CN111584385A - 一种硅片缺陷记录方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种硅片缺陷记录方法及装置，所述方法包括：建立硅片的虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息；根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型；根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。根据本发明实施的硅片缺陷记录方法，可以方便地将硅片的缺陷信息记录在虚拟硅片图上进行保存，便于对硅片缺陷进行记录管理和分析，并可根据对记录的硅片缺陷的分析结果，确定缺陷的类型，从而确定需要对硅片采取的处理方式。
Description
技术领域
本发明涉及硅片制备技术领域，具体涉及一种硅片缺陷记录方法及装置。
背景技术
一般而言，晶片经过一系列工序后，作为半导体元件制造用硅片。在上述工艺进行过程中，由于硅片自身或外部环境等原因，可能会产生聚合物和杂质等各种异物污染硅片的表面，硅片表面也因此存在各种缺陷，这些缺陷是导致半导体元件生产良率下降的原因。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种硅片缺陷记录方法及装置，能够解决现有技术中硅片表面存在各种缺陷而导致半导体元件生产良率下降。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
本发明一方面实施例提供一种硅片缺陷记录方法，包括：
建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息；
根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型；
根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。
可选的，所述建立虚拟硅片图，在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷之前，还包括：
获取硅片的缺陷信息，所述缺陷信息包括缺陷形状和缺陷位置。
可选的，所述根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式，包括：
在所述缺陷的类型为崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打标缺失中的任一类型的情况下，对所述硅片进行弃用处理；
在所述缺陷的类型为划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔印、轮印、擦痕、夹痕中的任一类型的情况下，对所述硅片进行重新抛光处理。
可选的，所述获取硅片的缺陷信息，包括：
采用暗场检测机对所述硅片进行暗场检测，得到硅片的缺陷信息。
可选的，所述虚拟硅片图包括平面直角坐标系和中心落在原点上的虚拟硅片图案，所述虚拟硅片图案的尺寸与实际的硅片的尺寸相同。
本发明另一方面实施例还提供了一种硅片缺陷记录装置，包括：
记录模块，用于建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息；
确定模块，用于根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型；
处理模块，用于根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。
可选的，还包括：
获取模块，用于获取硅片的缺陷信息，所述缺陷信息包括缺陷形状和缺陷位置。
可选的，所述处理模块包括：
第一处理单元，用于在所述缺陷的类型为崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打标缺失中的任一类型的情况下，对所述硅片进行弃用处理；
第二处理单元，用于在所述缺陷的类型为划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔印、轮印、擦痕、夹痕中的任一类型的情况下，对所述硅片进行重新抛光处理。
可选的，所述获取模块包括：
采用暗场检测机对所述硅片进行暗场检测，得到硅片的缺陷信息。
可选的，所述虚拟硅片图包括平面直角坐标系和中心落在原点上的虚拟硅片图案，所述虚拟硅片图案的尺寸与实际的硅片的尺寸相同。
本发明上述技术方案的有益效果如下：
根据本发明实施例的硅片缺陷记录方法，可以方便地将硅片的缺陷信息记录在虚拟硅片图上进行保存，便于对硅片缺陷进行记录管理和分析，并可根据对记录的硅片缺陷的分析结果，确定缺陷的类型，从而确定需要对硅片采取的处理方式。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种硅片缺陷记录方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的虚拟硅片图；
图3为本发明实施例提供的一种硅片缺陷记录装置的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一般而言，晶片经过一系列工序后，作为半导体元件制造用硅片。在上述工艺进行过程中，由于硅片自身或外部环境等原因，可能会产生聚合物和杂质等各种异物污染硅片的表面，硅片表面也因此存在各种缺陷，这些缺陷是导致半导体元件生产良率下降的原因。
