CN111586306B - 防过曝光电路结构及应用该电路的电子装置 - Google Patents

防过曝光电路结构及应用该电路的电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111586306B
CN111586306B CN201910341808.9A CN201910341808A CN111586306B CN 111586306 B CN111586306 B CN 111586306B CN 201910341808 A CN201910341808 A CN 201910341808A CN 111586306 B CN111586306 B CN 111586306B
Authority
CN
China
Prior art keywords
coupled
capacitor
switch
comparator
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910341808.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111586306A (zh
Inventor
魏守德
陈韦志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lite On Technology Corp
Original Assignee
Lite On Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lite On Technology Corp filed Critical Lite On Technology Corp
Priority to US16/700,468 priority Critical patent/US11057579B2/en
Publication of CN111586306A publication Critical patent/CN111586306A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111586306B publication Critical patent/CN111586306B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06—Systems determining position data of a target
    • G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/497—Means for monitoring or calibrating

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)

Abstract

本发明公开一种防过曝光电路结构及应用该电路的电子装置，防曝光电路结构包括第一电容、第二电容、光电二极管、第一开关及控制电路。光电二极管耦接于第一电容及第二电容。第一开关串联于光电二极管。控制电路耦接第一开关，以操作在：当第一电容的电存量或第二电容的电存量低于一预设量时，控制第一开关关闭。如此，可防止像素单元过度曝光。

Description

防过曝光电路结构及应用该电路的电子装置
技术领域
本发明涉及一种电路结构及应用该电路的电子装置，且特别涉及一种防过曝光电路结构及应用该电路的电子装置。
背景技术
现有影像撷取装置撷取目标的影像，并通过所撷取的影像分析目标与影像撷取装置的距离。然而，在场景内，可能有近物也有远物。当测距装置所设定的曝光时间短时，影像中的近物较为清楚，但远物就不清楚。反之，当测距装置所设定的曝光时间长时，影像中的远物变得清楚，但近物就会过曝光。因此，如何提供一防过曝光机制是本领域业者努力目标之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防过曝光机制的电路结构及应用该电路的电子装置，以提高所撷取的影像的品质。
根据本发明的一实施例，提出一种防过曝光电路结构。防过曝光电路结构包括一第一电容、一第二电容、一光电二极管、一第一开关及一控制电路。光电二极管(photodiode)耦接于第一电容及第二电容。第一开关串联于光电二极管。控制电路耦接第一开关，以操作在：当该第一电容的电存量或该第二电容的电存量低于一预设量时，控制该第一开关呈断路状态。
根据本发明的另一实施例，提出一种电子装置。电子装置包括前述防过曝光电路结构及一处理器。处理器电性耦接防过曝光电路结构。
本发明实施例的电路结构及应用其的电子装置可防止过度曝光，以提高所撷取的影像的品质。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1绘示依照本发明一实施例的电子装置的功能方框图。
图2A绘示图1的影像感测器的多个像素单元的示意图。
图2B绘示图2A的影像感测器的防过曝光电路结构的一个像素单元的示意图。
图3绘示依照本发明另一实施例的控制电路的示意图。
图4绘示依照本发明另一实施例的控制电路的示意图。
