CN111539392A - 指纹感测模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种指纹感测模块，包括图像传感器、微透镜数组以及遮光层。图像传感器具有多个像素。各像素具有多个物理地分离的感光区域，各感光区域适于接收来自使用者指纹的图像光束的一部分。微透镜阵列设置于图像传感器上。微透镜阵列包括多个微透镜。各微透镜的聚焦范围覆盖这些感光区域的一部分。遮光层设置于图像传感器与微透镜阵列之间。遮光层具有多个开口，这些开口的位置对应于这些像素的位置。据此，指纹感测模块具有良好的指纹图像感测质量，且具有较低的制造成本。

Description

指纹感测模块
技术领域
本发明涉及一种指纹感测模块，尤其涉及一种有关于光学式指纹感测模块。
背景技术
现有的光学式指纹识别的一种做法是于其内部采用微透镜阵列及具有多个开口的遮光层，通常遮光层的开口的位置是对应于微透镜的中心位置。当光束照射手指上的指纹后，指纹将光束反射而形成带有指纹信息的图像光束，而微透镜聚焦图像光束以使其穿透开口的并聚焦至图像传感器的像素上，藉此以感测指纹图像。
但上述架构的问题在于，在遮光层的贴合过程中，不一定能使开口准确无误地对应至微透镜的中心轴。若开口位置与微透镜的中心轴错位，将导致图像光束被遮光层的非开口区域遮蔽，而无法将光束传递至像素上，造成图像感测质量不佳。为了要避免上述问题，光学式指纹识别装置中的微透镜、遮光层、与像素之间需要精准的对位，但这样其整体制造成本难以降低。
发明内容
本发明是针对一种指纹感测模块，其具有良好的指纹图像感测质量，且具有较低的制造成本。
根据本发明的实施例，指纹感测模块包括图像传感器、微透镜阵列以及遮光层。图像传感器具有多个像素。各像素具有多个物理地分离的感光区域，各感光区域适于接收来自使用者指纹的图像光束。微透镜阵列设置于图像传感器上。微透镜阵列包括多个微透镜，其中各微透镜的聚焦范围覆盖这些感光区域的一部分。遮光层设置于图像传感器与微透镜阵列之间。遮光层具有多个开口，这些开口的位置对应于这些像素的位置。
在根据本发明的实施例的指纹感测模块中，由于图像传感器的像素被分为多个更小的感光区域，且微透镜的聚焦范围覆盖这些感光区域的一部分，因此，无论遮光层的开口中心轴位置是否有与微透镜的中心轴位置对应，这些感光区域中的至少一者也能够感测到图像光束，因此指纹感测模块可具有良好的图像感测质量，且其对位要求不需要太高而可避免较高的制造成本。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是依照本发明的一实施例的一种指纹感测模块的示意图；
图2A与图2B是在图1的架构下的不同实施例中图像光束照射像素的上视示意图；
图3是图1中的各像素内的简要电路示意图；
图4是依照本发明另一实施例的指纹感测模块的示意图；
图5A与图5B是在图4的架构下的不同实施例中图像光束照射像素的上视示意图。
附图标号说明
1：电子装置；
100：指纹感测模块；
110：图像传感器；
114：电路层；
115：信号放大器；
116：电路基板；
117：控制器；
119、119a～119d：开关；
1151、1191：第一端；
1152、1192：第二端；
120：微透镜阵列；
130：遮光层；
132：不透光材料层；
A：部分；
B：光束；
C：电容；
CE1、CE2：中心轴；
CP：透光盖板；
CR：聚焦范围；
CRC、SRC、PHC：中心；
G1～G4：光强度信号；
G1’：最大光强度信号；
IB：图像光束；
LS：光源；
ML：微透镜；
OB：手指；
P：像素；
PC：节距；
PD：光电转换元件；
PH：开口；
PR：处理器；
IB：图像光束；
SR：感光区域；
W1、W2：宽度。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1是依照本发明的一实施例的一种指纹感测模块的示意图。图2A与图2B是在图1的架构下的不同实施例中图像光束照射像素的上视示意图。图3是图1中的各像素内的简要电路示意图。
请参照图1，在本实施例中，指纹感测模块100包括图像传感器110、微透镜阵列120以及遮光层130。并且，指纹感测模块100整合于电子装置1，其中此电子装置1例如是手机，但不以此为限。电子装置1除了指纹感测模块100之外，更例如包括光源LS、透光盖板CP以及处理器PR。于以下的段落中会详细地说明上述各元件与各元件之间的配置关系。
