CN110379826A - 光学指纹识别芯片以及制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种光学指纹识别芯片以及制造方法，该光学指纹识别芯片包括：设有感光区域的半导体衬底；设置于所述半导体衬底上的去光部；所述去光部将所述感光区域遮盖；所述去光部的材质为不透光材料；所述去光部上设有多个透光微孔；聚光阵列；所述去光部位于所述聚光阵列和感光区域之间；所述聚光阵列包括与所述多个透光微孔相对应的多个微透镜；所述微透镜聚焦的光能通过所对应的透光微孔并被所述感光区域接收。所述感光区域能够接收经所述微透镜聚焦并通过所述透光微孔的光信号。该光学指纹识别芯片以及制造方法能够在缩短物距的条件下进行指纹识别。
Description
技术领域
本申请涉及指纹识别技术领域，尤其涉及一种光学指纹识别芯片以及制造方法。
背景技术
本部分的描述仅提供与本申请公开相关的背景信息，而不构成现有技术。
目前，光学指纹识别主要采用CIS(CMOS Image Sensor，CMOS图像传感器)的成像原理，通过对生物指纹进行信号采取，并最终成像。将所成的图像与已经存储的图像进行对比，从而鉴别生物指纹相关的信息。
随着手机屏下指纹识别的需求不断增加，对于光学指纹芯片的要求也越来越多样，其中对于其成像的物距也在要求不断的压缩，从而方便容纳更大容量的电池。但是，传统的光学指纹芯片都配备有大镜头(例如：具有多个层叠设置凸透镜的镜头组件)，利用大镜头对光线统一聚焦成像，由于配备大镜头方案的光学指纹芯片的焦距无法缩小，因而无法满足缩小物距的要求。
应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
鉴于上述不足，本申请的一个目的是提供一种光学指纹识别芯片以及制造方法，以能够在缩短物距的条件下进行指纹识别。
为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
一种光学指纹识别芯片，包括：
设有感光区域的半导体衬底；
设置于所述半导体衬底上的去光部；所述去光部将所述感光区域遮盖；所述去光部的材质为不透光材料；所述去光部上设有多个透光微孔；
聚光阵列；所述去光部位于所述聚光阵列和感光区域之间；所述聚光阵列包括与所述多个透光微孔相对应的多个微透镜；所述微透镜聚焦的光能通过所对应的透光微孔并被所述感光区域接收。
作为一种优选的实施方式，所述聚光阵列和所述去光部之间还设有吸光层；所述吸光层在所述微透镜和所述透光微孔之间设有多个通孔。
作为一种优选的实施方式，所述通孔的面积大于所述透光微孔的面积。
作为一种优选的实施方式，所述吸光层和所述去光部之间设有钝化层。
作为一种优选的实施方式，所述钝化层和所述吸光层之间还设有第一平坦层，所述第一平坦层具有设置所述吸光层的平整表面。
作为一种优选的实施方式，所述吸光层和所述聚光阵列之间设有第二平坦层；所述第二平坦层具有设置所述聚光阵列的平整表面。
作为一种优选的实施方式，所述半导体衬底上设有多个感光区域；所述半导体衬底上设有介质层；多个所述去光部设置于所述介质层上并与所述多个感光区域相对应设置；所述去光部的面积与所对应感光区域的面积相匹配。
作为一种优选的实施方式，沿垂直于所述半导体衬底方向，所述微透镜和所对应的透光微孔相对齐设置，所述去光部与所述感光区域相对齐设置。
作为一种优选的实施方式，沿垂直于所述半导体衬底方向，所述微透镜与所对应的透光微孔之间的间距和该微透镜的焦距相匹配。
作为一种优选的实施方式，多个所述微透镜呈阵列排布，所述去光部上的多个透光微孔呈阵列排布。
作为一种优选的实施方式，所述去光部的材质为金属；所述吸光层的材质为金属、黑胶、滤光片中的至少一种。
作为一种优选的实施方式，所述介质层设有两层或更多层的金属层；多个所述去光部分布在至少一层所述金属层。
作为一种优选的实施方式，所述金属层包括形成所述去光部的金属区块、以及位于所述金属区块周侧的金属线路；每个金属区块上设有多个呈阵列排布的所述透光微孔；所述金属线路与所述金属区块相间隔绝缘设置。
作为一种优选的实施方式，所述感光区域和所述聚光阵列之间，任意两个所述去光部互不层叠设置。
作为一种优选的实施方式，沿垂直于所述半导体衬底方向，所述去光部所对应的其他金属层的区域为未设置金属材料的空置区域。
作为一种优选的实施方式，多个所述去光部位于同一金属层，多个所述去光部相间隔分布，并且与所在金属层的金属线路相间隔设置。
作为一种优选的实施方式，多个所述金属层中，最远离所述半导体衬底的金属层为顶层金属层；所述顶层金属层位于所述介质层远离所述半导体衬底的顶部；多个所述去光部位于所述顶层金属层。
一种光学指纹识别芯片的制造方法，包括：
在具有感光区域的半导体衬底上沉积设有多层金属层的介质层；
将所述金属层刻蚀形成金属线路、以及与所述感光区域相对应的具有多个透光微孔的去光部；
在所述金属层上沉积形成钝化层；
在所述钝化层上形成与所述多个透光微孔相对应的多个微透镜；所述微透镜聚焦的光能通过所对应的透光微孔并被所述感光区域接收。