图5绘示依照本发明另一实施例的防过曝光电路结构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的电子装置10的功能方框图。电子装置10例如是摄像装置、测距装置或脸部辨识装置。电子装置10包括影像感测装置11及处理器(processor)12，处理器12电性耦接影像感测装置11，可处理影像感测装置11所提供的信息。影像感测装置11包括光源110、影像感测器120及控制器130。在一实施例中，影像感测器120与控制器130可整合成单一元件。影像感测器120及/或控制器130例如是采用半导体工艺所形成的实体电路结构(circuit)。在一实施例中，影像感测装置11例如是采用飞时测距感测(Time of Flight,ToF)装置。
光源110例如是发光二极管(Light Emitting Diode,LED)或激光二极管(LaserDiode,LD)，其可发出光线L1照射到目标T。光线L1例如是红外光，然本发明实施例不以此为限。光线L1自目标T反射至影像感测器120。影像感测器120将接收的反射光线L1转换成接收信号S1。控制器130可依据影像感测器120所接收到的接收信号S1据以进行对应的计算，并产生一输出值S2给处理器12。输出值S2例如是相位差值，处理器12可依据此相位差值计算电子装置10与目标T之间的距离D1。此外，控制器130可依据飞时测距感测技术取得前述相位差值。
请参照图2A～2B，图2A绘示图1的影像感测器120的多个像素单元P1的示意图，而图2B绘示图2A的影像感测器120的防过曝光电路结构121的一个像素单元P1的示意图。
如图2A及图2B所示，影像感测器120至少包括防过曝光电路结构121，其中防过曝光电路结构121包括多个像素单元P1，图2B仅绘示其中一个像素单元P1的电路结构。如图2A所示，多个像素单元P1可排列成N×M的阵列，其中M及N为等于或大于1的任意正整数，且M与N的值可相等或相异。
如图2B所示，任一像素单元P1包括第一电容C1、第二电容C2、第一开关SW1、第二开关SW2、第三开关SW3、光电二极管(photo diode)1211、控制电路1212、开关R1及R2。光电二极管1211耦接于第一电容C1及第二电容C2。控制电路1212电性耦接第一开关SW1，且用以：当第一电容C1的电存量或第二电容C2的电存量低于一预设量时，控制第一开关SW1关闭(呈断路状态)，以阻止像素单元P1继续曝光，进而防止像素单元P1过度曝光。此处的”预设量”例如是第一电容C1的最高电容量及/或第二电容C2的最高电容量的约10％～约90％之间。
如图2B所示，第二开关SW2电性耦接于第一电容C1与光电二极管的1211之间。第三开关SW3电性耦接于第二电容C2与光电二极管1211之间。
以下说明本发明实施例的像素单元P1启动防过曝光功能的过程。
如图2B所示，在任一像素单元P1中，首先，开关R1及R2导通，以同时对第一电容C1及第二电容C2充电。当第一电容C1及第二电容C2充饱电时，开关R1及R2切换成关闭。然后，可选择性地控制第二开关SW2与第三开关SW3轮流导通或关闭。例如，在一时序，第二开关SW2与第三开关SW3的一者关闭，而第二开关SW2与第三开关SW3的另一者导通；在下一时序，第二开关SW2与第三开关SW3的该者切换成导通，而第二开关SW2与第三开关SW3的该另一者切换成关闭。如此，可让第一电容C1或第二电容C2轮流处于可放电状态。当光电二极管1211接收到光子(如光电二极管1211接收到反射的光线L1)且第一开关SW1处于导通状态时，处于可放电状态的第一电容C1或第二电容C2可将电量放电至一封闭回路。
详细来说，当第二开关SW2导通(同时第三开关SW3关闭)且光电二极管1211接收到光子(光电二极管1211导通)且第一开关SW1处于导通状态时，第一电容C1、第二开关SW2、光电二极管1211与第一开关SW1之间形成第一封闭回路，第一电容C1内的电量可通过第一封闭回路放电，使第一电容C1内的电存量减少。相似地，当第三开关SW3导通(同时第二开关SW2关闭)且光电二极管1211接收到光子(如光电二极管1211接收到反射的光线L1)且第一开关SW1处于导通状态时，第二电容C2、第三开关SW3、光电二极管1211与第一开关SW1之间形成第二封闭回路，第二电容C2内的电存量通过第二封闭回路放电，使第二电容C2内的电存量减少。在第二开关SW2及第三开关SW3的轮流切换时间区间中，当第一电容C1的电存量与第二电容C2的电存量的一者低于预设量时，表示像素单元P1过度曝光，此时控制电路1212可将第一开关SW1切换成关闭，以阻止像素单元P1继续曝光，进而防止像素单元P1过度曝光。如此，即使控制器130将该轮流切换时间区间设定成影像感测装置11的最大曝光时间，像素单元P1仍可在最大曝光时间内视电容的电存量而定自动启动防过曝光功能。在一实施例中，最大曝光时间例如是1毫秒(ms)、更短或更长。此处的”曝光时间”的定义为：若是针对第一电容C1电容而言，指的是光源110的发光时间且第二开关SW2是处于导通状态；若是针对第二电容C2而言，指的是光源110的发光时间且第三开关SW3是处于导通状态。
防过曝光电路结构121在其它像素单元P1的运作类似或同于前述像素单元P1，于此不再赘述。依据前述运作原理，在防过曝光电路结构121的多个像素单元P1中，依据各像素单元P1的电存量，可能一个或一些像素单元P1的第一开关SW1关闭(表示此个或此些像素单元P1不再继续曝光)，而其余像素单元P1的第一开关SW1导通(表示此其余像素单元P1继续曝光)；或者，可能所有像素单元P1的第一开关SW1关闭或导通。
