CN111600193B - 一种光模块调试方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种光模块调试方法、装置、电子设备及存储介质，属于光通信技术领域。获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距，以及获得光模块中驱动电路与激光器的耦合方式；根据斜率、截距、与耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流；测试偏置电流和调制电流下的平均光功率是否在目标平均光功率允许的误差范围内；在为是时，测试偏置电流和调制电流下的消光比是否在目标消光比允许的误差范围内；在为是时，确定偏置电流和调制电流为所需参数。该方法仅需少量步骤即可大概率获得最终调试参数，避免了反复循环调测，极大的提高了调试效率。

Description

一种光模块调试方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本申请属于光通信技术领域，具体涉及一种光模块调试方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

平均光功率(Average optical power，AOP)和消光比(Extinction Ratio，ER)是光模块最关键的两项指标。由于激光器的发光效率不同，每一只光模块生产时都需要对这两项指标进行单独的调试。这两项指标的调试方法对光模块生产效率的影响非常大。因此，先进高效的调试方法可以大大提高光模块的生产效率和产能。

针对直接调制的激光器光模块，AOP和ER受激光器驱动电路提供的偏置电流(IBIAS)和调制电流(IMOD)影响，调试过程实际为找出合适的IBIAS和IMOD的过程。现在的调试方法通常为：分步单独对AOP和ER进行调试，改变IBIAS和IMOD电流，通常是先调试好AOP，再调试ER。其中，在对AOP或ER进行调试时，通过获取光功率计(AOP的测量设备)以及光示波器(ER的测量设备)的返回值，进行“逼近法”或“二分法”等方式进行调试，找到最终需要设置的参数。

这种方法需要很多经验的参数来限定IBIAS和IMOD的设置范围以及调试步进等参数，且往往需要循环多次才能找到最终合适的值，特别是示波器的操作每一个循环都需要刷新和等待时间，使得效率不高。如果需要提高效率，只能通过缩窄范围或提高步进来优化，但又会导致出现无法找到最终合适值调试失败的问题。