作为一种优选的实施方式，在将需设置所述去光部的金属层沉积完成且并未被覆盖时，刻蚀该金属层形成所述去光部。
作为一种优选的实施方式，在沉积钝化层步骤和形成多个微透镜步骤之间，还具有以下步骤：
在所述钝化层上形成吸光层；然后，在所述吸光层上形成所述多个微透镜；所述吸光层上设有与多个所述透光微孔相对应的多个通孔。
作为一种优选的实施方式，所述在所述钝化层上形成吸光层步骤包括：在所述钝化层上形成第一平坦层；然后，在所述第一平坦层上形成所述吸光层。
作为一种优选的实施方式，所述在所述吸光层上形成所述多个微透镜步骤包括：在所述吸光层上形成第二平坦层；然后，在所述第二平坦层上形成多个微透镜。
有益效果：
本申请的指纹识别芯片采用小焦距的微透镜，从而可以缩短物距，并且，去光部上设有多个透光微孔，透光微孔与微透镜相对应设置，透光微孔允许微透镜聚焦后的光信号通过，而非目标光信号会被去光部未设置透光微孔的区域所阻挡，避免非目标光信号的通过，降低非目标光信号的干扰以及光强，保证光感区域所接收的光信号能被识准确成功识别。因此，本申请的指纹识别芯片光学指纹识别芯片能够在缩短物距的条件下进行指纹识别。
参照后文的说明和附图，详细公开了本发明的特定实施方式，指明了本发明的原理可以被采用的方式。应该理解，本发明的实施方式在范围上并不因而受到限制。
针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一个实施例的光学指纹识别芯片结构示意图；
图2是本申请一个实施例的光学指纹识别芯片结构部分示意图；
图3是本申请一个实施例的光学指纹识别芯片结构的金属层平面示意图；
图4是图1的去光部平面示意图；
图5是本申请一个实施例的光学指纹识别芯片的制造方法流程示意图；
图6是本申请另一个实施例的光学指纹识别芯片的制造方法流程示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的另一个元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中另一个元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1至图4，本申请一个实施例中提供一种光学指纹识别芯片，该光学指纹识别芯片可运用于但不限于屏下指纹解锁、用户身份验证、门禁权限获取等场景中。更具体的，本申请实施例的用于屏下光学指纹的光学指纹识别芯片可以被应用在包括但不限于移动智能手机、平板电子设备、计算机、GPS导航仪、个人数字助理、智能可穿戴设备等电子设备中。
为了实现电子设备的基本功能，本申请实施例中所提及的电子设备还可以包括其他必需的模块或部件。以移动智能手机为例，其还可以包括通信模块、电池等。
需要说明的是，电子设备所包括的其他必需的模块或部件，可以选用任意合适的现有构造。为清楚简要地说明本申请所提供的技术方案，在此将不再对上述部分进行赘述，说明书附图也进行了相应简化。但应该理解，本申请在范围上并不因此而受到限制。
其中，电子设备可以配置有显示屏。该显示屏可以为采用自发光单元作为显示像素的自发光显示屏，例如可以为OLED显示屏或者LED显示屏。从而，显示屏可以作为激励光源，向目标生物体(例如用户的手指)发射激励光，激励光经目标生物体反射形成目标光信号①。
当然，显示屏也可以是LCD显示屏或者其他被动发光显示屏，本申请实施例对此不作限定。当显示屏为被动发光显示屏时，电子设备可以配置有位于显示屏下方的额外光源，由该额外光源作为激励光源，向目标生物体发射激励光，激励光经目标生物体反射形成目标光信号①。
在本实施例中，该指纹识别芯片包括：设有感光区域2的半导体衬底1；设置于所述半导体衬底1上的去光部4；聚光阵列9。所述去光部4上设有多个透光微孔41；所述去光部4位于所述聚光阵列9和感光区域2之间。所述聚光阵列9包括与所述多个透光微孔41相对应的多个微透镜91；所述微透镜91聚焦的光能通过所对应的透光微孔41并被所述感光区域2接收。所述感光区域2能够接收经所述微透镜91聚焦并通过所述透光微孔41的光信号。
如图1所示，微透镜91聚焦的光信号①需要穿过下方去光部4上的透光微孔41才能到达感光区域2，非目标光信号②会被去光部4所阻挡。为在短物距情况下降低感光区域2所接收光信号的光强以及提升信号的信噪比，所述去光部4将所述感光区域2遮盖。所述去光部4的材质为不透光材料，以避免非目标光信号②穿过去光部4。
本实施例的指纹识别芯片采用小焦距的微透镜91，从而可以缩短物距，并且，去光部4上设有多个透光微孔41，透光微孔41与微透镜91相对应设置，透光微孔41允许微透镜91聚焦后的光信号通过，而非目标光信号②会被去光部4未设置透光微孔41的区域所阻挡，避免非目标光信号②的通过，降低非目标光信号②的干扰以及光强，保证光感区域所接收的光信号能被识准确成功识别。
