CN111522587B - 电子装置及装置唤醒方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子装置及装置唤醒方法，其中包括开始执行唤醒操作，载入最佳化频率值，并且以所述最佳化频率值取代计数器的预设频率值；根据所述最佳化频率值开始持续累计具有初始值的等待计数值；反应于判定所累计的所述等待计数值等于目标计数值，对可复写式非挥发性存储器模块中的一或多个测试实体位址分别执行读取测试操作；以及反应于判定所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作，载入对应所述可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作。

Description

电子装置及装置唤醒方法
技术领域
本发明是有关于一种电子装置，且特别是有关于一种电子装置及装置唤醒方法。
背景技术
随着科技的演进，越来越多的电子装置会采用可复写式非挥发性存储器(Rewritable Non-volatile Memory，NVM)来做为储存单元，以储存电子装置所使用的数据。目前市面上常见的NVM为快闪存储器(Flash Memory)。快闪存储器在出厂时，都会设定一段唤醒时间(亦称，上电至运作时间，power-up to operation time)(如，10.17微秒(μs))的规范。电子装置的控制器需要让电子装置从深度待机(Deep Standby)电源状态(如，休眠或睡眠模式)恢复至可正常地存取快闪存储器的状态的耗费时间的长度小于所规范的唤醒时间，以避免发生错误。此外，所述让电子装置从深度待机电源状态(如，.休眠)恢复至可正常地存取快闪存储器的状态的操作亦称为唤醒操作。
应注意的是，在等待唤醒操作完成的期间(即，唤醒时间)，控制器依然持续地消耗电力。也就是说，若电子装置常需要从休眠或睡眠中被唤醒，唤醒操作被执行的次数和频率会增加，进而导致了电子装置的电力会于每次唤醒操作的唤醒时间中被浪费。特别是，使用电池作为电力来源的电子装置，其更难以忍受电力的浪费。
基此，要如何减少唤醒时间，以改善电子装置的便利被浪费的问题且增进唤醒操作的效率，是本领域人员致力发展的目标。
发明内容
本发明提供一种电子装置及装置唤醒方法，可减少电子装置被唤醒的时间，以减少电子装置被唤醒的所需电力消耗，进而增进电子装置的使用时间与效率。
本发明的一实施例提供一种电子装置。所述电子装置包括可复写式非挥发性存储器模块与控制器。所述可复写式非挥发性存储器模块用以储存数据。所述控制器包括处理器与计数器。所述处理器耦接至所述可复写式非挥发性存储器模块。所述计数器耦接至所述处理器，并且用以接收所述处理器的指示来累计一计数值。所述处理器用以开始执行一唤醒操作，载入一最佳化频率值，并且以所述最佳化频率值取代所述计数器的预设频率值。所述处理器更用以指示所述计数器根据所述最佳化频率值开始持续累计具有一初始值的等待计数值，其中反应于判定所累计的所述等待计数值等于一目标计数值，所述处理器更用以对所述可复写式非挥发性存储器模块中的一或多个测试实体位址分别执行一读取测试操作。所述处理器更用以判断所述一或多个测试实体位址是否都通过对应的所述读取测试操作，其中反应于判定所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作，所述处理器更用以载入对应可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作。
本发明的又一实施例提供一种电子装置。所述电子装置包括可复写式非挥发性存储器模块与控制器。所述可复写式非挥发性存储器模块用以储存数据。所述控制器包括处理器与计数器。所述处理器耦接至所述可复写式非挥发性存储器模块。所述计数器耦接至所述处理器，并且用以接收所述处理器的指示来累计一计数值。所述处理器用以开始执行一唤醒操作，载入一最佳化频率值与一最佳化目标计数值，以所述最佳化频率值取代一计数器的一预设频率值，并且以所述最佳化目标计数值取代所述计数器的预设的目标计数值，其中所述最佳化目标计数值经由于所述唤醒操作被执行之前所完成的一另一唤醒操作所获得。所述处理器更用以指示所述计数器根据所述最佳化频率值开始持续累计具有一初始值的一等待计数值，其中反应于判定所累计的所述等待计数值等于所述最佳化目标计数值，所述处理器更用以载入对应可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作。
