CN111580301A - 一种彩膜基板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

一种彩膜基板、其制作方法及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111580301A
CN111580301A CN202010525111.XA CN202010525111A CN111580301A CN 111580301 A CN111580301 A CN 111580301A CN 202010525111 A CN202010525111 A CN 202010525111A CN 111580301 A CN111580301 A CN 111580301A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
quantum dot
conversion structure
wavelength
color film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010525111.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN111580301B (zh
Inventor
孙倩
靳倩
卢天豪
黄维
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202010525111.XA priority Critical patent/CN111580301B/zh
Publication of CN111580301A publication Critical patent/CN111580301A/zh
Priority to US17/921,069 priority patent/US20230174857A1/en
Priority to PCT/CN2021/092353 priority patent/WO2021249075A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111580301B publication Critical patent/CN111580301B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7713—Sulfates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133504—Diffusing, scattering, diffracting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/36—Micro- or nanomaterials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

本发明公开了一种彩膜基板、其制作方法及显示装置，由于量子点彩膜层一般经过溶液加工、旋涂或喷墨印刷、UV固化成膜后形成，本发明通过在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间设置光转换结构，这样在对量子点溶液进行UV固化(紫外光照射，如395nm的紫外光)时，光转换结构可以将395nm的紫外光转换为波长更短、能量更高的紫外光(如365nm)，由于光转换结构设置在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间，因此该波长更短、能量更高的紫外光可以从侧边发出照射至量子点彩膜层，解决了量子点彩膜层UV固化不均匀的问题，从而提高了显示器件的发光性能。

Description

一种彩膜基板、其制作方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种彩膜基板、其制作方法及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，人们对显示装置的显示质量要求也越来越高。量子点材料作为一种新型发光材料，具有发光光谱集中，色纯度高、且发光颜色可通过量子点材料的尺寸、结构或成分进行简易调节等优点；量子点墨水经过溶液加工、旋涂或喷墨印刷，进一步固化成膜后形成量子点彩膜，是应用于固态照明和全色平板显示的新一代发光材料。
发明内容
本发明实施例提供的一种彩膜基板、其制作方法及显示装置，用以提高量子点彩膜层UV固化的均匀性。
因此，本发明实施例提供了一种彩膜基板，包括：
衬底基板；
黑矩阵，位于所述衬底基板一侧，所述黑矩阵具有多个像素开口；
量子点彩膜层，位于所述像素开口内，所述量子点彩膜层包括紫外光固化型量子点材料；
光转换结构，位于所述黑矩阵侧壁与所述量子点彩膜层侧壁之间，所述光转换结构用于将第一波长的紫外光转换为第二波长的紫外光，所述第一波长大于所述第二波长。
可选地，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，所述第一波长小于400nm。
可选地，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，所述光转换结构沿垂直于所述衬底基板厚度方向上的截面具有预设宽度，沿所述光转换结构中远离衬底基板的表面指向靠近所述衬底基板的表面方向，所述预设宽度相同。
可选地，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，所述光转换结构沿垂直于所述衬底基板厚度方向上的截面具有预设宽度，沿所述光转换结构远离衬底基板的表面指向靠近所述衬底基板的表面方向，所述预设宽度逐渐增大。
可选地，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，沿垂直于所述衬底基板厚度的方向，所述黑矩阵中远离所述衬底基板的表面的宽度小于靠近所述衬底基板的表面的宽度。
可选地，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，所述光转换结构内具有散射粒子。
