KR20210002340U - 저 투과 디스플레이에 적용되는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서 및 이를 사용하는 전자 장치 - Google Patents

저 투과 디스플레이에 적용되는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서 및 이를 사용하는 전자 장치 Download PDF

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펭 카오 쿠오
판 첸-치
씨. 에스. 초우 브루스
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이지스 테크놀로지 인크.
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Abstract

본 발명은 저 투과 디스플레이의 하부에 장착되어, 상기 저 투과 디스플레이상 또는 상부에 위치하는 손가락의 지문을 감지하는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서로서, 상기 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서는 이면 조사 지문 센서이며, 변환 이득(CG)을 갖되, CG > 40 μV/e-이고, e-는 하나의 전자를 나타내는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서를 공개하고, 상기 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서를 사용하는 전자 장치도 함께 공개한다.

Description

저 투과 디스플레이에 적용되는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서 및 이를 사용하는 전자 장치{OPTICAL FINGERPRINT-ON-DISPLAY SENSOR ADAPTED TO LOW-TRANSMITTANCE DISPLAY AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}
본 고안은 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서 및 이를 사용하는 전자 장치에 관한 것으로, 특히, 저 투과 디스플레이에 적용되는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서 및 이를 사용하는 전자 장치에 관한 것이다.
현재 모바일 전자 장치(예를 들어, 휴대폰, 태블릿 컴퓨터, 노트북 컴퓨터 등)에는 일반적으로 개인 데이터 안전을 보호하기 위해 지문, 얼굴 모양, 홍채 등과 같은 다양한 기술을 포함한 사용자 생체 인식 시스템이 장착되어 있다. 여기서, 예를 들어 휴대폰 또는 스마트 워치 등 휴대형 장치 역시 모바일 결제 기능을 겸비하였는 바, 사용자에게 있어서 생체 인식은 더더욱 표준 기능으로 되었으며, 휴대폰 등 휴대형 장치의 발전은 풀 스크린(또는 슈퍼 네로우 베젤)으로 향하는 추세를 보이고 있어, 기존의 커패시턴스식 지문 버튼은 더 이상 사용될 수 없게 되었고, 나아가 새로운 마이크로화 광학 이미징 장치(기존의 카메라 모듈과 유사하고, CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 이미지 센서(CIS) 감지 소자 및 광학 렌즈 모듈을 구비함) 로 진화되었다. 마이크로화 광학 이미징 장치를 디스플레이의 하부(디스플레이 내장형으로 지칭할 수 있음)에 설치하고, 디스플레이 부분을 통해 투광하여(특히, OLED 디스플레이) 디스플레이 상부에 눌려진 물체의 이미지, 특히 지문 이미지를 캡처할 수 있는데, 이는 디스플레이 내장형 지문 인식(Fingerprint On Display, FOD)으로 지칭될 수 있다.
현재 알려진 광학 지문 센서는 모두 CMOS 표면 조사(Front-Side Illumination, FSI) 기술을 사용하여 제조된 광학 센서로서, 주로 각각의 감지 픽셀의 사이즈가 모두 약 6 ~ 8 ㎛(심지어 그 이상)이므로, 기존 카메라의 CMOS 이미지 센서에 비해, 픽셀 사이즈는 모두 < 1 μm(전체 산업 추세는 픽셀 사이즈가 작아지고, 총 픽셀이 많아지는 것임)이며 기술 및 디자인 개념이 상당히 다르다.
그러나, FOD 기술은 기존 카메라의 CMOS이미지 센서와 완전히 다른데, 디스플레이의 하부에 설치되므로 이의 투광율을 반드시 고려해야 하고, 또한 지문 인식 비교 알고리즘은 이미지 해상도에 대해 일정한 요구가 있으며(예를 들어, > 500 dpi), 인치당 도트 수(Dots Per Inch)를 dpi로 지칭한다. 따라서, 디스플레이 내장형 지문 센서는 디스플레이의 투과 구조와 협력해야만 최적화된 시스템 기능을 갖출 수 있다.
