CN114244429B - 光模块调试方法、系统及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种光模块调试方法、电子设备及光模块调试系统,该方法包括:从预设存储区获取与光模块关联的消光比最小值、最大值及数位电阻寄存器的调试数据;基于调试数据设定光模块的数位电阻寄存器的初始值、最小值与最大值;将光模块的数位电阻寄存器的值设定为初始值,采集光模块的消光比值;当采集的消光比值处于预设消光比区间,将第一消光比及与其对应的数位电阻寄存器值上传至预设存储区,否则调整光模块的数位电阻寄存器的值,重新采集比对光模块的消光比值。本申请通过对先前收集到的光模块的调试数据进行分析,预估当前光模块的消光比调试合格的数位电阻寄存器值,实现消光比调试的智能化,提高光模块消光比调试效率。

Description

光模块调试方法、系统及电子设备
技术领域
本申请涉及光通信技术领域,尤其涉及一种光模块调试方法、系统及电子设备。
背景技术
随着光通信技术的不断发展,用于光电和电光转换的光模块的使用越来越广泛,对于光模块的性能要求也越来越高。光模块包括发送端与接收端,发送端将电信号转换为光信号,接收端将光信号转换为电信号。光模块发射全“1”码时的光功率与发射全“0”码时的光功率之比即为消光比。消光比作为光模块的重要参数,消光比的大小会影响光模块接收端的灵敏度。因此需要对光模块进行调试,以使光模块的消光比处于合理的区间,从而使光模块保持高性能。通常光模块的调试方法采用人工手动的方式进行调试,即人工调试光模块电路中的数位电阻的阻值来调节电路中电流的大小,从而达到调整光模块的消光比大小的目的。
然而,人工手动调试过程繁琐且容易出错,同时需要调试人员具备较高的调试技术,效率低下。
发明内容
鉴于上述,本申请提供一种光模块调试方法、系统及电子设备,其可提高光模块的消光比的调试效率。
本申请一实施方式提供一种光模块调试方法,用于调试光模块的消光比,包括:从预设存储区获取与所述光模块关联的消光比最大值、消光比最小值及数位电阻寄存器的调试数据;基于所述调试数据设定所述光模块的数位电阻寄存器的初始寄存器值、最小寄存器值与最大寄存器值;将所述光模块的数位电阻寄存器的值设定为所述初始寄存器值,及采集所述光模块的消光比值,得到第一消光比;当所述第一消光比小于或等于所述消光比最大值,且大于或等于所述消光比最小值时,将所述第一消光比及与所述第一消光比对应的数位电阻寄存器值上传至所述预设存储区;当所述第一消光比大于所述消光比最大值或小于所述消光比最小值时,基于所述最小寄存器值或所述最大寄存器值调整所述光模块的数位电阻寄存器的值,及重新采集所述光模块的消光比值,得到第二消光比;当所述第二消光比小于或等于所述消光比最大值,且大于或等于所述消光比最小值时,将所述第二消光比及与所述第二消光比对应的数位电阻寄存器值上传至所述预设存储区。
在一些实施例中,所述预设存储区为服务器的存储区,所述与所述光模块关联的数位电阻寄存器的调试数据包括与所述光模块具有相同电路板组件方案及相同光发射组件型号的光模块的数位电阻寄存器的值。
在一些实施例中,所述基于所述数位电阻寄存器的调试数据设定所述光模块的数位电阻寄存器的初始寄存器值、最小寄存器值与最大寄存器值,包括:当所述预设存储区不存在与所述光模块关联的数位电阻寄存器的调试数据时,设定所述初始寄存器值为第一预设值、所述最小寄存器值为第二预设值、所述最大寄存器值为第三预设值;当所述预设存储区存储的与所述光模块关联的数位电阻寄存器的调试数据的个数大于零且小于或等于第一数量时,设定所述初始寄存器值为所述调试数据的均值,所述最小寄存器值为所述第二预设值,所述最大寄存器值为所述第三预设值。
在一些实施例中,所述当所述第一消光比大于所述消光比最大值或小于所述消光比最小值时,基于所述最小寄存器值或所述最大寄存器值调整所述光模块的数位电阻寄存器的值,包括:当所述第一消光比大于所述消光比最大值时,将所述最大寄存器值调整为等于所述初始寄存器值,及将所述光模块的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Min+Mod_DAC)/2,其中,Mod_DAC_Min为所述最小寄存器值,Mod_DAC为所述初始寄存器值;当所述第一消光比小于所述消光比最小值时,将所述最小寄存器值调整为等于所述初始寄存器值,及将所述光模块的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Max+Mod_DAC)/2,其中,Mod_DAC_Max为所述最大寄存器值。
在一些实施例中,所述基于所述数位电阻寄存器的调试数据设定所述光模块的数位电阻寄存器的初始寄存器值、最小寄存器值与最大寄存器值,包括:当所述预设存储区存储的与所述光模块关联的数位电阻寄存器的调试数据的个数大于第一数量时,设定所述初始寄存器值为所述调试数据的正态分布中心值,所述最小寄存器值为所述调试数据的最小值,所述最大寄存器值为所述调试数据的最大值。
在一些实施例中,所述当所述第一消光比大于所述消光比最大值或小于所述消光比最小值时,基于所述最小寄存器值或所述最大寄存器值调整所述光模块的数位电阻寄存器的值,包括:当所述第一消光比大于所述消光比最大值且所述初始寄存器值与所述最小寄存器值的差值在第一预设范围内时,将所述最大寄存器值调整为等于所述初始寄存器值,将所述最小寄存器值调整为减去第四预设值,及将所述光模块的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Min_1+Mod_DAC)/2,其中,Mod_DAC_Min_1为所述最小寄存器值与所述第四预设值的差值,Mod_DAC为所述初始寄存器值;当所述第一消光比大于所述消光比最大值且所述初始寄存器值与所述最小寄存器值的差值不在所述第一预设范围内时,将所述最大寄存器值调整为等于所述初始寄存器值,及将所述光模块的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Min+Mod_DAC)/2,其中,Mod_DAC_Min为所述最小寄存器值;当所述第一消光比小于所述消光比最小值且所述初始寄存器值与所述最大寄存器值的差值在第二预设范围内时,将所述最小寄存器值调整为等于所述初始寄存器值,将所述最大寄存器值调整为与所述第四预设值之和,及将所述光模块的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Max_1+Mod_DAC)/2,其中,Mod_DAC_Max_1为所述最大寄存器值与所述第四预设值之和,Mod_DAC为所述初始寄存器值;当所述第一消光比小于所述消光比最小值且所述初始寄存器值与所述最大寄存器值的差值不在所述第二预设范围内时,将所述最小寄存器值调整为等于所述初始寄存器值,及将所述光模块的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Max+Mod_DAC)/2,其中,Mod_DAC_Max为所述最大寄存器值。
