CN111564137B - 发光二极管驱动电路及发光二极管显示装置 - Google Patents

发光二极管驱动电路及发光二极管显示装置 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供的发光二极管显示装置，包括：一第一开关单元，其输入端接入参考电压，其控制端接入第一电压；一存储单元，其一端接地，另一端与所述第一开关单元的输出端连接；一第二开关单元，其输入端接入数据信号，其控制端接入第二电压；一电压比较单元，其一输入端与所述第一开关单元的输出端连接，另一输入端与所述第二开关单元的输出端连接，输出对应的电平信号；一发光二极管驱动单元，其控制端与所述电压比较单元的输出端连接，所述发光二极管驱动单元用于在所述电平信号的控制下控制发光二极管发光体发光或熄灭。本申请直接利用电压比较单元的输出对第四开关单元进行开关控制，解决了脉冲幅值调节驱动色偏的问题。

Description

发光二极管驱动电路及发光二极管显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管驱动电路及发光二极管显示装置。
背景技术
发光二极管显示屏是一种平板显示器，由一个个小的发光二极管模块面板组成，用来显示文字、图像、视频等各种信息的设备。发光二极管电子显示屏集微电子技术、计算机技术、信息处理于一体，具有色彩鲜艳、动态范围广、亮度高、寿命长、工作稳定可靠等优点。发光二极管显示屏是经发光二极管点阵组成的电子显示屏，通过亮灭红绿灯珠更换屏幕显示内容形式如文字、动画、图片、视频的及时转化，通过模块化结构进行组件显示控制。
现有技术中发光二极管显示器在进行显示驱动时，采用脉冲幅值调节+脉冲宽度调制驱动的方式，但是由于发光二极管发光体在不同的电流密度下，发光波普会发生偏移，因此，常规的脉冲幅值调节驱动在显示时，会有色偏移的现象。现有技术中的脉冲幅值调节+脉冲宽度调制的驱动方式，可以很好解决发光二极管低灰阶色偏的问题，但是，如果脉冲宽度调制时间控制模块时序出现异常，极易造成驱动芯片短路。
因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种显示面板补偿电路结构及显示装置，解决了脉冲幅值调节驱动色偏的问题，且电路结构简单，设计成本低，可以避免操作异常引发短路风险。
第一方面，本申请实施例提供了一种发光二极管驱动电路，包括：
一第一开关单元，其输入端接入参考电压，其控制端接入第一电压，所述第一开关单元在所述第一电压的控制下打开或关闭；
一存储单元，其一端接地，另一端与所述第一开关单元的输出端连接；
一第二开关单元，其输入端接入数据信号，其控制端接入第二电压，所述第二开关单元在所述第二电压的控制下打开或关闭；
一电压比较单元，其一输入端与所述第一开关单元的输出端连接，另一输入端与所述第二开关单元的输出端连接，其用于将所述第一开关单元的输出端的电压与所述第二开关单元的输出端的电压进行比较，并输出对应的电平信号；
一发光二极管驱动单元，其控制端与所述电压比较单元的输出端连接，所述发光二极管驱动单元用于在所述电平信号的控制下控制发光二极管发光体发光或熄灭。
本申请实施例提供的发光二极管驱动电路通过去掉脉冲宽度调制控制、脉冲幅值调节控制模块，并直接利用电压比较器的输出对第四开关单元T4进行开关控制，解决了脉冲幅值调节驱动色偏的问题，本申请电路结构简单，设计成本低，可以避免操作异常引发短路风险。
可选地，在本申请实施例所述的发光二极管驱动电路中，所述存储单元包括第一电容，所述第一电容的一端与所述第一开关单元的输出端连接，所述第一电容的另一端接地。
可选地，在本申请实施例所述的发光二极管驱动电路中，所述存储单元还包括第一电阻，所述第一电阻的两端与所述第一电容的两端分别连接。
可选地，在本申请实施例所述的发光二极管驱动电路中，所述第二开关单元包括第二N型金属氧化物半导体晶体管以及第二电容；
