CN111554663A - 一种电子芯片的磁场屏蔽结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其包括芯片本体、设于芯片本体外的封装壳体以及设于封装壳体内的磁场引导件。本发明通过在电子芯片内设置磁场引导件,对芯片本体产生的磁场进行引导,将其磁场方向限制在一定空间内,或者压缩其磁场扩散空间,从而实现电子芯片的磁场屏蔽,避免该电子芯片周围电子器件遭受电磁干扰。而且,本发明的磁场引导件集成或封装于电子芯片内,避免了屏蔽罩的使用,从而减少了电子器件的安装空间,使电子产品更加小型化。
Description
技术领域
本发明涉及电子芯片领域,具体涉及一种电子芯片的磁场屏蔽结构。
背景技术
电子产品的核心是电路板,而电路板上一般会安装各种电子芯片。随着电子产品不断升级的功能,电路板上安装的电子芯片模块越来越密集,而每一电子芯片都会带有一定的磁场,不同电子芯片靠太近则会导致各个电子芯片之间发生电磁干扰。而电磁干扰会严重影响电子产品的性能。
现有技术中,为了克服各个电子芯片间的电磁干扰,一般会设置屏蔽罩包围电子芯片。但一般的屏蔽罩占用空间大,不利于当下对电子产品的薄型化设计。
针对现有电子产品中存在的电磁干扰问题,本设计人进行了深入构思,遂产生本发明。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其结构简单,可以免去屏蔽罩的使用,从而减少了电子器件的安装空间。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其包括芯片本体、设于芯片本体外的封装壳体以及设于封装壳体内的磁场引导件。
所述磁场引导件为导磁性物质和/或反磁性物质。
所述磁场引导件设于封装壳体内侧面、芯片本体上和/或芯片本体内。
所述芯片本体上设有通孔,所述磁场引导件设于通孔内。
所述磁场引导件镀设在芯片本体外表面。
所述芯片本体设有多个线路层,所述磁场引导件以平面状设于两线路层之间。
所述磁场引导件为线圈组。
所述磁场引导件以平面结构设于封装壳体内侧面或芯片本体上。
所述线圈组的磁场方向与芯片本体的磁场方向相反。
本发明通过在电子芯片内设置磁场引导件,对芯片本体产生的磁场进行引导,将其磁场方向限制在一定空间内,或者压缩其磁场扩散空间,从而实现电子芯片的磁场屏蔽,避免该电子芯片周围电子器件遭受电磁干扰。而且,本发明的磁场引导件集成或封装于电子芯片内,避免了屏蔽罩的使用,从而减少了电子器件的安装空间,使电子产品更加小型化。
附图说明
图1为本发明实施例一电子芯片的磁场分布示意图;
图2至图4为实施例一中磁场引导件为反磁性物质时电子芯片的磁场分布示意图;
图5至图7为实施例一中磁场引导件为导磁性物质时电子芯片的磁场分布示意图;
图8至图9为实施例二中磁场引导件为反磁性物质时电子芯片的磁场分布示意图;
图10至图11为实施例二中磁场引导件为导磁性物质时电子芯片的磁场分布示意图;
图12为实施例三中磁场引导件为反磁性物质时电子芯片的磁场分布示意图;
图13为实施例三中磁场引导件为导磁性物质时电子芯片的磁场分布示意图;
图14为实施例四中芯片本体的结构示意图;
图15-16为实施例四中电子芯片的磁场分布示意图;
图17至图18为实施例五中电子芯片的磁场分布示意图。
具体实施方式
本发明揭示了一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其包括芯片本体10、设于芯片本体10外的封装壳体以及设于封装壳体内的磁场引导件20。
上述磁场引导件20可以是导磁性物质、反磁性物质或线圈组,或者任意两种以上的结合。为详尽本发明内容,以下将列举五个实施例。
实施例一
本实施例中,磁场引导件20设置在封装壳体内,其可以是导磁性物质或反磁性物质。该磁场引导件20可以以封闭或半封闭的形式包裹在芯片本体10外。当采用磁场引导件20采用封闭形式包裹在芯片本体10外时,芯片本体10产生的磁场被限制在封装壳体内,不会向外扩散。当磁场引导件20采用半封闭形式包裹在芯片本体10外时,芯片本体10产生的磁场不会四处扩散,其扩散方向为封装壳体未设置磁场引导件20的方向。
图3至图5中,磁场引导件20为反磁性物质时的芯片本体10磁场示意图。与图1相比,图3中反磁性物质以封闭形式包裹在芯片本体10外,芯片本体10产生的磁场则被限制在反磁性物质包围形成的空间内。与图1相比,图4和图5中反磁性物质以半封闭形式包裹在芯片本体10外,芯片本体10长生的磁场大多被限制在反磁性物质包围形成的空间内,该磁场仅能在开口方向扩散。
图6至图8中,磁场引导件20为导磁性物质时的芯片本体10磁场示意图。与图3至图5相同,芯片本体10的磁场磁场均被限制在导磁性物质包围形成的空间内,不同的是,采用导磁性物质时,导磁性物质会吸收磁力线,使磁力线在导磁性物质内传输。
也就是说,电子芯片采用本实施例的结构时,芯片本体10产生的磁场并不会向外扩散,或在某些方向上不扩散,这样当在这些方向上设置其他电子器件时,这些电子器件并不会收到电子芯片的磁场干扰。
实施例二
本实施例中,磁场引导件20设置在芯片本体10内或芯片本体10表面,其可以是导磁性物质或反磁性物质。
图9和图10中,磁场引导件20为反磁性物质,其以柱状结构设置在芯片本体10上或内部。此时,芯片本体10产生的磁场会被反磁性物质排斥而集中在其他位置,使得在反磁性物质对应的位置处无磁场。这样,其他电子器件设置在反磁性物质周围即可避免该电子芯片的磁场干扰。
图11和图12中,磁场引导件20为导磁性物质,其以柱状结构设置在芯片本体10上或内部。此时,芯片本体10产生的磁场会被导磁物质吸收而导致磁场集中在导磁性物质处,磁场扩散空间因此被压缩,从而减小芯片本体10的辐射范围。
实施例三
当电子芯片缠身的磁场需要在某一方向上与其他器件作用,从而实现一定功能时,可以将实施例一和实施例二结合在一起,即在封装壳体内设置磁场引导件20,该磁场引导件20以半封闭形式包裹在芯片本体10外,而芯片本体10内或表面还设置一柱状导磁性物质30,该导磁性物质30的磁场引导件20的开口位置对应。
如图13和图14所示,该实施例中的磁场引导件20既可以是反磁性物质,也可以是导磁性物质。这样在某些方向上设置电子器件,可以避免受到电子芯片的电磁干扰,而在某些方向上设置电子器件,其可以与电子芯片的磁场作用,实现一定功能,且通过在对应开口的位置处设置导磁性物质30进行引导,可以使该方向上的磁场加强,从而加强芯片本体10的磁场与其他电子器件的作用程度,提高实现功能的效果。
实施例四
如图15所示,本实施例中,芯片本体10设有多个线路层11,这样磁场引导件20以平面状设于两线路层11之间。该磁场引导件20既可以是反磁性物质,也可以是导磁性物质。
如图16所示,磁场引导件20采用反磁性物质,此时,芯片本体10产生的磁场会被反磁性物质压缩,使得芯片本体10的磁场向上集中,而不会四处涣散,从而减小了电子芯片的磁场扩散空间,从而避免了周边电子器件受到电磁干扰。
如图17所示,磁场引导件20采用导磁性物质,此时,芯片本体10产生的磁场会被导磁性物质吸收后再折返回去,使得芯片本体10的磁场向上集中,而不会四处涣散,从而减小了电子芯片的磁场扩散空间,从而避免了周边电子器件受到电磁干扰。
当然,磁场引导件20也可以以溅镀、蒸镀等方式设置在芯片本体10的外表面,其磁场改变情况与图16和17相似。同样也能压缩芯片本体10的磁场空间。
实施例五
该实施例中,磁场引导件20为线圈组,其以平面结构设于封装壳体内或芯片本体10上。而线圈组的磁场方向与芯片本体10的磁场方向相反。
如图17和18所示,芯片本体10的磁场被线圈组压缩,使得芯片本体10的磁场向上集中,而不会四处涣散,从而减小了电子芯片的磁场扩散空间,从而避免了周边电子器件受到电磁干扰。
综上,本发明通过在电子芯片内设置磁场引导件20,对芯片本体10产生的磁场进行引导,将其磁场方向限制在一定空间内,或者压缩其磁场扩散空间,从而实现电子芯片的磁场屏蔽,避免该电子芯片周围电子器件遭受电磁干扰。而且,本发明的磁场引导件20集成或封装于电子芯片内,避免了屏蔽罩的使用,从而减少了电子器件的安装空间,使电子产品更加小型化。
以上所述,仅是本发明实施例而已,并非对本发明的技术范围作任何限制,故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (9)
1.一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其特征在于:包括芯片本体、设于芯片本体外的封装壳体以及设于封装壳体内的磁场引导件。
2.根据权利要求1所述的一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其特征在于:所述磁场引导件为导磁性物质和/或反磁性物质。
3.根据权利要求2所述的一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其特征在于:所述磁场引导件设于封装壳体内侧面、芯片本体上和/或芯片本体内。
4.根据权利要求3所述的一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其特征在于:所述芯片本体上设有通孔,所述磁场引导件设于通孔内。
5.根据权利要求3所述的一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其特征在于:所述磁场引导件镀设在芯片本体外表面。
6.根据权利要求3所述的一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其特征在于:所述芯片本体设有多个线路层,所述磁场引导件以平面状设于两线路层之间。
7.根据权利要求2所述的一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其特征在于:所述磁场引导件为线圈组。
8.根据权利要求7所述的一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其特征在于:所述磁场引导件以平面结构设于封装壳体内侧面或芯片本体上。
9.根据权利要求7所述的一种电子芯片的磁场屏蔽结构,其特征在于:所述线圈组的磁场方向与芯片本体的磁场方向相反。
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