本申请实施例的光学指纹识别芯片可以将光信号转换成电信号。光学指纹识别芯片设置在显示屏的下方时，用于接收自显示屏上方的目标生物体反射回来的目标信号光①。并且，可以将目标信号光①转换为电信号，以生成指纹图像。光学指纹识别芯片进一步可以将该指纹图像发提供给处理电路(图像处理器)进行图像处理得到指纹信号，并通过算法对指纹信号进行指纹识别。
本申请实施例的光学指纹识别芯片被设置在显示屏的下方。具体的，电子设备中可以设置有中框，光学指纹识别芯片通过该中框被安装在显示屏的下方，并实现固定。并且，光学指纹识别芯片和显示屏之间相对且间隔，该光学指纹识别芯片的聚光阵列9面对显示屏，二者时间可以具有一定的间隔间隙。
该光学指纹识别芯片无需设置镜头组件，利用多个焦距更小的微透镜91与透光微孔41相配合，实现光信号的处理，缩短成像物距，提升感光区域2所接收光信号的信噪比，实现指纹光学信号的处理识别。当然，本申请的也并不排斥与镜头组件相配合使用的场景。在需要缩短物距的情况下，该光学指纹识别芯片可以无需设置镜头组件。
在本实施例中，半导体衬底1上可以设有感光器件，形成用于感应光信号的感光区域2。感光区域2能够接收光信号。感光器件将光信号转变形成电信号。半导体衬底1的上表面还可以具有非感光区域2，与感光器件相连接的处理电路设置在半导体衬底1的非感光区域。感光器件可以为光电二极管(PD，Photo-Diode)。具体的，光电二极管可以包括有机光二极管或无机光二极管。
为减少杂光(非目标光信号②以及反射散射光③)对感光区域2的干扰，提升信噪比，提高成像质量，所述聚光阵列9和所述去光部4之间还设有吸光层7。所述吸光层7在所述微透镜91和所述透光微孔41之间设有多个通孔71。
为减小杂光对目标光信号的影响，所述通孔71的面积大于所述透光微孔41的面积。在垂直于半导体衬底1方向(在读者面对图1时为上下方向)，通孔71位于透光微孔41的上方。优选的，透光微孔41在半导体衬底1上的投影位于通孔71在半导体衬底1上的投影范围内。
通过设置吸光层7可以减少反射光、散射光③或非目标光②对感光区域2的干扰。吸光层7可以根据芯片的设计需要采用彩色滤光或者可见光滤光或者红外光滤光。具体的，吸光层7也可以为非透光材料制成，例如，吸光层7为黑胶材质。
为便于光线的穿过，避免吸光层7将目标光信号遮挡影响成像质量，吸光层7开设有与透光微孔41相对应的通孔71。该通孔71对应透光微孔41设置。其中，多个通孔71也可以和透光微孔41一一对应设置。具体的，所述吸光层7的材质为金属、黑胶、滤光片中的至少一种。
当然，在其他实施例中，通孔71也可以对应整个去光部4设置，此时，通孔71的数量与去光部4数量相同，通孔71的形状与去光部4形状相匹配。
在本实施例中，聚光阵列9设置于吸光层7远离半导体衬底1一侧(也即上侧)，为方便设置聚光阵列9，所述吸光层7和所述聚光阵列9之间设有第二平坦层8。所述第二平坦层8具有设置所述聚光阵列9的平整表面。
在本实施例中，所述半导体衬底1上设有多个感光区域2。所述半导体衬底1上设有介质层3。多个所述去光部4设置于所述介质层3上并与所述多个感光区域2相对应设置。所述去光部4的面积与所对应感光区域2的面积相匹配。如图1所示，去光部40a的下方对应感光区域2a，去光部40b的下方对应感光区域2b。
其中，去光部4的面积和感光区域2的面积相匹配，二者的面积可以大致相等，比如，在实际使用过程中去光部4的面积和感光区域2的面积可以10％面积的正负差值。相应的，去光部4整体的形状与光感区域的面积相匹配，但可以并不要求完全相同，感光部的形状也可以根据实际需求进行设计。
微透镜91的焦距较小，从而可以缩短物距，与之配合的，去光部4上设有多个透光微孔41，透光微孔41与微透镜91相对应设置，透光微孔41允许微透镜91聚焦后的光信号通过，而其他非目标光信号会被去光部4未设置透光微孔41的区域(间隔部42)所阻挡，避免非目标光信号的通过，降低非目标光信号的干扰以及光强，保证光感区域所接收的光信号能被识准确成功识别。
去光部4设置于半导体衬底1上，被半导体衬底1支撑。需要说明的是，本实施例中所描述的去光部4设置于半导体衬底1上，并不限定半导体衬底1和去光部4之间是否具有其他材料层，也即，去光部4可以直接设置于半导体衬底1的表面，也可以间接设置于半导体衬底1上，本申请并不作限制。可以理解的，半导体衬底1为整个光学指纹识别芯片提供支撑，去光部4被支撑于半导体衬底1的上方。
在去光部4中，透光微孔41将去光部4上下贯通，用于微透镜91聚焦的光线通过。多个透光微孔41相间隔设置，相邻透光微孔41之间具有间隔部42(也可以称为阻挡部)，入射到透光微孔41之外的光线(大部分为非目标光)会照射在间隔部42上，被间隔部42反射或吸收，形成对干扰光信号的阻挡。
在去光部4为金属材料的情况下，间隔部42将光线反射或散射，为避免反射散射的光线③对于目标光信号形成干扰，通过吸光层7在去光部4的上方将反射及散射的光线吸收阻挡。需要说明的是，间隔部42的剖面线和金属线路43的剖面线不同，此为清晰表示二者示意结构，并不表示二者材质不同。