本发明的一实施例提供适用于一电子装置的一种装置唤醒方法。所述电子装置包括一可复写式非挥发性存储器模块、一处理器与一计数器。所述方法包括：开始执行一唤醒操作，载入一最佳化频率值，并且以所述最佳化频率值取代计数器的预设频率值；根据所述最佳化频率值开始持续累计具有一初始值的等待计数值；反应于判定所累计的所述等待计数值等于一目标计数值，对所述可复写式非挥发性存储器模块中的一或多个测试实体位址分别执行一读取测试操作；判断所述一或多个测试实体位址是否都通过对应的所述读取测试操作；以及反应于判定所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作，载入对应可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作。
本发明的又一实施例提供适用于一电子装置的一种装置唤醒方法。所述电子装置包括一可复写式非挥发性存储器模块、一处理器与一计数器。所述方法包括：开始执行一唤醒操作，载入一最佳化频率值与一最佳化目标计数值，以所述最佳化频率值取代一计数器的一预设频率值，并且以所述最佳化目标计数值取代所述计数器的预设的目标计数值，其中所述最佳化目标计数值经由于所述唤醒操作被执行之前所完成的一另一唤醒操作所获得；根据所述最佳化频率值开始持续累计具有一初始值的一等待计数值；反应于判定所累计的所述等待计数值等于所述最佳化目标计数值，所述处理器更用以载入对应可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作。
基于上述，本发明的实施例所提供的电子装置与装置唤醒方法，可在执行唤醒操作时，使用所述最佳化频率值取代计数器的预设频率值，或更使用所述最佳化目标计数值取代所述计数器的预设的目标计数值，以缩短计数器的计数时间且更可省略读取测试操作，进而缩短用以完成所述唤醒操作的耗费时间。如此一来，由于完成所述唤醒操作的耗费时间减少，使电子装置在唤醒阶段的电力消耗可大量地被减少，进而增进了电子装置的电池的续航能力。此外，由于完成所述唤醒操作的耗费时间减少，使电子装置被唤醒的速度增快，进而增进了电子装置从待机阶段进入至正常使用阶段的速度，而增进了电子装置整体的运作效率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是根据本发明的一实施例所绘示多个信号的示意图；
图2是根据本发明的一实施例所绘示的电子装置的方块示意图；
图3是根据本发明的一实施例所绘示的装置唤醒方法的流程图；
图4是根据本发明的又一实施例所绘示的又一装置唤醒方法的流程图；
图5是根据本发明的又一实施例所绘示又一装置唤醒方法的流程图。
附图标记：
TRHR、TWUP、TMOP、TSTB：时间
T1、T2、T3：时间点
10：电子装置
110：控制器
120：可复写式非挥发性存储器模块
130：电池
111：处理器
112：存储器介面控制电路
113：计数器
S31、S32、S33、S34、S35、S36：装置唤醒方法的流程步骤
S41、S42、S43、S44：装置唤醒方法的流程步骤
S51、S52、S53、S54、S55、S56：装置唤醒方法的流程步骤
具体实施方式
在本发明的一实施例所提供的电子装置与装置唤醒方法，可有效地减少唤醒时间。除了可以让唤醒时间符合电子装置的可复写式非挥发性存储器(如，快闪存储器，Flash)的规范之外，更可据此减少电子装置的电力消耗。以下利用图1来说明。
图1是根据本发明的一实施例所绘示多个非挥发性存储器信号的示意图。请参照图1，假设电子装置的控制器利用电源VDD及多个信号PORb、DPSTB及CEb来管理电子装置的多个电源状态与对应的多个运作状态。所述电源VDD亦可称为非挥发性存储器电源，提供Flash内部及周边电路电力；所述信号PORb亦可称为通电复位(Power on Reset)信号，此信号PORb可在启动时或电源VDD不足时，非挥发性存储器将进行重置；所述信号DPSTB亦可称为深度待机(Deep Standby)信号；所述信号CEb亦可称为非挥发存储器致能(Chip enable)信号。
更具体来说，电子装置的控制器会对应不同的电源状态来分别控制所述多个信号的电压于高电位或低电位，进而改变电子装置于不同的电源状态。举例来说，在本实施例中，当信号DPSTB从低电位改变至高电位时，表示电子装置欲进入至深度待机电源状态，并且控制器会开始执行休眠操作或睡眠操作；当信号DPSTB从高电位改变至低电位时，表示电子装置欲离开深度待机电源状态，并且控制器会开始执行唤醒操作(如时间点T1)，以使电子装置被唤醒而进入至正常运作电源状态(如时间点T2)。