发明内容

鉴于此，本申请的目的在于提供一种光模块调试方法、装置、电子设备及存储介质，以改善现有测试方法需要循环多次才能找到最终合适的值，使得效率不高的问题。

本申请的实施例是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种光模块调试方法，包括：获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距，以及获得所述光模块中驱动电路与激光器的耦合方式；根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流；测试所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率是否在所述目标平均光功率允许的误差范围内；在所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率在所述目标平均光功率允许的误差范围内时，测试所述偏置电流和所述调制电流下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内；在所述偏置电流和所述调制电流下的消光比在所述目标消光比允许的误差范围内时，确定所述偏置电流和所述调制电流为所需参数。本申请实施例中，通过获取特性关系曲线的斜率和截距，并以此计算出目标AOP和目标ER下的偏置电流和调制电流，然后将计算出的偏置电流和调制电流设置为光模块的参数，并以此测试该偏置电流和调制电流下的AOP和ER是否符合调试要求，使得仅需少量步骤即可大概率获得最终调试参数，避免了反复循环调测，极大的提高了调试效率。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，在获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距之前，所述方法还包括：确定预设偏置电流和预设调制电流下的平均光功率不在所述目标平均光功率允许的误差范围内。本申请实施中，通过预设偏置电流和预设调制电流，然后测试预设偏置电流和预设调制电流下的AOP是否在目标平均光功率允许的误差范围内，只有当该AOP不在目标平均光功率允许的误差范围内才执行后续的调试流程，该方式使得光模块在调试前按照默认的参数即可在很大程度上直接满足AOP和ER的要求，可进一步提高调试效率。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距，包括：获取第一偏置电流下的第一平均光功率，以及获取第二偏置电流下的第二平均光功率；根据所述第一偏置电流、所述第一平均光功率、所述第二偏置电流、所述第二平均光功率以及预设线性变化公式计算所述斜率和所述截距。本申请实施例中，通过获取第一偏置电流下的第一平均光功率，以及获取第二偏置电流下的第二平均光功率，根据两点确定一条直线，即可快速求解出该条直线的斜率和截距。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，在测试所述偏置电流和所述调制电流下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内之后，所述方法还包括：在所述偏置电流和所述调制电流下的消光比不在所述目标消光比允许的误差范围内时，采用逼近法微调所述目标消光比；根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到所述目标平均光功率和微调后的目标消光比所对应的新偏置电流和新调制电流；测试所述新偏置电流和所述新调制电流下的平均光功率是否在所述目标平均光功率允许的误差范围内；在所述新偏置电流和所述新调制电流下的平均光功率在所述目标平均光功率允许的误差范围内时，测试所述新偏置电流和所述新调制电流下的消光比是否在所述微调后的目标消光比允许的误差范围内；在所述新偏置电流和所述新调制电流下的消光比在所述微调后的目标消光比允许的误差范围内时，确定所述新偏置电流和所述新调制电流为所需参数。本申请实施例中，在偏置电流和调制电流下的消光比不在目标消光比允许的误差范围内时，采用逼近法微调目标消光比，然后再计算微调后的目标消光下的新偏置电流和新调制电流，并测试新偏置电流和新调制电流下的AOP和ER是否满足调试规格，即可快速获取所需的参数(在计算出目标AOP和目标ER所对应的偏置电流和调制电流后，该偏置电流和调制电流下的平均光功率与目标ER很接近，即使存在未落入调试规格中的情况，也不会有太大差异，通常只需一个循环的“逼近法”进行微调即可，效率也很高)。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，在根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流之前，所述方法还包括：根据所述斜率、所述截距、基准电流对应的预设公式，计算出初始目标平均光功率所对应的所述基准电流；根据所述基准电流调整所述初始目标平均光功率，得到所述目标平均光功率。本申请实施例中，在得到斜率、截距之后，根据该斜率、截距计算出目标平均光功率所对应的基准电流，并以此来调整目标AOP，然后再计算出目标ER和更新后的目标AOP下的偏置电流和调制电流，然后再测试偏置电流和调制电流下的AOP和ER是否满足调试规则，通过在原有的调试流程的基础上，增加了对目标光功率的动态调整机制，以降低由于激光器的耦合效率的差异带来的不利影响(激光器的耦合效率的差异，而影响激光器工作的带宽或光模块功耗，从而影响光模块的其他性能参数)。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述耦合方式为直流耦合，根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流，包括：根据所述斜率、所述截距、所述直流耦合下的偏置电流公式以及调制电流公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流，其中，所述偏置电流公式为IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE，所述调制电流公式为IMOD＝2*AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE)，式中，IBIAS为所述偏置电流，IMOD为所述调制电流，AOP为所述目标平均光功率、ER为所述目标消光比，SE为所述斜率，offset为所述截距。本申请实施例中，当耦合方式为直流耦合时，采用直流耦合下的偏置电流公式以及调制电流公式，来计算所需的偏置电流和调制电流，使得计算出的偏置电流和调制电流更准确，通过将直流耦合和交流耦合进行区分，以提高准确率。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述耦合方式为交流耦合，根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流，包括：

根据所述斜率、所述截距、所述交流耦合下的偏置电流公式以及调制电流公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流，其中，所述偏置电流公式为IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE+AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE)，所述调制电流公式为IMOD＝2*AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE)，式中，IBIAS为所述偏置电流，IMOD为所述调制电流，AOP为所述目标平均光功率、ER为所述目标消光比，SE为所述斜率，offset为所述截距。本申请实施例中，当耦合方式为交流耦合时，采用交流耦合下的偏置电流公式以及调制电流公式，来计算所需的偏置电流和调制电流，使得计算出的偏置电流和调制电流更准确，通过将直流耦合和交流耦合进行区分，以提高准确率。