请参照图1，于本实施例中，图像传感器110为可将光信号转换成电信号的电子元件，藉此将来自物体的图像光束转换成图像信息。于本实施例中，图像传感器110例如是互补式金氧半(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器、电荷耦合元件(Charge Couple Device,CCD)图像传感器、薄膜晶体管图像传感器或其他合适种类的图像传感器，本发明并不以此为限。
请再参照图1，图像传感器110还包括多个像素P、电路层114以及电路基板116，这些像素P与电路层114设置于电路基板116上。各像素P具有多个物理地分离(Physicallyseparated)的感光区域SR，且电路层114设于任两相邻之间的像素P。请参照图2A、图2B及图3，于本实施例中，这些感光区域SR的数量例如是4个，但不以此为限，且其分别标示为SR1～SR4。于其他的实施例中，亦可以是小于4个或者是大于4个，但本发明并不以此为限。
微透镜阵列120设置于图像传感器110上，且其包括多个以数组方式排列的微透镜ML，各微透镜ML具有一穿过其透镜中心的中心轴CE1。请参照图1，各微透镜ML的宽度W1范围例如是落在10微米至100微米的范围内，本发明并不以此为限。这些微透镜ML之间的节距PC(Pitch)的范围落在10微米至100微米的范围内，其中节距PC的定义为两相邻微透镜ML的中心轴CE1之间的距离，本发明并不以此为限。
遮光层130本身为不透光材料层132，且其具有多个开口PH(亦或称为穿孔)以供光线穿透，其中开口PH的宽度W2范围例如是落在1微米至10微米的范围内，本发明并不以此为限。各开口PH亦具有一穿过其中心的中心轴CE2在一实施例中，微透镜ML的中心轴CE1与开口PH的中心轴CE2对位(或称重叠)。
处理器PR与图像传感器110的电路基板116电性连接，并通过电路基板116接收来自像素P的信号。
光源LS为可发出光束的光电元件。于本实施例中，光源LS可为显示面板。于其他的实施例中，光源LS亦可为发光二极管、有机发光二极管或其他合适的发光元件，本发明并不以此为限。光源LS设置于透光盖板CP与微透镜阵列120之间。
透光盖板CP系为可使光束穿透的光学元件，其材料例如是玻璃，并提供上述元件保护功能。透光盖板CP设置于光源LS上方。
于以下的段落中会详细地说明本实施例的光学效果。
请参照图1，当使用者的手指OB碰触电子装置1的透光盖板CP时，光源LS发出光束B，光束B穿透透光盖板CP传递至手指OB上的指纹，指纹反射光束B以形成带有指纹信息的图像光束IB。图像光束IB依序穿透透光盖板CP、光源LS并被微透镜阵列120的一微透镜ML聚焦后，穿过遮光层130的开口PH而传递至图像传感器110的像素P。遮光层130的设置可有效地避免杂散光入射于像素P，以避免杂散光影响图像质量。
请参照图2A，图像光束IB经由微透镜ML聚焦到感光区域SR的一部分(即聚焦范围CR与感光区域重叠的部分)，而这些感光区域SR的另一部分A则是落在聚焦范围CR外。在其他实施例中，请参照图2B，感光区域SR的大小可以被设计为相较于图2A的感光区域SR更小，以使聚焦范围CR完整地覆盖这些感光区域SR。在一实施例中，例如，于图2A与图2B中，由于微透镜ML的中心轴CE1刚好对位于开口PH的中心轴CE2，因此微透镜ML的聚焦范围CR的中心CRC例如是与这些感光区域SR的中心SRC对位。
于以下段落中会搭配图3中像素的简要电路以说明对应此像素P的指纹局部图像的决定方式。
请参照图3，像素P更包括信号放大器115、控制器117以及多个开关119，其中信号放大器115具有相对的第一端1151与第二端1152，各开关119亦具有相对的第一端1191与第二端1192。于本实施例中，这些开关119的数量与感光区域SR的数量相同，且例如是4个，但不以此为限，且其分别标示为119a～119d。信号放大器115的第一端1151与这些开关119的这些第二端1192电性连接，且信号放大器115的第二端1152与处理器PR电性连接。控制器117与这些感光区域SR及这些开关119连接，且这些开关119受控于控制器117。在像素P的各感光区域SR中，设有彼此并联设置的光电转换元件PD与电容C，光电转换元件PD的一端与电容C的一端皆为接地，光电转换元件PD的另一端与电容C的另一端连接对应的开关119的第一端1191，其中光电转换元件PD例如是光二极管、光栅极或光导体，本发明并不以此为限。