在不同电源状态中，电子装置中的各个硬件部件会对应的被开启或被关闭(电子装置中的各个硬件部件的耗电量可个别的被调整)，以使电子装置的总耗电量对应至当前的电源状态。例如，在本实施例中，若电子装置目前处于深度待机电源状态，仅对应深度待机电源状态的电子装置的部份的硬件元件(如，处理器、检测器及输出装置中的一或多者)被提供电力(以检测是否要唤醒整个电子装置)，并且电子装置的其他部份的硬件元件可被关闭(不被提供电力)。又例如，在正常运作电源状态中，电子装置的所有硬件元件都会开启(都被提供电力)。
如图1所示，当所述唤醒操作完成后(如时间点T2)，电子装置进入至正常运作电源状态，并且电子装置的控制器可正常地对电子装置的可复写式非挥发性存储器执行一般的读取(Read)操作、写入(Write)操作或抹除(Erase)操作(此些操作亦称为存取操作)。在本实施例中，执行所述读取(Read)操作、写入(Write)操作或抹除(Erase)操作的期间亦可称为存储器运作时间TMOP。此外，在两个存储器运作时间TMOP的间隔时间可称为待机时间TSTB。
此外，所述时间点T1至时间点T2的期间亦可称为唤醒时间TWUP。应注意的是，由于在所述唤醒时间TWUP内，控制器并不能够对可复写式非挥发性存储器执行对应正常运作电源状态的存取操作。因此，若所述唤醒时间TWUP可以被减少，则控制器可越快对可复写式非挥发性存储器执行对应至正常运作电源状态的存取操作，进而使电子装置可以更快地进入至正常运作电源状态。换言之，若藉由缩短所述唤醒时间TWUP而让电子装置越快进入至正常运作电源状态，则电子装置整体的运作效率可被提高(因，仅需要耗费较短的时间就可以完成唤醒操作而开始正常地运作)。此外，由于在执行唤醒操作时，电子装置的控制器不能够执行对应至正常运作电源状态的各种运作，但电子装置的控制器依然会持续地消耗电力。因此，若藉由最佳化所述唤醒时间TWUP而让电子装置越快进入至正常运作电源状态，则电子装置被浪费于唤醒时间TWUP中的电力也可减少，进而增进了电子装置整体的续航能力。
图2是根据本发明的一实施例所绘示的电子装置的方块示意图。请参照图2，在本实施例中，在本实施例中，电子装置10包括控制器110、可复写式非挥发性存储器模块120、电池130。所述控制器110耦接至可复写式非挥发性存储器模块120、电池130。所述电子装置10例如是电子玩具、穿戴式装置、行动装置、笔记型电脑、平板电脑、手机等会可进入至深度待机电源状态的电子装置，本发明并不限于上述的电子装置10的类型。
在本实施例中，所述控制器110用以管理电子装置10的各个元件的整体互动与运作。所述控制器110包括处理器111、存储器介面控制电路(Memory Interface ControlCircuit)112及计数器113。所述处理器111耦接至所述存储器介面控制电路112及所述计数器113。
所述处理器111例如是一核心或多核心的中央处理单元(Central ProcessingUnit，CPU)、微处理器(micro-processor)或是其他可编程的处理单元(Programmableprocessor)、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、可编程控制器、特殊应用积体电路(Application Specific Integrated Circuits，ASIC)、可编程逻辑装置(Programmable Logic Device，PLD)或其他类似装置。
所述处理器111经由所述存储器介面控制电路112连接至可复写式非挥发性存储器模块120，以对可复写式非挥发性存储器模块120进行存取或管理。
所述计数器113用以计数。在本实施例中，所述计数器113例如是HIRC(InternalHigh Speed RC)或其他形式的计数器。更具体来说，当所述计数器113开始执行计数操作，所述计数器113可依据一频率持续地累计具有初始值(如，0)的计数值，直到被累计的所述计数值等于目标计数值。所述频率可为一预设频率值(如，25百万赫兹)或一最佳化频率值(如，50百万赫兹)。所述最佳化频率值大于所述预设频率值。举例来说，假设频率为25百万赫兹(25MHz)且所述目标计数值为500。所述计数器113可每0.00000004秒(1/25000000)对所述计数值累加1，直到所述计数值等于所述目标计数值。在所述计数值从0(所述初始值)被累计至500(所述目标计数值)共经过了0.00002秒(即，500*0.00000004＝0.00002)。