在一些实施例中,光模块调试方法还包括:当所述光模块的消光比值大于所述消光比最大值或小于所述消光比最小值时,且调整所述光模块的数位电阻寄存器的值的次数大于预设次数时,输出预设调试异常提示信息。
在一些实施例中,光模块调试方法还包括:当所述光模块的消光比值小于或等于所述消光比最大值,且大于或等于所述消光比最小值时,获取所述光模块的温度值,及基于所述光模块的温度值与数位电阻寄存器值构建温度与数位电阻寄存器值的查找表。
本申请一实施方式提供一种电子设备,所述电子设备包括处理器和存储器,所述存储器用于存储指令,所述处理器用于调用所述存储器中的指令,使得所述电子设备执行上述的光模块调试方法。
本申请一实施方式提供一种光模块调试系统,包括服务器及多个光模块调试工位,所述多个光模块调试工位用于对多个光模块进行消光比调试;当所述多个光模块调试工位中的每个光模块调试工位将相应的光模块的消光比调试至预设消光比区间时,所述每个光模块调试工位还用于将所述相应的光模块的消光比值及与所述消光比值对应的数位电阻寄存器值上传至所述服务器;其中,所述多个光模块调试工位中的第一光模块调试工位用于将第一光模块的消光比调试至所述预设消光比区间,所述第一光模块调试工位用于从所述服务器获取与所述第一光模块关联的消光比最大值、消光比最小值及数位电阻寄存器的调试数据,及基于所述调试数据设定所述第一光模块的数位电阻寄存器的初始寄存器值、最小寄存器值与最大寄存器值;所述第一光模块调试工位还用于根据所述初始寄存器值、所述最小寄存器值及所述最大寄存器值设定所述第一光模块的数位电阻寄存器的值,以将所述第一光模块的消光比调试至所述预设消光比区间。
上述光模块调试方法、系统及电子设备,基于对先前收集到的光模块的调试数据进行分析,预估当前光模块的消光比调试合格的数位电阻寄存器值,实现光模块消光比调试的自动化和智能化,大幅提高光模块的消光比调试效率,且可实现光模块生产数据的信息化、智能化、共享化。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施方式的技术方案,下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例中的光模块调试方法的运行环境图。
图2是本申请一实施例中的光模块调试系统的功能模块图。
图3是本申请一实施例中的光模块调试方法的步骤流程图。
图4a~4b是本申请一实施例中的两组光模块的消光比被调试至预设消光比区间,所设定的数位电阻寄存器值的分布示意图。
图5为本申请一实施例中光模块调试装置的功能模块图。
图6为本申请一实施例中电子设备示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点,下面结合附图和具体实施方式对本申请进行详细描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请,所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式,而不是全部的实施方式。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。
本申请的光模块调试方法可应用在一个或者多个电子设备中。所述电子设备是一种能够按照事先设定或存储的指令,自动进行数值计算和/或信息处理的设备,其硬件包括但不限于处理器、微程序控制器(Microprogrammed Control Unit,MCU)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)、数字处理器(Digital Signal Processor,DSP)、嵌入式设备等。
所述电子设备可以是桌上型计算机、光通信设备、服务器等计算设备。
图1是本申请光模块调试方法一实施例的运行环境图。
该实施例包括电子设备100、调试板200、光模块300、采集设备400。其中,电子设备100可用于运行光模块调试方法,实现对光模块300的消光比进行自动调试,调试板200可以与电子设备100通信(例如通过I2C进行通信),调试板200可用于接收电子设备为光模块300设定的数位电阻寄存器值,并将该数位电阻寄存器值赋值到光模块300的数位电阻寄存器中,采集设备400用于采集光模块300的消光比,并将采集到的消光比传送给电子设备100,电子设备100可以将采集设备400采集到的消光比与预设消光比区间进行比对,以进一步调整数位电阻寄存器值,直至光模块300的消光比处于该预设消光比区间。
在一些实施例中,多个工厂中的多个光模块调试工位可以上传合格的消光比调试数据(合格的消光比调试数据可以包括某个光模块的消光比及将该光模块的消光比调试到预设消光比区间所设定的数位电阻寄存器值)至服务器,通过多工厂、多调试工位的并行方式,实时收集准确的消光比调试数据。当前调试工位又可以根据服务器所存储的合格调试数据,分析得到其调试的光模块的数位电阻寄存器值,实现消光比调试的自动化和智能化,提高光模块自动调试的效率,且进一步实现光模块生产数据的信息化、智能化、共享化。举例而言,电子设备100可以对服务器存储的消光比调试数据进行分析,以设定光模块300的数位电阻寄存器值,实现对光模块300进行消光比调试,提高光模块调试效率。
如图2所示,光模块调试系统包括服务器1000及多个光模块调试工位2000。多个光模块调试工位2000可以布设在一个工厂或者多个工厂。每个光模块调试工位2000均具备光模块消光比调试功能。例如,每个光模块调试工位2000均可以包括电子设备100、调试板200及采集设备400,进而可以实现对多个光模块300进行消光比调试。在本申请的一些实施例中,多个光模块调试工位2000也可以共用一个或多个设备,本申请对此不作限定。
当某个光模块调试工位将相应的光模块300的消光比调试至预设消光比区间时,该光模块调试工位可以将相应的光模块300的消光比值及与该消光比值对应的数位电阻寄存器值上传至服务器1000,实现光模块调试数据的共享。
每个光模块调试工位2000均可以与服务器1000通信,例如从服务器1000中获取与当前调试的光模块300关联的消光比最大值、消光比最小值及数位电阻寄存器的调试数据,以基于调试数据设定当前调试的光模块的数位电阻寄存器的值,进而实现基于服务器1000存储的先前工位已调试合格的调试数据,预估当前调试的光模块300的数位电阻寄存器值,以快速将消光比调试至预设消光比区间,提高光模块消光比调试效率。
图3是本申请光模块调试方法一实施例的步骤流程图。根据不同的需求,所述流程图中步骤的顺序可以改变,某些步骤可以省略。该实施例的光模块调试方法可以应用在电子设备100。