与去光部4相类似，在吸光层7中，相邻通孔71之间通过间隔部72相间隔。在去光部4反射回来的光线反射到吸光层7上，被吸光层7阻挡吸收，无法穿过吸光层7，减少对目标光信号的干扰。
微透镜91将所接收的光信号聚焦，并通过去光部4上的透光微孔41达到感光区域2。聚光阵列9包括多个微透镜91。多个微透镜91可以阵列排布在平整表面上，并与多个透光微孔41相对应设置。如图4所示，多个透光微孔阵列设置在去光部4上。
为将透光微孔41与微透镜91相匹配设置，提高信噪比，沿垂直于所述半导体衬底1方向，所述微透镜91和所对应的透光微孔41相对齐设置。如图1所示，微透镜91、通孔71、透光微孔41位置上相对齐设置。为方便目标光信号入射至感光区域2，所述去光部4与所述感光区域2相对齐设置。多个微透镜91形成的聚光阵列9、去光部4、以及感光区域2为一一对应设置。
在本实施例中，微透镜91可以将目标信号光聚焦，所聚焦光线通过透光微孔41将杂光阻挡过滤，进而降低感光区域2所接受光线的光强以及提升光信号的信噪比，提升图像质量。微透镜91为圆顶形结构，其整体弧度可以介于7度到60度之间，如此可以有效的聚集信号，提高信噪比。无需镜头组件，利用具有小焦距的微透镜91缩短物距。
为缩短物距并且避免杂光进入透光微孔41中，沿垂直于所述半导体衬底1方向，所述微透镜91与所对应的透光微孔41之间的间距和该微透镜91的焦距相匹配。如此透光微孔41的尺寸只需供聚焦后的光线通过，进而可以将透光微孔41尺寸降低，有效降低杂光进入量，提升信噪比。具体的，所述微透镜91与所对应的透光微孔41之间的间距可以0.8倍至1.2倍的该微透镜91的焦距。
进一步地，为提升信噪比，透光微孔41的开孔面积可以为所对应感光区域2面积的0.01至0.05倍。具体的，透光微孔41的面积可以在1微米左右。当然，透光微孔41的开孔尺寸可以对应不同的微透镜91规格以及不同的指纹识别场景，从而透光微孔41的尺寸本申请并不作特别的限制。
另外，透光微孔41的形状优选为圆孔，其还可以为规则的多边形孔或椭圆孔，在一些实施例中也可以为不规则形孔，本申请并不作唯一的限制。
在本实施例中，多个所述微透镜91呈阵列排布。所述去光部4上的多个透光微孔41呈阵列排布。为避免杂光穿过去光部4，透光微孔41的数量在微透镜91的数量以下，也即，透光微孔41的数量不多于微透镜91的数量。
其中，去光部4上形成有多个透光微孔41，这些透光微孔41可以限制微透镜91聚焦的光信号的传播路径，同时，利用小焦距的微透镜91也可以有效缩短信号传输的距离，在短物距的情况下有效提升光学指纹识别芯片的性能。
具体的，去光部4为不透光材质，其材料可以为吸光材料，也可以为反射材料。具体的，所述去光部4的材质为金属。金属去光部4可以将杂光反射，所反射的光线入射至吸光层7，被吸光层7吸收，避免对感光区域2所接收光信号形成干扰。
在本实施例中，所述介质层3设有两层或更多层的金属层4。介质层3为透光材料。如图1所示，多层所述金属层4可以沿垂直于所述半导体衬底1方向排布。具体的，其材质可以为硅的氧化物或氮化物，例如，硅酸盐玻璃材质。介质层3可以为金属层4中的金属线路43进行隔离并支撑金属线路43排布。金属层4中的金属线路43可以连接半导体衬底1上的感光器件以及相应的逻辑电路，以便形成完整的指纹识别芯片电路。金属层4在感光区域2的上方形成空置区域45，避免阻挡光线。
金属层4的数量为两层或更多层(例如，五层左右)。在介质层3中形成多层金属层4中，最顶层的金属层4设置在介质层3的顶部。在本实施例中，无论金属层4设置在介质层3的内部还是顶部，均视为金属层4设置于介质层3上。
多个所述去光部4分布在至少一层所述金属层4。部分金属层4形成所述去光部4。具体的，在沉积完一层金属层4后，对该金属层4进行刻蚀形成所需的金属线路43以及去光部4(金属区块)。当然，多个去光部4可以位于同一层，也可以位于不同层。只需任意两个去光部4在半导体衬底1上的投影互不重叠(不具备重叠部分)。
为避免遮挡光线，保证目标光信号输入感光区域2中，沿垂直于所述半导体衬底1方向，所述去光部4所对应的其他金属层4的区域为未设置金属材料的空置区域45。如图2所示，在顶层金属层4a下方的中间金属层4b以及底部金属层4c位于去光部4下方的区域并未设置金属线路43等金属材料，形成不阻挡光线的空置区域45。如图2所示，在对应中间金属层4b的去光部4上方以及下方，顶层金属层4a以及底部金属层4c均设置相应的空置区域45。
如图2所示，多个去光部4位于不同层，任意两个去光部4在半导体衬底1上的投影互不重叠，也即，任意两个去光部4互不层叠。其中，一去光部4位于顶层金属层4a，两去光部4位于中间金属层4b，一去光部4位于底层金属层4，四个去光部4沿垂直于半导体衬底1方向所对应的其他金属层4的区域并未设置金属线路43，形成空置区域45。
作为优选的，为方便制作，简便制造工艺，多个所述去光部4位于所述同一金属层4。在沉积完相应的金属层4，在该金属层4上统一刻蚀出与感光区域2对应数量的去光部4，其他金属层4按照原有工艺进行沉积刻蚀即可。
在本实施例中，多个所述去光部4相间隔分布，并且与所在金属层4的金属线路43相间隔设置。相邻两个去光部4之间间隔一定距离，二者之间可以设有金属线路43。如图3所示，金属线路43分布于去光部4的周侧，多个去光部4也可以阵列排布。
如图1所示，介质层3上具有两层内金属层4b、4c以及顶层金属层4a，多个去光部4均位于顶层金属层4a，多个去光部4互相间隔设置。为防止短路，保证电信号的正常传送，去光部4和金属线路43之间同样相间隔设置，二者之间可以具有间隔间隙44(间隔间隙44内可以填充有绝缘透明或非透明材料，本申请并不作限制)。
在图1所示实施例中，多个所述金属层4中，最远离所述半导体衬底1的金属层4为顶层金属层4a。所述顶层金属层4a位于所述介质层3远离所述半导体衬底1的顶部。多个所述去光部4位于所述顶层金属层4a。
所述金属层4包括形成所述去光部4的金属区块、以及位于所述金属区块周侧的金属线路43。每个金属区块上设有多个呈阵列排布的所述透光微孔41。所述金属线路43与所述金属区块相间隔绝缘设置。金属区块和金属线路43均可以为通过刻蚀形成。
可以看出，金属层4具有多层，可以选取任意一层或多层设置去光部4。在去光部4所在金属层4沉积完成并未进行后续步骤时，形成去光部4。在形成去光部4后再进行后续步骤，例如沉积钝化层5或者继续沉积介质材料，直至形成目标层数的金属层4、以及目标厚度的介质层3。所述感光区域2和所述聚光阵列9之间，任意两个所述去光部4互不层叠设置。
本实施例所提供的光学指纹识别芯片通过将去光部4设置在金属层4，可以直接采用现有的基础芯片工艺(CMOS制造工艺)，在沉积金属层4刻蚀形成金属线路43将原有对应感光区域2的空置区域45保留刻蚀形成透光微孔41以形成去光部4，并不与现有的制造工艺产生冲突，具有较好的应用前景。
请继续参阅图1。在本实施例中，所述吸光层7和所述去光部4之间设有钝化层5。吸光层7可以通过胶粘于钝化层5上。通过钝化层5将金属层4保护，避免被破坏。钝化层5为透光层，其为透明材料制成，例如，钝化层5可以为通过化学气相沉积(CVD)来气相沉积氮化硅形成的氮化硅层。
在顶层金属层4a上沉积钝化层5进行保护。在钝化层5的上表面可以进行平坦化处理，也可以形成例如由氮化硅制成的第一平坦层6。第一平坦层6同样为透明材料制成，具体的，第一平坦层6也可以为氮化硅制成。在本实施例中，为方便设置吸光层7，所述钝化层5和所述吸光层7之间还设有第一平坦层6，所述第一平坦层6具有设置所述吸光层7的平整表面。第二平坦层8与第一平坦层6相似，本实施例不再赘述。
在其他实施例中，也可以无需设置平坦层(6、8)，将相应的安装表面进行平坦化处理即可。例如，吸光层7可以形成在钝化层5上，将钝化层5的上表面进行平坦化处理形成平整表面，在该平整表面上设置吸光层7即可。
基于同一构思，本发明还提供了一种光学指纹识别芯片的制造方法，如下面的实施例所述。由于该光学指纹识别芯片的制造方法解决问题的原理，以及能够取得的技术效果与光学指纹识别芯片相似，因此该光学指纹识别芯片的制造方法的实施可以参见上述光学指纹识别芯片的实施，重复之处不再赘述。以下所使用的术语“模块”，可以是基于软件实现，也可以是基于硬件实现，还可以是以软硬件结合的方式实现。
如图5所示，并结合参考图1至图4。本申请的另一个实施例提供一种光学指纹识别芯片的制造方法，包括以下步骤：
S100、在具有感光区域2的半导体衬底1上沉积设有多层金属层4的介质层3；
S200、将所述金属层4刻蚀形成金属线路43、以及与所述感光区域2相对应的具有多个透光微孔41的去光部4；
S300、在所述金属层4上沉积形成钝化层5；
S400、在所述钝化层5上形成与所述多个透光微孔41相对应的多个微透镜91；所述微透镜91聚焦的光能通过所对应的透光微孔41并被所述感光区域2接收。
其中，步骤S100和步骤S200并没有明显的先后执行顺序，由于在光学指纹识别芯片中部分数量的金属层4位于介质层3内，从而在刻蚀金属线路43时可以在将相应金属层4沉积刻蚀完毕继续进行沉积覆盖介质层3材料，直至完成期望层数的金属层4以及期望厚度的介质层3。
为形成去光部4，在将需设置所述去光部4的金属层4沉积完成且并未被覆盖时，刻蚀该金属层4形成所述去光部4。也即，在目标金属层4沉积完成且并未被继续沉积时，将该金属层4刻蚀形成金属线路43以及去光部4。其中，在金属层4与感光区域2所对应的位置进行刻蚀形成去光部4。
请参阅图6。在沉积钝化层5步骤和形成多个微透镜91步骤之间，该光学指纹识别芯片的制造方法还具有以下步骤：在所述钝化层5上形成吸光层7，然后，在所述吸光层7上形成所述多个微透镜91。所述吸光层7上设有与多个所述透光微孔41相对应的多个通孔71。吸光层7可以粘接于钝化层5上。吸光层7可以直接设置于钝化层5上，二者之间也可以设有其他间隔层。多个微透镜91可以直接设置于吸光层7上，二者之间也可以设置其他间隔层。