可选地，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，所述光转换结构包括：基体，以及掺杂在所述基体内的上转换材料；其中，
所述基体的材料为光刻胶；
所述上转换材料包括：Sc的硫酸盐、Y的硫酸盐、La的硫酸盐、Gd的硫酸盐、Lu的硫酸盐其中之一或组合，以及活化剂。
可选地，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，所述活化剂包括Bi3+、Pr3+、Nd3+其中之一或组合，所述活化剂的质量占所述上转换材料质量的0.1％-10％。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：显示基板，以及位于所述显示基板出光侧的彩膜基板，所述彩膜基板为本发明实施例提供的上述彩膜基板。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示装置中，所述显示基板包括依次层叠设置的反射层、背光模组、保护层、第一偏光片、驱动基板、液晶层、第二偏光片和封装层，所述封装层与所述黑矩阵、所述量子点彩膜层和所述光转换结构接触设置。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示装置中，所述显示基板包括：驱动基板，位于所述驱动基板上的多个微型LED，位于所述微型LED背离所述驱动基板一侧的平坦层，以及位于所述平坦层背离所述驱动基板一侧的封装层，所述封装层与所述黑矩阵、所述量子点彩膜层和所述光转换结构接触设置。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示装置中，所述显示基板包括依次层叠设置的驱动基板、阳极、有机发光层、阴极和封装层，所述封装层与所述黑矩阵、所述量子点彩膜层和所述光转换结构接触设置。
相应地，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述彩膜基板的制作方法，包括：
在所述衬底基板上形成具有多个像素开口的黑矩阵；
形成附着于所述像素开口侧壁上的光转换结构；
在形成有所述光转换结构的像素开口内旋涂或喷墨印刷包括紫外光固化型量子点材料的量子点混合溶液；
采用第一波长的紫外光对所述量子点混合溶液进行紫外光照射，以形成量子点彩膜层；其中，所述光转换结构用于将所述第一波长的紫外光转换为第二波长的紫外光，所述第一波长大于所述第二波长。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，采用波长小于400nm的紫外光对所述量子点混合溶液进行紫外光照射。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成附着于所述像素开口侧壁上的光转换结构，具体包括：
在所述黑矩阵背离所述衬底基板一侧涂覆掺杂有上转换材料的光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光显影，形成附着于所述像素开口内壁上的光转换结构。
本发明实施例的有益效果：
本发明实施例提供的一种彩膜基板、其制作方法及显示装置，由于量子点彩膜层一般经过溶液加工、旋涂或喷墨印刷、UV固化成膜后形成，本发明通过在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间设置光转换结构，这样在对量子点溶液进行UV固化(紫外光照射，如395nm的紫外光)时，光转换结构可以将395nm的紫外光转换为波长更短、能量更高的紫外光(如365nm)，由于光转换结构设置在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间，因此该波长更短、能量更高的紫外光可以从侧边发出照射至量子点彩膜层，可以防止量子点彩膜层因UV光照不够，未完全固化，造成量子点彩膜层固化不均匀的问题。因此本发明实施例中在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间设置光转换结构，能够使量子点彩膜层固化更充分，解决了量子点彩膜层UV固化不均匀的问题，从而提高了显示器件的发光性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的彩膜基板的一种结构示意图；
图2为本发明实施例提供的彩膜基板的又一种结构示意图；
图3为本发明实施例提供的显示装置的一种结构示意图；
图4为本发明实施例提供的显示装置的又一种结构示意图；
图5为本发明实施例提供的显示装置的又一种结构示意图；
图6为本发明实施例提供的彩膜基板的制作方法流程图之一；
图7为本发明实施例提供的彩膜基板的制作方法流程图之二；
图8A-图8D为本发明实施例提供的彩膜基板的制作方法在执行每一步骤之后的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的彩膜基板、其制作方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各层薄膜厚度和形状不反映彩膜基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
目前，采用量子点墨水制作量子点彩膜层需要的膜厚较厚，这对量子点墨水固化性能提出来更高要求。本案的发明人发现，在UV固化型量子点墨水固化时会出现表层膜已经固化，而下层墨水因UV光照不够导致未完全固化，造成量子点彩膜层固化不均匀，影响发光性能。
为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种彩膜基板，如图1和图2所示，包括：
衬底基板1；
黑矩阵2，位于衬底基板1一侧，黑矩阵2具有多个像素开口21；
量子点彩膜层(如包括红色量子点彩膜层31、绿色量子点彩膜层32和蓝色量子点彩膜层33)，位于像素开口21内，量子点彩膜层包括紫外光固化型量子点材料；
光转换结构4，位于黑矩阵2侧壁与量子点彩膜层侧壁之间，光转换结构4用于将第一波长λ1的紫外光转换为第二波长λ2的紫外光，第一波长λ1大于第二波长λ2。