控制器130可依据防过曝光电路结构121的各像素单元P1的第一电容C1的电存量及第二电容C2的电存量去计算各像素单元P1与目标T之间的距离D1，因此可获得目标T的表面TS(表面TS绘示于图1)的立体(3D)轮廓。由于各像素单元P1可独立启动防过曝光机制，因此可降低过曝光的像素单元P1的数量，甚至是避免任一个像素单元P1过曝光，故而能提升所取得的表面TS的影像的分辨率，进而提高表面TS的立体轮廓的整体分辨率。
此外，如图2B所示，第一开关SW1例如是NPN型双极性接面型晶体管(bipolarjunction transistor,BJT)，然只要能够与控制电路1212搭配，或适当修改控制电路1212，第一开关SW1亦可为PNP型双极性晶体管、P型或N型金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)或其它种类的开关电路结构。
如图2B所示，控制电路1212例如是比较器。控制电路1212具有输出端1212a、正相输入端1212b及反相输入端1212c。输出端1212a耦接第一开关SW1，反相输入端1212c耦接参考电压Vref，而正相输入端1212b耦接第一电容C1的电压V1或第二电容C2的电压V2，其中电压V1例如是节点A的电压值，其表示第一电容C1的电存量，电压V1与第一电容C1的电存量呈正比，而电压V2例如是节点B的电压值，其表示第二电容C2的电存量，电压V2与第二电容C2的电存量呈正比。在本例子中，当电压V1或电压V2低于参考电压Vref时，表示像素单元P1过度曝光，此时控制电路1212的输出端1212a输出一低位准信号(如：0)，以将第一开关SW1关闭，进而阻止像素单元P1继续曝光。
在另一实施例中，第一开关SW1例如是PNP型双极性接面型晶体管，反相输入端1212c耦接第一电容C1的电压V1或第二电容C2的电压V2，而正相输入端1212b耦接参考电压Vref，在此情况下，当参考电压Vref高于电压V1或电压V2时，表示像素单元P1过度曝光，此时控制电路1212的输出端1212a输出一高位准信号(如：1)，同样可将第一开关SW1关闭，进而阻止像素单元P1继续曝光。
如图3所示，其绘示依照本发明另一实施例的控制电路1212’的示意图。图1的电子装置10的影像感测器120的控制电路1212可由控制电路1212’取代，仍可达到相同的技术功效。
如图3所示，控制电路1212’包括一逻辑栅极、第一比较器1213及第二比较器1214。逻辑栅极例如是及(AND)逻辑栅极1215。第一比较器1213具有第一输出端1213a、第一正相输入端1213b及第一反相输入端1213c，其中第一反相输入端1213c电性耦接参考电压Vref，而第一正相输入端1213b电性耦接第一电容C1的电压V1。第二比较器1214具有第二输出端1214a、第二正相输入端1214b及第二反相输入端1214c，其中第二反相输入端1214c电性耦接参考电压Vref，而第二正相输入端1214b电性耦接第二电容C2的电压V2。及逻辑栅极1215包括栅极输出端1215a、第一栅极输入端1215b及第二栅极输入端1215c。栅极输出端1215a电性耦接第一开关SW1’，第一比较器1213的第一输出端1213a电性耦接第一栅极输入端1215b，而第二比较器1214的第二输出端1214a电性耦接第二栅极输入端1215c。第一开关SW1’可具有类似或同于第一开关SW1的结构，于此不再赘述。
如图3所示，当电压V1高于参考电压Vref时，第一比较器1213输出高位准信号，当电压V1低于参考电压Vref时，第一比较器1213输出低位准信号。相似地，当电压V2高于参考电压Vref时，第二比较器1214输出高位准信号，当电压V2低于参考电压Vref时，第二比较器1214输出低位准信号。当及逻辑栅极1215的第一栅极输入端1215b及第二栅极输入端1215c的输入值皆为高位准信号(表示第一电容C1的电存量及第二电容C2的电存量皆高于预设量)时，及逻辑栅极1215的栅极输出端1215a输出高位准信号，使第一开关SW1’导通(像素单元P1继续曝光)。当电压V1与电压V2的至少一者低于参考电压Vref时，及逻辑栅极1215的栅极输出端1215a输出低位准信号，使第一开关SW1’关闭，以防止像素单元P1过度曝光。
请参照图4，其绘示依照本发明另一实施例的控制电路2212的示意图。图1的电子装置10的影像感测器120的控制电路1212可以控制电路2212取代，仍可达到相同的技术功效。
如图4所示，控制电路2212包括第一比较器2213、第二比较器2214及一或(OR)逻辑栅极2215。第一比较器2213具有第一输出端2213a、第一正相输入端2213b及第一反相输入端2213c，其中第一反相输入端2213c电性耦接第一电容C1的电压V1，而第一正相输入端2213b电性耦接参考电压Vref。第二比较器2214具有第二输出端2214a、第二正相输入端2214b及第二反相输入端2214c，其中第二反相输入端2214c电性耦接第二电容C2的电压V2，而第二正相输入端2214b电性耦接参考电压Vref。或逻辑栅极2215包括栅极输出端2215a、第一栅极输入端2215b及第二栅极输入端2215c。栅极输出端2215a电性耦接第一开关SW1的栅极，第一比较器2213的第一输出端2213a电性耦接第一栅极输入端2215b，而第二比较器2214的第二输出端2214a电性耦接第二栅极输入端2215c。