具体的，该光学指纹识别芯片的制造方法包括：步骤S401、在所述钝化层5上形成第一平坦层6；步骤S402，在所述第一平坦层6上形成所述吸光层7。以及，为方便形成微透镜91，该制造方法包括：S403、在所述吸光层7上形成第二平坦层8；步骤S404，在所述第二平坦层8上形成多个微透镜91。
步骤S401、S402、S403、S404可以顺次执行，微透镜91可以通过光刻胶工艺形成。当然，也可以无需设置第一平坦层6或第二平坦层8，将相应的钝化层5或吸光层7的上表面进行平坦化处理即可，本申请并不做限制。
本实施例所提供的光学指纹识别芯片的制造方法通过将去光部4设置在金属层4，可以直接采用现有的基础芯片工艺(CMOS制造工艺)，在沉积金属层4刻蚀形成金属线路43将原有对应感光区域2的空置区域45保留刻蚀形成透光微孔41以形成去光部4，并不与现有的制造工艺产生冲突，具有较好的应用前景。
本文引用的任何数字值都包括从下限值到上限值之间以一个单位递增的下值和上值的所有值，在任何下值和任何更高值之间存在至少两个单位的间隔即可。举例来说，如果阐述了一个部件的数量或过程变量(例如温度、压力、时间等)的值是从1到90，优选从20到80，更优选从30到70，则目的是为了说明该说明书中也明确地列举了诸如15到85、22到68、43到51、30到32等值。对于小于1的值，适当地认为一个单位是0.0001、0.001、0.01、0.1。这些仅仅是想要明确表达的示例，可以认为在最低值和最高值之间列举的数值的所有可能组合都是以类似方式在该说明书明确地阐述了的。
除非另有说明，所有范围都包括端点以及端点之间的所有数字。与范围一起使用的“大约”或“近似”适合于该范围的两个端点。因而，“大约20到30”旨在覆盖“大约20到大约30”，至少包括指明的端点。
披露的所有文章和参考资料，包括专利申请和出版物，出于各种目的通过援引结合于此。描述组合的术语“基本由…构成”应该包括所确定的元件、成分、部件或步骤以及实质上没有影响该组合的基本新颖特征的其他元件、成分、部件或步骤。使用术语“包含”或“包括”来描述这里的元件、成分、部件或步骤的组合也想到了基本由这些元件、成分、部件或步骤构成的实施方式。这里通过使用术语“可以”，旨在说明“可以”包括的所描述的任何属性都是可选的。
多个元件、成分、部件或步骤能够由单个集成元件、成分、部件或步骤来提供。另选地，单个集成元件、成分、部件或步骤可以被分成分离的多个元件、成分、部件或步骤。用来描述元件、成分、部件或步骤的公开“一”或“一个”并不说为了排除其他的元件、成分、部件或步骤。
应该理解，以上描述是为了进行图示说明而不是为了进行限制。通过阅读上述描述，在所提供的示例之外的许多实施方式和许多应用对本领域技术人员来说都将是显而易见的。因此，本教导的范围不应该参照上述描述来确定，而是应该参照所附权利要求以及这些权利要求所拥有的等价物的全部范围来确定。出于全面之目的，所有文章和参考包括专利申请和公告的公开都通过参考结合在本文中。在前述权利要求中省略这里公开的主题的任何方面并不是为了放弃该主体内容，也不应该认为发明人没有将该主题考虑为所公开的发明主题的一部分。
Claims (22)
1.一种光学指纹识别芯片，其特征在于，包括：
设有感光区域的半导体衬底；
设置于所述半导体衬底上的去光部；所述去光部将所述感光区域遮盖；所述去光部的材质为不透光材料；所述去光部上设有多个透光微孔；
聚光阵列；所述去光部位于所述聚光阵列和感光区域之间；所述聚光阵列包括与所述多个透光微孔相对应的多个微透镜；所述微透镜聚焦的光能通过所对应的透光微孔并被所述感光区域接收。
2.如权利要求1所述光学指纹识别芯片，其特征在于，所述聚光阵列和所述去光部之间还设有吸光层；所述吸光层在所述微透镜和所述透光微孔之间设有多个通孔。
3.如权利要求2所述光学指纹识别芯片，其特征在于，所述通孔的面积大于所述透光微孔的面积。
4.如权利要求2所述光学指纹识别芯片，其特征在于，所述吸光层和所述去光部之间设有钝化层。
5.如权利要求4所述光学指纹识别芯片，其特征在于，所述钝化层和所述吸光层之间还设有第一平坦层，所述第一平坦层具有设置所述吸光层的平整表面。
6.如权利要求2所述光学指纹识别芯片，其特征在于，所述吸光层和所述聚光阵列之间设有第二平坦层；所述第二平坦层具有设置所述聚光阵列的平整表面。
7.如权利要求1所述光学指纹识别芯片，其特征在于，所述半导体衬底上设有多个感光区域；所述半导体衬底上设有介质层；多个所述去光部设置于所述介质层上并与所述多个感光区域相对应设置；所述去光部的面积与所对应感光区域的面积相匹配。
8.如权利要求7所述光学指纹识别芯片，其特征在于，沿垂直于所述半导体衬底方向，所述微透镜和所对应的透光微孔相对齐设置，所述去光部与所述感光区域相对齐设置。
9.如权利要求1所述光学指纹识别芯片，其特征在于，沿垂直于所述半导体衬底方向，所述微透镜与所对应的透光微孔之间的间距和该微透镜的焦距相匹配。
10.如权利要求1所述光学指纹识别芯片，其特征在于，多个所述微透镜呈阵列排布，所述去光部上的多个透光微孔呈阵列排布。