请同时参照图2A与图2B，当图像光束IB经由一微透镜ML聚焦至聚焦范围CR。处理器PR会根据此聚焦范围CR内所感测到的最大光强度信号决定图像光束IB的图像。详细来说，这些感光区域SR中的这些光电转换元件PD会将其因图像光束IB而所感应到的光强度信号G1～G4传递至控制器117(如图3所示)。控制器117接受这些光强度信号G1～G4后进行比较并通过比较这些光强度信号G1～G4得到一最大光强度信号，据此决定最大光强度信号所对应的最适感光区域。其中，最大光强度信号被视为最接近微透镜ML的中心轴CE1的感光区域SR所感测到的信号。经上述的比较过程后，控制器117可得知这些感光区域中SR哪一个是最适感光区域，控制器117再据此输出控制信号GS以致能(enable)对应最适感光区域的一开关119且除能(disable)其他开关119。
请再参照图3，举例来说，倘若感光区域SR1所量测到的光强度信号G1的大小是光强度信号G1～G4中最大的，控制器117则认定感光区域SR1为最适感光区域，并致能对应于感光区域SR1的开关119a，并将其他开关119b～119c除能。信号放大器115放大最大光强度信号G1后传送至处理器PR。处理器PR再根据放大后的最大光强度信号G1’决定对应此像素P的指纹局部图像。
类似地，通过其它微透镜ML的图像光束(未示出)亦以类似的方式处理，处理器PR把其他像素P所感测到的指纹局部图像构成一完整的指纹图像。如此一来，处理器PR藉此可以感测指纹图案，并与系统内部的存储的指纹图像比对，藉此达到识别的功能。
须注意的是，上述的说明仅为了说明方便而举例，于其他的实施例中亦可以是感光区域SR2、SR3、SR4的任一者感测到最大光强度信号，本发明并不此为限。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的部分内容，省略了相同技术内容的说明，关于相同的元件名称可以参考前述实施例的部分内容，下述实施例不再重复赘述。
图4是依照本发明另一实施例的指纹感测模块的示意图。图5A与图5B是在图4的架构下的不同实施例中图像光束照射像素的上视示意图。
请参照图4，图4的指纹感测模块100a大致上类似于图1的指纹感测模块100，其主要差异在于：这些微透镜ML的中心轴CE1与这些开口PH的多个中心轴CE2错位(或称不重叠)，而错位的原因有可能是因为贴合遮光层130时因制程因素所导致的。
请参照图5A与图5B，由于微透镜ML的中心轴CE1与开口PH的中心轴CE2错位的关系，聚焦区域CR的中心CRC偏离于这些感光区域SR的中心SRC，导致这些感光区域SR的至少部分A落在聚焦范围CR外。但是，只要微透镜ML的聚焦范围CR覆盖到这些感光区域SR的一部分(即聚焦范围CR与这些感光区域SR重叠的部分)，那么处理器PR就可以依照上述的演算方式来决定相应图像光束IB的图像。
综上所述，在本发明实施例的指纹感测模块中，由于图像传感器的各像素更被分为更小的多个感光区域，且图像光束能通过微透镜照射到这些感光区域的至少一部分，即使遮光层因贴合的关系导致其开口的中心轴并未与微透镜的中心轴对位，这些感光区域中的至少一者也能够感测到图像光束，因此指纹感测模块可具有良好的图像感测质量，且其对位要求不需要太高而可避免较高的制造成本。
更详细来说，指纹感测模块可在微透镜的聚焦范围内所感测到的最大光强度信号，提供给后端电子装置的处理器，处理器再根据最大光强度信号识别对应此像素的指纹局部图像，而使应用此指纹感测模块的电子装置具有良好的指纹识别效果
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种指纹感测模块，其特征在于，包括：
图像传感器，具有多个像素，各所述像素具有多个物理地分离的感光区域，各所述感光区域适于接收来自使用者指纹的图像光束；
微透镜阵列，设置于所述图像传感器上，所述微透镜阵列包括多个微透镜，其中各所述微透镜的聚焦范围覆盖所述多个感光区域的一部分；以及
遮光层，设置于所述图像传感器与所述微透镜阵列之间，所述遮光层具有多个开口，所述多个开口的位置对应于所述多个像素的位置。
2.根据权利要求1所述的指纹感测模块，其中当所述图像光束经由所述微透镜聚焦至所述聚焦范围所覆盖的所述多个感光区域时，处理器根据所述聚焦范围内所感测到的最大光强度信号决定所述图像光束的图像。
3.根据权利要求2所述的指纹感测模块，其特征在于，其中所述最大光强度信号对应至所述聚焦范围内的最适感光区域。
4.根据权利要求3所述的指纹感测模块，其特征在于，其中所述图像传感器的各所述像素还包括：
信号放大器，具有第一端与第二端；
控制器，与所述多个感光区域及所述多个开关连接；以及
多个开关，各所述开关具有第一端与第二端，所述开关的所述第一端选择性地与相应的所述感光区域连接，且所述第二端与所述信号放大器连接，且所述多个开关受控于所述控制器；
其中，
所述控制器用以接收所述聚焦范围内所感测到的光强度信号并通过比较光强度信号大小得到所述最大光强度信号，
其中，所述控制器根据所述比较结果输出控制信号，以致能所述多个开关中对应所述最适感光区域的所述开关且除能其他开关，
其中所述信号放大器放大所述最大光强度信号，并将放大后的所述最大光强度信号传递至所述处理器。
5.根据权利要求1所述的指纹感测模块，其特征在于，其中，所述多个微透镜的节距的范围落在10微米至100微米的范围内。
6.根据权利要求1所述的指纹感测模块，其特征在于，其中，各所述开口的宽度的范围落在1微米至10微米的范围内。
7.根据权利要求1所述的指纹感测模块，其特征在于，其中所述遮光层为不透光材料层，所述不透光材料层包括所述多个开口。
8.根据权利要求1所述的指纹感测模块，其特征在于，其中所述多个微透镜的多个中心轴分别与所述多个开口的多个中心轴对位。
9.根据权利要求1所述的指纹感测模块，其特征在于，其中所述多个微透镜的多个中心轴分别与所述多个开口的多个中心轴错位。
10.根据权利要求1所述的指纹感测模块，其特征在于，其中，所述多个感光区域完全落在相应的所述微透镜的所述聚焦范围内。
11.根据权利要求1所述的指纹感测模块，其特征在于，其中，所述多个感光区域至少部分落在相应的所述微透镜的所述聚焦范围外。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113537060A (zh) * 2020-08-17 2021-10-22 友达光电股份有限公司 感光装置
CN113792571A (zh) * 2020-08-17 2021-12-14 友达光电股份有限公司 指纹感测模块

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111539392A (zh) * 2020-01-16 2020-08-14 神盾股份有限公司 指纹感测模块
TWI771149B (zh) * 2021-08-13 2022-07-11 友達光電股份有限公司 指紋感測裝置
US20230378226A1 (en) * 2022-05-20 2023-11-23 Visera Technologies Company Ltd. Image sensor

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107358216A (zh) * 2017-07-20 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹采集模组、显示装置及指纹识别方法
CN107798289A (zh) * 2016-09-07 2018-03-13 李美燕 可变光场的生物图像感测系统
CN108764093A (zh) * 2018-05-21 2018-11-06 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学 基于相机的非接触指纹图像采集装置及方法
CN109962085A (zh) * 2017-12-25 2019-07-02 上海耕岩智能科技有限公司 一种监控显示像素发光强度的方法和装置
CN110383286A (zh) * 2019-05-22 2019-10-25 深圳市汇顶科技股份有限公司 用于生物识别的方法、指纹识别装置和电子设备
CN110390270A (zh) * 2019-06-27 2019-10-29 北京集创北方科技股份有限公司 光学指纹识别方法、装置、电子设备及存储介质