所述最佳化频率值与目标计数值可被记录至永远上电储存单元。所述永远上电储存单元用以表示不论在任何一种电源状态中，都会接收电源且运作的储存电路。所述永远上电储存单元例如为所述可复写式非挥发性存储器模块120中另外被分割出来的特殊储存区域，提供至所述特殊储存区域会被保持，并且此特殊储存区域仅储存用以管理电子装置10的信息/数据。换言之，永远上电储存单元可用以记录被使用在所有电源状态的信息，以使储存在永远上电储存单元的信息/数据可在电子装置10处于任何一种电源状态时被存取。例如，当电子装置10处于深度待机种电源状态时，储存在永远上电储存单元的信息/数据可被存取，但是非储存在永远上电储存单元的信息/数据不可被存取。储存在永远上电储存单元的信息/数据更包括最佳化目标计数值。
所述可复写式非挥发性存储器模块120用以储存数据。所述可复写式非挥发性存储器模块120例如是快闪存储器(Flash Memory)。
所述电池130用以提供电子装置10电力。处理器111可管理所述电池130所提供的电力至电子装置10的其他硬件元件。
图3是根据本发明的一实施例所绘示的装置唤醒方法的流程图。请参照图3，在步骤S31中，处理器111开始执行一唤醒操作，载入一最佳化频率值，并且以所述最佳化频率值取代计数器的预设频率值。具体来说，在电子装置10进入至深度待机电源状态后，处理器111可反应于判定特定事件发生后，执行唤醒操作，以使电子装置10的电源状态从深度待机电源状态改变至正常运作电源状态。所述特定事件例如是，电子装置的按钮(或其他种类的输入单元)被触发(如，按压或旋转)、检测器(如，震动感测器)感测到电子装置10被移动等等事件、接收到来自其他电子装置的信息。本发明并不限定于所述特定事件。换言之，任何让处理器111判定需要执行唤醒操作的事件都可被称为所述特定事件。
当处理器111开始执行所述唤醒操作时，处理器111先从永远上电储存单元的载入所述最佳化频率值，并且以所述最佳化频率值取代计数器113的预设频率值。接着，在步骤S32中，计数器113根据所述最佳化频率值开始持续累计具有初始值的等待计数值。具体来说，在载入所述最佳化频率值后，计数器113便会开始根据所述最佳化频率值来执行对应目标计数值的计数操作。在开始所述计数操作后，独立于电子装置10的其他硬件元件，所述计数器113会持续地根据所述最佳化频率值来累加计数值(亦称，等待计数值)，直到停止所述计数操作。
接着，在步骤S33中，所述计数器113判断所累计的所述等待计数值是否等于目标计数值。反应于判定所累计的所述等待计数值等于所述目标计数值(步骤S33→是)，执行步骤S34；反应于判定所累计的所述等待计数值不等于所述目标计数值(步骤S33→否)，继续执行步骤S33。在一实施例中，反应于判定所累计的所述等待计数值等于所述目标计数值，所述计数器113会完成所述计数操作，并且停止持续累计所述等待计数值。
在步骤S34中，所述处理器111用以对可复写式非挥发性存储器模块120中的一或多个测试实体位址分别执行一读取测试操作。具体来说，在本实施例中，可复写式非挥发性存储器模块120例如是经由一或多个快闪存储器裸晶(Die)所构成。所述一或多个测试实体位址例如是一或多个快闪存储器裸晶中的一实体位址(例如，一个实体页面或一个实体扇区的位址)。所述一或多个测试实体位址都会预先被写入(已知的)预设测试数据。本发明并不限定于所述预设测试数据的位元值。
即，在步骤S35中，所述处理器111判断所述一或多个测试实体位址是否都通过对应的所述读取测试操作。具体来说，所述处理器111可对所述一或多个测试实体位址各自执行读取测试操作，以藉由判断所读取的数据是否等于预设测试数据来判断对应的所述一或多个测试实体位址可被正常地读取，其中若从一测试实体位址所读取的数据等于预设测试数据，所述处理器111判定对应的测试实体位址通过对应的所述读取测试操作。
反应于判定所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作(步骤S35→是)，执行步骤S36；反应于判定所述一或多个测试实体位址不都通过对应的所述读取测试操作(步骤S35→否)，执行步骤S35。
也就是说，若所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作，所述处理器111可判定一或多个快闪存储器裸晶都可被正常地读取，并且判定所述可复写式非挥发性存储器模块120已可被正常地存取。反之，若所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作，所述处理器更用以对所述一或多个测试实体位址中没有通过对应的所述读取测试操作的测试实体位址再次执行读取测试操作，并且再次执行所述判断所述一或多个测试实体位址是否都通过对应的所述读取测试操作的步骤(即，步骤S35)。