参阅图3所示,所述光模块调试方法可以包括以下步骤。
步骤S31、从预设存储区获取与光模块300关联的消光比最大值、消光比最小值及数位电阻寄存器的调试数据。
在一实施方式中,光模块300发射全“1”码时的光功率与发射全“0”码时的光功率之比即为光模块300的消光比。可以通过调整光模块300的数位电阻寄存器的值来调整光模块300的消光比。预设存储区可以是指设置在服务器上的存储区间。服务器可以存储有多个消光比的调试数据。数位电阻寄存器的调试数据可以是指由其他完成光模块在完成消光比调试后上传的合格调试数据。
在一些实施例中,与光模块300关联的数位电阻寄存器的调试数据可以是指与光模块300属于同一型号的调试数据,例如可以是指与光模块300具有相同电路板组件(printed circuit board assembly,PCBA)方案及相同光发射组件(transmitter opticalsubassembly,TOSA)型号的光模块将消光比调试至预设消光比区间内所设定的数位电阻寄存器值。
例如,可以根据光模块300的产品型号、PCBA方案号及TOSA型号,从服务器中查询与光模块300关联的消光比最小值ER_Min、消光比最大值ER_Max以及将光模块调试到消光比管控范围内的数位电阻寄存器值Mod_DACValue。消光比最小值ER_Min与消光比最大值ER_Max可以基于光模块300的型号、实际应用场景等信息进行设定,例如消光比最小值ER_Min设定为10dBm,消光比最大值ER_Max为12dBm,即预设消光比区间为10~12dBm。
在一些实施例中,与光模块300关联的消光比最小值ER_Min、消光比最大值ER_Max也可以不存储在服务器上,如存储在电子设备100中。即无需从预设存储区获取与光模块300关联的消光比最大值与消光比最小值。
在一些实施例中,也可以通过设置一组数字、数字+字母等来表征表光模块300的产品型号、PCBA方案号及TOSA型号。例如,某一光模块300的产品型号、PCBA方案号及TOSA型号用“10200053”表示。
步骤S32、基于数位电阻寄存器的调试数据设定光模块300的数位电阻寄存器的初始寄存器值、最小寄存器值与最大寄存器值。
在一些实施例中,可以通过分析数位电阻寄存器的调试数据,来设定光模块300的数位电阻寄存器的初始寄存器值Mod_DAC、最小寄存器值Mod_DAC_Min与最大寄存器值Mod_DAC_Max。
在一些实施例中,当预设存储区不存在与光模块300关联的数位电阻寄存器的调试数据时,表明该设计方案的光模块300属于首次生产,服务器未存储有可参考的消光比调试数据,可以根据预设规则设定初始寄存器值Mod_DAC为第一预设值、最小寄存器值Mod_DAC_Min为第二预设值、最大寄存器值Mod_DAC_Max为第三预设值。例如,设定最小寄存器值Mod_DAC_Min为0,最大寄存器值Mod_DAC_Max为210,初始寄存器值Mod_DAC为200。
在一些实施例中,当预设存储区存储的与光模块300关联的数位电阻寄存器的调试数据的个数大于零且小于或等于第一数量时,表明该设计方案的光模块300已生产过,但先前完成消光比调试成功的光模块数量有限,可以设定初始寄存器值Mod_DAC为调试数据的均值,最小寄存器值Mod_DAC_Min为第二预设值,最大寄存器值Mod_DAC_Max为第三预设值。第一数量可以根据实际需求进行设定,比如第一数量为100个。例如,从预设存储区获取得到多个数位电阻寄存器值Mod_DAC_Value_1、Mod_DAC_Value_2、Mod_DAC_Value_3、…、Mod_DAC_Value_m,再对该多个数位电阻寄存器值Mod_DAC_Value_1~Mod_DAC_Value_m进行求平均值运算,得到Mod_DAC_Average,进而将初始寄存器值Mod_DAC设置为等于Mod_DAC_Average。
可以理解的,当预设存储区存储的与光模块300关联的数位电阻寄存器的调试数据的个数大于零且小于或等于第一数量时,最小寄存器值Mod_DAC_Min与最大寄存器值Mod_DAC_Max也可以根据实际调试经验设定为其他的值,不限于第二预设值、第三预设值。
在一些实施例中,当预设存储区存储的与光模块300关联的数位电阻寄存器的调试数据的个数大于第一数量时,表明该设计方案的光模块300已生产过,且先前完成消光比调试成功的光模块数量较多,可以设定初始寄存器值Mod_DAC为调试数据的正态分布中心值,最小寄存器值Mod_DAC_Min为调试数据中的最小值,最大寄存器值Mod_DAC_Max为调试数据中的最大值。例如,从预设存储区获取得到多个数位电阻寄存器值Mod_DAC_Value_1、Mod_DAC_Value_2、Mod_DAC_Value_3、…、Mod_DAC_Value_m、…、Mod_DAC_Value_n,再从该多个数位电阻寄存器值Mod_DAC_Value_1~Mod_DAC_Value_n中选取最大的数位电阻寄存器值与最小的数位电阻寄存器值,最小的数位电阻寄存器值作为光模块300的最小寄存器值Mod_DAC_Min,最大的数位电阻寄存器值作为光模块300的最大寄存器值Mod_DAC_Max。
在一些实施例中,可以基于多个数位电阻寄存器值Mod_DAC_Value_1~Mod_DAC_Value_n得到与这些数位电阻寄存器值对应的正态分布图,将该正态分布图的正态分布中心值Mod_DAC_Center作为光模块300的初始寄存器值Mod_DAC。
步骤S33、将光模块300的数位电阻寄存器的值设定为初始寄存器值,及采集光模块300的消光比值,得到第一消光比。
在一些实施例中,可以通过调试板200将光模块300的数位电阻寄存器的值设定为初始寄存器值Mod_DAC,通过采集设备400采集光模块300的消光比值,将光模块300在初始寄存器值Mod_DAC下的消光比值定义为第一消光比ER1。
步骤S34、当第一消光比小于或等于消光比最大值,且大于或等于消光比最小值时,将第一消光比及与第一消光比对应的数位电阻寄存器值上传至预设存储区。
在一些实施例中,当ER_Min≤ER1≤ER_Max,表明光模块300的消光比处于预设消光比区间,即可以完成对光模块300的消光比调试,可以上传合格的消光比调试数据至预设存储区(如服务器),更新预设存储区存储的调试数据,实现光模块调试数据的共享化。即可以将第一消光比ER1及与第一消光比ER1对应的数位电阻寄存器值Mod_DAC上传至预设存储区。
在一些实施例中,在上传合格的消光比调试数据至预设存储区前,可以先将合格的消光比调试数据与光模块300的产品信息进行绑定,将绑定了产品信息的消光比调试数据上传至预设存储区。例如,产品信息可以包括光模块300的产品型号、PCBA方案号及TOSA型号。