第二方面，本申请实施例还提供了一种光模块调试装置，包括：获取模块、计算模块、第一测试模块、第二测试模块以及确定模块；获取模块，用于获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距，以及获得所述光模块中驱动电路与激光器的耦合方式；计算模块，用于根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流；第一测试模块，用于测试所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率是否在所述目标平均光功率允许的误差范围内；第二测试模块，用于在所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率在所述目标平均光功率允许的误差范围内时，测试所述偏置电流和所述调制电流下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内；确定模块，用于在所述偏置电流和所述调制电流下的消光比在所述目标消光比允许的误差范围内时，确定所述偏置电流和所述调制电流为所需参数。

第三方面，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括：存储器和处理器，所述处理器与所述存储器连接；所述存储器，用于存储程序；所述处理器，用于调用存储于所述存储器中的程序，以执行上述第一方面实施例和/或结合第一方面实施例的任一种可能的实施方式提供的方法。

第四方面，本申请实施例还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时，执行上述第一方面实施例和/或结合第一方面实施例的任一种可能的实施方式提供的方法。

本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例而了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。通过附图所示，本申请的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本申请的主旨。

图1示出了本申请实施例提供的一种光模块调试方法的流程示意图。

图2示出了本申请实施例提供的光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线。

图3示出了本申请实施例提供的一种光模块调试方法的原理示意图。

图4示出了本申请实施例提供的又一种光模块调试方法的原理示意图。

图5示出了本申请实施例提供的一种光模块调试装置的模块框图。

图6示出了本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中诸如“第一”、“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

再者，本申请中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。

鉴于现有测试方法需要循环多次才能找到最终合适的值，使得效率不高的问题，本申请实施例提供一种光模块调试方法，通过减少调试迭代循环次数，以提高调试效率。下面将结合图1，对本申请实施例提供的光模块调试方法进行说明。

步骤S101：获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距，以及获得所述光模块中驱动电路与激光器的耦合方式。

在需要对光模块进行调试时，获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线(LIV)的斜率和截距，以及获得该光模块中驱动电路与激光器的耦合方式。

激光器是一个电-光转换的过程，给定不同大小的电流，即可以发出不同强度的光功率，激光器电流和发光功率的特性关系曲线(LIV)如图2所示。由图2可知，激光器的电流大于Ith后，电流与光功率呈线性变化关系。假设这个线性变化公式为：P＝SE*I+offset (公式1)，式中，P为光功率，SE为激光器发光功率(也即LIV斜线的斜率)，I为加在激光器上的电流，offset为LIV斜线的截距。

LIV曲线在电流大于Ith时，可等效于一条直线，SE和offset就是这条直线的斜率和截距。通过“两点确定一条直线”的方法可以很容易获得这条线的方程。其中，一种实施方式下，获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距的过程为：获取第一偏置电流(IBIAS1)下的第一平均光功率(AOP1)，以及获取第二偏置电流(IBIAS2)下的第二平均光功率(AOP2)；根据第一偏置电流、第一平均光功率、第二偏置电流、第二平均光功率以及预设线性变化公式(公式1)计算斜率和截距。其中，第一偏置电流和第二偏置电流可以为大于Ith电流、且在激光器最大工作电流之内的任意大小的电流。

平均光功率(AOP)的定义：当发送机发送伪随机序列信号时检测点的平均光功率。即AOP＝P0+(P1-P0)/2 (公式2)，其中，P1为连续发“1”信号的光功率，P0为连续发“0”信号的光功率。

其中，光模块中驱动电路与激光器的耦合方式有两种，分别为直流耦合和交流耦合。

需要说明的是，上述获取的光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线(LIV)的斜率和截距可以是事先根据上述的原理计算好的，在需要对光模块进行调试时，直接从数据库中获取即可；当然也可以是在需要对光模块进行调试时，临时根据上述的原理计算得到的。

步骤S102：根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流。

需要调试到的目标平均光功率(AOP)和目标消光比(ER)为已知量，而斜率(SE)、截距(offset)也已经计算出来了，此时，结合具体的电路耦合方式对应的预设公式，即可计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流(IBIAS)和调制电流(IMOD)。