在步骤S36中，所述处理器111载入对应可复写式非挥发性存储器模块120的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作。更具体来说，所述多个初始化信息可预先被储存在所述永远上电储存单元。所述多个初始化信息例如是内部低压差线性稳压器(LDO)及内部高速RC振荡器(HIRC)初始设定值或校正值等用以初始化可复写式非挥发性存储器模块120的信息。本发明并不限定于所述多个初始化信息的种类。在载入对应可复写式非挥发性存储器模块120的多个初始化信息后，所述处理器111会判定所执行的所述唤醒操作已经完成。此时，所述处理器111可将所述电子装置切换至正常运作电源状态，并且开始执行对应此正常运作电源状态的存储器存取操作。
值得一提的是，在图3的实施例中，当计数器113所累计的所述等待计数值等于所述目标计数值时，所述处理器111会等到所有的一或多个测试实体位址通过对应的读取测试操作后，才判定所述唤醒操作已经完成。但，在另一实施例中，所述处理器111可不执行对应一或多个测试实体位址的读取测试操作。以下利用图4来说明。
图4是根据本发明的又一实施例所绘示的又一装置唤醒方法的流程图。请参照图4，在步骤S41中，所述处理器111开始执行一唤醒操作，载入一最佳化频率值与一最佳化目标计数值，以所述最佳化频率值取代一计数器113的一预设频率值，并且以所述最佳化目标计数值取代所述计数器113的预设的目标计数值。具体来说，所述步骤S41与所述步骤S31的不同之处在于，在所述S41中，所述处理器111更载入了最佳化目标计数值，并且使用所述最佳化目标计数值以取代原本的所述计数器113的目标计数值。在本实施例中，所述最佳化目标计数值(如，400)小于所述目标计数值。
接着，在步骤S42中，所述计数器113根据所述最佳化频率值开始持续累计具有一初始值的等待计数值。步骤S42相同于步骤S32，细节不再赘述。
在步骤S43中，所述计数器113判断所累计的所述等待计数值是否等于所述最佳化目标计数值。即，不同于步骤S33，所述计数器113是判断所累计的所述等待计数值是否等于所述最佳化目标计数值，而非判断所累计的所述等待计数值是否等于所述目标计数值。
反应于判定所累计的所述等待计数值等于所述最佳化目标计数值(步骤S43→是)，执行步骤S44；反应于判定所累计的所述等待计数值不等于所述最佳化目标计数值(步骤S43→否)，继续执行步骤S43。在一实施例中，反应于判定所累计的所述等待计数值等于所述最佳化目标计数值，所述计数器113会完成所述计数操作，并且停止持续累计所述等待计数值。
在步骤S44中，所述处理器111载入对应可复写式非挥发性存储器模块120的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作。步骤S44相同于步骤S36，细节不赘述于此。也就是说，在图4的实施例中，当计数器113停止计数操作后，所述处理器111会不对可复写式非挥发性存储器模块中的一或多个测试实体位址分别执行所述读取测试操作，但直接载入对应所述可复写式非挥发性存储器模块120的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作。
如此一来，在图4的实施例中，所述唤醒操作的耗费时间(即，唤醒时间)可因为不需要进行所述一或多个读取测试操作进一步地被缩短。此外，在图4的实施例中，电子装置10因不需要执行所述一或多个读取测试操作，电子装置10可进一步地避免耗费电力在所述一或多个读取测试操作上。换句话说，理论上，图4的实施例所提供的装置唤醒方法可比图3的实施例所提供的装置唤醒方法更快且更省电。
但，应注意是，所述最佳化目标计数值是经由于所述唤醒操作被执行之前所完成的一另一唤醒操作所获得。以下利用图5来说明。
图5是根据本发明的又一实施例所绘示又一装置唤醒方法的流程图。请参照图5，对应所述另一唤醒操作的装置唤醒方法包括步骤S51、S52、S53、S54、S55、S56。其中，与图3的实施例的装置唤醒方法相比，步骤S51相同于步骤S31；步骤S52相同于步骤S32；步骤S53相同于步骤S34；步骤S54相同于步骤S35；步骤S56相同于步骤S36。基此，上述步骤S51、S52、S53、S54、S56的细节不再赘述。以下仅针对图5的实施例的装置唤醒方法与图3的实施例的装置唤醒方法的不同之处进行说明。