本发明实施例提供的上述彩膜基板，由于量子点彩膜层一般经过溶液加工、旋涂或喷墨印刷、UV固化成膜后形成，本发明通过在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间设置光转换结构，这样在对量子点溶液进行UV固化(紫外光照射，如395nm的紫外光)时，光转换结构可以将395nm的紫外光转换为波长更短、能量更高的紫外光(如365nm)，由于光转换结构设置在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间，因此该波长更短、能量更高的紫外光可以从侧边发出照射至量子点彩膜层，可以防止量子点彩膜层因UV光照不够，未完全固化，造成量子点彩膜层固化不均匀的问题。因此本发明实施例中在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间设置光转换结构，能够使量子点彩膜层固化更充分，解决了量子点彩膜层UV固化不均匀的问题，从而提高了显示器件的发光性能。
在具体实施时，上述紫外光固化型量子点材料包括量子点、紫外光引发剂和紫外光固化材料，该紫外光固化型量子点材料可以在第一波长的紫外光和第二波长的紫外光的照射下固化，本发明的光转换结构可以将吸收的第一波长的紫外光转换为波长更短的第二波长的紫外光。
在具体实施时，衬底基板可以为玻璃衬底。
在具体实施时，由于目前的发光器件大多采用红绿蓝三基色混合发出白色的光，由于本发明在彩膜基板中设置了能够将吸收的紫外光转换为波长更短的紫外光的光转换结构，为了防止在发光过程中，光转换结构吸收红绿蓝三基色的光，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，第一波长小于400nm，即光转换结构只能吸收波长小于400nm的光，因此本发明实施例提供的方案可以在不影响发光的基础上提高量子点彩膜层UV固化的均匀性。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，如图1所示，光转换结构4沿垂直于衬底基板1厚度方向上的截面具有预设宽度W，沿光转换结构4中远离衬底基板1的表面41指向靠近衬底基板42的表面方向，预设宽度W相同。
在具体实施时，由于靠近衬底基板一侧的量子点彩膜层较远离衬底基板一侧的量子点彩膜层固化不完全，为了使得靠近衬底基板一侧的量子点彩膜层固化完全，这就需要使靠近衬底基板一侧的量子点彩膜层照射更多转换后的UV光，因此在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，如图2所示，光转换结构4沿垂直于衬底基板1厚度方向上的截面具有预设宽度W，沿光转换结构4中远离衬底基板1的表面41指向靠近衬底基板42的表面方向，预设宽度W逐渐增大。这样靠近衬底基板一侧的光转换结构4可以转换更多的UV光，从而可以使得靠近衬底基板一侧的量子点彩膜层得到更多的波长更短、能量更高的UV光照射，进一步提高量子点彩膜层UV固化的均匀性。
在具体实施时，为了保证更多的第一波长的紫外光转换为第二波长的紫外光，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，如图1和图2所示，沿垂直于衬底基板1厚度的方向，黑矩阵2中远离衬底基板1的表面22的宽度小于靠近衬底基板1的表面23的宽度，即将黑矩阵2的截面呈正梯形结构，这样可以形成面积更大的光转换结构4，因此可以实现将更多的第一波长的紫外光转换为第二波长的紫外光，进一步提高量子点彩膜层UV固化的均匀性。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，如图1和图2所示，光转换结构4内可以具有散射粒子。具体地，通过将散射粒子掺杂在光转换结构4内，散射粒子可以实现UV光线的散射，以增强出光均匀性，可以更加有效的实现量子点彩膜层UV固化的均匀性。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，光转换结构可以包括：基体，以及掺杂在基体内的上转换材料。具体地，上转换发光材料是一种能吸收多个低能量光子而发射高能量光子的材料，即吸收光的波长大于发射光波长。另外，上转换发光材料为颗粒状，具有散射作用，故波长转换后的光为各个方向的散射光，可以提高量子点彩膜层UV固化的均匀性。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，基体的材料可以为光刻胶，上转换材料可以包括：Sc的硫酸盐、Y的硫酸盐、La的硫酸盐、Gd的硫酸盐、Lu的硫酸盐其中之一或组合，以及活化剂。这样可以将上转换材料掺杂在光刻胶内，通过曝光显影的工艺形成本发明中的光转换结构。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，活化剂可以包括Bi3+、Pr3+、Nd3+其中之一或组合。
在具体实施时，为了保证光转换结构能够有效的将吸收的第一波长的光转换为第二波长的光，在本发明实施例提供的上述彩膜基板中，活化剂的质量可以占上转换材料质量的0.1％-10％，本发明对此不作限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，如图3-图5所示，包括：显示基板100，以及位于显示基板100出光侧的彩膜基板200，彩膜基板200为本发明实施例提供的上述彩膜基板。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示装置中，如图3所示，显示基板100可以包括依次层叠设置的反射层01、背光模组02、保护层03、第一偏光片04、驱动基板05、液晶层06、第二偏光片07和封装层08，封装层08与黑矩阵2、量子点彩膜层和光转换结构4接触设置。具体地，图3所示的显示装置是液晶显示装置，背光模组02为侧入式，该背光模组02包括背光源021和位于背光源021出光侧的导光板022，该背光源021为发蓝光的LED芯片，量子点彩膜层中就不需要设置蓝色量子点彩膜层33，而是将原本要设置蓝色量子点彩膜层33的位置填充散射材料以形成散射层33’，可以均匀量子点彩膜层的发光均匀性。
需要说明的是，图3是本发明实施例列举的其中一种采用量子点彩膜层作为彩膜的液晶显示装置结构，当然还可以为本领域技术人员熟知的其它液晶显示装置，只要彩膜基板采用本发明实施例提供的彩膜基板均可以解决量子点彩膜层UV固化不均的问题。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示装置中，如图4所示，显示基板100可以包括：驱动基板05，位于驱动基板05上的多个微型LED09，微型LED09四周设置挡墙10以防止混光现象，还包括位于微型LED09背离驱动基板05一侧的平坦层11，以及位于平坦层11背离驱动基板05一侧的封装层08，封装层08与黑矩阵2、量子点彩膜层和光转换结构4接触设置。