步骤S35、当第一消光比大于消光比最大值或小于消光比最小值时,基于最小寄存器值或最大寄存器值调整光模块300的数位电阻寄存器的值,及重新采集光模块300的消光比值,得到第二消光比。
在一些实施例中,当ER1≥ER_Max或者ER1≤ER_Min,表明光模块300的消光比未处于预设消光比区间,光模块300的数位电阻寄存器的值不符合要求,需对光模块300的数位电阻寄存器的值进行调整,重新设定光模块300的数位电阻寄存器的值,将重新设定的数位电阻寄存器值通过调试板200赋值至光模块300的数位电阻寄存器,利用采集设备400重新采集光模块300的消光比值。为了便于区分,将光模块300在本次调整后的数位电阻寄存器值下的消光比值定义为第二消光比ER2。
步骤S36、当第二消光比小于或等于消光比最大值,且大于或等于消光比最小值时,将第二消光比及与第二消光比对应的数位电阻寄存器值上传至预设存储区。
在一些实施例中,当ER_Min≤ER2≤ER_Max,表明光模块300的消光比已处于预设消光比区间,即可以完成对光模块300的消光比调试,可以上传合格的消光比调试数据至预设存储区,更新预设存储区存储的调试数据,实现光模块调试数据的共享化。即可以将第一消光比ER2及与第一消光比ER2对应的数位电阻寄存器值上传至预设存储区。假设调整光模块300的数位电阻寄存器的值为:将数位电阻寄存器值由Mod_DAC调整为Mod_DAC_1,即可以将第二消光比ER2及数位电阻寄存器值Mod_DAC_1上传至预设存储区。
可以理解,在上传合格的消光比调试数据至预设存储区前,同样可以先将合格的消光比调试数据与光模块300的产品信息进行绑定,将绑定了产品信息的消光比调试数据上传至预设存储区。
在一些实施例中,可以预先为每个光模块300设定消光比调试的次数,当光模块300的消光比值大于消光比最大值ER_Max或小于所述消光比最小值ER_Min时,且调整光模块300的数位电阻寄存器的值的次数大于预设次数时,结束光模块300的调试,及输出预设调试异常提示信息。例如,当光模块300的消光比调试次数大于或等于15次时,仍然无法将光模块300的消光比调试至预设消光比区间,则停止对光模块300的调试,输出预设声/光提示信息或者文字提示信息,如文字提示信息为“调试异常,调试次数超上限”。
在一些实施例中,当光模块300的消光比值小于或等于消光比最大值ER_Max,且大于或等于消光比最小值ER_Min时,获取光模块300的温度值,进而可以基于多个光模块300的温度值与数位电阻寄存器值构建温度与数位电阻寄存器值的查找表,实现让光模块300在不同温度下自行调整消光比。例如,在完成一个光模块300的消光比调试后,获取光模块300的温度值,根据光模块器件的温度与数位电阻寄存器值的斜率,估算出-40℃~126℃之间的数位电阻寄存器值,构建温度与数位电阻寄存器值的查找表,使得后续光模块300可以在不同温度下自行调整数位电阻寄存器值,以使消光比处于管控范围内。
以下举例说明从预设存储区获取到不同数量的调试数据,采用不同的消光比调试方式。
第一种情形:当预设存储区不存在与光模块300关联的数位电阻寄存器的调试数据时,即与光模块300关联的调试数据的个数为零,可以根据预设规则设定初始寄存器值Mod_DAC为第一预设值、最小寄存器值Mod_DAC_Min为第二预设值、最大寄存器值Mod_DAC_Max为第三预设值,调试次数n=0。
光模块300处于消光比调试模式(例如为光模块300配置了消光比调试环境,调试环境可以包括调试所需的硬件环境、软件环境等),将初始寄存器值Mod_DAC赋值给光模块300的数位电阻调节寄存器,采集光模块300的消光比值,并将采集到的消光比值与预设消光比区间(ER_Min~ER_Max)进行对比,判断采集到的消光比值是否落入预设消光比区间。如果采集到的消光比值落入预设消光比区间,结束对光模块300的调试,上传合格的消光比调试数据至预设存储区。
如果消光比值小于消光比最小值ER_Min,调整最小寄存器值Mod_DAC_Min,将最小寄存器值Mod_DAC_Min调整为等于初始寄存器值Mod_DAC,即Mod_DAC_Min=Mod_DAC,实现对最小寄存器值Mod_DAC_Min进行进一步精确缩进,同时设置下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值,将光模块300的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Max+Mod_DAC)/2,新的数位电阻寄存器值赋值给光模块300的数位电阻调节寄存器,采集光模块300的消光比值,设置n=n+1,光模块300进入下一轮消光比调试,重新采集光模块300的消光比值,并将重新采集到的消光比值与预设消光比区间进行对比,判断重新采集到的消光比值是否落入预设消光比区间。如果重新采集到的消光比值落入预设消光比区间,结束对光模块300的调试,上传合格的消光比调试数据至预设存储区。如果重新采集到的消光比值未落入预设消光比区间,根据重新采集到的消光比值与消光比最小值ER_Min、消光比最大值ER_Max的大小关系,确定下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值的调整策略。
如果消光比值大于消光比最大值ER_Max,调整最大寄存器值Mod_DAC_Max,将最大寄存器值Mod_DAC_Max调整为等于初始寄存器值Mod_DAC,即Mod_DAC_Max=Mod_DAC,实现对最大寄存器值Mod_DAC_Max进行进一步精确缩进,同时设置下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值,将光模块300的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Min+Mod_DAC)/2,新的数位电阻寄存器值赋值给光模块300的数位电阻调节寄存器,采集光模块300的消光比值,设置n=n+1,光模块300进入下一轮消光比调试,重新采集光模块300的消光比值,并将重新采集到的消光比值与预设消光比区间进行对比,判断重新采集到的消光比值是否落入预设消光比区间。如果重新采集到的消光比值落入预设消光比区间,结束对光模块300的调试,上传合格的消光比调试数据至预设存储区。如果重新采集到的消光比值未落入预设消光比区间,根据重新采集到的消光比值与消光比最小值ER_Min、消光比最大值ER_Max的大小关系,确定下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值的调整策略。
当n≥15时,停止对光模块300的调试,输出“调试异常,调试次数超上限”的提示信息。