요약하면, 현재의 디스플레이는 고해상도를 목표로 끊임없이 발전하고 있다. 고해상도 디스플레이의 투과율이 필연적으로 감소되어 광학 지문 센서의 수광량이 감소되므로 현재의 광학 지문 센서는 저 투과율 디스플레이 하부에서 더 이상 효과적인 감지 기능을 구현할 수 없게 되었다. 이에, 본 고안은 미래의 저 투과율 디스플레이와 협력하는 경우, 고품질의 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서를 제공하는 방법에 초점을 맞출 것이다.
따라서, 본 고안의 목적은 저 투과 디스플레이 해상도의 필요에 따라 지문 센서를 디자인하여, 지문 센서가 디스플레이 하부에서 광학 특징을 효과적으로 감지하도록 하는, 저 투과 디스플레이에 적용되는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서 및 이를 사용하는 전자 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 고안은, 저 투과 디스플레이의 하부에 장착되어, 저 투과 디스플레이상 또는 상부에 위치하는 손가락의 지문을 감지하는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서로서, 지문 센서는 이면 조사 지문 센서이며, 변환 이득(CG)을 갖되, CG > 40 μV/e-이고, e-는 하나의 전자를 나타내는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서를 제공한다.
본 고안은, 적어도, 다수의 디스플레이 픽셀이 구비되고, 파장 범위가 500 ~ 850 nm 사이인 광선에 대한 평균 투과율이 2%보다 작은 하나의 저 투과 디스플레이; 및 저 투과 디스플레이상 또는 상부에 위치하는 손가락의 지문을 감지하고, 이면 조사 지문 센서이며, 변환 이득을 갖되, CG > 40 μV/e-이고, e-는 하나의 전자를 나타내는 하나의 지문 센서를 포함하는 전자 장치를 더 제공한다.
상술한 저 투과 디스플레이에 적용되는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서를 통해 BSI 구조가 구비된 지문 센서를 사용하면, FSI 구조가 구비된 지문 센서에 비해 광전 변환 효율을 약 2배 향상시킬 수 있고, 또한, 변환 이득을 CG > 40 μV/e-로 향상시키며, 적어도 1.25배의 감지 감도를 증가시킬 수 있다. 이상 두 측면을 종합하면, 노광 시간을 적어도 2.5배 감소시켜, 기존 디스플레이의 평균 투과율이 5%에서 2%로 감소되어 초래되는 영향을 충족시키거나 보상할 수 있으므로, 고해상도 디스플레이에서 광학 지문 감지를 구현할 수 있으며 미래 및 발전 중에 있는 모바일 장치의 디스플레이 및 지문 감지 요구를 만족시킬 수 있다.
본 고안의 상기 내용을 보다 명확하고 이해하기 쉽도록, 이하 바람직한 실시예를 들어 첨부된 도면과 결부하여 상세히 설명할 것이다.
도 1은 디스플레이의 투과율의 다수 예의 특성도를 도시한다.
도 2는 두 지문 센서의 특성도를 도시한다.
도 3A 및 도 3B는 두 디스플레이의 투과 패턴의 모식도이다.
도 4는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 전자 장치의 모식도를 도시한다.
도 5는 지문 센서의 부분 회로의 모식도를 도시한다.
도 6은 감지 유닛의 다른 예의 평면 모식도를 도시한다.
도 7은 도 4의 지문 센서의 부분 단면 모식도를 도시한다.