其中，当光模块中驱动电路与激光器的耦合方式为直流耦合时，对应的预设公式包括：偏置电流公式和调制电流公式。其中，偏置电流公式为IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE (公式3)，调制电流公式为IMOD＝2*AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE) (公式4)。式中，IBIAS为偏置电流，IMOD为调制电流，AOP为目标平均光功率、ER为目标消光比，SE为斜率，offset为截距。

当光模块中驱动电路与激光器的耦合方式为交流耦合，对应的预设公式包括：偏置电流公式和调制电流公式。此时的偏置电流公式为IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE+AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE) (公式5)，调制电流公式为IMOD＝2*AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE) (公式4)。

其中，消光比(ER)的定义为：发送机传“1”的光功率与传“0”的光功率的比值，即ER＝P1/P0。

下面将给出上述偏置电流公式和调制电流公式的推导过程：

通过公式2(AOP＝P0+(P1-P0)/2)和ER＝P1/P0可以反算出P0、P1与AOP、ER的关系：

P0＝2*AOP/(1+ER) (公式6)；

P1＝ER*P0＝2*ER*AOP/(1+ER) (公式7)。

通过公式1(P＝SE*I+offset)、公式6(P0＝2*AOP/(1+ER))、公式7(P1＝ER*P0＝2*ER*AOP/(1+ER))可得：

P0＝SE*BIAS0+offset＝2*AOP/(1+ER) (公式8)；

P1＝SE*BIAS1+offset＝2*ER*AOP/(1+ER) (公式9)。

当激光器驱动电路与激光器采用不同的耦合方式时，IBIAS和IMOD产生不同的效果。当采用直流耦合时，此时的偏置电流为图2中的BIAS0电流，而调制电流则等于BIAS1-BIAS0，即：IBIAS＝BIAS0 (公式10)；IMOD＝BIAS1-BIAS0 (公式11)。根据公式8、公式9、公式10、公式11可以得到直流耦合时AOP、ER与IBIAS、IMOD的关系，即：

IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE (公式3)；

IMOD＝2*AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE) (公式4)。

当采用交流耦合时，此时的偏置电流为图2中的BIAS电流，而调制电流则仍然等于BIAS1-BIAS0，即：IBIAS＝BIAS0+(BIAS1-BIAS0)/2 (公式12)；IMOD＝BIAS1-BIAS0 (公式11)。根据公式8、公式9、公式12、公式11可以得到交流耦合时AOP、ER与IBIAS、IMOD的关系，即：

IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE+AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE) (公式5)；

IMOD＝2*AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE) (公式4)。

由公式3、公式4和公式5可知，需要调试的IMOD和IBIAS电流仅与AOP、ER、SE、offset四个参数相关。而AOP和ER是需要调试到的目标值，是已知量。因此，只需要知道SE和offset就可以直接计算出调试到目标AOP和目标ER时需要的IBIAS和IMOD电流大小。

步骤S103：测试所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率是否在所述目标平均光功率允许的误差范围内。

在计算出需要调试到的IBIAS和IMOD电流后，测试计算得到的偏置电流和调制电流是否满足预设调试条件，若满足，则完成调试，若不满足，则需要重新调试。也即，在计算出需要调试到的IBIAS和IMOD电流后，将光模块的参数设置为该偏置电流和调制电流，测试偏置电流和调制电流下的平均光功率是否在目标平均光功率允许的误差范围(如3％)内，在偏置电流和调制电流下的平均光功率在目标平均光功率允许的误差范围内时，则执行步骤S104，即测试偏置电流和调制电流下的消光比是否在目标消光比允许的误差范围(如5％)内；在偏置电流和调制电流下的平均光功率不在目标平均光功率允许的误差范围(如3％)内时，则调试失败，认为光模块异常。