如图4所示，当参考电压Vref高于电压V1时，第一比较器1213输出高位准信号，当参考电压Vref低于电压V1时，第一比较器1213输出低位准信号。相似地，当参考电压Vref高于电压V2时，第二比较器1214输出高位准信号，当参考电压Vref低于电压V2时，第二比较器1214输出低位准信号。当或逻辑栅极2215的第一栅极输入端2215b及第二栅极输入端2215c的输入值皆为低位准信号(表示第一电容C1的电存量及第二电容C2的电存量皆高于预设量)时，或逻辑栅极2215的栅极输出端2215a输出低位准信号，使第一开关SW1保持导通(像素单元P1继续曝光)。当电压V1与电压V2的至少一者低于参考电压Vref时，或逻辑栅极2215的栅极输出端1215a输出高位准信号，使第一开关SW1关闭，以避免像素单元P1过度曝光。在此例子中，第一开关SW1例如是P型金氧半场效晶体管，以依据来自于或逻辑栅极2215的低位准信号切换成导通，及依据来自于或逻辑栅极2215的高位准信号切换成关闭。在另一实施例中，只要能防止像素单元P1过度曝光，在适当改变控制电路2212的设计下，第一开关SW1亦可为PNP型双极性晶体管、NPN型双极性晶体管、N型金氧半场效晶体管或其它类型开关。
请参照图5，其绘示依照本发明另一实施例的防过曝光电路结构321的示意图。图1的电子装置10的影像感测器120的防过曝光电路结构121可以防过曝光电路结构321取代，仍可达到相同的技术功效。
本实施例的防过曝光电路结构321具有与前述防过曝光电路结构121相同或相似的特征，不同处在于，防过曝光电路结构321的全部像素单元P1的至少一些可共用一个控制电路1212，如此可简化线路布局复杂度及/或减少电路工艺成本。举例来说，如图5所示，三个像素单元P1的三个第一开关SW1以并联方式耦接于一个控制电路1212，其中控制电路1212可同时将三个像素单元P1的三个第一开关SW1切换成关闭，以避免三个像素单元P1过度曝光。在另一实施例中，一个控制电路1212可并联于少于或多于三个像素单元P1，如并联于二个、四个或更多像素单元P1。在另一实施例中，防过曝光电路结构321的控制电路1212也可由前述控制电路1212’或2212取代。
此外，图5所示的共用一个控制电路1212的此些像素单元P1可定义为一像素群。在一实施例中，防过曝光电路结构321可包含至少一个像素群。像素群的数量与防过曝光电路结构321的控制电路1212的数量相同。如图5所示，多个像素单元P1彼此相邻。详言之，由于相邻的多个像素单元P1所接收到的反射的光线L1的光特性(如光强)相近，因此即使共用一个控制电路1212，仍可获得预期的摄像品质。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (14)

1.一种防过曝光电路结构，其特征在于，包括：
一第一电容；
一第二电容；
一光电二极管，耦接于该第一电容及该第二电容；
一第一开关，耦接于该光电二极管的正极；以及
一控制电路，耦接该第一开关，以操作在：
当该第一电容的电存量或该第二电容的电存量低于一预设量时，控制该第一开关呈断路状态。
2.如权利要求1所述的防过曝光电路结构，其特征在于，该控制电路至少包含一比较器，该比较器的一输出端耦接该第一开关，该比较器的一输入端耦接一参考电压，而该比较器的另一输入端耦接该第一电容或该第二电容的电压。
3.如权利要求1所述的防过曝光电路结构，其特征在于，该控制电路包括：
一第一比较器，该第一比较器的一输入端耦接一参考电压，而该第一比较器的另一输入端耦接该第一电容的电压，该第一比较器还具有一第一输出端；
一第二比较器，该第二比较器的一输入端耦接一参考电压，而该第二比较器的另一输入端耦接该第二电容的电压，该第二比较器还具有一第二输出端；以及
一逻辑栅极，包括一栅极输出端、一第一栅极输入端及一第二栅极输入端；
其中，该栅极输出端耦接该开关，该第一输出端耦接该第一栅极输入端，而该第二输出端耦接该第二栅极输入端。
4.如权利要求3所述的防过曝光电路结构，其特征在于，该第一开关为一金氧半场效晶体管，该逻辑栅极的该栅极输出端耦接于该第一开关的栅极。
5.如权利要求1所述的防过曝光电路结构，其特征在于，该第一电容、该第二电容、该光电二极管与该第一开关组成一像素单元，该防过曝光电路结构包括多个该像素单元，该些像素单元的该些第一开关耦接于该控制电路。
6.如权利要求5所述的防过曝光电路结构，其特征在于，该些像素单元彼此相邻。
7.如权利要求5所述的防过曝光电路结构，其特征在于，耦接于该控制电路的该些像素单元组成一像素群，该防过曝光电路包括多个该像素群。
8.一种电子装置，其特征在于，包括：
一如权利要求1所述的防过曝光电路结构；以及
一处理器，电性耦接该防过曝光电路结构。
9.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于，该控制电路至少包含一比较器；
其中，该比较器的一输出端耦接该第一开关，该比较器的一输入端耦接一参考电压，而该比较器的另一输入端耦接该第一电容的电压或该第二电容的电压。
10.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于，该控制电路包括：