第二种情形:当预设存储区存储的与光模块300关联的数位电阻寄存器的调试数据的个数大于零且小于或等于第一数量时,例如调试数据的个数大于零且小于或等于100个,设定初始寄存器值Mod_DAC为调试数据的均值,最小寄存器值Mod_DAC_Min为第二预设值,最大寄存器值Mod_DAC_Max为第三预设值,调试次数n=0。
光模块300处于消光比调试模式,将初始寄存器值Mod_DAC赋值给光模块300的数位电阻调节寄存器,采集光模块300的消光比值,并将采集到的消光比值与预设消光比区间(ER_Min~ER_Max)进行对比,判断采集到的消光比值是否落入预设消光比区间。如果采集到的消光比值落入预设消光比区间,结束对光模块300的调试,上传合格的消光比调试数据至预设存储区。
如果消光比值小于消光比最小值ER_Min,调整最小寄存器值Mod_DAC_Min,将最小寄存器值Mod_DAC_Min调整为等于初始寄存器值Mod_DAC,即Mod_DAC_Min=Mod_DAC,实现对最小寄存器值Mod_DAC_Min进行进一步精确缩进,同时设置下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值,将光模块300的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Max+Mod_DAC)/2,新的数位电阻寄存器值赋值给光模块300的数位电阻调节寄存器,采集光模块300的消光比值,设置n=n+1,光模块300进入下一轮消光比调试,重新采集光模块300的消光比值,并将重新采集到的消光比值与预设消光比区间进行对比,判断重新采集到的消光比值是否落入预设消光比区间。如果重新采集到的消光比值落入预设消光比区间,结束对光模块300的调试,上传合格的消光比调试数据至预设存储区。如果重新采集到的消光比值未落入预设消光比区间,根据重新采集到的消光比值与消光比最小值ER_Min、消光比最大值ER_Max的大小关系,确定下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值的调整策略。
如果消光比值大于消光比最大值ER_Max,调整最大寄存器值Mod_DAC_Max,将最大寄存器值Mod_DAC_Max调整为等于初始寄存器值Mod_DAC,即Mod_DAC_Max=Mod_DAC,实现对最大寄存器值Mod_DAC_Max进行进一步精确缩进,同时设置下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值,将光模块300的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Min+Mod_DAC)/2,新的数位电阻寄存器值赋值给光模块300的数位电阻调节寄存器,采集光模块300的消光比值,设置n=n+1,光模块300进入下一轮消光比调试,重新采集光模块300的消光比值,并将重新采集到的消光比值与预设消光比区间进行对比,判断重新采集到的消光比值是否落入预设消光比区间。如果重新采集到的消光比值落入预设消光比区间,结束对光模块300的调试,上传合格的消光比调试数据至预设存储区。如果重新采集到的消光比值未落入预设消光比区间,根据重新采集到的消光比值与消光比最小值ER_Min、消光比最大值ER_Max的大小关系,确定下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值的调整策略。
当n≥15时,停止对光模块300的调试,输出“调试异常,调试次数超上限”的提示信息。
第三种情形:当预设存储区存储的与光模块300关联的数位电阻寄存器的调试数据的个数大于第一数量时,例如调试数据的个数大于100个,设定初始寄存器值Mod_DAC为调试数据的正态分布中心值,最小寄存器值Mod_DAC_Min为调试数据中的最小值,最大寄存器值Mod_DAC_Max为调试数据中的最大值。
光模块300处于消光比调试模式,将初始寄存器值Mod_DAC赋值给光模块300的数位电阻调节寄存器,采集光模块300的消光比值,并将采集到的消光比值与预设消光比区间(ER_Min~ER_Max)进行对比,判断采集到的消光比值是否落入预设消光比区间。如果采集到的消光比值落入预设消光比区间,结束对光模块300的调试,上传合格的消光比调试数据至预设存储区。
如果消光比值小于消光比最小值ER_Min,调整最小寄存器值Mod_DAC_Min,将最小寄存器值Mod_DAC_Min调整为等于初始寄存器值Mod_DAC,即Mod_DAC_Min=Mod_DAC,实现对最小寄存器值Mod_DAC_Min进行进一步精确缩进。当初始寄存器值Mod_DAC与最大寄存器值Mod_DAC_Max的差值不大时,经过数据分析为了减少光模块300的消光比调试次数,达到快速调试光模块300的消光比的目的,在调试过程中尝试自动拓宽最大寄存器值Mod_DAC_Max的边界,例如若初始寄存器值Mod_DAC与最大寄存器值Mod_DAC_Max的差值在第二预设范围内(例如Mod_DAC>Mod_DACMax-20),则将最大寄存器值Mod_DAC_Max向上拓宽第四预设值。例如设置Mod_DACMax_1=Mod_DACMax+50,其中Mod_DACMax_1最大值为1023,若Mod_DACMax_1大于1023,则直接将Mod_DACMax_1设定为1023。同时设置下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值,将光模块300的数位电阻寄存器的值调整为:Mod_DAC=(Mod_DAC+Mod_DACMax_1)/2,新的数位电阻寄存器值赋值给光模块300的数位电阻调节寄存器,采集光模块300的消光比值,设置n=n+1,光模块300进入下一轮消光比调试,重新采集光模块300的消光比值,并将重新采集到的消光比值与预设消光比区间进行对比,判断重新采集到的消光比值是否落入预设消光比区间。如果重新采集到的消光比值落入预设消光比区间,结束对光模块300的调试,上传合格的消光比调试数据至预设存储区。如果重新采集到的消光比值未落入预设消光比区间,根据重新采集到的消光比值与消光比最小值ER_Min、消光比最大值ER_Max的大小关系,确定下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值的调整策略。