具体来说，在执行步骤S52后，所述处理器111不会去判断所累计的所述等待计数值是否等于目标计数值，但所述处理器111会直接对可复写式非挥发性存储器模块中的所述一或多个测试实体位址分别执行所述读取测试操作，并且判断所述一或多个测试实体位址是否都通过对应的所述读取测试操作(S54)。反应于判定所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作(步骤S54→是)，接续至步骤S55；反应于判定所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作(步骤S54→否)，接续至步骤S54。
在步骤S55中，计数器113停止累计所述等待计数值，并且所述处理器111储存所累计的所述等待计数值为所述最佳化目标计数值。所述最佳化目标计数值被储存在所述永远上电储存单元中。也就是说，为了精确地获得最佳化目标计数值，所述处理器111藉由执行所述另一唤醒操作，利用所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作的时机点来将所累计的等待计数值作为最佳化目标计数值。换句话说，所述处理器111可知道，在开始执行唤醒操作且经过将等待计数值从0累加至所述最佳化目标计数值的时间后，所述可复写式非挥发性存储器模块120可进入至正常地被存取的状态(因所述一或多个测试实体位址在经过所述时间后，已可都通过读取测试操作)。
在一实施例中，举例来说，在电子装置10第一次执行唤醒操作时，所述处理器111可执行图5的实施例所提供的装置唤醒方法，以获得所述最佳化目标计数值。
综上所述，本发明的实施例所提供的电子装置与装置唤醒方法，可在执行唤醒操作时，使用所述最佳化频率值取代计数器的预设频率值，或更使用所述最佳化目标计数值取代所述计数器的预设的目标计数值，以缩短计数器的计数时间且更可省略读取测试操作，进而缩短用以完成所述唤醒操作的耗费时间。如此一来，由于完成所述唤醒操作的耗费时间减少，使电子装置在唤醒阶段的电力消耗可大量地被减少，进而增进了电子装置的电池的续航能力。此外，由于完成所述唤醒操作的耗费时间减少，使电子装置被唤醒的速度增快，进而增进了电子装置从待机阶段进入至正常使用阶段的速度，而增进了电子装置整体的运作效率。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视前附的权利要求所界定的范围为准。

Claims (8)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一可复写式非挥发性存储器模块，用以储存数据；以及
一控制器，所述控制器包括：
一处理器，耦接至所述可复写式非挥发性存储器模块；
一计数器，耦接至所述处理器，用以接收所述处理器的指示来累计一计数值，其中所述处理器用以开始执行一唤醒操作，载入一最佳化频率值，并且以所述最佳化频率值取代所述计数器的预设频率值，
其中所述处理器更用以指示所述计数器根据所述最佳化频率值开始持续累计具有一初始值的等待计数值，
其中反应于判定所累计的所述等待计数值等于一目标计数值，所述处理器更用以对所述可复写式非挥发性存储器模块中的一或多个测试实体位址分别执行一读取测试操作，
其中所述处理器更用以判断所述一或多个测试实体位址是否都通过对应的所述读取测试操作，
其中反应于判定所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作，所述处理器更用以载入对应可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，反应于判定所述一或多个测试实体位址没有都通过对应的所述读取测试操作，
所述处理器更用以对所述一或多个测试实体位址中没有通过对应的所述读取测试操作的测试实体位址再次执行对应的所述读取测试操作，并且再次执行所述判断所述一或多个测试实体位址是否都通过对应的所述读取测试操作的步骤。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，反应于判定所累计的所述等待计数值等于所述目标计数值，所述处理器更用以指示所述计数器停止持续累计所述等待计数值。
4.一种电子装置，其特征在于，包括：
一可复写式非挥发性存储器模块，用以储存数据；以及
一控制器，所述控制器包括：
