CN111584742A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例中公开了一种显示面板及其制备方法,包括发光层和薄膜封装层,所述薄膜封装层包括纵向上依次堆叠在所述发光层上的第一无机层、有机层和第二无机层,所述第一无机层、所述有机层和所述第二无机层中的一层或多层具有多个横截面为凸透镜形状的凸起,本发明实施例通过将TFE层的部分结构设计成透镜形状,利用凸透镜的光学物理特性,能对像素发出的光进行汇聚作用,从而提高出光效率,修正出光方向,这样每一个子像素的汇聚出光能提高整块显示面板的光学效果。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED显示技术较之当前主流的液晶显示技术,具有对比度高、色域广、柔性、轻薄、节能等突出优点。近年来OLED显示技术逐渐在智能手机和平板电脑等移动设备、智能手表等柔性可穿戴设备、大尺寸曲面电视、白光照明等领域普及,发展势头强劲。
具体来讲,其中OLED器件通常设于薄膜晶体管阵列基板(简称TFT基板)上,包括依次形成于TFT基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层与阴极。其中所述TFT基板中的TFT作为OLED的开关器件和驱动器件。其中OLED显示器与传统的液晶显示器的最大差异在于OLED无需采用背光灯,而是通过电子和空穴这两种载流子注入有机发光层并在有机发光层内复合发光。有机发光层对大气中的水汽以及氧气都非常敏感,在含有水汽、氧气的环境中容易发生电化学腐蚀,对OLED器件造成损害,所以水/氧渗透会大大缩减OLED器件的寿命。对此,业界采用封装结构对OLED进行封装以隔绝外界的水、氧,保护内部的OLED器件。
其中目前业界主流的OLED封装方式为TFE(Thin Film Encapsulation,薄膜封装),以阻止水汽、氧气进入到OLED内部。但是中大尺寸的面板TFE可靠性差,容易导致水、氧进入,进而使得其内的有机发光层失效。目前,最常见的薄膜封装采用无机金属层/有机缓冲层/无机金属层交替的方式,无机材料用于阻隔水氧,有机材料用于有效的覆盖颗粒物以及缓冲弯曲、折叠过程中的应力。
但是这种模式存在以下缺点:由于OLED自发光特性,OLED画像显示为R、G、B像素发光的排列组合结果,每块屏幕上规则排列了上亿枚像素。由光的物理性质可知,光在不同介质中传播时会发生折射现象,以当前的OLED结构为例,TFE封装层对像素发光就存在着折射作用,且此作用是不益的,上亿枚像素的叠加结果就是出光效率低,光色不准,影响整块屏幕的光学效果。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法,旨在解决因像素发光经过TFE封装层产生的折射作用,导致OLED显示面板的出光效率低,光色不准,光学效果差的现象。
为解决上述问题,第一方面,本申请提供一种显示面板,所述显示面板包括发光层和薄膜封装层,所述薄膜封装层包括纵向上依次堆叠在所述发光层上的第一无机层、有机层和第二无机层,所述第一无机层、所述有机层和所述第二无机层中的一层或多层具有多个横截面为凸透镜形状的凸起。
进一步的,所述凸起呈阵列排布,每一个所述凸起覆盖至少一个子像素区域。
进一步的,在所述薄膜封装层中,存在一层具有多个横截面为凸透镜形状的凸起,该层为所述有机层。
进一步的,所述第一无机层或所述第二无机层在靠近所述有机层的一面具有嵌合所述凸起的凹槽结构。
进一步的,所述凸起的高度不超过所述第一无机层或所述第二无机层的厚度。
进一步的,所述凸起存在于有机层的两面,呈对称分布。
第二方面,本申请提供一种显示面板的制备方法,所述方法包括:
制备发光层;
在发光层上镀膜形成第一无机层;
将所述第一无机层远离所述发光层的一面进行曝光、蚀刻,以得到多个凹槽;
在所述第一无机层上通过异形打印制备有机层,其中所述有机层的底面具有嵌合所述凹槽的凸起;
在所述有机层上镀膜,形成第二无机层。进一步的,所述镀膜方法为等离子体化学气相沉积法;所述异形打印方法为喷墨打印法。
进一步的,所述凸起呈阵列排布,每一个所述的凸起覆盖至少一个子像素区域。
进一步的,所述凸起的高度不超过所述第一无机层或所述第二无机层的厚度。
进一步的,所述有机层的顶面也具有多个所述凸起,与所述有机层的底面的凸起呈对称分布。
第三方面,本申请提供一种显示装置,所述显示装置包括如第一方面所述的显示面板。
有益效果:本发明实施例中提供一种显示面板,由于显示面板光学显示效果与光色和出光效率有关,而TFE层因为传播介质的不同,对光有折射作用,从而影响了光色和出光效率,本发明实施例通过将TFE层的部分结构设计成透镜形状,利用凸透镜的光学物理特性,能对像素发出的光进行汇聚作用,从而提高出光效率,修正出光方向,这样每一个子像素的汇聚出光能提高整块显示面板的光学效果。
本发明实施例中还提供一种显示面板的制备方法,在原有的方法基础上,对TFE层的制备方法进行改进,因为仅仅加入了曝光、蚀刻的过程和改变了异形打印的形状,操作简单可控,为显示面板的制作提供了一种新的思路。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有的OLED显示面板中TFE层的结构示意图;
图2是本发明实施例提供一种TFE层的结构示意图;
图3是现有的OLED显示面板的结构示意图;
图4是本实施例中提供一种完成步骤S30后的OLED显示面板的中间件结构示意图;
图5是本实施例中提供一种完成步骤S40后的OLED显示面板的中间件结构示意图;
图6是本实施例中提供一种完成步骤S50后的OLED显示面板的中间件结构示意图;
图7是本实施例中提供一种显示面板的制备方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
由于OLED自发光特性,OLED画像显示为R、G、B像素发光的排列组合结果,每块屏幕上规则排列了上亿枚像素。由光的物理性质可知,光在不同介质中传播时会发生折射现象,以当前的OLED结构为例,TFE封装层对像素发光就存在着折射作用,且此作用是不益的,上亿枚像素的叠加结果就是出光效率低,光色不准,影响整块屏幕的光学效果。
参阅图1和图3,图1表示现有的OLED显示面板中TFE层的结构示意图,包括:第一无机层30-1、有机层40-1、第二无机层50-1;图3表示现有的OLED显示面板,包括:PLN层(平坦化层)10、PDL层(像素定义层)20、第一无机层30-1、有机层40-1、第二无机层50-1。