如果消光比值小于消光比最小值ER_Min,调整最小寄存器值Mod_DAC_Min,将最小寄存器值Mod_DAC_Min调整为等于初始寄存器值Mod_DAC,即Mod_DAC_Min=Mod_DAC,实现对最小寄存器值Mod_DAC_Min进行进一步精确缩进。若初始寄存器值Mod_DAC与最大寄存器值Mod_DAC_Max的差值不在第二预设范围内,可以不拓宽最大寄存器值Mod_DAC_Max的边界,设置下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值,将光模块300的数位电阻寄存器的值调整为:Mod_DAC=(Mod_DAC+Mod_DACMax)/2,新的数位电阻寄存器值赋值给光模块300的数位电阻调节寄存器,采集光模块300的消光比值,设置n=n+1,光模块300进入下一轮消光比调试,重新采集光模块300的消光比值,并将重新采集到的消光比值与预设消光比区间进行对比,判断重新采集到的消光比值是否落入预设消光比区间。如果重新采集到的消光比值落入预设消光比区间,结束对光模块300的调试,上传合格的消光比调试数据至预设存储区。如果重新采集到的消光比值未落入预设消光比区间,根据重新采集到的消光比值与消光比最小值ER_Min、消光比最大值ER_Max的大小关系,确定下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值的调整策略。
如果消光比值大于消光比最大值ER_Max,调整最大寄存器值Mod_DAC_Max,将最大寄存器值Mod_DAC_Max调整为等于初始寄存器值Mod_DAC,即Mod_DAC_Max=Mod_DAC,实现对最大寄存器值Mod_DAC_Max进行进一步精确缩进。当初始寄存器值Mod_DAC与最小寄存器值Mod_DAC_Min的差值不大时,经过数据分析为了减少光模块300的消光比调试次数,达到快速调试光模块300的消光比的目的,在调试过程中尝试自动拓宽最小寄存器值Mod_DAC_Min的边界,例如若初始寄存器值Mod_DAC与最小寄存器值Mod_DAC_Min的差值在第一预设范围内(例如Mod_DAC<Mod_DACMin+20),则将最小寄存器值Mod_DAC_Min向下拓宽第四预设值。例如设置Mod_DACMin_1=Mod_DACMin-50,其中Mod_DACMin_1最小值为0,若Mod_DACMin_1小于0,则直接将Mod_DACMin_1设定为0。
同时设置下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值,将光模块300的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Min_1+Mod_DAC)/2,新的数位电阻寄存器值赋值给光模块300的数位电阻调节寄存器,采集光模块300的消光比值,设置n=n+1,光模块300进入下一轮消光比调试,重新采集光模块300的消光比值,并将重新采集到的消光比值与预设消光比区间进行对比,判断重新采集到的消光比值是否落入预设消光比区间。如果重新采集到的消光比值落入预设消光比区间,结束对光模块300的调试,上传合格的消光比调试数据至预设存储区。如果重新采集到的消光比值未落入预设消光比区间,根据重新采集到的消光比值与消光比最小值ER_Min、消光比最大值ER_Max的大小关系,确定下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值的调整策略。
如果消光比值大于消光比最大值ER_Max,调整最大寄存器值Mod_DAC_Max,将最大寄存器值Mod_DAC_Max调整为等于初始寄存器值Mod_DAC,即Mod_DAC_Max=Mod_DAC,实现对最大寄存器值Mod_DAC_Max进行进一步精确缩进。当初始寄存器值Mod_DAC与最小寄存器值Mod_DAC_Min的差值不在第一预设范围内时,可以不拓宽最小寄存器值Mod_DAC_Min的边界,设置下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值,将光模块300的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Min+Mod_DAC)/2,新的数位电阻寄存器值赋值给光模块300的数位电阻调节寄存器,采集光模块300的消光比值,设置n=n+1,光模块300进入下一轮消光比调试,重新采集光模块300的消光比值,并将重新采集到的消光比值与预设消光比区间进行对比,判断重新采集到的消光比值是否落入预设消光比区间。如果重新采集到的消光比值落入预设消光比区间,结束对光模块300的调试,上传合格的消光比调试数据至预设存储区。如果重新采集到的消光比值未落入预设消光比区间,根据重新采集到的消光比值与消光比最小值ER_Min、消光比最大值ER_Max的大小关系,确定下一轮消光比调试的数位电阻寄存器值的调整策略。
当n≥15时,停止对光模块300的调试,输出“调试异常,调试次数超上限”的提示信息。
在一些实施例中,如图4a与4b所示,根据两组光模块的消光比调试数据,将两组光模块产品的消光比调试至10dBm~12dBm区间,光模块所对应的数位电阻寄存器值基本呈现正态分布特性,横坐标为数位电阻寄存器值,纵坐标为光模块数量。3成左右的光模块一次就可以调试至合格的消光比区间,5成左右的光模块在2-3次即可调试至合格的消光比区间,其他处在小概率分布区间的光模块,调试次数会有所增加,但基本不会超过15次。通过大量光模块的调试数据的实时收集与分析,可以大大提高光模块的消光比的调试效率。
上述光模块调试方法,基于对先前收集到的光模块的调试数据进行分析,预估当前光模块的消光比调试合格的数位电阻寄存器值,实现光模块消光比调试的自动化和智能化,大幅提高光模块的消光比调试效率,且可实现光模块生产数据的信息化、智能化、共享化。
图5为本申请光模块调试装置较佳实施例的功能模块图。
参阅图5所示,光模块调试装置10可应用于电子设备。光模块调试装置10可以包括一个或多个模块。例如,参阅图5所示,光模块调试装置10可以包括获取模块101、设定模块102、调试模块103及上传模块104。
可以理解的是,对应于上述光模块调试方法中的各实施方式,光模块调试装置10可以包括图5中所示的各功能模块中的一部分或全部,各模块101~104的功能将在以下具体介绍。需要说明的是,以上光模块调试方法的各实施方式中相同的名词相关名词及其具体的解释说明也可以适用于以下对各模块101~104的功能介绍。为节省篇幅及避免重复起见,在此就不再赘述。
获取模块101,用于从预设存储区获取与光模块300关联的消光比最大值、消光比最小值及数位电阻寄存器的调试数据。
设定模块102,用于基于调试数据设定光模块300的数位电阻寄存器的初始寄存器值、最小寄存器值与最大寄存器值。
调试模块103,用于将光模块300的数位电阻寄存器的值设定为初始寄存器值,及采集光模块300的消光比值,得到第一消光比。
上传模块104,用于在第一消光比小于或等于消光比最大值,且大于或等于消光比最小值时,将第一消光比及与第一消光比对应的数位电阻寄存器值上传至预设存储区。