一第一比较器，该第一比较器的一输入端耦接一参考电压，而该第一比较器的另一输入端耦接该第一电容的电压，该第一比较器还具有一第一输出端；
一第二比较器，该第二比较器的一输入端耦接该参考电压，而该第二比较器的另一输入端耦接该第二电容的电压，该第二比较器还具有一第二输出端；以及
一逻辑栅极，包括一栅极输出端、一第一栅极输入端及一第二栅极输入端；
其中，该栅极输出端耦接该开关，该第一输出端耦接该第一栅极输入端，而该第二输出端耦接该第二栅极输入端。
11.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该第一开关为一金氧半场效晶体管，该逻辑栅极的该栅极输出端耦接于该第一开关的栅极。
12.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于，该第一电容、该第二电容、该光电二极管与该第一开关组成一像素单元，该防过曝光电路结构包括多个该像素单元，该些像素单元的该些第一开关耦接于该控制电路。
13.如权利要求12所述的电子装置，其特征在于，该些像素单元彼此相邻。
14.如权利要求12所述的电子装置，其特征在于，耦接于该控制电路的该些像素单元组成一像素群，该防过曝光电路结构包括多个该像素群。
CN201910341808.9A 2019-02-19 2019-04-25 防过曝光电路结构及应用该电路的电子装置 Active CN111586306B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/700,468 US11057579B2 (en) 2019-02-19 2019-12-02 Anti-overexposure circuit structure and electronic device using the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962807246P 2019-02-19 2019-02-19
US62/807,246 2019-02-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111586306A CN111586306A (zh) 2020-08-25
CN111586306B true CN111586306B (zh) 2022-02-01

Family

ID=72110768

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910263049.9A Pending CN111580117A (zh) 2019-02-19 2019-04-02 飞时测距感测系统的控制方法
CN201910341808.9A Active CN111586306B (zh) 2019-02-19 2019-04-25 防过曝光电路结构及应用该电路的电子装置
CN201910435784.3A Active CN111586307B (zh) 2019-02-19 2019-05-23 曝光方法及应用该方法的影像感测装置
CN201910541119.2A Active CN111580067B (zh) 2019-02-19 2019-06-21 基于飞行时间测距的运算装置、感测装置及处理方法
CN201910971700.8A Active CN111624612B (zh) 2019-02-19 2019-10-14 飞行时间相机模块的验证方法及其验证系统

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910263049.9A Pending CN111580117A (zh) 2019-02-19 2019-04-02 飞时测距感测系统的控制方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910435784.3A Active CN111586307B (zh) 2019-02-19 2019-05-23 曝光方法及应用该方法的影像感测装置
CN201910541119.2A Active CN111580067B (zh) 2019-02-19 2019-06-21 基于飞行时间测距的运算装置、感测装置及处理方法
CN201910971700.8A Active CN111624612B (zh) 2019-02-19 2019-10-14 飞行时间相机模块的验证方法及其验证系统

Country Status (2)

Country Link
CN (5) CN111580117A (zh)
TW (2) TWI741291B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112954230B (zh) * 2021-02-08 2022-09-09 深圳市汇顶科技股份有限公司 深度测量方法、芯片和电子设备
CN113298778B (zh) * 2021-05-21 2023-04-07 奥比中光科技集团股份有限公司 一种基于飞行时间的深度计算方法、系统及存储介质
CN113219476B (zh) * 2021-07-08 2021-09-28 武汉市聚芯微电子有限责任公司 测距方法、终端及存储介质