所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极接入所述第二电压，所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极接入所述数据信号，所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极与所述电压比较单元连接；
所述第二电容的一端与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接，所述第二电容的另一端接地。
可选地，在本申请实施例所述的发光二极管驱动电路中，所述第一开关单元包括第一N型金属氧化物半导体晶体管。
可选地，在本申请实施例所述的发光二极管驱动电路中，所述发光二极管驱动单元包括第三开关单元以及第四开关单元；
所述第三开关单元的输入端接入供电电压，所述第三开关单元的输出端与所述发光二极管发光体的正极连接，所述第四开关单元的输入端与所述发光二极管发光体的负极连接，所述第四开关单元的输出端接地，所述第四开关单元的控制端与所述电压比较单元的输出端连接。
可选地，在本申请实施例所述的发光二极管驱动电路中，所述第三开关单元以及所述第四开关单元均为N型金属氧化物半导体晶体管。
可选地，在本申请实施例所述的发光二极管驱动电路中，所述发光二极管驱动电路包括第一驱动阶段、第二驱动阶段、第三驱动阶段以及第四驱动阶段；
在第一驱动阶段，所述第一开关单元打开，并接入所述参考电压至所述电压比较单元的一输入端；
在第二驱动阶段，所述第二开关单元打开，并接入所述数据信号至所述电压比较单元的另一输入端；
在第三驱动阶段，所述第一开关单元关闭，并打开所述第三开关单元，所述电压比较单元输出高电平使得所述第四开关单元打开，所述发光二极管发光体发光；
在第四驱动阶段，所述电压比较单元输出低电平，，所述第四开关单元关闭，所述发光二极管发光体熄灭。
可选地，在本申请实施例所述的发光二极管驱动电路中，所述电压比较单元为运算放大器。
第二方面，本申请实施例还提供了一种发光二极管显示装置，包括上述任一项所述的发光二极管驱动电路。
本申请实施例提供的发光二极管驱动电路通过去掉脉冲宽度调制控制、脉冲幅值调节控制模块，并直接利用电压比较器的输出对第四开关单元T4进行开关控制，解决了脉冲幅值调节驱动色偏的问题，本申请电路结构简单，设计成本低，可以避免操作异常引发短路风险。
本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的发光二极管驱动电路的原理框图。
图2为本申请实施例提供的发光二极管驱动电路的电路结构图。
图3为本申请实施例提供的发光二极管驱动电路的时序图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
请参照图1以及图2，图1是本申请一些实施例中的一种发光二极管驱动电路的原理框图。图2是本申请一些实施例中的一种发光二极管驱动电路的电路结构图。该发光二极管驱动电路包括：第一开关单元10、第二开关单元20、存储单元30、电压比较单元40以及发光二极管驱动单元50。
其中，该第一开关单元10的输入端接入参考电压VREEF，其控制端接入第一电压SWEEP；存储单元30的一端接地，另一端与第一开关单元10的输出端连接；第二开关单元20其输入端接入数据信号Vdata，其控制端接入第二电压WR；电压比较单元40的一输入端与所述第一开关单元10的输出端连接，另一输入端与所述第二开关单元20的输出端连接，其用于将所述第一开关单元10的输出端的电压与所述第二开关单元20的输出端的电压进行比较，并输出对应的电平信号；发光二极管驱动单元50的控制端与所述电压比较单元40的输出端连接，所述发光二极管驱动单元50用于在所述电平信号的控制下控制发光二极管发光体D1发光或熄灭。
具体地，该第一开关单元10包括第一N型金属氧化物半导体晶体管T1，当然，可以理解地，该第一开关单元10也可以为P型金属氧化物半导体晶体管。该第一开关单元10在该第一电压SWEEP的控制下打开或者关闭。其中，该第二N型金属氧化物半导体晶体管T1为增强型N型金属氧化物半导体晶体管。