도 1은 디스플레이의 투과율의 다수 예의 특성도를 도시한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 현재 OLED 디스플레이의 파장 대 투과율 특성 곡선(T1 및 T2)의 경우, 파장이 530 nm인 광선에 대한 평균 투과율은 각각 약 2% ~ 3%이고, 예를 들어, 특성 곡선(T1 및 T2)의 평균 투과율은 각각 3.1% 및 2.5%이다. OLED 디스플레이의 해상도가 지속적으로 향상되기에, 새로운 재료를 사용하고 디스플레이 유닛 및 배선의 밀도를 향상시켜 미래의 OLED 디스플레이의 투과율을 감소시킬 필요가 있으며, 특성 곡선(T3)은 미래 디스플레이의 파장 대 투과율 특성 곡선으로, 파장이 530 nm인 광선에 대한 평균 투과율은 약 1%이며, 미래에는 더 낮아질 예정이다. 본 고안의 지문 센서는 특성 곡선(T3)을 갖는 디스플레이와 협력하거나, 특성 곡선(T2)의 평균 투과율이 예를 들어 2% 이하인 상황과 협력하도록 디자인한 것이다. 따라서, 파장 범위가 500 ~ 850 nm 사이인 광선에 대한 디스플레이의 평균 투과율은 2%보다 작고, 예를 들어, 1% ~ 2% 사이이다. 또는, 파장이 530nm인 광선에 대한 디스플레이의 평균 투과율은 1%보다 작다. 도 2는 두 지문 센서의 특성도를 도시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 곡선 그룹(Q1)은 이면 조사(Back-Side Illumination, BSI) 센서의 파장과 양자 효율 간의 관계도를 나타내고, 곡선 그룹(Q2)은 표면 조사(Front-Side Illumination, FSI) 센서의 파장과 양자 효율 간의 관계를 나타낸다. 파장이 530 nm인 광선에 대한 이면 조사 센서의 양자 효율은 약 90%일 수 있지만, FSI 센서의 양자 효율은 약 60%이다. 따라서, 미래의 저 투과율 디스플레이의 경우, 이면 조사 센서를 사용하는 것은 본 고안의 조건 중 하나이다.
지문은 예를 들어 휴대폰 시스템에 응용되므로, 노광에서 이미지 전송 및 인식 비교에 총 소요되는 시간은 일반적으로 약 < 200 ms(밀리초)이고, 이미지 전송 및 인식 비교에 걸리는 시간은 거의 고정된 수치이므로, 최대 변화는 여전히 노광 시간이며, 일반적으로 100 ms 미만이어야 한다.
상기 저 투과율 디스플레이가 나타날 경우, 만약 광 센서의 사이즈 및 기술(예를 들어, FSI)이 변하지 않는다면, 전체 노광 시간이 150 ms이상, 심지어는 200 ms 이상이 되는데, 이는 시스템 사양을 전혀 만족시킬 수 없다.
이하 표 1은 이면 조사 기술을 이용한 다양한 픽셀 사이즈의 노광 시간을 비교한 것으로, 100 ms의 사양을 만족시키기 위해, 픽셀 사이즈가 5 ㎛보다 커야 한다는 것을 발견할 수 있는데, 이는 본 고안의 다른 조건이다.
이면 조사 센서의 픽셀 사이즈 노광 시간
5 ㎛ 115 ms
7 ㎛ 50 ms
10 ㎛ 23 ms
간단히 설명하면, 노광 시간을 만족시키려면, 이면 조사에 대한 선택을 통해 보다 큰 사이즈의 감지 픽셀 또는 감지 유닛(> 5 ㎛)을 매칭시켜 달성할 수 있지만, FOD 제품이 디스플레이(예를 들어, OLED) 하부에 설치되므로, 디스플레이는 기본 해상도를 달성하는 구조 및 투과 패턴(투광의 기하학적 형상)을 갖는다. 도 3A는 기존 OLED 디스플레이의 패턴을 도시한 것으로, 음영선이 없는 공백 부분은 투광 영역이고, 음영 부분은 투광되지 않는 영역이며, 소자 및 회로에 의해 형성된 것이다. 이 밖에, 도 3B는 미래의 고해상도 OLED 디스플레이의 패턴으로서, 음영선이 없는 공백 부분은 투광 영역이고, 음영 부분은 투광되지 않는 영역이며, 소자 및 회로의 밀도가 높기에 투광 영역의 비율이 대폭 감소된다.
도 4는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 전자 장치의 모식도를 도시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 예를 들어, 휴대폰, 태블릿 컴퓨터 등과 같은 전자 장치(100)에 장착되는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서(20)를 제공한다. 전자 장치(100)는 적어도 저 투과 디스플레이(10)(또는 디스플레이로 지칭함) 및 지문 센서(20)를 포함한다. 저 투과 디스플레이(10)의 하부에 장착되는 지문 센서(20)는 저 투과 디스플레이(10)의 투광율에 협력하여 개선되도록 디자인해야 한다.