调试模块103还用于在第一消光比大于消光比最大值或小于消光比最小值时,基于最小寄存器值或最大寄存器值调整光模块300的数位电阻寄存器的值,及重新采集光模块300的消光比值,得到第二消光比。
上传模块104还用于在第二消光比小于或等于消光比最大值,且大于或等于消光比最小值时,将第二消光比及与第二消光比对应的数位电阻寄存器值上传至预设存储区。
图6为本申请电子设备较佳实施例的示意图。
电子设备100包括存储器20、处理器30以及存储在存储器20中并可在处理器30上运行的计算机程序40,例如光模块调试装置10。处理器30执行计算机程序40时实现上述光模块调试方法实施例中的步骤,例如图3所示的步骤S21~S26。或者,处理器30执行计算机程序40时实现上述光模块调试装置实施例中各模块的功能,例如图5中的模块101~104。
在一实施方式中,图5所示的模块(101~104)中的部分模块可以由处理器30执行,另一部分可以由其他硬件(比如调试板200、采集设备400等)执行。比如,由处理器30执行模块101、102、104。
示例性的,计算机程序40可以被分割成一个或多个模块/单元,所述一个或者多个模块/单元被存储在存储器20中,并由处理器30执行,以完成本申请。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段,所述指令段用于描述计算机程序40在电子设备100中的执行过程。例如,计算机程序40可以被分割成图5中的获取模块101、设定模块102、调试模块103及上传模块104。各模块具体功能参见上述实施例。
电子设备100可以是桌上型计算机、光通信设备、服务器等计算设备。本领域技术人员可以理解,所述示意图仅是电子设备100的示例,并不构成对电子设备100的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件,例如电子设备100还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。
处理器30可以是中央处理单元(Central Processing Unit,CPU),还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者处理器30也可以是任何常规的处理器等,处理器30是电子设备100的控制中心,利用各种接口和线路连接整个电子设备100的各个部分。
存储器20可用于存储计算机程序40和/或模块/单元,处理器30通过运行或执行存储在存储器20内的计算机程序和/或模块/单元,以及调用存储在存储器20内的数据,实现电子设备100的各种功能。存储器20可主要包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等;存储数据区可存储根据电子设备100的使用所创建的数据等。此外,存储器20可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如硬盘、内存、插接式硬盘,智能存储卡(Smart Media Card,SMC),安全数字(Secure Digital,SD)卡,闪存卡(Flash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。
电子设备100集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请实现上述实施例方法中的全部或部分流程,也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中,计算机程序在被处理器执行时,可实现上述各个方法实施例的步骤。其中,计算机程序包括计算机程序代码,计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括:能够携带计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,RandomAccess Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是,计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减,例如在某些司法管辖区,根据立法和专利实践,计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的电子设备和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的电子设备实施例仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式。
另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在相同处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在相同单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用硬件加软件功能模块的形式实现。
对于本领域技术人员而言,显然本申请不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本申请。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的。此外,显然“包括”一词不排除其他单元或步骤,单数不排除复数。第一,第二等词语用来表示名称,而并不表示任何特定的顺序。
最后应说明的是,以上实施例仅用以说明本申请的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本申请进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换,而不脱离本申请技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种光模块调试方法,用于调试光模块的消光比,其特征在于,包括:
从预设存储区获取与所述光模块关联的消光比最大值、消光比最小值及数位电阻寄存器的调试数据;
基于从所述预设存储区获取的所述数位电阻寄存器的调试数据的数量,设定所述光模块的数位电阻寄存器的初始寄存器值、最小寄存器值与最大寄存器值;
将所述光模块的数位电阻寄存器的值设定为所述初始寄存器值,及采集所述光模块的消光比值,得到第一消光比;
当所述第一消光比小于或等于所述消光比最大值,且大于或等于所述消光比最小值时,将所述第一消光比及与所述第一消光比对应的数位电阻寄存器值上传至所述预设存储区;
当所述第一消光比大于所述消光比最大值或小于所述消光比最小值时,基于所述最小寄存器值或所述最大寄存器值调整所述光模块的数位电阻寄存器的值,及重新采集所述光模块的消光比值,得到第二消光比;