TWI762387B (zh) * 2021-07-16 2022-04-21 台達電子工業股份有限公司 飛行測距裝置及其檢測方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002139818A (ja) * 2000-11-01 2002-05-17 Fuji Photo Film Co Ltd レンズ付きフイルムユニット
WO2008101764A1 (en) * 2007-02-25 2008-08-28 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Charge pump electronic ballast for use with low input voltage
CN102735910A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 中山大学 最大峰值电压侦测电路
CN106504688A (zh) * 2015-09-08 2017-03-15 原相科技(槟城)有限公司 双极结晶体管像素电路、图像系统及其运作方法
CN107040732A (zh) * 2016-02-03 2017-08-11 原相科技股份有限公司 影像感测电路及方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008209298A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Fujifilm Corp 測距装置及び測距方法
CN102378920B (zh) * 2009-02-27 2014-01-08 松下电器产业株式会社 测距设备
US9456152B2 (en) * 2011-07-12 2016-09-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Device and method for blur processing
CN103181156B (zh) * 2011-07-12 2017-09-01 三星电子株式会社 模糊处理装置及方法
EP2728374B1 (de) * 2012-10-30 2016-12-28 Technische Universität Darmstadt Erfindung betreffend die Hand-Auge-Kalibrierung von Kameras, insbesondere Tiefenbildkameras
AT513589B1 (de) * 2012-11-08 2015-11-15 Bluetechnix Gmbh Aufnahmeverfahren für zumindest zwei ToF-Kameras
US9019480B2 (en) * 2013-02-26 2015-04-28 Jds Uniphase Corporation Time-of-flight (TOF) system, sensor pixel, and method
US9681123B2 (en) * 2014-04-04 2017-06-13 Microsoft Technology Licensing, Llc Time-of-flight phase-offset calibration
US9641830B2 (en) * 2014-04-08 2017-05-02 Lucasfilm Entertainment Company Ltd. Automated camera calibration methods and systems
WO2015190015A1 (ja) * 2014-06-09 2015-12-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 測距装置
TWI545951B (zh) * 2014-07-01 2016-08-11 晶相光電股份有限公司 感測器以及感測方法
EP2978216B1 (de) * 2014-07-24 2017-08-16 Espros Photonics AG Verfahren zur Erkennung von Bewegungsunschärfe
JP6280002B2 (ja) * 2014-08-22 2018-02-14 浜松ホトニクス株式会社 測距方法及び測距装置
US10061029B2 (en) * 2015-01-06 2018-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Correction of depth images from T-O-F 3D camera with electronic-rolling-shutter for light modulation changes taking place during light integration
CN104677277B (zh) * 2015-02-16 2017-06-06 武汉天远视科技有限责任公司 一种测量物体几何属性或距离的方法及系统