由此，如图1所示，本发明一方面实施例提供一种硅片缺陷记录方法，所述方法可以包括以下步骤：
步骤101：建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息。
该步骤中，根据检测硅片的实际尺寸等信息，建立硅片的虚拟硅片图，然后便可在建立的虚拟硅片图上记录检测到的硅片的缺陷信息。在一个可选的实施方式中，可以通过具有触控屏幕的设备上进行记录，也即将建立的虚拟硅片图显示在触控屏幕上，然后，将获取的硅片的缺陷信息在触控屏幕上进行输入，并保存为一定的文件格式，这样的记录方式方便快捷，同时方便保存。
在本发明的一些实施例中，所述虚拟硅片图包括平面直角坐标系和中心落在原点上的虚拟硅片图案，所述虚拟硅片图案的尺寸与实际的硅片的尺寸相同。也就是说，为了方便记录硅片的缺陷信息，因此将虚拟硅片图设计成包括平面直角坐标系和中心落在平面直角坐标系的原点上的虚拟硅片图案，由于有平面直角坐标系的参考定位，可以方便地确定虚拟硅片图案的任意位置，从而可以方便地将真实硅片上的缺陷快速对应记录在虚拟硅片图案上，而且在记录的过程中，也实现了对硅片缺陷的位置的确定；由于虚拟硅片图案与实际硅片的尺寸相同，因此不需要再做放大缩小等转换操作便可直接对应记录，减少了记录的时间。
在本发明一些实施例中，所述建立虚拟硅片图，在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷之前，还包括：
获取硅片的缺陷信息，所述缺陷信息包括缺陷形状和缺陷位置。
具体来说，首先需要获取检测硅片上存在的各种缺陷信息，所述缺陷信息可以包括缺陷形状和缺陷位置，其中，缺陷形状可以是裂纹状、印痕状、孔状等等，而缺陷位置可以是在硅片的正面，也可以在硅片的反面，可以是硅片的边缘，也可以是硅片的中心。在可选的实施方式中，获取硅片的缺陷信息的方法，可以是检测人员在暗室内进行观察得到，也可以通过缺陷自动检测设备检测得到。
在本发明的一些实施例中，所述获取硅片的缺陷信息，包括：
采用暗场检测机对所述硅片进行暗场检测，得到硅片的缺陷信息。
也就是说，通过将检测的硅片放置在暗场检测机中，在检测时，检测用的激光从侧上方照射在硅片表面，在缺陷处产生散射光被一个探测器收集，并转换成电信号，硅片在样品台上旋转，样品台沿径向平移。这样激光束的照射可以覆盖整个硅片表面，硅片表面的缺陷(如颗粒、划伤等)所在位置也同时被记录下来。收集杂散光的探测器可以安装在不同的立体角，这样收集到的光线就不一样。为了增大探测的灵敏度，探测器可以是环状的。暗场检测对硅片表面的颗粒与表面缺陷非常灵敏，因此本发明实施例中可以对检测硅片表面存在的各种缺陷信息进行有效的自动的检测和收集，节省了人工查看获取的时间和人力成本。
步骤102：根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型。
该步骤中，在需硅片图上将硅片的缺陷信息记录完毕后，便可对记录保存的缺陷信息进行分析，具体可以根据每个缺陷的位置、缺陷的形状等等，确定硅片的缺陷类型，硅片的缺陷类型可以包括崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打标缺失、划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔印、轮印、擦痕、夹痕等等。
步骤103：根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。
在分析得到硅片存在的缺陷的类型之后，针对不同的缺陷类型，确定不同的硅片处理方式，可以将需要进行同样处理方式的硅片归到一起，以便后期进行集中处理。
在本发明的一些实施例中，所述根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式，包括：
在所述缺陷的类型为崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打标缺失中的任一类型的情况下，对所述硅片进行弃用处理；
在所述缺陷的类型为划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔印、轮印、擦痕、夹痕中的任一类型的情况下，对所述硅片进行重新抛光处理。
也就是说，不同的缺陷类型，对应于不同的处理方式，在硅片存在崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打标缺失中的任意一种缺陷的情况下，对具有该类缺陷的硅片进行弃用处理，而在硅片存在划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔印、轮印、擦痕、夹痕中的任意一种缺陷的的情况下，对具有该类缺陷的硅片进行重新抛光处理。通过对具有不同的缺陷类型的硅片进行不同的处理方式，可以有效指导硅片的管理。
根据本发明实施例的硅片缺陷记录方法，可以方便地将硅片的缺陷信息记录在虚拟硅片图上进行保存，便于对硅片缺陷进行记录管理和分析，并可根据对记录的硅片缺陷的分析结果，确定缺陷的类型，从而确定需要对硅片采取的处理方式。