当所述第二消光比小于或等于所述消光比最大值,且大于或等于所述消光比最小值时,将所述第二消光比及与所述第二消光比对应的数位电阻寄存器值上传至所述预设存储区;
其中,所述当所述第一消光比大于所述消光比最大值或小于所述消光比最小值时,基于所述最小寄存器值或所述最大寄存器值调整所述光模块的数位电阻寄存器的值,包括:
当所述第一消光比大于所述消光比最大值且所述初始寄存器值与所述最小寄存器值的差值在第一预设范围内时,将所述最大寄存器值调整为等于所述初始寄存器值,将所述最小寄存器值调整为减去第一预设值,及将所述光模块的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Min_1+Mod_DAC)/2,其中,Mod_DAC_Min_1为所述最小寄存器值与所述第一预设值的差值,Mod_DAC为所述初始寄存器值;
当所述第一消光比大于所述消光比最大值且所述初始寄存器值与所述最小寄存器值的差值不在所述第一预设范围内时,将所述最大寄存器值调整为等于所述初始寄存器值,及将所述光模块的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Min+Mod_DAC)/2,其中,Mod_DAC_Min为所述最小寄存器值;
当所述第一消光比小于所述消光比最小值且所述初始寄存器值与所述最大寄存器值的差值在第二预设范围内时,将所述最小寄存器值调整为等于所述初始寄存器值,将所述最大寄存器值调整为与所述第一预设值之和,及将所述光模块的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Max_1+Mod_DAC)/2,其中,Mod_DAC_Max_1为所述最大寄存器值与所述第一预设值之和;
当所述第一消光比小于所述消光比最小值且所述初始寄存器值与所述最大寄存器值的差值不在所述第二预设范围内时,将所述最小寄存器值调整为等于所述初始寄存器值,及将所述光模块的数位电阻寄存器的值调整为:(Mod_DAC_Max+Mod_DAC)/2,其中,Mod_DAC_Max为所述最大寄存器值。
2.如权利要求1所述的光模块调试方法,其特征在于,所述预设存储区为服务器的存储区,所述与所述光模块关联的数位电阻寄存器的调试数据包括与所述光模块具有相同电路板组件方案及相同光发射组件型号的光模块的数位电阻寄存器的值。
3.如权利要求1或2所述的光模块调试方法,其特征在于,所述基于从所述预设存储区获取的所述数位电阻寄存器的调试数据的数量,设定所述光模块的数位电阻寄存器的初始寄存器值、最小寄存器值与最大寄存器值,包括:
当所述预设存储区不存在与所述光模块关联的数位电阻寄存器的调试数据时,设定所述初始寄存器值为第二预设值、所述最小寄存器值为第三预设值、所述最大寄存器值为第四预设值;
当所述预设存储区存储的与所述光模块关联的数位电阻寄存器的调试数据的个数大于零且小于或等于第一数量时,设定所述初始寄存器值为所述调试数据的均值,所述最小寄存器值为所述第三预设值,所述最大寄存器值为所述第四预设值。
4.如权利要求1或2所述的光模块调试方法,其特征在于,所述基于从所述预设存储区获取的所述数位电阻寄存器的调试数据的数量,设定所述光模块的数位电阻寄存器的初始寄存器值、最小寄存器值与最大寄存器值,包括:
当所述预设存储区存储的与所述光模块关联的数位电阻寄存器的调试数据的个数大于第一数量时,设定所述初始寄存器值为所述调试数据的正态分布中心值,所述最小寄存器值为所述调试数据的最小值,所述最大寄存器值为所述调试数据的最大值。
5.如权利要求1所述的光模块调试方法,其特征在于,还包括:
当所述光模块的消光比值大于所述消光比最大值或小于所述消光比最小值时,且调整所述光模块的数位电阻寄存器的值的次数大于预设次数时,输出预设调试异常提示信息。
6.如权利要求1所述的光模块调试方法,其特征在于,还包括:
当所述光模块的消光比值小于或等于所述消光比最大值,且大于或等于所述消光比最小值时,获取所述光模块的温度值,及基于所述光模块的温度值与数位电阻寄存器值构建温度与数位电阻寄存器值的查找表。
7.一种电子设备,所述电子设备包括处理器和存储器,所述存储器用于存储指令,其特征在于,所述处理器用于调用所述存储器中的指令,使得所述电子设备执行权利要求1至权利要求6中任一项所述的光模块调试方法。
8.一种光模块调试系统,其特征在于,包括预设存储区及多个光模块调试工位,所述预设存储区为与所述多个光模块调试工位建立有通信连接的服务器,所述多个光模块调试工位中的每个光模块调试工位用于基于权利要求1至权利要求6中任一项所述的光模块调试方法对光模块进行消光比调试。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107425917A (zh) * 2017-08-14 2017-12-01 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光模块的消光比补偿方法及装置
CN111600193A (zh) * 2020-05-28 2020-08-28 成都优博创通信技术有限公司 一种光模块调试方法、装置、电子设备及存储介质

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103475407B (zh) * 2013-08-27 2016-03-30 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 基于eml的光模块下行信道的调试系统
CN111555802B (zh) * 2020-04-10 2023-02-21 南京光通光电技术有限公司 一种光模块光功率及消光比的调试方法
CN111934758B (zh) * 2020-07-28 2022-03-25 长飞光纤光缆股份有限公司 一种光模块发射光功率和眼图的自动调测方法及装置
CN112564787B (zh) * 2020-12-09 2022-09-27 中天通信技术有限公司 光模块的自动调试方法及其装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107425917A (zh) * 2017-08-14 2017-12-01 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光模块的消光比补偿方法及装置
CN111600193A (zh) * 2020-05-28 2020-08-28 成都优博创通信技术有限公司 一种光模块调试方法、装置、电子设备及存储介质

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