11.如权利要求2所述光学指纹识别芯片，其特征在于，所述去光部的材质为金属；所述吸光层的材质为金属、黑胶、滤光片中的至少一种。
12.如权利要求7所述光学指纹识别芯片，其特征在于，所述介质层设有两层或更多层的金属层；多个所述去光部分布在至少一层所述金属层。
13.如权利要求12所述光学指纹识别芯片，其特征在于，所述金属层包括形成所述去光部的金属区块、以及位于所述金属区块周侧的金属线路；每个金属区块上设有多个呈阵列排布的所述透光微孔；所述金属线路与所述金属区块相间隔绝缘设置。
14.如权利要求1所述光学指纹识别芯片，其特征在于，所述感光区域和所述聚光阵列之间，任意两个所述去光部互不层叠设置。
15.如权利要求12所述光学指纹识别芯片，其特征在于，沿垂直于所述半导体衬底方向，所述去光部所对应的其他金属层的区域为未设置金属材料的空置区域。
16.如权利要求12所述光学指纹识别芯片，其特征在于，多个所述去光部位于同一金属层，多个所述去光部相间隔分布，并且与所在金属层的金属线路相间隔设置。
17.如权利要求16所述光学指纹识别芯片，其特征在于，多个所述金属层中，最远离所述半导体衬底的金属层为顶层金属层；所述顶层金属层位于所述介质层远离所述半导体衬底的顶部；多个所述去光部位于所述顶层金属层。
18.一种光学指纹识别芯片的制造方法，其特征在于，包括：
在具有感光区域的半导体衬底上沉积设有多层金属层的介质层；
将所述金属层刻蚀形成金属线路、以及与所述感光区域相对应的具有多个透光微孔的去光部；
在所述金属层上沉积形成钝化层；
在所述钝化层上形成与所述多个透光微孔相对应的多个微透镜；所述微透镜聚焦的光能通过所对应的透光微孔并被所述感光区域接收。
19.如权利要求18所述制造方法，其特征在于，在将需设置所述去光部的金属层沉积完成且并未被覆盖时，刻蚀该金属层形成所述去光部。
20.如权利要求18所述制造方法，其特征在于，在沉积钝化层步骤和形成多个微透镜步骤之间，还具有以下步骤：
在所述钝化层上形成吸光层；然后，在所述吸光层上形成所述多个微透镜；所述吸光层上设有与多个所述透光微孔相对应的多个通孔。
21.如权利要求20所述制造方法，其特征在于，所述在所述钝化层上形成吸光层步骤包括：在所述钝化层上形成第一平坦层；然后，在所述第一平坦层上形成所述吸光层。
22.如权利要求20所述制造方法，其特征在于，所述在所述吸光层上形成所述多个微透镜步骤包括：在所述吸光层上形成第二平坦层；然后，在所述第二平坦层上形成多个微透镜。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111611916A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-09-01 | 上海思立微电子科技有限公司 | 薄型化光学指纹芯片模组及其制作方法、电子设备 |
| CN112768480A (zh) * | 2019-11-04 | 2021-05-07 | 格科微电子（上海）有限公司 | 光学指纹器件及其制造方法 |
| CN112882279A (zh) * | 2021-03-11 | 2021-06-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板以及显示装置 |
| CN113449685A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-09-28 | 维沃移动通信有限公司 | 光学指纹识别装置、光学指纹识别方法以及电子设备 |
| US11329096B2 (en) | 2020-01-16 | 2022-05-10 | Egis Technology Inc. | Fingerprint sensing module |
| EP4213116A1 (en) * | 2022-01-14 | 2023-07-19 | WaveTouch Denmark A/S | Compact optical sensor |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102522415A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-27 | 上海宏力半导体制造有限公司 | Cmos图像传感器及其制作方法 |
| CN107358216A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹采集模组、显示装置及指纹识别方法 |
| US20180247100A1 (en) * | 2015-09-15 | 2018-08-30 | Shanghai Oxi Technology Co., Ltd. | Optical fingerprint imaging system and array sensor |