其中，第二开关单元20在该第二电压WR的控制下打开或者关闭。该第二开关单元20包括第二N型金属氧化物半导体晶体管T2以及第二电容C2；第二N型金属氧化物半导体晶体管T2的栅极接入所述第二电压WR，所述第二N型金属氧化物半导体晶体管T2的源极接入所述数据信号Vdata，所述第二N型金属氧化物半导体晶体管T2的漏极与所述电压比较单元40连接；第二电容C2的一端与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管T2的漏极连接，所述第二电容C2的另一端接地。第二N型金属氧化物半导体晶体管T2为增强型N型金属氧化物半导体晶体管。
其中，该存储单元30包括第一电容C1以及第一电阻R1。所述第一电容C1的一端与所述第一开关单元10的输出端连接，所述第一电容C1的另一端接地。第一电阻R1的两端与所述第一电容C1的两端分别连接。
其中，该发光二极管驱动单元50包括第三开关单元T3以及第四开关单元T4；第三开关单元T3的输入端接入供电电压DVDD，所述第三开关单元T3的输出端与所述发光二极管发光体D1的正极连接，所述第四开关单元T4的输入端与所述发光二极管发光体D1的负极连接，所述第四开关单元T4的输出端接地，所述第四开关单元T4的控制端与所述电压比较单元40的输出端连接。其中，该第三开关单元T3以及所述第四开关单元T4均为N型金属氧化物半导体晶体管，且均为为增强型N型金属氧化物半导体晶体管
其中，该第三开关单元T3在该EM电压的控制下打开或者关闭，该第四开关单元T4在该电压比较单元40的输出端电压的控制下打开或者关闭。
其中，该电压比较单元40可以为运算放大器。
在一些实施例中，请同时参照图3，该发光二极管驱动电路工作时，包括第一驱动阶段t0、第二驱动阶段t1、第三驱动阶段t2以及第四驱动阶段t3。
在第一驱动阶段t0，该第一开关单元10打开，并接入所述参考电压VREEF至所述电压比较单元40的一输入端；
在第二驱动阶段t1，所述第二开关单元20打开，并接入所述数据信号Vdata至所述电压比较单元40的另一输入端；
在第三驱动阶段t2，所述第一开关单元10关闭，并打开所述第三开关单元T3，所述电压比较单元40输出高电平使得所述第四开关单元T4打开，所述发光二极管发光体D1发光；
在第四驱动阶段t3，所述电压比较单元40输出低电平，所述第四开关单元T4关闭，所述发光二极管发光体D1熄灭。
本申请实施例提供的发光二极管驱动电路通过去掉脉冲宽度调制控制、脉冲幅值调节控制模块，并直接利用电压比较器的输出对第四开关单元T4进行开关控制，解决了脉冲幅值调节驱动色偏的问题，本申请电路结构简单，设计成本低，可以避免操作异常引发短路风险。
本申请实施例还提供了一种发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置包括多个发光二极管发光体组成的显示阵列以及多个发光二极管驱动电路，每一发光二极管驱动电路分别与一个发光二极管发光单体连接以驱动对应的发光二极管发光单体发光。
当然，可以理解地，在一些实施例中，每一发光二极管驱动电路可以连接多个发光二极管发光体，从而对该多个发光二极管发光体进行同步控制。
其中，在本申请提供的发光二极管显示装置中，该发光二极管驱动电路可以包括：第一开关单元10、第二开关单元20、存储单元30、电压比较单元40以及发光二极管驱动单元50。
其中，该第一开关单元10的输入端接入参考电压VREEF，其控制端接入第一电压SWEEP；存储单元30的一端接地，另一端与第一开关单元10的输出端连接；第二开关单元20其输入端接入数据信号Vdata，其控制端接入第二电压WR；电压比较单元40的一输入端与所述第一开关单元10的输出端连接，另一输入端与所述第二开关单元20的输出端连接，其用于将所述第一开关单元10的输出端的电压与所述第二开关单元20的输出端的电压进行比较，并输出对应的电平信号；发光二极管驱动单元50的控制端与所述电压比较单元40的输出端连接，所述发光二极管驱动单元50用于在所述电平信号的控制下控制发光二极管发光体D1发光或熄灭。
当然，可以理解地，该发光二极管驱动电路与上述实施例中的发光二极管驱动电路相同，因此，无需过多描述。
本申请实施例提供的发光二极管显示装置通过去掉脉冲宽度调制控制、脉冲幅值调节控制模块，并直接利用电压比较器的输出对第四开关单元T4进行开关控制，解决了脉冲幅值调节驱动色偏的问题，本申请电路结构简单，设计成本低，可以避免操作异常引发短路风险。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种发光二极管驱动电路，其特征在于，包括：
一第一开关单元，其输入端接入参考电压，其控制端接入第一电压，所述第一开关单元在所述第一电压的控制下打开或关闭；
一存储单元，其一端接地，另一端与所述第一开关单元的输出端连接；
一第二开关单元，其输入端接入数据信号，其控制端接入第二电压，所述第二开关单元在所述第二电压的控制下打开或关闭；
一电压比较单元，其一输入端与所述第一开关单元的输出端连接，另一输入端与所述第二开关单元的输出端连接，其用于将所述第一开关单元的输出端的电压与所述第二开关单元的输出端的电压进行比较，并输出对应的电平信号；
一发光二极管驱动单元，其控制端与所述电压比较单元的输出端连接，所述发光二极管驱动单元用于在所述电平信号的控制下控制发光二极管发光体发光或熄灭；
所述发光二极管驱动单元包括第三开关单元以及第四开关单元；
所述第三开关单元的输入端接入供电电压，所述第三开关单元的输出端与所述发光二极管发光体的正极连接，所述第四开关单元的输入端与所述发光二极管发光体的负极连接，所述第四开关单元的输出端接地，所述第四开关单元的控制端与所述电压比较单元的输出端连接。
2.根据权利要求1所述的发光二极管驱动电路，其特征在于，所述存储单元包括第一电容，所述第一电容的一端与所述第一开关单元的输出端连接，所述第一电容的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的发光二极管驱动电路，其特征在于，所述存储单元还包括第一电阻，所述第一电阻的两端与所述第一电容的两端分别连接。
4.根据权利要求1所述的发光二极管驱动电路，其特征在于，所述第二开关单元包括第二N型金属氧化物半导体晶体管以及第二电容；
所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极接入所述第二电压，所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极接入所述数据信号，所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极与所述电压比较单元连接；
所述第二电容的一端与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接，所述第二电容的另一端接地。
5.根据权利要求1所述的发光二极管驱动电路，其特征在于，所述第一开关单元包括第一N型金属氧化物半导体晶体管。
6.根据权利要求1所述的发光二极管驱动电路，其特征在于，所述第三开关单元以及所述第四开关单元均为N型金属氧化物半导体晶体管。
7.根据权利要求1所述的发光二极管驱动电路，其特征在于，所述发光二极管驱动电路包括第一驱动阶段、第二驱动阶段、第三驱动阶段以及第四驱动阶段；
在第一驱动阶段，所述第一开关单元打开，并接入所述参考电压至所述电压比较单元的一输入端；
在第二驱动阶段，所述第二开关单元打开，并接入所述数据信号至所述电压比较单元的另一输入端；
在第三驱动阶段，所述第一开关单元关闭，并打开所述第三开关单元，所述电压比较单元输出高电平使得所述第四开关单元打开，所述发光二极管发光体发光；
在第四驱动阶段，所述电压比较单元输出低电平，所述第四开关单元关闭，所述发光二极管发光体熄灭。
8.根据权利要求1所述的发光二极管驱动电路，其特征在于，所述电压比较单元为运算放大器。
9.一种发光二极管显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的发光二极管驱动电路。
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