研磨层的膜厚的目标值、相对于被研磨层的阻抗的膜厚指标值的信息、作为研磨对象物的晶片W的识别信息以外，还存储后述的传感器输出的补正值这样的数据。此外，通信部50在与研磨管理服务器2(参照图1)之间进行后述的偏移值等数据的发送接收。
图6是表示晶片W与研磨台13的位置关系的俯视图。涡电流传感器30设置于通过被保持于研磨头15的研磨中的晶片W的中心O的位置，在研磨台13旋转一周而通过晶片W的下方的期间，该涡电流传感器30在通过轨迹(扫描线)上包含晶片W的中心的多个区域C1～C5中，检测晶片W的导电膜的膜厚。这些区域C1～C5能够在基板的表面内任意地设定，在本实施方式中设置为五个区域，但是区域的数量能够适当变更。此外，各区域中的测定点也能够适当设定，例如在各区域中能够设定四个(对于区域C1～C5合计二十个)测定点。
虽然根据涡电流传感器30的输出信号能够计算出晶片W的被研磨层的膜厚，但是受到存在于被研磨层的下层的金属材料的影响，涡电流传感器30的输出可能产生偏差。特别是，在晶片W具有多层配线结构的情况下，由于在下层具有配线(金属材料)，因此该下层的配线对涡电流传感器30的输出值产生影响，从而妨碍正确地测定膜厚。
因此，在本实施例的基板处理装置中，构成为通过利用在由第一研磨装置1A进行的被研磨层的研磨(第一研磨)中得到的涡电流传感器的输出值的数据，对第二研磨装置1B中的来自涡电流传感器30的输出值进行补正，从而除去下层的配线的影响。
图7是表示第一研磨装置1A中的涡电流传感器30的输出值的时间变化的一例的曲线图，横轴表示时间，纵轴表示传感器输出。另外，在本实施方式中，示出图6的多个检查区域C1～C5中的、包含中心O的中央的区域C3中的测定值，但是也可以使用其他区域中的测定值。
在图7中，在时间T0开始晶片W的研磨，令在该时刻的涡电流传感器30的输出值为V0。之后，随着对晶片W的被研磨层的研磨的进行(被研磨层的膜厚减少)，传感器的输出值逐渐减少，当在时间T1，被研磨层全部被研磨时，来自涡电流传感器30的输出值为Vclear且大致为恒定值。该输出值Vclear是受到晶片W的被研磨层的下层的配线的影响的值。
图8表示传感器输出相对于与图7对应的晶片的径向的分布(轮廓曲线图)的一例。在图8中，左侧的曲线图表示研磨初期(时间T0)的传感器输出的分布、右侧的曲线图表示研磨结束时(被研磨层全部被研磨的状态)的分布。在图8中，Vout1是没有晶片W的情况下的传感器输出，输出补正部44通过从Vclear1减去Vout1来计算出偏移Voffset1，将该值与晶片W的识别信息对应，并存储于存储器48。第一研磨装置1A的通信部50将与该偏移Voffset1对应的晶片W的识别信息的数据向研磨管理服务器2发送。
图9表示第二研磨装置1B中的传感器输出相对于晶片的径向的分布(轮廓曲线图)的一例。在图9中，左侧的曲线图表示研磨初期(时间T0)的传感器输出的分布、右侧的曲线图表示研磨结束时(被研磨层的膜厚达到规定值的状态)的分布。在图9中，Vout2是在涡电流传感器30上没有晶片W的情况下的传感器输，Vclear2是被研磨层(金属层)不存在的情况下的传感器输出，例如在装置的传感器校准、初期测试时预先计算出并存储于存储器48。
第二研磨装置1B的通信部50从研磨管理服务器2获取晶片W的识别信息及对应的偏移Voffset1的数据并存储于存储器48。然后，第二研磨装置1B的输出补正部44通过从Vclear2减去Vout2来计算出偏移Voffset2，并且基于在第一研磨装置1A得到的偏移Voffset1，通过下式来计算出传感器补正值ΔV。
ΔV＝(Voffset1·α-Voffset2)
在上式中，α是权重值，能够通过装置的初期测试等预先对各用户设定。
图10是表示第二研磨装置1B中的涡电流传感器30的输出值及补正值的一例的曲线图，横轴表示时间，纵轴表示传感器输出(及补正值)。另外，在本实施方式中，与图7的曲线图同样地，示出图6的多个検査区域C1～C5中的、包含中心O的中央的区域C3中的测定值。
在图10的曲线图中，在时间T2开始晶片W的研磨，令在该时刻的涡电流传感器30的输出值(补正前)为V1。第二研磨装置1B的输出补正部44将在涡电流传感器30的输出值V1加上前述的传感器补正值ΔV而计算出的V1’(＝V1+ΔV)作为补正后的输出值而进行计算。终点检测部42在补正后的传感器输出值达到设定值的时刻，结束对晶片W的研磨。
在图10的曲线图中，随着对晶片W的被研磨层的研磨的进行(被研磨层的膜厚减少)，传感器的输出值(及补正值)逐渐减少，在时间T3传感器的输出值达到目标值VTH，但是由于补正后的输出值未达到目标值VTH，因此第二研磨装置1B的终点检测部42判断为基板研磨未结束，从而研磨控制部12继续对晶片W的研磨。之后，当在时间T4，补正后的输出值达到目标值VTH时，研磨控制部12结束对晶片W的研磨。由此，能够抑制因被研磨层的下层的影响而导致的研磨终点的检测的偏差。
图11是表示第一研磨装置1A的基板研磨处理的一例的流程图。当传感器输出的偏移功能被打开时(步骤S10)，第一研磨装置1A的读取部46读取研磨对象的晶片的识别信息(批次ID，晶片编号)的信息，并存储于存储器48(步骤S11)。之后，设定研磨方案并开始晶片研磨(步骤S12)。
在晶片的研磨中，通过由涡电流传感器30测定晶片W的被研磨层的阻抗，并在膜厚推定部40计算出被研磨层的膜厚，从而进行膜厚测定(步骤S13)。在终点检测部42，判定被研磨层的膜厚的测定值是否达到设定值Vclear(步骤S14)，在达到的情况下结束晶片研磨(步骤S15)。另一方面，在测定值未达到设定值Vclear的情况下，返回步骤S13，进行基板研磨及膜厚测定。
当基板研磨结束时，输出补正部44从由Vclear减去Vout的值计算出偏移值Voffset1(步骤S16)，并将偏移值Voffset1与存储于存储器48的晶片W的识别信息对应，经由通信部50上传到研磨管理服务器2(步骤S17)。由此，能够将在第一研磨得到的因晶片W的基底层的影响而产生的偏移值Voffset1利用到第二研磨。
图12是表示第二研磨装置1B的基板研磨处理的一例的流程图。当传感器输出的偏移功能被打开(步骤S20)，读取部46读取作为研磨对象的晶片W的识别信息(批次ID，晶片编号)(步骤S21)。第二研磨装置1B的输出补正部44经由通信部50连接到研磨管理服务器2，下载与晶片W的识别信息对应存储的偏移值Voffset1，并存储到存储器48(步骤S22)。
之后，第二研磨装置1B的输出补正部44读取存储于存储器48的另一偏移值Voffset2及权重值α，从而计算出传感器补正值ΔV(步骤S24)。当各参数的读取结束、且研磨方案被设定后，开始对晶片W的研磨(步骤S25)。
在晶片的研磨中，通过由涡电流传感器30测定晶片W的被研磨层的阻抗，并在膜厚推定部40计算出被研磨层的膜厚，从而进行膜厚测定(步骤S26)。输出补正部44对涡电流传感器30的输出值加上前述的传感器补正值ΔV来进行传感器输出值的补正(步骤S27)。然后，在终点检测部42，判定补正后的传感器输出值(考虑了基底层的影响的补正值)是否达到设定值VTH(步骤S28)，在达到的情况下结束晶片研磨(步骤S29)。另一方面，在测定值未达到设定值VTH的情况下，返回步骤S26，进行基板研磨及膜厚测定。
在上述实施方式中，以涡电流传感器为例进行了说明，但是本发明不限于涡电流传感器，对于光学式传感器(向晶片照射光，通过检测其反射光的光谱来检测晶片W的被研磨层的膜厚)，也能够同样地应用。
此外，在确定第二研磨中的传感器输出的设定值(结束研磨的设定值)时，能够考虑研磨垫11的损耗量。图13是表示被研磨层的膜厚为规定值(已知的值)时的传感器输出值与研磨垫的损耗量的关系的一例的曲线图。在损耗量为0(新品的研磨垫)的情况下，传感器输出为Vα，之后，随着研磨垫的损耗(即，随着涡电流传感器30与晶片W的距離变小)，传感器输出变大，在损耗量为X1时的传感器输出为Vβ。
基于图13的曲线图，将传感器值与研磨垫损耗量的关系近似为例如直线，并存储于存储器48，测定实际的研磨时的垫的厚度(损耗量)并计算出传感器输出的阈值VTH。由此，能够考虑到研磨垫的损耗量而进行晶片W的膜厚测定，从而能够更正确地检测研磨结束。
上述的实施方式，是以具有本发明所述的技术领域中的通常的知识的人员能够实施本发明为目的而记载的。上述实施方式的各种变形例，只要是本领域技术人员当然可以理解，本发明的技术思想也可以应用于其他实施方式。本发明不限定于记载的实施方式，而解释为按照由发明保护的范围定义的技术思想的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种基板研磨系统，由第一基板研磨装置及第二基板研磨装置构成，该第一基板研磨装置及该第二基板研磨装置具备用于测定基板的被研磨层的膜厚的膜厚传感器，该第一基板研磨装置及该第二基板研磨装置通过将所述基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨，所述基板研磨系统的特征在于，
所述第一基板研磨装置将所述被研磨层的下层露出时的所述膜厚传感器的输出值与没有所述基板时的所述膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出，
所述第二基板研磨装置具备：
存储部，该存储部存储所述第一偏移值的信息；
输出补正部，该输出补正部基于所述第一偏移值对来自所述膜厚传感器的输出值进行补正；以及
终点检测部，在基于补正后的所述输出值计算出的所述被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。
2.根据权利要求1所述的基板研磨系统，其特征在于，
所述第二基板研磨装置将所述被研磨层的下层露出时的所述膜厚传感器的输出值与没有所述基板时的所述膜厚传感器的输出值的差值作为第二偏移值存储到所述存储部，
所述输出补正部根据所述第一偏移值及所述第二偏移值对来自所述膜厚传感器的输出值进行补正。
3.根据权利要求2所述的基板研磨系统，其特征在于，
所述第二基板研磨装置通过将由下式计算出的补正值加到来自所述膜厚传感器的输出值来对来自所述膜厚传感器的输出值进行补正，
ΔV＝(Voffset1·α-Voffset2)
在此，Voffset1是所述第一偏移值，Voffset2是所述第二偏移值，α是权重值。
4.根据权利要求1所述的基板研磨系统，其特征在于，
所述第二基板研磨装置基于所述研磨垫的损耗量对所述目标值进行补正。
5.根据权利要求1所述的基板研磨系统，其特征在于，
还具备研磨管理服务器，该研磨管理服务器将所述基板的识别信息与所述第一偏移值对应并存储，
所述第一基板研磨装置将所述第一偏移值与所述基板的识别信息对应并向所述研磨管理服务器发送，
所述第二基板研磨装置具备读取作为研磨对象的所述基板的识别信息的读取部，该第二基板研磨装置从所述研磨管理服务器获取与所述识别信息对应的所述第一偏移值。
6.根据权利要求1所述的基板研磨系统，其特征在于，
所述膜厚传感器是涡电流传感器。
7.一种基板研磨方法，通过第一基板研磨装置及第二基板研磨装置依次进行被研磨层的研磨，该第一基板研磨装置及该第二基板研磨装置具备用于测定基板的所述被研磨层的膜厚的膜厚传感器，该第一基板研磨装置及该第二基板研磨装置通过将所述基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨，所述基板研磨方法的特征在于，
所述第一基板研磨装置将所述被研磨层的下层露出时的所述膜厚传感器的输出值与没有所述基板时的所述膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出，
所述第二基板研磨装置将所述第一偏移值的信息存储于存储部，
所述第二基板研磨装置基于所述第一偏移值对来自所述膜厚传感器的输出值进行补正，
在基于补正后的所述输出值计算出的所述被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，所述第二基板研磨装置输出指示基板研磨的终点的控制信号。
8.一种基板研磨装置，其特征在于，具备：
研磨头，该研磨头用于通过将具有被研磨层的基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨；
膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定所述被研磨层的膜厚；
存储部，该存储部将对所述被研磨层的之前的研磨中的、表示所述被研磨层的下层露出时的所述膜厚传感器的输出值与没有所述基板时的所述膜厚传感器的输出值的差值的信息作为第一偏移值存储；
输出补正部，该输出补正部基于所述第一偏移值对来自所述膜厚传感器的输出值进行补正；以及
终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的所述被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。
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