CN106152947B (zh) * 2015-03-31 2019-11-29 北京京东尚科信息技术有限公司 测量物体尺寸的设备、方法和装置
US9945936B2 (en) * 2015-05-27 2018-04-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Reduction in camera to camera interference in depth measurements using spread spectrum
JP6698655B2 (ja) * 2015-07-22 2020-05-27 パナソニック株式会社 測距装置
TWI575248B (zh) * 2015-09-10 2017-03-21 義明科技股份有限公司 非接觸式光學感測裝置及感測三維空間之物件深度位置的方法
TWI557393B (zh) * 2015-10-08 2016-11-11 微星科技股份有限公司 雷射測距校正方法與應用此方法的裝置
US10057526B2 (en) * 2015-11-13 2018-08-21 Pixart Imaging Inc. Pixel circuit with low power consumption, image system including the same and operating method thereof
US9762824B2 (en) * 2015-12-30 2017-09-12 Raytheon Company Gain adaptable unit cell
CN106997582A (zh) * 2016-01-22 2017-08-01 北京三星通信技术研究有限公司 飞行时间三维传感器的运动模糊消除方法和设备
US10516875B2 (en) * 2016-01-22 2019-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for obtaining depth image by using time-of-flight sensor
CN107229056A (zh) * 2016-03-23 2017-10-03 松下知识产权经营株式会社 图像处理装置、图像处理方法以及记录介质
KR20180021509A (ko) * 2016-08-22 2018-03-05 삼성전자주식회사 거리 정보를 획득하는 방법 및 디바이스
US10762651B2 (en) * 2016-09-30 2020-09-01 Magic Leap, Inc. Real time calibration for time-of-flight depth measurement
JP6862751B2 (ja) * 2016-10-14 2021-04-21 富士通株式会社 距離測定装置、距離測定方法及びプログラム
CN108616726A (zh) * 2016-12-21 2018-10-02 光宝电子(广州)有限公司 基于结构光的曝光控制方法及曝光控制装置
US20180189977A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Analog Devices Global Light detector calibrating a time-of-flight optical system
US10557921B2 (en) * 2017-01-23 2020-02-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Active brightness-based strategy for invalidating pixels in time-of-flight depth-sensing
CN108700664A (zh) * 2017-02-06 2018-10-23 松下知识产权经营株式会社 三维运动取得装置及三维运动取得方法
CN110300899B (zh) * 2017-02-17 2023-06-23 北阳电机株式会社 物体捕捉装置
WO2018235163A1 (ja) * 2017-06-20 2018-12-27 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント キャリブレーション装置、キャリブレーション用チャート、チャートパターン生成装置、およびキャリブレーション方法
EP3418681B1 (en) * 2017-06-22 2020-06-17 Hexagon Technology Center GmbH Calibration of a triangulation sensor
TWI622960B (zh) * 2017-11-10 2018-05-01 財團法人工業技術研究院 深度影像擷取裝置的校正方法
CN108401098A (zh) * 2018-05-15 2018-08-14 绍兴知威光电科技有限公司 一种tof深度相机系统及其降低外部误差的方法
CN112363150B (zh) * 2018-08-22 2024-05-28 Oppo广东移动通信有限公司 标定方法、标定控制器、电子装置及标定系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002139818A (ja) * 2000-11-01 2002-05-17 Fuji Photo Film Co Ltd レンズ付きフイルムユニット