CN110490122A (zh) * 2018-10-11 2019-11-22 神盾股份有限公司 显示元件的指纹感测区域与指纹感测模组的对齐方法
CN212624070U (zh) * 2020-01-16 2021-02-26 神盾股份有限公司 指纹感测模块

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010094499A (ja) * 2008-09-16 2010-04-30 Hitachi Maxell Ltd 画像取得装置及び生体情報取得装置
TWI549065B (zh) * 2015-01-26 2016-09-11 Gingytech Technology Inc Fingerprint identification method and device thereof
US10331932B2 (en) 2016-06-08 2019-06-25 Novatek Microelectronics Corp. Optical sensor device and a fingerprint sensor apparatus
TWI702545B (zh) 2018-07-17 2020-08-21 塞席爾商水木科技股份有限公司 指紋辨識元件
CN110175492B (zh) 2018-07-20 2022-03-01 神盾股份有限公司 光学指纹感测装置
CN209560569U (zh) * 2019-02-14 2019-10-29 金佶科技股份有限公司 感光模组及取像装置
CN110379826A (zh) 2019-07-26 2019-10-25 上海思立微电子科技有限公司 光学指纹识别芯片以及制造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107798289A (zh) * 2016-09-07 2018-03-13 李美燕 可变光场的生物图像感测系统
CN107358216A (zh) * 2017-07-20 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹采集模组、显示装置及指纹识别方法
CN109962085A (zh) * 2017-12-25 2019-07-02 上海耕岩智能科技有限公司 一种监控显示像素发光强度的方法和装置
CN108764093A (zh) * 2018-05-21 2018-11-06 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学 基于相机的非接触指纹图像采集装置及方法
CN110490122A (zh) * 2018-10-11 2019-11-22 神盾股份有限公司 显示元件的指纹感测区域与指纹感测模组的对齐方法
CN110383286A (zh) * 2019-05-22 2019-10-25 深圳市汇顶科技股份有限公司 用于生物识别的方法、指纹识别装置和电子设备
CN110390270A (zh) * 2019-06-27 2019-10-29 北京集创北方科技股份有限公司 光学指纹识别方法、装置、电子设备及存储介质
CN212624070U (zh) * 2020-01-16 2021-02-26 神盾股份有限公司 指纹感测模块

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113537060A (zh) * 2020-08-17 2021-10-22 友达光电股份有限公司 感光装置
CN113792571A (zh) * 2020-08-17 2021-12-14 友达光电股份有限公司 指纹感测模块
US11804063B2 (en) 2020-08-17 2023-10-31 Au Optronics Corporation Photosensitive apparatus
CN113537060B (zh) * 2020-08-17 2023-12-01 友达光电股份有限公司 感光装置

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