具体地，如图4所示，该微型LED09为发蓝光的LED芯片，量子点彩膜层中就不需要设置蓝色量子点彩膜层33，而是将原本要设置蓝色量子点彩膜层33的位置填充散射材料以形成散射层33’，可以均匀量子点彩膜层的发光均匀性。
需要说明的是，图4是本发明实施例列举的一种采用量子点彩膜层作为彩膜的微型LED显示装置结构，其中彩膜基板采用本发明实施例提供的彩膜基板，因此可以解决量子点彩膜层UV固化不均的问题。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示装置中，如图5所示，显示基板100可以包括依次层叠设置的驱动基板05、阳极12、有机发光层13、阴极14和封装层08，封装层08与黑矩阵2、量子点彩膜层和光转换结构4接触设置。具体地，有机发光层13的材料为发蓝光的材料，因此原本要设置蓝色量子点彩膜层33的位置填充散射材料以形成散射层33’，可以均匀量子点彩膜层的发光均匀性。
需要说明的是，图5是本发明实施例列举的一种采用量子点彩膜层作为彩膜的有机发光显示装置结构，其中彩膜基板采用本发明实施例提供的彩膜基板，因此可以解决量子点彩膜层UV固化不均的问题。
在具体实施时，如图3-图5所示，驱动基板05包括玻璃衬底以及位于玻璃衬底上的驱动电路，驱动电路用于驱动发光显示。封装层08可以为TFE封装，即可以包括相互交替设置的无机层-有机层-无机层。
在具体实施时，本发明实施例提供的图3-图5所示的显示装置还可以包括本领域技术人员熟知的其它功能性膜层，在此不做详述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述彩膜基板的制作方法，如图6所示，可以包括：
S601、在衬底基板上形成具有多个像素开口的黑矩阵；
S602、形成附着于像素开口侧壁上的光转换结构；
S603、在形成有光转换结构的像素开口内旋涂或喷墨印刷包括紫外光固化型量子点材料的量子点混合溶液；
S604、采用第一波长的紫外光对量子点混合溶液进行紫外光照射，以形成量子点彩膜层；其中，光转换结构用于将第一波长的紫外光转换为第二波长的紫外光，第一波长大于第二波长。
本发明实施例提供的上述彩膜基板的制作方法，通过在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间形成光转换结构，这样在对量子点溶液进行UV固化(紫外光照射，如395nm的紫外光)时，光转换结构可以将395nm的紫外光转换为波长更短、能量更高的紫外光(如365nm)，由于光转换结构设置在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间，因此该波长更短、能量更高的紫外光可以从侧边发出照射至量子点彩膜层，可以防止量子点彩膜层因UV光照不够，未完全固化，造成量子点彩膜层固化不均匀的问题。
在具体实施时，为了防止在发光过程中，光转换结构吸收红绿蓝三基色的光，在本发明实施例提供的上述制作方法中，采用波长小于400nm的紫外光对量子点混合溶液进行紫外光照射。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成附着于像素开口侧壁上的光转换结构，如图7所示，具体可以包括：
S701、在黑矩阵背离衬底基板一侧涂覆掺杂有上转换材料的光刻胶；
S702、对光刻胶进行曝光显影，形成附着于像素开口内壁上的光转换结构。
下面以图2所示的彩膜基板为例对本发明实施例提供的彩膜基板的制作方法进行详细阐述：
(1)在衬底基板1上涂覆黑矩阵材料，对黑矩阵材料进行曝光显影以形成具有多个像素开口21的黑矩阵2，如图8A所示。
(2)在形成有黑矩阵2的衬底基板1上涂覆掺杂有上转换材料的光刻胶，对该光刻胶进行曝光显影，通过控制不同位置的曝光量，以形成预设宽度W逐渐增大的光转换结构4，如图8B所示。
(3)在形成有光转换结构4的像素开口21内旋涂或喷墨印刷包括紫外光固化型量子点材料的量子点混合溶液，如图8C所示。
(4)采用第一波长λ1的紫外光对量子点混合溶液进行紫外光照射，在照射过程中，该光转换结构4将第一波长λ1的紫外光转换为小于第一波长λ1的第二波长λ2的紫外光，以形成固化均匀的不同颜色的量子点彩膜层，如图8D所示。
在后续采用本发明实施例制作得到的彩膜基板形成显示装置时，可以将形成的显示基板与本发明实施例中的彩膜基板对位贴合形成需要的显示装置。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该触控彩膜基板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该彩膜基板的实施可以参见上述彩膜基板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的一种彩膜基板、其制作方法及显示装置，由于量子点彩膜层一般经过溶液加工、旋涂或喷墨印刷、UV固化成膜后形成，本发明通过在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间设置光转换结构，这样在对量子点溶液进行UV固化(紫外光照射，如395nm的紫外光)时，光转换结构可以将395nm的紫外光转换为波长更短、能量更高的紫外光(如365nm)，由于光转换结构设置在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间，因此该波长更短、能量更高的紫外光可以从侧边发出照射至量子点彩膜层，可以防止量子点彩膜层因UV光照不够，未完全固化，造成量子点彩膜层固化不均匀的问题。因此本发明实施例中在黑矩阵侧壁与量子点彩膜层侧壁之间设置光转换结构，能够使量子点彩膜层固化更充分，解决了量子点彩膜层UV固化不均匀的问题，从而提高了显示器件的发光性能。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种彩膜基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
黑矩阵，位于所述衬底基板一侧，所述黑矩阵具有多个像素开口；
量子点彩膜层，位于所述像素开口内，所述量子点彩膜层包括紫外光固化型量子点材料；
光转换结构，位于所述黑矩阵侧壁与所述量子点彩膜层侧壁之间，所述光转换结构用于将第一波长的紫外光转换为第二波长的紫外光，所述第一波长大于所述第二波长。
2.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一波长小于400nm。
3.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述光转换结构沿垂直于所述衬底基板厚度方向上的截面具有预设宽度，沿所述光转换结构中远离衬底基板的表面指向靠近所述衬底基板的表面方向，所述预设宽度相同。
4.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述光转换结构沿垂直于所述衬底基板厚度方向上的截面具有预设宽度，沿所述光转换结构中远离衬底基板的表面指向靠近所述衬底基板的表面方向，所述预设宽度逐渐增大。
5.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，沿垂直于所述衬底基板厚度的方向，所述黑矩阵中远离所述衬底基板的表面的宽度小于靠近所述衬底基板的表面的宽度。
6.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述光转换结构内具有散射粒子。
7.如权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述光转换结构包括：基体，以及掺杂在所述基体内的上转换材料；其中，
所述基体的材料为光刻胶；
所述上转换材料包括：Sc的硫酸盐、Y的硫酸盐、La的硫酸盐、Gd的硫酸盐、Lu的硫酸盐其中之一或组合，以及活化剂。
8.如权利要求7所述的彩膜基板，其特征在于，所述活化剂包括Bi3+、Pr3+、Nd3+其中之一或组合，所述活化剂的质量占所述上转换材料质量的0.1％-10％。
9.一种显示装置，其特征在于，包括：显示基板，以及位于所述显示基板出光侧的彩膜基板，所述彩膜基板为如权利要求1-8任一项所述的彩膜基板。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示基板包括依次层叠设置的反射层、背光模组、保护层、第一偏光片、驱动基板、液晶层、第二偏光片和封装层，所述封装层与所述黑矩阵、所述量子点彩膜层和所述光转换结构接触设置。
11.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示基板包括：驱动基板，位于所述驱动基板上的多个微型LED，位于所述微型LED背离所述驱动基板一侧的平坦层，以及位于所述平坦层背离所述驱动基板一侧的封装层，所述封装层与所述黑矩阵、所述量子点彩膜层和所述光转换结构接触设置。
12.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示基板包括依次层叠设置的驱动基板、阳极、有机发光层、阴极和封装层，所述封装层与所述黑矩阵、所述量子点彩膜层和所述光转换结构接触设置。
13.一种如权利要求1-8任一项所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，包括：
在所述衬底基板上形成具有多个像素开口的黑矩阵；
形成附着于所述像素开口侧壁上的光转换结构；
在形成有所述光转换结构的像素开口内旋涂或喷墨印刷包括紫外光固化型量子点材料的量子点混合溶液；
采用第一波长的紫外光对所述量子点混合溶液进行紫外光照射，以形成量子点彩膜层；其中，所述光转换结构用于将所述第一波长的紫外光转换为第二波长的紫外光，所述第一波长大于所述第二波长。
14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，采用波长小于400nm的紫外光对所述量子点混合溶液进行紫外光照射。
15.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，形成附着于所述像素开口侧壁上的光转换结构，具体包括：
在所述黑矩阵背离所述衬底基板一侧涂覆掺杂有上转换材料的光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光显影，形成附着于所述像素开口内壁上的光转换结构。
CN202010525111.XA 2020-06-10 2020-06-10 一种彩膜基板、其制作方法及显示装置 Active CN111580301B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010525111.XA CN111580301B (zh) 2020-06-10 2020-06-10 一种彩膜基板、其制作方法及显示装置
US17/921,069 US20230174857A1 (en) 2020-06-10 2021-05-08 Color film substrate, fabrication method therefor and display device
PCT/CN2021/092353 WO2021249075A1 (zh) 2020-06-10 2021-05-08 彩膜基板、其制作方法及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010525111.XA CN111580301B (zh) 2020-06-10 2020-06-10 一种彩膜基板、其制作方法及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111580301A true CN111580301A (zh) 2020-08-25
CN111580301B CN111580301B (zh) 2022-07-12

Family

ID=72127358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010525111.XA Active CN111580301B (zh) 2020-06-10 2020-06-10 一种彩膜基板、其制作方法及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230174857A1 (zh)
CN (1) CN111580301B (zh)
WO (1) WO2021249075A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113745292A (zh) * 2021-08-27 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点彩膜基板、其制造方法、以及量子点显示装置
WO2021249075A1 (zh) * 2020-06-10 2021-12-16 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、其制作方法及显示装置
CN114203745A (zh) * 2022-02-18 2022-03-18 广州粤芯半导体技术有限公司 一种近红外图像传感器结构及其制作方法
CN115483327A (zh) * 2022-11-09 2022-12-16 镭昱光电科技(苏州)有限公司 Micro LED微显示芯片及其制造方法
TWI797846B (zh) * 2021-11-24 2023-04-01 財團法人工業技術研究院 色彩轉換單元、應用其之色彩轉換結構及應用其之發光二極體顯示器
CN116072800A (zh) * 2023-03-06 2023-05-05 镭昱光电科技(苏州)有限公司 Micro-LED显示芯片及其制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023200855A1 (en) * 2022-04-13 2023-10-19 Nanosys, Inc. Light emitting devices including a quantum dot color conversion material and method of making thereof

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105116629A (zh) * 2015-09-16 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种封框胶组合物、显示面板及其制备方法、显示装置
KR20180018945A (ko) * 2016-08-11 2018-02-22 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108267883A (zh) * 2018-01-24 2018-07-10 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、其制作方法及显示面板
KR20180085848A (ko) * 2017-01-19 2018-07-30 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108573992A (zh) * 2018-05-08 2018-09-25 业成科技（成都）有限公司 显示面板、制备方法及应用该显示面板的电子装置
CN108873465A (zh) * 2018-09-04 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 量子点显示基板及其制作方法、显示装置
KR20190029845A (ko) * 2017-09-12 2019-03-21 삼성디스플레이 주식회사 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
CN109765728A (zh) * 2019-03-29 2019-05-17 京东方科技集团股份有限公司 量子点彩膜及其制备方法、显示面板、显示装置
CN110441956A (zh) * 2019-08-20 2019-11-12 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点彩膜及显示装置
US20200075816A1 (en) * 2018-08-30 2020-03-05 Oregon State University Micro-led apparatus with enhanced illumination, and method for forming such

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111580301B (zh) * 2020-06-10 2022-07-12 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、其制作方法及显示装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105116629A (zh) * 2015-09-16 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种封框胶组合物、显示面板及其制备方法、显示装置
KR20180018945A (ko) * 2016-08-11 2018-02-22 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20180085848A (ko) * 2017-01-19 2018-07-30 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20190029845A (ko) * 2017-09-12 2019-03-21 삼성디스플레이 주식회사 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108267883A (zh) * 2018-01-24 2018-07-10 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、其制作方法及显示面板
CN108573992A (zh) * 2018-05-08 2018-09-25 业成科技（成都）有限公司 显示面板、制备方法及应用该显示面板的电子装置
US20200075816A1 (en) * 2018-08-30 2020-03-05 Oregon State University Micro-led apparatus with enhanced illumination, and method for forming such
CN108873465A (zh) * 2018-09-04 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 量子点显示基板及其制作方法、显示装置
CN109765728A (zh) * 2019-03-29 2019-05-17 京东方科技集团股份有限公司 量子点彩膜及其制备方法、显示面板、显示装置
CN110441956A (zh) * 2019-08-20 2019-11-12 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点彩膜及显示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021249075A1 (zh) * 2020-06-10 2021-12-16 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、其制作方法及显示装置
CN113745292A (zh) * 2021-08-27 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点彩膜基板、其制造方法、以及量子点显示装置
WO2023024179A1 (zh) * 2021-08-27 2023-03-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点彩膜基板、其制造方法、以及量子点显示装置
TWI797846B (zh) * 2021-11-24 2023-04-01 財團法人工業技術研究院 色彩轉換單元、應用其之色彩轉換結構及應用其之發光二極體顯示器
CN114203745A (zh) * 2022-02-18 2022-03-18 广州粤芯半导体技术有限公司 一种近红外图像传感器结构及其制作方法
CN115483327A (zh) * 2022-11-09 2022-12-16 镭昱光电科技(苏州)有限公司 Micro LED微显示芯片及其制造方法
CN116072800A (zh) * 2023-03-06 2023-05-05 镭昱光电科技(苏州)有限公司 Micro-LED显示芯片及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20230174857A1 (en) 2023-06-08
WO2021249075A1 (zh) 2021-12-16
CN111580301B (zh) 2022-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111580301B (zh) 一种彩膜基板、其制作方法及显示装置
EP3252525B1 (en) Display device and method for manufacturing the same
KR101969462B1 (ko) 광발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US11635555B2 (en) Colour film sheet and fabricating method therefor, colour film substrate, and display apparatus
CN107102514B (zh) 量子点光刻胶、量子点彩膜基板和显示装置
WO2017080064A1 (zh) 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板
US11335874B2 (en) Quantum dot color filter substrate, fabricating method thereof, and display panel
CN108873470B (zh) 一种量子点彩膜背光结构
CN108878497B (zh) 显示基板及制造方法、显示装置
CN105278150A (zh) 量子点彩膜基板及其制作方法与液晶显示装置
WO2019052002A1 (zh) 一种彩膜基板及显示设备
CN109387975B (zh) 一种显示面板及其显示器件
US20210026193A1 (en) Display substrate, manufacturing method therefor, and display panel
CN107450218B (zh) 光致发光显示装置及其制造方法
US11968871B2 (en) Display substrate facilitating ink injection, method for manufacturing the display substrate and display device
CN111048693A (zh) 一种量子点彩膜基板及其制作方法
CN108845448B (zh) 一种改善量子点彩膜出光纯度的基板结构
KR20180107385A (ko) 광루미네선스 장치, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
CN210323685U (zh) 一种显示装置
CN114035363A (zh) 显示面板及量子点彩膜基板
CN112689862A (zh) 分隔壁的制造方法、图像显示装置及其制造方法
WO2022267058A1 (zh) 背光模组及显示装置
CN217062140U (zh) 一种显示装置
KR102125837B1 (ko) 광확산형 색변환 다이오드 및 이의 제조방법
CN112947009A (zh) 一种提升子像素发光均衡的Micro-LED光刻系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant