CN111584466A - 光源装置 - Google Patents
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Abstract
一种光源装置，包含并排设置的多个基板、透光结构及导光结构。彼此相邻的两个基板之间形成有连接缝，且各个基板设置有多个覆晶式发光芯片。透光结构一体成型地覆盖多个基板及多个覆晶式发光芯片，导光结构设置于透光结构相反于多个覆晶式发光芯片的一侧。多个覆晶式发光芯片所发出的光束，将先后通过透光结构及导光结构而均匀地向外射出。其中，任两个彼此相邻的覆晶式发光芯片彼此间的间距相同。
Description
技术领域
本发明涉及一种光源装置，特别是一种大尺寸拼接式的光源装置。
背景技术
现有的大尺寸光源装置，例如是广告牌、显示器面板等，碍于生产技术及生产良率等限制，并无法直接制作出大尺寸的光源装置，而目前相关厂商的制作方式是利用固定构件，将多个中尺寸或是小尺寸的光源装置相互连接，据以形成大尺寸的光源装置。然而，此种拼接方式，于两个光源装置相互连拼接的位置，将容易形成有暗区，进而影响光源装置整体出光的均匀性。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种光源装置，用以改善现有技术中，利用拼接方式组成的大尺寸光源装置，容易具有明显的暗区的问题。
为了实现上述目的，本发明提供一种光源装置，其包含：多个基板，多个所述基板彼此并排设置，彼此相邻的两个所述基板之间形成有一连接缝；各个所述基板的一宽侧面定义为一安装面；多个覆晶式发光芯片，其固定设置于多个所述基板的所述安装面；一透光结构，其一体成型地设置于多个所述基板的所述安装面，且所述透光结构一并覆盖多个所述覆晶式发光芯片及多个所述连接缝；所述透光结构相反于多个所述基板的一侧形成有一出光面，而被所述透光结构所包覆的多个所述覆晶式发光芯片所发出的光束能通过所述透光结构，一并由所述出光面向外射出；一导光结构，其设置于所述透光结构的所述出光面，所述导光结构用以使通过所述出光面的光束均匀地向外射出；其中，任两个彼此相邻的所述覆晶式发光芯片的间距相同。
优选地，所述导光结构包含有一荧光层、一扩散层及至少一棱镜层，所述荧光层贴附于所述出光面，所述扩散层设置于所述荧光层相反于所述出光面的一侧，所述棱镜层设置于所述扩散层相反于所述荧光层的一侧；所述透光结构为B级树脂或C级树脂，所述透光结构中掺有扩散粒子，所述透光结构的厚度介于50微米至500微米之间。
优选地，所述导光结构包含有一扩散层及至少一棱镜层，所述扩散层贴附于所述出光面设置，所述棱镜层设置于所述扩散层相反于所述出光面的一侧，且所述透光结构中掺有荧光粉粒。
优选地，所述光源装置还包含有一第一辅助扩散层结构，所述第一辅助扩散层结构位于所述透光结构及所述导光结构之间，所述第一辅助扩散层结构的厚度介于2微米至300微米。
优选地，所述光源装置含包含有一第二辅助扩散层结构，所述第二辅助扩散层结构位于所述透光结构及多个所述覆晶式发光芯片之间，所述第二辅助扩散层结构的厚度介于2微米至300微米。
优选地，所述透光结构为B级树脂或C级树脂，部分的所述透光结构填充于各个所述连接缝中。
优选地，所述光源装置还包含有至少一遮光结构，其设置于各个所述基板相反于所述安装面的一侧，所述遮光结构对应遮蔽多个所述连接缝，所述遮光结构能避免光束通过各个所述连接缝向各个所基板相反于所述安装面的一侧射出。
优选地，所述光源装置还包含有一半反射层结构，所述半反射层结构设置于所述透光结构及多个所述覆晶式发光芯片之间；各个所述覆晶式发光芯片相反于其所对应的基板的安装面的一侧定义为一顶发光面，各个所述覆晶式发光芯片的其余发光面则定义为一环发光面；由各个所述覆晶式发光芯片的所述顶发光面所发出的部分光束能直接通过覆盖于其上的所述半反射层结构，而由各个所述覆晶式发光芯片的所述顶发光面所发出的另一部分光束则能被覆盖于其上的所述半反射层结构反射。
优选地，所述光源装置还包含有一半反射层结构，所述半反射层结构设置于所述透光结构及多个所述覆晶式发光芯片之间；各个所述覆晶式发光芯片相反于其所对应的基板的安装面的一侧定义为一顶发光面，各个所述覆晶式发光芯片的其余发光面则定义为一环发光面；由各个所述覆晶式发光芯片的所述顶发光面所发出的部分光束能直接通过覆盖于其上的所述半反射层结构，而由各个所述覆晶式发光芯片的所述顶发光面所发出的另一部分光束则能被覆盖于其上的所述半反射层结构反射。
优选地，各个所述连接缝中设置有一辅助连接件，所述辅助连接件能阻挡各个所述覆晶式发光芯片所发出的光束，通过各个所述连接缝，而向相反于各个所述基板的所述安装面的一侧射出。
本发明的有益效果可以在于：由于本发明的光源装置的透光结构是一体成型地设置于多个覆晶式发光芯片及多个基板上，因此，多个覆晶式发光芯片所发出的光束，将可以通过同一透光结构及导光结构，而均匀地向外射出，借此可大幅改善现有利用拼接方式所组成的大尺寸光源装置容易具有暗区的问题。
附图说明
图1为本发明的光源装置的第一实施例的俯视示意图。
图2为本发明的光源装置的第一实施例的局部侧视示意图。
图3～图5为本发明的光源装置的第一实施例的变化形式的局部侧视示意图。
图6为本发明的光源装置的第二实施例的局部侧视示意图。
图7为本发明的光源装置的第三实施例的局部侧视示意图。
图8为本发明的光源装置的第四实施例的局部侧视示意图。
图9为本发明的光源装置的第五实施例的局部侧视示意图。
图10为本发明的光源装置的第六实施例的局部侧视示意图。
图11为本发明的光源装置的第七实施例的局部侧视示意图。
图12为本发明的光源装置的第八实施例的局部侧视示意图。
图13为本发明的光源装置的第八实施例的制作过程示意图。
图14为本发明的光源装置的第九实施例的局部侧视示意图。
具体实施方式
于以下说明中，如有指出请参阅特定图式或是如特定图式所示，其仅是用以强调于后续说明中，所涉及的相关内容大部分出现于该特定图式中，但不限制该后续说明中仅可参考所述特定图式。
请一并参阅图1及图2，图1为本发明的光源装置的第一实施例的俯视图，图2为本发明的光源装置的第一实施例的局部剖面侧视图。光源装置100包含有多个基板10、多个覆晶式发光芯片20、一透光结构30及一导光结构40。
多个基板10并排设置，并排设置的两个基板10之间形成有一连接缝S。于此所指的连接缝S可以是两个基板10彼此相互抵靠时所对应产生的小缝隙；所述连接缝S也可以是位于并排设置的两个基板10之间的宽度相对较大的空隙(即，并排设置的两个基板10的边缘处可以是不相互接触)。
在实际应用中，光源装置100的基板10数量及其彼此相互连接据以组成的外型，皆可依据需求变化。举例来说，如图1所示，光源装置100可以是具有5个基板10，而5个基板10可以是共同排列形成类似十字的外型。换言之，本发明的光源装置100可以是依据用户需求，排列形成为各种外型，特别是可以排列出非矩形的外型。关于各个基板10的尺寸及其外型，可以是依据需求变化，图中所示仅为其中一示范形式，实际应用不以其为限。
如图2所示，各个基板10的一宽侧面定义为一安装面101，而各个基板10的安装面101上固定设置有多个覆晶式发光芯片(Flip LED chip)，各个基板10的多个覆晶式发光芯片20彼此间的间距P(Pitch)彼此相同；在实际应用中，所述间距(Pitch)例如可以是3毫米至7毫米(mm)。
在具体的应用中，各个基板10最接近所述基板10侧边的覆晶式发光芯片20，与其所相邻的基板10的侧边的距离D1，可以是小于或等于该覆晶式发光芯片20与其相邻的覆晶式发光芯片20彼此间的间距P的一半，以数学式表示则为：D1≦P/2；如此，相邻并排的两个基板10上所设置的多个覆晶式发光芯片20，其彼此间的间距P将大致相等，从而可大幅改善现有技术中所存在的暗区的问题。
由于各个基板10在生产时可能有生产误差，或者，各个覆晶式发光芯片20设置于基板10时，其设置位置也可能有所误差，因此，在实际应用中，可以是通过调整两个基板10彼此间的连接缝S的宽度D2，来使多个基板10上的多个覆晶式发光芯片20其彼此间皆具有大致相同的间距(Pitch)，以数学式表示则为：2D1+D2≈P。
如图3所示，在特殊的应用中，两个基板10之间可以是设置有一辅助连接件50，辅助连接件50对应位于所述连接缝S，而通过辅助连接件50的设置，将可以更方便地调整并排设置的两个基板10上的最相邻的两个覆晶式发光芯片20的间距P。值得一提的是，辅助连接件50可以是不透光结构，而辅助连接件50能阻挡各覆晶式发光芯片20所发出的光束，通过连接缝S向基板10相反于安装面101的侧面102的方向射出；亦即，在辅助连接件50为不透光结构的实施例中，辅助连接件50能具有防止光源装置100于多个基板10相反于安装面101的一侧发生漏光的问题。
请再次参阅图1，透光结构30一体成型地设置于多个基板10的安装面101，且透光结构30一并覆盖多个覆晶式发光芯片20及多个连接缝S。透光结构30相反于多个基板10的一侧形成有一出光面301，而被透光结构30所包覆的多个覆晶式发光芯片20所发出的光束则能通过透光结构30一并由出光面301向外射出，如此，将可大幅改善现有技术中，拼接式光源装置100容易存在暗区的问题。
换言之，本发明的光源装置100通过使设置于多个基板10上的多个覆晶式发光芯片20彼此间具有大致相同的间距(Pitch)，以及使透光结构30一体式地覆盖于设置于多个基板10上的多个覆晶式发光芯片20的设计，将可大幅改善习知拼接式光源装置，因为存在有暗区，而导致发光不均匀的问题。
关于本发明的光源装置100的生产方式可以是：先将已设置有多个覆晶式发光芯片20的多个基板10，固定设置于一载台上，并使多个覆晶式发光芯片20彼此间的间距(Pitch)大致相同(例如是通过前述调整连接缝S的宽度的方法)；而后，于多个基板10及多个覆晶式发光芯片20上设置胶状的透光体；最后，固化透光体，以使其形成为所述透光结构30；通过上述生产方式，将可于多个基板10的多个覆晶式发光芯片20上，形成有一体成型的透光结构30。在实际应用中，透光结构30的材质可以是选用B级树脂(B-stage resin)或C级树脂(C-stage resin)，在选用B级树脂的实施例中，透光结构30将具有支撑的功能；各个基板10及设置于其上的多个覆晶式发光芯片20可以是利用COB(Chip On Board)封装技术生产制作。
值得一提的是，本发明的光源装置100是利用覆晶式发光芯片20作为发光源，因此，覆晶式发光芯片20设置于基板10上时，不会有任何外露的导线，如此，透光结构30可以通过上述简单的成型方式，形成于已设置有多个覆晶式发光芯片20的基板10上，而覆晶式发光芯片20于透光结构30成型的过程中将不容易发生损坏的问题。
如图4所示，在实际应用中，依据生产方式的不同，透光结构30也可以是对应形成于连接缝S中。举例来说，光源装置100以上述生产方式制造时，多个基板10设置于载台上时，各个连接缝S可以是未被设置有任何构件，如此，在胶状的透光体设置于多个基板10及多个覆晶式发光芯片20的过程中，胶状的透光体将会对应填充于多个连接缝S中，而胶状的透光体经固化后，将成为所述透光结构30。其中，填充于连接缝S的透光结构30将可用来辅助加强多个基板10彼此间的连接强度。
如图5所示，特别说明的是，在实际应用中，为了避免行进于透光结构30中的光束，通过位于连接缝S的透光结构30，而向各个基板10相反于具有安装面101的一侧射出，多个基板10相反于安装面101的一侧面102可以是设置有一遮光结构60，例如是遮光片等，或者也可以使填充于连接缝S的透光结构30，其位于相反于所述安装面101的一侧形成有遮光层(例如是利用涂布的方式形成)。
请再次参阅图2，导光结构40设置于透光结构30的出光面301，导光结构40用以使通过出光面301的光束均匀地向外射出，如此，将可使光源装置100能发出更均匀的光束，而可大幅改善现有拼接式光源装置所存在的暗区的问题。关于导光结构40的具体实施方式，可以是依据需求为任何可以辅助使光束更为柔和、均匀的结构，于此实施例中，不加以限制。
请参阅图6，其为本发明的光源装置的第二实施例的示意图。如图所示，本实施例与前述实施例最大不同之处在于：导光结构40可以是包含有一荧光层401、一扩散层402及一棱镜层403，荧光层401贴附于透光结构30的出光面301设置，扩散层402设置于荧光层401相反于出光面301的一侧，棱镜层403设置于扩散层402相反于荧光层401的一侧。换言之，导光结构40由靠近多个基板10的一侧向远离基板10的一侧，可以是依序包含有荧光层401、扩散层402(Diffuser Film)及棱镜层403(Prism Sheet)。其中，在实际应用中，棱镜层403的设置数量不以单一层为限，在棱镜层403为片状结构的实施例中，也可以是依据需求设置有两片。