저 투과 디스플레이(10)는 다수의 디스플레이 픽셀(12)을 구비한다. 일 예에서, 각 디스플레이 픽셀(12)은 3원색 픽셀을 포함한다. 저 투과 디스플레이(10)는 OLED 디스플레이, 마이크로 LED(micro LED) 디스플레이 또는 임의의 고해상도의 다른 디스플레이일 수 있다.
지문 센서(20)는 저 투과 디스플레이(10)상 또는 상부에 위치하는 손가락(F)의 지문을 감지한다. 이면 조사 센서의 양자 효율이 높으므로, 지문 센서(20)는 이면 조사 지문 센서이고, 적어도 하나의 감지 칩(21) 및 광 기계 모듈(25)을 포함한다.
감지 칩(21)은 다수의 감지 유닛(22)(또는 감지 픽셀)을 구비하고, 각 감지 유닛은 횡방향 사이즈(A)를 구비한다. 감지 유닛(22)은 광 기계 모듈(25)을 통과하는 광 신호를 전기 신호로 변환한다. 광 기계 모듈(25)은 감지 칩(21)과 저 투과 디스플레이(10) 사이에 설치된다. 저 투과율 디스플레이의 하부에서 인식할 수 있는 지문 감지 결과를 달성하기 위해, 본 고안은, 지문 센서(20)는 변환 이득(CG)을 갖되, CG > 40 μV/e-이며, e-는 하나의 전자를 나타내는 디자인 조건을 제안하고, 즉, 본 고안에서 제안하는 관련된 제한 조건은, 실제 테스트를 통해서도 증명할 수 있다. 기존의 디스플레이와 매칭되는 경우를 감안하여, 기존 지문 센서의 CG < 30 μV/e-는, 더 이상 미래의 저 투과율 디스플레이에 적용되지 않는다. 물론, 디스플레이 내장형 지문 인식 응용에 한정되어 시뮬레이션 및 계산을 통해 CG < 500 μV/e-을 얻을 수 있다.
따라서, 우수한 FOD 디자인은 노광 시간을 고려하여, 변환 이득(CG)을 디자인해야 하고, 본 고안은 해상도가 600 dpi 이상 심지어 700 dpi 이상인 차세대 저 투과 디스플레이(< 2%, 심지어 < 1%)에 한하므로, 비교적 큰 변환 이득(CG)을 가져야 한다. 비제한적인 예에서, 40 μV/e- < CG < 500 μV/e-이고, 다른 비제한적인 예에서, 50 μV/e- < CG < 500 μV/e-이다.
전자 장치(100)는 저 투과 디스플레이(10) 및 지문 센서(20)에 전원을 제공하여 사용하기 위한 전지(30)를 더 포함할 수 있다. 전지(30)는 저 투과 디스플레이(10)의 하부 및 지문 센서(20)의 일측에 위치한다. 도 4의 지문 센서(20)는 저 투과 디스플레이(10)의 일부만을 커버하지만, 본 고안은 이에 한정되지 않음에 유의해야 한다. 이는 지문 센서(20)를 저 투과 디스플레이(10) 전체를 커버하여 전체 디스플레이 지문 감지 기능을 실시하도록 디자인할 수도 있기 때문이다.
도 5는 지문 센서의 부분 회로의 모식도를 도시한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 4-트랜지스터-능동 픽셀 센서(4-Transistor-Active Pixel Sensor, 4T-APS) 아키텍처에서, 픽셀 내에 4개의 트랜지스터(MTX, MRS, MSF 및 MSEL)가 설치되고, 각각 신호(ΦTX, ΦRS, ΦSF 및 ΦSEL)에 의해 제어된다. 감지 회로(26)는 도 4의 감지 칩(21)에 형성된다. 포토 다이오드(PD)는 광 조사된 후 생성된 광전자는 판독될 때 플로팅 확산(Floating Diffusion) 노드(FD)로 전달되고, 노드(FD)의 플로팅 확산 커패시턴스(CFD)를 이용하여 광전자를 전압 신호(VOUT)로 변환한다. 작동할 경우, 전압(VSET)은 각 픽셀(감지 유닛(22))의 전압을 재작동한 후, 접합 커패시턴스(CPD)가 구비된 포토 다이오드(PD)는 감지된 광자를 전자에서 노드(FD)로 변환하여 전압 차이를 생성하고, 트랜지스터(MSF 및 MSEL)는 드라이브(drive)로 간주될 수 있기에, 전압(VDD)은 드라이브의 전압이며, 공통 출력 라인(COL)에서 출력되는 출력 전압(VOUT)(기생 커패시턴스(CL)에 커플링됨)은 노드(FD)의 전압을 따라 연동되고, 감지 회로에 의해 판독된 전압 수치이며, 아날로그-디지털 변환(Analog-to-Digital Conversion, ADC) 코드로 변환하여, 감지 신호를 획득한다.
저 투과 디스플레이는 수광 신호가 감소하기에(광자 수가 감소하기에) 광전 변환된 전자빔이 감소됨을 의미한다. 전자에 의해 변환된 출력 전압이 부족하여 센서의 감도 부족을 초래하고, Q = CV의 원리, 1/C = V/Q를 이용하되, 여기서, Q는 전기량이고, C는 커패시턴스 값이며, V는 전압이고, 변환 이득은 CG=V/Q이며, 이는 하나의 전자가 변환될 수 있는 전압의 양을 나타낸다. 회로의 플로팅 확산 커패시턴스(CPD)의 커패시턴스 값을 변경하여, 변환 이득(CG)을 변경할 수 있으며, 40 μV/e- < CG < 500 μV/e-에 따라, 0.32 fF <CFD < 4 fF를 얻을 수 있다.
도 6은 감지 유닛의 다른 예의 평면 모식도를 도시한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 각 감지 유닛(22)은 다수의 서브 감지 유닛(22A)에 의해 구성된다. 서브 감지 유닛(22A)은 2*2의 어레이와 같은 복수의 어레이로 배열되지만, 이에 제한되지는 않고, 3*3 이상의 어레이일 수 있다. 이 경우, 횡방향 사이즈(A)는 2개의 서브 감지 유닛(22A)의 횡방향 사이즈의 총합과 같은데, 그 목적은 더욱 높은 해상도의 이미지(예를 들어, 해상도를 4배 향상)를 구비하여, 디스플레이의 모아레 패턴 문제점을 효과적으로 해결하기 위한 것이다. 그러나 노광 시간을 해결하기 위해서는 서브 감지 유닛의 신호가 함께 합산 (비닝(binning)으로 지칭함)되어야 한다. 단일 감지 유닛(22)의 사이즈가 5 ㎛보다 크므로, 단일 서브 감지 유닛(22A)의 사이즈는 2.5 um보다 클 수 있다.
도 7은 도 4의 지문 센서(20)의 부분 단면 모식도를 도시한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 광 기계 모듈(25)은 광선을 감지 유닛(22)에 집중시키는 적어도 하나의 마이크로 렌즈를 포함하고, 감지 칩(21)은 적어도 하나의 금속 배선층(23)(예를 들어, 2개의 금속 배선층)을 더 구비하며, 감지 유닛(22)은 광 기계 모듈(25)과 금속 배선층(23) 사이에 설치된다. 금속 배선층(23) 사이에는 유전층(24)이 충진되며, 금속 배선층(23)은 감지 유닛(22)에 진입하는 광선을 차단하지 않고 양자 효율이 높으므로 상기 실시예에 적용된다. 상기 광 기계 모듈(25)은 외부 광학 칩 조합에 제한되지 않으며, 심지어 웨이퍼 제조에 완전히 통합된 마이크로 렌즈도 포함하거나 일부는 외부에 설치되고 일부는 통합될 수도 있으며 이는 모두 본 고안의 사상에 적용됨에 유의해야 한다.
상술한 저 투과 디스플레이에 적용되는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서를 통해 BSI 구조가 구비된 지문 센서를 사용하면, FSI 구조가 구비된 지문 센서에 비해 광전 변환 효율을 약 2배 향상시킬 수 있고, 또한, 변환 이득을 CG > 40 μV/e-로 향상시키며, 적어도 1.25배의 감지 감도를 증가시킬 수 있다. 이상 두 측면을 종합하면, 노광 시간을 적어도 2.5배 감소시켜, 기존 디스플레이의 평균 투과율이 5%에서 2%로 감소되어 초래되는 영향을 충족시키거나 보상할 수 있으므로, 고해상도 디스플레이에서 광학 지문 감지를 구현할 수 있으며 미래 및 발전 중에 있는 모바일 장치의 디스플레이 및 지문 감지 요구를 만족시킬 수 있다.
바람직한 실시예의 상세한 설명에서 제안된 구체적 실시예는 본 고안을 상기 실시예의 좁은 의미로 제한하는 것이 아니라 본 고안의 기술적 내용을 용이하게 설명하기 위해서만 사용되며, 본 고안의 사상 및 청구범위를 벗어나지 않고 진행된 다양한 변경 실시는 모두 본 고안의 범위에 속한다.
A: 횡방향 사이즈 CFD: 플로팅 확산 커패시턴스 CPD: 접합 커패시턴스
CL: 기생 커패시턴스 COL: 공통 출력 라인 F: 손가락
FD: 노드 MTX, MRS, MSF, MSEL: 트랜지스터 PD: 포토 다이오드
Q1: 곡선 그룹 Q2: 곡선 그룹 T1, T2, T3: 특성 곡선
VSET, VDD: 전압 VOUT: 전압 신호
ΦTX, ΦRS, ΦSF, ΦSEL: 신호 10: 저 투과 디스플레이
12: 디스플레이 픽셀 20: 지문 센서 21: 감지 칩
22: 감지 유닛 22A: 서브 감지 유닛 23: 금속 배선층
24: 유전층 25: 광 기계 모듈 26:감지 회로
30: 전지 100: 전자 장치

Claims (12)

  1. 저 투과 디스플레이의 하부에 장착되어, 상기 저 투과 디스플레이상 또는 상부에 위치하는 손가락의 지문을 감지하는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서로서,
    상기 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서는 이면 조사 지문 센서이며, 변환 이득(CG)을 갖되, CG > 40 μV/e-이고, e-는 하나의 전자를 나타내는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서.
  2. 제1항에 있어서, 4 fF보다 작은 플로팅 확산 커패시턴스를 갖는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서.
  3. 제1항에 있어서, 40 μV/e- < CG < 500 μV/e-인 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서.
  4. 제3항에 있어서, 0.32 fF와 4 fF사이의 플로팅 확산 커패시턴스를 갖는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서.
  5. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 감지 칩 및 광 기계 모듈을 포함하고, 상기 감지 칩은 다수의 감지 유닛 및 금속 배선층을 구비하며, 이들 감지 유닛은 상기 광 기계 모듈을 통과하는 광 신호를 전기 신호로 변환하고, 이들 감지 유닛은 상기 광 기계 모듈과 상기 금속 배선층 사이에 설치되는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서.
  6. 제5항에 있어서, 각각의 상기 감지 유닛의 사이즈는 5 ㎛보다 큰 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서.
  7. 제6항에 있어서, 각각의 상기 감지 유닛은 다수의 서브 감지 유닛으로 구성되는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서.
  8. 전자 장치로서, 적어도,
    다수의 디스플레이 픽셀이 구비되고, 파장 범위가 500 ~ 850 nm 사이인 광선에 대한 평균 투과율이 2%보다 작은 하나의 저 투과 디스플레이; 및
    상기 저 투과 디스플레이상 또는 상부에 위치하는 손가락의 지문을 감지하고, 이면 조사 지문 센서이며, 변환 이득을 갖되, CG > 40 μV/e-이고, e-는 하나의 전자를 나타내는 하나의 지문 센서를 포함하는 전자 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 지문 센서의 다수의 감지 유닛의 각각의 사이즈는 5 ㎛보다 큰 전자 장치.
  10. 제8항에 있어서, 파장이 530 nm인 광선에 대한 상기 저 투과 디스플레이의 평균 투과율은 1%보다 작은 전자 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 저 투과 디스플레이의 해상도는 600 dpi보다 큰 전자 장치.
  12. 제8항에 있어서, 상기 저 투과 디스플레이는 OLED 디스플레이 또는 마이크로 LED 디스플레이인 전자 장치.
KR2020200003441U 2020-04-09 2020-09-22 저 투과 디스플레이에 적용되는 광학식 디스플레이 내장형 지문 센서 및 이를 사용하는 전자 장치 KR20210002340U (ko)

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