本发明另一方面实施例还提供了一种硅片缺陷记录装置，所述装置30可以包括：
记录模块31用于建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息；
确定模块32，用根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型；
处理模块33，用于根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。
本发明实施例中的硅片缺陷记录装置可以实现图1-2中的方法实施例的各个步骤，为避免重复，在此不再赘述。
根据本发明实施例的硅片缺陷记录装置，可以方便地将硅片的缺陷信息记录在虚拟硅片图上进行保存，便于对硅片缺陷进行记录管理和分析，并可根据对记录的硅片缺陷的分析结果，确定缺陷的类型，从而确定需要对硅片采取的处理方式。
可选的，所述装置30还包括：
获取模块，用于获取硅片的缺陷信息，所述缺陷信息包括缺陷形状和缺陷位置。
可选的，所述处理模块33包括：
第一处理单元，用于在所述缺陷的类型为崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打标缺失中的任一类型的情况下，对所述硅片进行弃用处理；
第二处理单元，用于在所述缺陷的类型为划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔印、轮印、擦痕、夹痕中的任一类型的情况下，对所述硅片进行重新抛光处理。
可选的，所述获取模块包括：
采用暗场检测机对所述硅片进行暗场检测，得到硅片的缺陷信息。
可选的，所述虚拟硅片图包括平面直角坐标系和中心落在原点上的虚拟硅片图案，所述虚拟硅片图案的尺寸与实际的硅片的尺寸相同。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种硅片缺陷记录方法，其特征在于，包括：
建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息；
根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型；
根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。
2.根据权利要求1所述的硅片缺陷记录方法，其特征在于，所述建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷之前，还包括：
获取硅片的缺陷信息，所述缺陷信息包括缺陷形状和缺陷位置。
3.根据权利要求1所述的硅片缺陷记录方法，其特征在于，所述根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式，包括：
在所述缺陷的类型为崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打标缺失中的任一类型的情况下，对所述硅片进行弃用处理；
在所述缺陷的类型为划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔印、轮印、擦痕、夹痕中的任一类型的情况下，对所述硅片进行重新抛光处理。
4.根据权利要求2所述的硅片缺陷记录方法，其特征在于，所述获取硅片的缺陷信息，包括：
采用暗场检测机对所述硅片进行暗场检测，得到硅片的缺陷信息。
5.根据权利要求2所述的硅片缺陷记录方法，其特征在于，所述虚拟硅片图包括平面直角坐标系和中心落在原点上的虚拟硅片图案，所述虚拟硅片图案的尺寸与实际的硅片的尺寸相同。
6.一种硅片缺陷记录装置，其特征在于，包括：
记录模块，用于建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息；
确定模块，用于根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型；
处理模块，用于根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。
7.根据权利要求6所述的硅片缺陷记录装置，其特征在于，还包括：
获取模块，用于获取硅片的缺陷信息，所述缺陷信息包括缺陷形状和缺陷位置。
8.根据权利要求6所述的硅片缺陷记录装置，其特征在于，所述处理模块包括：
第一处理单元，用于在所述缺陷的类型为崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打标缺失中的任一类型的情况下，对所述硅片进行弃用处理；
第二处理单元，用于在所述缺陷的类型为划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔印、轮印、擦痕、夹痕中的任一类型的情况下，对所述硅片进行重新抛光处理。
9.根据权利要求7所述的硅片缺陷记录装置，其特征在于，所述获取模块包括：
采用暗场检测机对所述硅片进行暗场检测，得到硅片的缺陷信息。
10.根据权利要求7所述的硅片缺陷记录装置，其特征在于，所述虚拟硅片图包括平面直角坐标系和中心落在原点上的虚拟硅片图案，所述虚拟硅片图案的尺寸与实际的硅片的尺寸相同。
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