一处理器，耦接至所述可复写式非挥发性存储器模块；
一计数器，耦接至所述处理器，用以接收所述处理器的指示来累计一计数值，其中所述处理器用以开始执行一唤醒操作，载入一最佳化频率值与一最佳化目标计数值，以所述最佳化频率值取代所述计数器的一预设频率值，并且以所述最佳化目标计数值取代所述计数器的预设的一目标计数值，其中所述最佳化目标计数值经由于所述唤醒操作被执行之前所完成的一另一唤醒操作所获得，
其中所述处理器更用以指示所述计数器根据所述最佳化频率值开始持续累计具有一初始值的一等待计数值，
其中反应于判定所累计的所述等待计数值等于所述最佳化目标计数值，所述处理器更用以载入对应可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作；
在所述另一唤醒操作中，
所述处理器开始执行所述另一唤醒操作，载入所述最佳化频率值，并且以所述最佳化频率值取代所述计数器的所述预设频率值，
其中所述处理器指示所述计数器根据所述最佳化频率值开始持续累计具有所述初始值的所述等待计数值，
其中所述处理器对所述可复写式非挥发性存储器模块中的一或多个测试实体位址分别执行一读取测试操作，
其中所述处理器判断所述一或多个测试实体位址是否都通过对应的所述读取测试操作，
其中反应于判定所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作，所述处理器停止累计所述等待计数值，并且储存所累计的所述等待计数值为所述最佳化目标计数值，
其中所述处理器载入对应可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息，以完成所述另一唤醒操作。
5.一种装置唤醒方法，适用于一电子装置，其特征在于，所述电子装置包括一可复写式非挥发性存储器模块、一处理器与一计数器，所述方法包括：
开始执行一唤醒操作，载入一最佳化频率值，以所述最佳化频率值取代计数器的预设频率值；
根据所述最佳化频率值开始持续累计具有一初始值的等待计数值；
反应于判定所累计的所述等待计数值等于一目标计数值，对所述可复写式非挥发性存储器模块中的一或多个测试实体位址分别执行一读取测试操作；
判断所述一或多个测试实体位址是否都通过对应的所述读取测试操作；以及
反应于判定所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作，载入对应可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作。
6.如权利要求5所述的装置唤醒方法，其特征在于，反应于判定所述一或多个测试实体位址没有都通过对应的所述读取测试操作，
所述处理器更用以对所述一或多个测试实体位址中没有通过对应的所述读取测试操作的测试实体位址再次执行对应的所述读取测试操作，并且再次执行所述判断所述一或多个测试实体位址是否都通过对应的所述读取测试操作的步骤。
7.如权利要求5所述的装置唤醒方法，其特征在于，反应于判定所累计的所述等待计数值等于所述目标计数值，停止持续累计所述等待计数值。
8.一种装置唤醒方法，适用于一电子装置，其特征在于，所述电子装置包括一可复写式非挥发性存储器模块、一处理器与一计数器，所述方法包括：
开始执行一唤醒操作，载入一最佳化频率值与一最佳化目标计数值，以所述最佳化频率值取代一计数器的一预设频率值，以所述最佳化目标计数值取代所述计数器的预设的目标计数值，其中所述最佳化目标计数值经由于所述唤醒操作被执行之前所完成的一另一唤醒操作所获得；
根据所述最佳化频率值开始持续累计具有一初始值的一等待计数值；
反应于判定所累计的所述等待计数值等于所述最佳化目标计数值，所述处理器更用以载入对应可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息，以完成所述唤醒操作；
所述另一唤醒操作包括：
开始执行所述另一唤醒操作，载入所述最佳化频率值；
根据所述最佳化频率值开始持续累计具有所述初始值的所述等待计数值；
对所述可复写式非挥发性存储器模块中的一或多个测试实体位址分别执行一读取测试操作；
判断所述一或多个测试实体位址是否都通过对应的所述读取测试操作；
反应于判定所述一或多个测试实体位址都通过对应的所述读取测试操作，停止累计所述等待计数值，并且储存所累计的所述等待计数值为所述最佳化目标计数值；以及
载入对应可复写式非挥发性存储器模块的多个初始化信息，以完成所述另一唤醒操作。
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