例如，目标平均光功率允许的误差范围为5％，则偏置电流和调制电流下的平均光功率在目标平均光功率的95％-105％之间，则即为合格。

步骤S104：测试所述偏置电流和所述调制电流下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内。

在偏置电流和调制电流下的平均光功率在目标平均光功率允许的误差范围内(如3％)时，测试偏置电流和调制电流下的消光比是否在目标消光比允许的误差范围(如5％)内，在偏置电流和调制电流下的消光比在目标消光比允许的误差范围内时，确定偏置电流和调制电流为所需参数，反之，则需要重新调试。例如，目标消光比允许的误差范围为3％，则偏置电流和调制电流下的平均光功率在目标平均光功率的97％-103％之间，则即为合格。

步骤S105：确定所述偏置电流和所述调制电流为所需参数。

在偏置电流和调制电流下的消光比在目标消光比允许的误差范围内时，确定偏置电流和调制电流为所需参数。

由于IMOD在实际应用中是一个快速变化的交流量，受信号质量、测量误差等因素影响，直接按照目标ER计算出来的IMOD可能存在一定偏差，此时可以通过对目标ER做固定补偿来弥补这个差异，即计算时按照目标ER+△ER来进行计算，也即在偏置电流和调制电流下的消光比不在目标消光比允许的误差范围内时，则采用逼近法微调目标消光比(目标ER+△ER)，直至得到满足预设调试条件的偏置电流和调制电流。也即在微调目标消光比后，重复上述的步骤S102-S104，即根据斜率、截距、与耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和微调后的目标消光比所对应的新偏置电流和新调制电流；测试新偏置电流和新调制电流下的平均光功率是否在目标平均光功率允许的误差范围内；在新偏置电流和新调制电流下的平均光功率在目标平均光功率允许的误差范围内时，测试新偏置电流和新调制电流下的消光比是否在微调后的目标消光比允许的误差范围内；在新偏置电流和新调制电流下的消光比在微调后的目标消光比允许的误差范围内时，确定新偏置电流和新调制电流为所需参数。在新偏置电流和新调制电流下的消光比不在微调后的目标消光比允许的误差范围内时，则继续微调目标消光比，重复上述的步骤S102-S104，直至得到满足预设调试条件的偏置电流和调制电流。

为了快速获得所需的偏置电流和调制电流，作为一种实施方式，可以在光模块调试之前，也即在步骤S101之前，可以直接写入一个固定的默认偏置电流初值IBIAS1(预设偏置电流)和调制电流初值IMOD1(预设调制电流)，在调试时，直接测试偏置电流初值IBIAS1和调制电流初值IMOD1下的平均光功率是否在目标平均光功率允许的误差范围内，若在目标平均光功率允许的误差范围内，则测试偏置电流初值IBIAS1和调制电流初值IMOD1下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内；若在所述消光比允许的误差范围内，则该偏置电流初值IBIAS1和调制电流初值IMOD1即为所需参数，则调试直接通过。通过经验获取，可以优化这两个默认值使得光模块在调试前按照默认值的参数即可较高概率的直接满足AOP和ER的要求。该种实施方式下，只有确定偏置电流初值IBIAS1和调制电流初值IMOD1下的平均光功率不在目标平均光功率允许的误差范围内，才执行后续的步骤S101-S105，其原理示意图如图3所示。该种实施方式下，第一偏置电流即为预设偏置电流，此时，仅需要再设置一个功率点即可计算出SE和offset，从而计算出所需的IBIAS和IMOD电流。

考虑到由于激光器的耦合效率有差异，若通过一个固定的目标平均光功率来计算和调试所需参数，会造成这个固定功率点对应的BIAS电流(基准电流)大小有差异。而BIAS电流太大或太小均会影响激光器工作的带宽或光模块功耗，从而影响光模块的其他性能参数。因此，一种实施方式下，在上述调试流程(步骤S101-S105)的基础中，增加了对目标平均光功率的动态调整机制。也即在步骤S102之前，所述方法还包括：根据所述斜率、所述截距、基准电流对应的预设公式，计算出初始目标平均光功率所对应的所述基准电流；根据所述基准电流调整所述初始目标平均光功率，得到所述目标平均光功率。之后重复上述的步骤S102-S105，该种实施方式下的原理示意图如图4所示，在该种实施方式中，初始目标平均光功率可以是图3中的目标平均光功率。