进一步来说，各个覆晶式发光芯片20可以是能发出蓝色光束的发光二极管芯片，而导光结构40的荧光层401可以是对应具有黄色荧光粉粒，借此，各个覆晶式发光芯片20所发出的蓝色光束将可激发黄色荧光粉粒，据以产生白光光束。所述扩散层402内可以是具有扩散粒子，而使光束能于其内进行特定方向的折射、反射，据以使通过的光束，能更均匀地向外射出。所述棱镜层403可以是包含有多个微结构(图未示)，而多个微结构可以用来改变光束的路径，据以使光源装置100所发出的光束，集中于预定的可视角范围中。依上所述，通过上述导光结构40的设计，将可以使光源装置100发出均匀的白光光束。
请参阅图7，其为本发明的光源装置的第三实施例的示意图。如图所示，本实施例与前述实施例最大不同之处在于：透光结构30中还可以是掺有扩散粒子31，且透光结构30的厚度H1可以是介于50微米(μm)至500微米之间。如此，将可使多个覆晶式发光芯片20所发出的光束，于透光结构30中即被扩散粒子反射、折射，而更均匀地向导光结构40射出。
请参阅图8，其为本发明的光源装置的第四实施例的示意图。如图所示，本实施例与前述实施例最大不同之处在于：导光结构40可以是仅包含有一扩散层402及一棱镜层403，扩散层402贴附于出光面301设置，棱镜层403设置于扩散层402相反于透光结构30的出光面301的一侧，而透光结构30中可以是掺有荧光粉粒32。关于扩散层402及棱镜层403的详细说明，与前述实施例相同，于此不加以赘述。关于掺有荧光粉粒32的透光结构30，其大致可达到与前述实施例所举荧光层(401)相同的功能，于此不再赘述。
请参阅图9及图10，其分别为本发明的光源装置的第五实施例及第六实施例的示意图。如图9所示，此实施例与前述实施例最大不同之处在于：光源装置100还可以包含有一第一辅助扩散层结构70，第一辅助扩散层结构70位于透光结构30及导光结构40之间，第一辅助扩散层结构70的厚度H2可以是介于2微米至300微米。
如图10所示，此实施例与前述实施例最大不同之处在于：光源装置100除了包含所述第一辅助扩散层结构70外，光源装置100还可以包含有一第二辅助扩散层结构80，第二辅助扩散层结构80位于透光结构30及多个覆晶式发光芯片20之间，第二辅助扩散层结构80的厚度H3介于2微米至300微米。当然，在不同的应用中，光源装置100也可以是仅包含有第二辅助扩散层结构80，而不具有所述第一辅助扩散层结构70。
所述第一辅助扩散层结构70或是第二辅助扩散层结构80是用来使光束更均匀地向外射出，在具体的应用中，第一辅助扩散层结构70可以是片状结构，而直接贴附于透光结构30的出光面301，第二辅助扩散层结构80则可以是由包含有扩散粒子的胶体，涂布于多个基板10的安装面101及多个覆晶式发光芯片20后固化所形成。
请参阅图11，其分别为本发明的光源装置的第八实施例的示意图。本实施例与前述实施例最大不同之处在于：光源装置100还可以包含有一半反射层结构90，半反射层结构90设置于透光结构30及多个覆晶式发光芯片20之间，半反射层结构90的厚度H4介于2微米至300微米。于此所指的半反射层结构90，即为：能使各个覆晶式发光芯片20所发出的部分光束穿过，并反射另一部分的光束。
各个覆晶式发光芯片20相反于其所对应的基板10的安装面101的一侧定义为一顶发光面201，各个覆晶式发光芯片20的其余发光面则定义为一环发光面202；由各个覆晶式发光芯片20的顶发光面201所发出的部分光束能直接通过覆盖于其上的半反射层结构90而向外射出，而由各个覆晶式发光芯片20的顶发光面201所发出的另一部分光束则能被覆盖于其上的半反射层结构90反射，以由环发光面202的方向外向射出。
依上所述，由于各个覆晶式发光芯片20通过顶发光面201所发出的光束，并非完全地直接射出，而部分光束将被半反射层结构90反射而由朝环发光面202的方向射出，因此，将可大幅提升相邻的两个覆晶式发光芯片20之间的区域的亮度，再搭配透光结构30及导光结构40的设计，将可使光源装置100各个区域所发出的光束的亮度更趋近一致。
更具体来说，设置有多个覆晶式发光芯片20的多个基板10，在未设置有透光结构30、导光结构40及半反射层结构90时，各个覆晶式发光芯片20所发出的光束，由顶发光面201向外射出的比例是高于由环发光面202向外射出的比例，因此，位于相邻的两个覆晶式发光芯片20之间的区域的亮度，将低于两个覆晶式发光芯片20的顶发光面201的亮度。在此状态下，透过设置透光结构30及导光结构40的设置，虽然已可大幅改善亮度不均的问题，但，随着覆晶式发光芯片20的功率提升，光源装置100的亮度不均的问题将可能再度浮现。
本实施例所提出的半反射层结构90，将可以把各个覆晶式发光芯片20由顶发光面201所发出的部分光束，导向至朝向环发光面202方向射出，如此，光源装置100在未设置有透光结构30及导光结构40时，相邻的两个覆晶式发光芯片20彼此间的亮度将被提升，而通过各个覆晶式发光芯片20的顶发光面201所射出的光束亮度将相对降低，借此将可大幅改善多个覆晶式发光芯片20在未设置有透光结构30或导光结构40时，亮度明显不均匀的问题。
也就是说，在光源装置100同时设置有半反射层结构90、透光结构30及导光结构40的实施例中，光源装置100所发出的光束的均匀度，将可以优于未设置有半反射层结构90的光源装置100，特别是在各个覆晶式发光芯片20为高功率形式的实施例中。
关于半反射层结构90形成的方式可以是：先将薄型反射片体，覆盖于多个覆晶式发光芯片20的顶发光面201；而后，加热薄型反射片体，并通过挤压的方式，使薄型反射片体变形以包覆各个覆晶式发光芯片20；最后，使变形后的薄型反射片体固化，以使其变成为半反射层结构90。通过此种方式形成的半反射层结构90，其位于各个顶发光面201的厚度T1，将比位于各个环发光面202的厚度T2厚，而各个覆晶式发光芯片20所产生的光束，将相对容易由环发光面202向外射出。
在不同的应用中，半反射层结构90也可以是仅形成于各个覆晶式发光芯片20的顶发光面201，举例来说，半反射层结构90可以是透过涂布的方式，仅形成于各个覆晶式发光芯片20的顶发光面201，而不形成于各个环发光面202。
请一并参阅图12及图13，图12为本发明的光源装置的第七实施例的示意图，图13为本发明的光源装置的制作过程示意图。如图12所示，本实施例与前述实施例最大不同之处是：透光结构30与导光结构40之间可以是形成有多个空隙E，而导光结构40是对应遮蔽多个空隙E。
如图13所示，本实施例的透光结构30的具体制作方式可以是：先将设置有多个覆晶式发光芯片20的多个基板10设置于一封闭空间中；而后，将一透光膜片30A覆盖于多个覆晶式发光芯片20远离多个基板10的一侧，并且于透光膜片相反于多个覆晶式发光芯片20的一侧设置一气囊构件F；随后，对气囊构件F充气，从而使气囊构件F挤压透光膜片30A，以使透光膜片30A对应贴附于多个基板10的安装面101及多个覆晶式发光芯片20的表面；最后，使被挤压后的透光膜片30A固化成为所述透光结构30。关于前述第二实施例至第六实施例所举的各种变化形式，皆可依据需求，应用于本实施例中，相关说明复参前载实施例于此不再赘述。
请参阅图14，其为本发明的光源装置的第九实施例的示意图。本实施例与前述第八实施例最大差异在于：光源装置100还可以包含有一第一辅助扩散层结构70，第一辅助扩散层结构70位于透光结构30及导光结构40之间。第一辅助扩散层结构70可以是以任何方式形成于透光结构30及导光结构40之间，举例来说，第一辅助扩散层结构70可以是先形成于透光结构30的一侧，而后第一辅助扩散层结构70及透光结构30，再一同以上述制作方式(如图13所示)形成于多个覆晶式发光芯片20远离基板10的一侧。关于第一辅助扩散层结构70的详细说明，请参阅前述实施例，于此不再赘述。
以上所述仅为本发明的优选可行实施例，非因此局限本发明的专利范围，故举凡运用本发明说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种光源装置，其特征在于，所述光源装置包含：
多个基板，多个所述基板彼此并排设置，彼此相邻的两个所述基板之间形成有一连接缝；各个所述基板的一宽侧面定义为一安装面；
多个覆晶式发光芯片，其固定设置于多个所述基板的所述安装面；及
一透光结构，其一体成型地设置于多个所述基板的所述安装面，且所述透光结构一并覆盖多个所述覆晶式发光芯片及多个所述连接缝；所述透光结构相反于多个所述基板的一侧形成有一出光面，而被所述透光结构所包覆的多个所述覆晶式发光芯片所发出的光束能通过所述透光结构，一并由所述出光面向外射出；及
一导光结构，其设置于所述透光结构的所述出光面，所述导光结构用以使通过所述出光面的光束均匀地向外射出；
其中，任两个彼此相邻的所述覆晶式发光芯片的间距相同。
2.依据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述导光结构包含有一荧光层、一扩散层及至少一棱镜层，所述荧光层贴附于所述出光面，所述扩散层设置于所述荧光层相反于所述出光面的一侧，所述棱镜层设置于所述扩散层相反于所述荧光层的一侧；所述透光结构为B级树脂或C级树脂，所述透光结构中掺有扩散粒子，所述透光结构的厚度介于50微米至500微米之间。
3.依据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述导光结构包含有一扩散层及至少一棱镜层，所述扩散层贴附于所述出光面设置，所述棱镜层设置于所述扩散层相反于所述出光面的一侧，且所述透光结构中掺有荧光粉粒。
4.依据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述光源装置还包含有一第一辅助扩散层结构，所述第一辅助扩散层结构位于所述透光结构及所述导光结构之间，所述第一辅助扩散层结构的厚度介于2微米至300微米。
5.依据权利要求4所述的光源装置，其特征在于，所述光源装置含包含有一第二辅助扩散层结构，所述第二辅助扩散层结构位于所述透光结构及多个所述覆晶式发光芯片之间，所述第二辅助扩散层结构的厚度介于2微米至300微米。
6.依据权利要求1至5其中任一项所述的光源装置，其特征在于，所述透光结构为B级树脂或C级树脂，部分的所述透光结构填充于各个所述连接缝中。
7.依据权利要求6所述的光源装置，其特征在于，所述光源装置还包含有至少一遮光结构，其设置于各个所述基板相反于所述安装面的一侧，所述遮光结构对应遮蔽多个所述连接缝，所述遮光结构能避免光束通过各个所述连接缝向各个所基板相反于所述安装面的一侧射出。
8.依据权利要求6所述的光源装置，其特征在于，所述光源装置还包含有一半反射层结构，所述半反射层结构设置于所述透光结构及多个所述覆晶式发光芯片之间；各个所述覆晶式发光芯片相反于其所对应的基板的安装面的一侧定义为一顶发光面，各个所述覆晶式发光芯片的其余发光面则定义为一环发光面；由各个所述覆晶式发光芯片的所述顶发光面所发出的部分光束能直接通过覆盖于其上的所述半反射层结构，而由各个所述覆晶式发光芯片的所述顶发光面所发出的另一部分光束则能被覆盖于其上的所述半反射层结构反射。
9.依据权利要求1至5其中任一项所述的光源装置，其特征在于，所述光源装置还包含有一半反射层结构，所述半反射层结构设置于所述透光结构及多个所述覆晶式发光芯片之间；各个所述覆晶式发光芯片相反于其所对应的基板的安装面的一侧定义为一顶发光面，各个所述覆晶式发光芯片的其余发光面则定义为一环发光面；由各个所述覆晶式发光芯片的所述顶发光面所发出的部分光束能直接通过覆盖于其上的所述半反射层结构，而由各个所述覆晶式发光芯片的所述顶发光面所发出的另一部分光束则能被覆盖于其上的所述半反射层结构反射。
10.依据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，各个所述连接缝中设置有一辅助连接件，所述辅助连接件能阻挡各个所述覆晶式发光芯片所发出的光束，通过各个所述连接缝，而向相反于各个所述基板的所述安装面的一侧射出。
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