基于此,本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法,以下分别进行详细说明。
首先,本发明实施例中提供一种显示面板,所述显示面板包括发光层和薄膜封装层,所述薄膜封装层包括纵向上依次堆叠在所述发光层上的第一无机层、有机层和第二无机层,所述第一无机层、所述有机层和所述第二无机层中的一层或多层具有多个横截面为凸透镜形状的凸起。
参阅图2,为本发明实施例提供一种TFE层的结构示意图,包括:第一无机层30-2、有机层40-2、第二无机层50-2
具体的,所述发光层为OLED发光层。
在上述实施例的基础上,在本申请的另一个具体实施例中,所述凸起呈阵列排布,每一个所述凸起覆盖至少一个子像素区域。
一般说来,覆盖的子像素区域为子像素的发光区域。
优选的,每一个凸起对应一个子像素区域,每一个子像素区域均被覆盖,在这种条件下,显示面板的显示效果更好。
在本申请的另一个具体实施例中,在所述薄膜封装层中,存在一层具有多个横截面为凸透镜形状的凸起,该层为所述有机层。
具体的,第一无机层和第二无机层不具有凸起。
在上述实施例的基础上,在本申请的另一个具体实施例中,所述第一无机层或所述第二无机层在靠近所述有机层的一面具有嵌合所述凸起的凹槽结构。
具体的,所述凹槽通过将所述有机层进行曝光、蚀刻得到。
在上述实施例的基础上,在本申请的另一个具体实施例中,所述凸起的高度不超过所述第一无机层或所述第二无机层的厚度。
在本申请的另一个具体实施例中,所述凸起存在于有机层的单面或两面。
优选的,存在于有机层的两面,并且呈对称分布,在这种情况下,光的汇聚作用更强,显示效果更好。
需要说明的是,上述显示面板实施例中仅描述了上述结构,可以理解的是,除了上述结构之外,本发明实施例显示面板中,还可以根据需要包括任何其他的必要结构,例如基板层,TFT层等,具体此处不作限定。
本发明实施例中通过提供一种显示面板,由于显示面板光学显示效果与光色和出光效率有关,而TFE层因为传播介质的不同,对光有折射作用,从而影响了光色和出光效率,本发明实施例通过将TFE层的部分结构设计成透镜形状,利用凸透镜的光学物理特性,能对像素发出的光进行汇聚作用,从而提高出光效率,修正出光方向,这样每一个子像素的汇聚出光能提高整块显示面板的光学效果。
为了更好实施本发明实施例中显示面板,在显示面板的基础之上,本发明实施例中还提供一种显示面板的制备方法,所述方法包括:
S10制备发光层;
S20在发光层上镀膜形成第一无机层;
S30将所述第一无机层远离所述发光层的一面进行曝光、蚀刻,以得到多个凹槽;
参阅图4,为本实施例中提供的一种完成步骤S30后的OLED显示面板的中间件结构示意图。
S40在所述第一无机层上通过异形打印制备有机层,其中所述有机层的底面具有嵌合所述凹槽的凸起;
参阅图5,为本实施例中提供的一种完成步骤S30后的OLED显示面板的中间件结构示意图。
S50在所述有机层上镀膜,形成第二无机层。
参阅图6,为本实施例中提供的一种完成步骤S50后的OLED显示面板的中间件结构示意图。
具体的,所述发光层为OLED发光层。
参阅图7,图7是本实施例中提供一种显示面板的制备方法流程示意图。
在上述实施例的基础上,在本申请的另一个具体实施例中,所述镀膜方法为等离子体化学气相沉积法。
具体的,S10实施过程为提供一发光层,在蒸镀制程完成后采用等离子体化学气相沉积直接在所述发光层上沉积一平坦薄膜。
蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。本发明实施例中,蚀刻过程包括曝光、显影。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dryetching)两类,本发明实施例不做具体限定,只要能使材料通过蚀刻技术得到多个凹槽即可。
等离子体化学气相沉积法(Plasma Chemical Vapor Deposition,PCVD),是指借助等离子体使含有薄膜组成原子的气态物质发生化学反应,在基片上沉积成膜的一种方式,适用于功能材料薄膜和化合物膜。本发明实施例中,CVD工艺等离子产生的方法包括:射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体CVD等。
在上述实施例的基础上,在本申请的另一个具体实施例中,所述异形打印方法为喷墨打印法(Ink Jet Printing,IJP)。
在上述实施例的基础上,在本申请的另一个具体实施例中,所述凸起呈阵列排布,每一个所述的凸起覆盖至少一个子像素区域。
在上述实施例的基础上,在本申请的另一个具体实施例中,所述有机层的顶面也具有多个所述凸起,与所述有机层的底面的凸起呈对称分布。
具体的,所述凸起的高度不超过所述第一无机层或所述第二无机层的厚度。
具体的,所述凸起存在于有机层的两面,呈对称分布。
本发明实施例中还提供一种显示面板的制备方法,在原有的方法基础上,对TFE层的制备方法进行改进,因为仅仅加入了曝光、蚀刻的过程和改变了异形打印的形状,操作简单可控,为显示面板的制作提供了一种新的思路。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见上文其他实施例中的详细描述,此处不再赘述。
具体实施时,以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现,也可以进行任意组合,作为同一或若干个实体来实现,以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例,在此不再赘述。
以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例,在此不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括发光层和薄膜封装层,所述薄膜封装层包括纵向上依次堆叠在所述发光层上的第一无机层、有机层和第二无机层,所述第一无机层、所述有机层和所述第二无机层中的一层或多层具有多个横截面为凸透镜形状的凸起。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凸起呈阵列排布,每一个所述凸起覆盖至少一个子像素区域。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述薄膜封装层中,存在一层具有多个横截面为凸透镜形状的凸起,该层为所述有机层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一无机层或所述第二无机层在靠近所述有机层的一面具有嵌合所述凸起的凹槽结构。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述凸起的高度不超过所述第一无机层或所述第二无机层的厚度。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述凸起存在于所述有机层的两面,呈对称分布。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