其中，在该种实施方式中，根据基准电流调整目标平均光功率的过程可以是，通过预设一BIAS电流范围，若当目标AOP计算出来的BIAS电流大于等于事先设定的BIAS范围(也即大于等于该BIAS范围中的最大值)，则降低目标AOP，重新计算偏置电流和调制电流。若目标AOP计算出来的偏置电流小于设定的BIAS范围(也即小于该BIAS范围中的最小值)，则增加目标AOP重新计算偏置电流和调制电流。若当目标AOP计算出来的BIAS电流在预设的BIAS电流范围内，则更新后的目标平均光功率等于原来的目标平均光功率，相当于原目标平均光功率没有调整。其中，增加或降低后的目标AOP要在光模块AOP调试要求范围内。其中，基准电流对应的预设公式为：BIAS＝(AOP-offset)/SE (公式13)。

本申请实施例提供的光模块调试方法，仅需少量步骤即可大概率获得最终调试参数，避免了反复循环调测。另外，在计算出目标AOP和目标ER所对应的IBIAS和IMOD电流后，该偏置电流和调制电流下的平均光功率与目标ER很接近，即使存在未落入调试规格中的情况，也不会有太大差异，通常只需一个循环的“逼近法”进行微调即可，效率也很高。

本申请实施例还提供了一种光模块调试装置100，如图5所示。该光模块调试装置100包括：获取模块110、计算模块120、第一测试模块130、第二测试模块140以及确定模块150。

获取模块110，用于获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距，以及获得所述光模块中驱动电路与激光器的耦合方式。可选地，获取模块110，用于获取第一偏置电流下的第一平均光功率，以及获取第二偏置电流下的第二平均光功率；以及用于根据所述第一偏置电流、所述第一平均光功率、所述第二偏置电流、所述第二平均光功率以及预设线性变化公式计算所述斜率和所述截距。

计算模块120，用于根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流。

可选地，所述耦合方式为直流耦合，计算模块120，具体用于根据所述斜率、所述截距、所述直流耦合下的偏置电流公式以及调制电流公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流，其中，所述偏置电流公式为IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE，所述调制电流公式为IMOD＝2*AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE)，式中，IBIAS为所述偏置电流，IMOD为所述调制电流，AOP为所述目标平均光功率、ER为所述目标消光比，SE为所述斜率，offset为所述截距。

所述耦合方式为交流耦合，计算模块120，具体用于根据所述斜率、所述截距、所述交流耦合下的偏置电流公式以及调制电流公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流，其中，所述偏置电流公式为IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE+AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE)，所述调制电流公式为IMOD＝2*AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE)，式中，IBIAS为所述偏置电流，IMOD为所述调制电流，AOP为所述目标平均光功率、ER为所述目标消光比，SE为所述斜率，offset为所述截距。

第一测试模块130，用于测试所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率是否在所述目标平均光功率允许的误差范围内。

第二测试模块140，用于在所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率在所述目标平均光功率允许的误差范围内时，测试所述偏置电流和所述调制电流下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内。

确定模块150，用于在所述偏置电流和所述调制电流下的消光比在所述目标消光比允许的误差范围内时，确定所述偏置电流和所述调制电流为所需参数。

可选地，在获取模块110获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距之前，该确定模块150，还用于确定预设偏置电流和预设调制电流下的平均光功率不在所述目标平均光功率允许的误差范围内。

可选地，该光模块调试装置100还包括调整模块，用于在第二测试模块140测试所述偏置电流和所述调制电流下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内之后，在所述偏置电流和所述调制电流下的消光比不在所述目标消光比允许的误差范围内时，采用逼近法微调所述目标消光比。相应地，计算模块120，还用于根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到所述目标平均光功率和微调后的目标消光比所对应的新偏置电流和新调制电流；第一测试模块130，还用于测试所述新偏置电流和所述新调制电流下的平均光功率是否在所述目标平均光功率允许的误差范围内；第二测试模块140，还用于在所述新偏置电流和所述新调制电流下的平均光功率在所述目标平均光功率允许的误差范围内时，测试所述新偏置电流和所述新调制电流下的消光比是否在所述微调后的目标消光比允许的误差范围内；确定模块150，还用于在所述新偏置电流和所述新调制电流下的消光比在所述微调后的目标消光比允许的误差范围内时，确定所述新偏置电流和所述新调制电流为所需参数。

可选地，在计算模块120根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流之前，所述计算模块120还用于根据所述斜率、所述截距、基准电流对应的预设公式，计算出初始目标平均光功率所对应的所述基准电流；以及根据所述基准电流调整所述初始目标平均光功率，得到所述目标平均光功率。。

本申请实施例所提供的光模块调试装置100，其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同，为简要描述，装置实施例部分未提及之处，可参考前述方法实施例中相应内容。

如图6所示，图6示出了本申请实施例提供的一种电子设备200的结构框图。电子设备200包括：收发器210、存储器220、通讯总线230以及处理器240。

收发器210、存储器220、处理器240各元件相互之间直接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线230或信号线实现电性连接。其中，收发器210用于收发数据。存储器220用于存储计算机程序，如存储有图5中所示的软件功能模块，即光模块调试装置100。其中，光模块调试装置100包括至少一个可以软件或固件(firmware)的形式存储于存储器220中或固化在电子设备200的操作系统(operating system，OS)中的软件功能模块。处理器240，用于执行存储器220中存储的可执行模块，例如光模块调试装置100包括的软件功能模块或计算机程序。例如，处理器240，用于获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距，以及获得所述光模块中驱动电路与激光器的耦合方式；还用于根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流；还用于测试所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率是否在所述目标平均光功率允许的误差范围内；还用于在所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率在所述目标平均光功率允许的误差范围内时，测试所述偏置电流和所述调制电流下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内；以及还用于在所述偏置电流和所述调制电流下的消光比在所述目标消光比允许的误差范围内时，确定所述偏置电流和所述调制电流为所需参数。

其中，存储器220可以是，但不限于，随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，只读存储器(Read Only Memory，ROM)，可编程只读存储器(Programmable Read-OnlyMemory，PROM)，可擦除只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM)，电可擦除只读存储器(Electric Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)等。

处理器240可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、网络处理器(NetworkProcessor，NP)等；还可以是数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(FieldProgrammable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器240也可以是任何常规的处理器等。

其中，上述的电子设备200，包括但不限于计算机。需要说明的是，在调试光模块时，该电子设备200需要与ER的测量设备(如光示波器)、AOP的测量设备(如光功率计)相配合。电子设备200根据AOP的测量设备传输的AOP来作为测试的依据，例如，测试所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率是否在所述目标平均光功率允许的误差范围内。以及电子设备200根据光示波器传输的ER来作为测试的依据，例如，以此来测试所述偏置电流和所述调制电流下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内。本申请实施例中所涉及的调试光模块的系统架构与现有调试光模块的系统架构相同，已经为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。

本申请实施例还提供了一种非易失性计算机可读取存储介质(以下简称存储介质)，该存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被计算机如上述的电子设备200运行时，执行上述所示的光模块调试方法。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本申请的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，笔记本电脑，服务器，或者电子设备等)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read－Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种光模块调试方法，其特征在于，包括：

获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距，以及获得所述光模块中驱动电路与激光器的耦合方式；

根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流；

测试所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率是否在所述目标平均光功率允许的误差范围内；

在所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率在所述目标平均光功率允许的误差范围内时，测试所述偏置电流和所述调制电流下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内；