| CN208848221U (zh) * | 2019-04-10 | 2019-05-10 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 光学指纹识别装置和电子设备 |
| CN109983471A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-07-05 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 指纹识别装置和电子设备 |
| CN110023956A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-07-16 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 光学图像采集单元、光学图像采集系统和电子设备 |
-
2019
- 2019-07-26 CN CN201910682191.7A patent/CN110379826A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102522415A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-27 | 上海宏力半导体制造有限公司 | Cmos图像传感器及其制作方法 |
| US20180247100A1 (en) * | 2015-09-15 | 2018-08-30 | Shanghai Oxi Technology Co., Ltd. | Optical fingerprint imaging system and array sensor |
| CN107358216A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹采集模组、显示装置及指纹识别方法 |
| CN109983471A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-07-05 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 指纹识别装置和电子设备 |
| CN110023956A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-07-16 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 光学图像采集单元、光学图像采集系统和电子设备 |
| CN208848221U (zh) * | 2019-04-10 | 2019-05-10 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 光学指纹识别装置和电子设备 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112768480A (zh) * | 2019-11-04 | 2021-05-07 | 格科微电子（上海）有限公司 | 光学指纹器件及其制造方法 |
| US11329096B2 (en) | 2020-01-16 | 2022-05-10 | Egis Technology Inc. | Fingerprint sensing module |
| CN111611916A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-09-01 | 上海思立微电子科技有限公司 | 薄型化光学指纹芯片模组及其制作方法、电子设备 |
| CN111611916B (zh) * | 2020-05-20 | 2023-09-22 | 上海思立微电子科技有限公司 | 薄型化光学指纹芯片模组及其制作方法、电子设备 |
| CN112882279A (zh) * | 2021-03-11 | 2021-06-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板以及显示装置 |
| CN113449685A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-09-28 | 维沃移动通信有限公司 | 光学指纹识别装置、光学指纹识别方法以及电子设备 |
| WO2023284832A1 (zh) * | 2021-07-16 | 2023-01-19 | 维沃移动通信有限公司 | 光学指纹识别装置、光学指纹识别方法以及电子设备 |
| EP4213116A1 (en) * | 2022-01-14 | 2023-07-19 | WaveTouch Denmark A/S | Compact optical sensor |
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