制备发光层;
在发光层上镀膜形成第一无机层;
将所述第一无机层远离所述发光层的一面进行曝光、蚀刻,以得到多个凹槽;
在所述第一无机层上通过异形打印制备有机层,其中所述有机层的底面具有嵌合所述凹槽的凸起;
在所述有机层上镀膜,形成第二无机层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述有机层的顶面也具有多个所述凸起,与所述有机层的底面的凸起呈对称分布。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述镀膜方法为等离子体化学气相沉积法;所述异形打印方法为喷墨打印法。
10.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述凸起呈阵列排布,每一个所述的凸起覆盖至少一个子像素区域。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112466914A (zh) * 2020-11-18 2021-03-09 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基oled全彩器件结构及其制作方法
CN113363403A (zh) * 2021-06-09 2021-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4073510B2 (ja) * 1996-12-13 2008-04-09 出光興産株式会社 有機el発光装置
CN102217114A (zh) * 2008-10-02 2011-10-12 剑桥显示技术有限公司 有机电致发光器件
US20140339509A1 (en) * 2013-05-16 2014-11-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus
CN107026239A (zh) * 2016-09-22 2017-08-08 广东聚华印刷显示技术有限公司 有机电致发光器件及其制备方法和应用
CN109166891A (zh) * 2018-08-30 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN109192766A (zh) * 2018-09-30 2019-01-11 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
CN109309169A (zh) * 2017-07-26 2019-02-05 上海和辉光电有限公司 一种有机发光显示面板及其制作方法
CN208753371U (zh) * 2018-11-02 2019-04-16 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及显示装置
CN110265571A (zh) * 2019-06-12 2019-09-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 封装体、显示面板及显示面板的封装方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4073510B2 (ja) * 1996-12-13 2008-04-09 出光興産株式会社 有機el発光装置
CN102217114A (zh) * 2008-10-02 2011-10-12 剑桥显示技术有限公司 有机电致发光器件
US20140339509A1 (en) * 2013-05-16 2014-11-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus
CN107026239A (zh) * 2016-09-22 2017-08-08 广东聚华印刷显示技术有限公司 有机电致发光器件及其制备方法和应用
CN109309169A (zh) * 2017-07-26 2019-02-05 上海和辉光电有限公司 一种有机发光显示面板及其制作方法
CN109166891A (zh) * 2018-08-30 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN109192766A (zh) * 2018-09-30 2019-01-11 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
CN208753371U (zh) * 2018-11-02 2019-04-16 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及显示装置
CN110265571A (zh) * 2019-06-12 2019-09-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 封装体、显示面板及显示面板的封装方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112466914A (zh) * 2020-11-18 2021-03-09 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基oled全彩器件结构及其制作方法
CN113363403A (zh) * 2021-06-09 2021-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置

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