在所述偏置电流和所述调制电流下的消光比在所述目标消光比允许的误差范围内时，确定所述偏置电流和所述调制电流为所需参数，

其中，所述预设公式包括偏置电流公式以及调制电流公式；所述调制电流公式为IMOD＝2*AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE)；若所述耦合方式为直流耦合，则所述偏置电流公式为IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE；若所述耦合方式为交流耦合，所述偏置电流公式为IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE+AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE)，式中，IBIAS为所述偏置电流，IMOD为所述调制电流，AOP为所述目标平均光功率、ER为所述目标消光比，SE为所述斜率，offset为所述截距。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距之前，所述方法还包括：

确定预设偏置电流和预设调制电流下的平均光功率不在所述目标平均光功率允许的误差范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距，包括：

获取第一偏置电流下的第一平均光功率，以及获取第二偏置电流下的第二平均光功率；

根据所述第一偏置电流、所述第一平均光功率、所述第二偏置电流、所述第二平均光功率以及预设线性变化公式计算所述斜率和所述截距。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在测试所述偏置电流和所述调制电流下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内之后，所述方法还包括：

在所述偏置电流和所述调制电流下的消光比不在所述目标消光比允许的误差范围内时，采用逼近法微调所述目标消光比；

根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到所述目标平均光功率和微调后的目标消光比所对应的新偏置电流和新调制电流；

测试所述新偏置电流和所述新调制电流下的平均光功率是否在所述目标平均光功率允许的误差范围内；

在所述新偏置电流和所述新调制电流下的平均光功率在所述目标平均光功率允许的误差范围内时，测试所述新偏置电流和所述新调制电流下的消光比是否在所述微调后的目标消光比允许的误差范围内；

在所述新偏置电流和所述新调制电流下的消光比在所述微调后的目标消光比允许的误差范围内时，确定所述新偏置电流和所述新调制电流为所需参数。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，在根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流之前，所述方法还包括：

根据所述斜率、所述截距、基准电流对应的预设公式，计算出初始目标平均光功率所对应的所述基准电流；

根据所述基准电流调整所述初始目标平均光功率，得到所述目标平均光功率。

6.一种光模块调试装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取光模块的激光器电流和发光功率对应的特性关系曲线的斜率和截距，以及获得所述光模块中驱动电路与激光器的耦合方式；

计算模块，用于根据所述斜率、所述截距、与所述耦合方式对应的预设公式，计算出调试到目标平均光功率和目标消光比所对应的偏置电流和调制电流；

第一测试模块，用于测试所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率是否在所述目标平均光功率允许的误差范围内；

第二测试模块，用于在所述偏置电流和所述调制电流下的平均光功率在所述目标平均光功率允许的误差范围内时，测试所述偏置电流和所述调制电流下的消光比是否在所述目标消光比允许的误差范围内；

确定模块，用于在所述偏置电流和所述调制电流下的消光比在所述目标消光比允许的误差范围内时，确定所述偏置电流和所述调制电流为所需参数，

其中，所述预设公式包括偏置电流公式以及调制电流公式；所述调制电流公式为IMOD＝2*AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE)；若所述耦合方式为直流耦合，则所述偏置电流公式为IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE；若所述耦合方式为交流耦合，所述偏置电流公式为IBIAS＝(2*AOP/(1+ER)-offset)/SE+AOP*(ER-1)/((ER+1)*SE)，式中，IBIAS为所述偏置电流，IMOD为所述调制电流，AOP为所述目标平均光功率、ER为所述目标消光比，SE为所述斜率，offset为所述截距。

7.一种电子设备，其特征在于，包括：

存储器和处理器，所述处理器与所述存储器连接；

所述存储器，用于存储程序；

所述处理器，用于调用存储于所述存储器中的程序，以执行如权利要求1-5中任一项所述的方法。

8.一种存储介质，其特征在于，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时，执行如权利要求1-5中任一项所述的方法。

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