WO2008101764A1 (en) * 2007-02-25 2008-08-28 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Charge pump electronic ballast for use with low input voltage
CN102735910A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 中山大学 最大峰值电压侦测电路
CN106504688A (zh) * 2015-09-08 2017-03-15 原相科技(槟城)有限公司 双极结晶体管像素电路、图像系统及其运作方法
CN107040732A (zh) * 2016-02-03 2017-08-11 原相科技股份有限公司 影像感测电路及方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI741291B (zh) 2021-10-01
CN111580117A (zh) 2020-08-25
CN111624612B (zh) 2023-04-07
CN111624612A (zh) 2020-09-04
CN111586306A (zh) 2020-08-25
CN111586307A (zh) 2020-08-25
CN111580067A (zh) 2020-08-25
TW202032154A (zh) 2020-09-01
CN111586307B (zh) 2021-11-02
CN111580067B (zh) 2022-12-02
TWI696841B (zh) 2020-06-21
TW202032155A (zh) 2020-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111586306B (zh) 防过曝光电路结构及应用该电路的电子装置
US11917316B2 (en) Image sensor including pixel circuits
US10957724B2 (en) Single-photon avalanche diode image sensor with photon counting and time-of-flight detection capabilities
CN103140926B (zh) 固态成像装置
CN102265605B (zh) 固体拍摄元件及其控制方法
US20150144790A1 (en) Video and 3d time-of-flight image sensors
JP4650249B2 (ja) 撮像装置
US8379127B2 (en) Pixel sensor array including comparator and image sensor including the same
CN108061599B (zh) 光检测电路及其检测方法、光检测装置
US9948876B2 (en) Charge conservation in pixels
US11953597B2 (en) Distance sensor, distance measurement device, and image sensor
JP2555887B2 (ja) トランスファー型ソリッドステートリレー
CN111722204A (zh) 具有减少的晶体管计数像素的飞行时间传感器
EP4099049A1 (en) Depth acquisition assembly and electronic device
US11057579B2 (en) Anti-overexposure circuit structure and electronic device using the same
CN109643523B (zh) 像素电路以及图像传感系统
US9412784B1 (en) Pre-flash time adjusting circuit and image sensor using the same
CN106716517B (zh) 用于运行双向显示器的方法
JP2014173842A (ja) 発光素子駆動装置、その制御方法、光学式エンコーダ、およびカメラ
KR20070073207A (ko) ＣＭＯＳ이미지 센서에 있어부스팅(Ｂｏｏｓｔｉｎｇ)회로를 구비한 ＡＰＳ
EP0100368B1 (en) Solid-state image pickup device
WO2020109479A1 (en) Pixel drive voltage generation using a charge pump
US4367936A (en) Switching control system
US3626193A (en) Random access solid-state image scanner
KR20190114328A (ko) 전자 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant