CN111516340B - 一种隐身抗毁屏蔽材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种隐身抗毁屏蔽材料及其制备方法，为依次堆叠连接的蒙皮层、吸波泡沫层、抗毁层、电磁屏蔽增强层和反射层形成的整体层状结构，其厚度为25‑40mm。本发明将隐身性能、抗毁性能和电磁屏蔽性能三种材料完美结合，实现了一种复合材料体系拥有一级隐身性能、防弹抗毁效果和高性能电磁屏蔽。抗毁性能通过高密度聚乙烯聚合物材料实现；低面密度，是通过吸波泡沫、吸波材料二者之间的结构设计来实现，即解决了低面密度，又不影响隐身性能。

Description

一种隐身抗毁屏蔽材料及其制备方法
技术领域
本发明属于复合材料技术领域，具体涉及一种隐身抗毁屏蔽材料及其制备方法。
背景技术
隐身材料是现代化战争的关键技术，现阶段常用的隐身材料有隐身涂层、隐身草、结构吸波材料等，其中隐身涂层应用最为广泛。隐身涂层是将含有吸波剂的涂料直接涂抹在设备外表面，形成吸波层。采用这种方法制备的隐身结构易受外界环境侵蚀导致脱落，从而影响其隐身性能。
目前，经常使用钢板、陶瓷板作为防弹材料，但钢板、陶瓷重量大，严重影响机动性。随着高分子材料的发展，出现了新型的高性能材料，其中，芳纶纤维的比强度比模量是钢的10倍，而超高分子量聚乙烯(PE)纤维比强度比芳纶纤维高出1.5倍，具有轻质高强的特性，其密度仅为1g/cm3，强度达到3.3GPa，采用该纤维压制而成的PE板具有良好的防弹性能。
随着电子设备的小型化和精密化，对材料的隐身性能、抗毁性能和电磁屏蔽性能一体化共同提出更高的要求，如何在保证机械性能的前提下，还能进一步提高复合材料的隐身性能、抗毁性能和电磁屏蔽性能是复合材料领域的研究热点之一。
中国专利CN107276286B公开了一种隐身抗毁发电机组安装舱体，包括舱罩和底座，舱罩的正面为操作门，操作门壁板从外到内依次包括隐身涂层、透波外蒙皮、雷达吸波材料、铝箔层、铝骨架、PE抗毁层和电磁屏蔽层；隐身涂层实现发电机组的红外或\和光学隐身；透波外蒙皮让雷达探测信号顺利穿透过来；雷达吸波材料对穿透过来的雷达探测信号进行吸收；铝箔层将未吸收完的雷达探测信号进行反射；PE抗毁层在舱身被打击时起到阻挡和抗毁作用；电磁屏蔽层防止发电机组内部之间的干扰；铝骨架用于铝箔层与PE抗毁层之间的连接固定。本发明具有隐身和抗毁功能，提高了发电机组的运行安全性能，但是其在制作隐身层时，在需要安装铆钉的地方预先埋下玻璃纤维布棒，使玻璃纤维布棒嵌入隐身层中，胶合固化后再在玻璃纤维布棒上钻铆钉孔，该操作方法适合制造比较厚的操作门壁板，并不适合轻薄的材料要求。
又如中国专利CN201797698U公开了一种电磁屏蔽方舱壁板，包括骨架、设置在所述骨架内外两侧的内蒙板和外蒙板、以及夹设于所述内蒙板和所述外蒙板之间的聚氨酯发泡材料，所述内蒙板和外蒙板均为金属屏蔽板或包含有金属屏蔽网。用该电磁屏蔽方舱壁板制成的方舱能较好地实现电磁屏蔽功能，但不具有结构雷达隐身功能。
目前，隐身性能、抗毁性能和电磁屏蔽性能三种材料在复合应用上会出现的缺点：1）整体厚度太大；2）面密度偏大；3）在10KHz-18GHz宽频范围内不能都实现良好的电磁屏蔽性能。因此，研究一种同时具备隐身、抗毁、屏蔽功能的材料，很有前景。
发明内容
本发明针对现有技术中，隐身性能、抗毁性能和电磁屏蔽性能三者的结合，做不到低面密度；或者是隐身抗毁材料既不能保证轻质，也不能满足良好的隐身性能；或者是碳纤维材料兼具密度低、电磁屏蔽性能相对优异、机械性能突出等特点，但是碳纤维在低频段30MHz以下，其屏蔽性能较差。针对以上现有技术的不足，本发明提供了一种隐身抗毁屏蔽材料及其制备方法。
一种隐身抗毁屏蔽材料，为依次堆叠连接的蒙皮层、吸波泡沫层、抗毁层、电磁屏蔽增强层和反射层形成的整体层状结构，其厚度为25-40mm；
所述的蒙皮层为石英纤维、芳纶纤维、玻璃纤维中的一种形成的增强树脂基复合材料制作得到；蒙皮层相对介电常数在2-5之间，厚度在0.2-0.5mm之间；
所述的吸波泡沫层为多层泡沫叠加复合而成，每一层泡沫厚度按照设计要求不同，厚度范围为0.5-5.0mm，除靠近蒙皮层的第一层外，每一层泡沫表面覆盖有吸波材料；所述泡沫为PMI、PVC、PU中的一种或多种的复合；
所述的抗毁层为单层防弹板，选自高密度聚乙烯防弹板，其厚度为14.0mm，靠近吸波泡沫层的单层防弹板上覆盖有吸波材料；
所述的电磁屏蔽增强层为镍网、坡莫合金或镍片，其厚度为0.1-0.5mm；
所述的反射层为碳纤维层，其厚度为0.1-1.0mm；
覆盖在泡沫表面或单层防弹板上的所述的吸波材料为电阻薄膜或者磁性材料薄膜，其方阻范围为10-500Ω/□，薄膜的厚度为0.01-0.20mm，每一层的方阻和薄膜厚度为相同或者不同，且在吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案。
本发明所述的在吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案，是为调节整个吸波材料的空间自由阻抗匹配特性，采用丝网印刷或激光切割等工艺在电阻薄膜或者磁性材料薄膜上制备周期排列的镂空结构图案。
进一步的，本发明所述一种隐身抗毁屏蔽材料，各层之间、层内部的多层之间，均通过低介电树脂进行粘合连接，粘合连接工艺为真空导入或者模压工艺。
更进一步的，所述低介电树脂为乙烯基树脂或环氧树脂。
本发明还涉及上述一种隐身抗毁屏蔽材料的制备方法，包括以下步骤：
1）将丙酮和硅烷偶联剂配成混合溶液，两者质量百分比为100:1，并在室温条件下将电磁屏蔽增强层置于混合溶液浸泡20-40min进行活性处理；
2）将单层防弹板上靠近吸波泡沫层一侧的表面设置有吸波材料，并在吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案，另一侧进行表面粗化处理；
3）吸波泡沫层除靠近蒙皮层的第一层外，其余每一层吸波泡沫层上靠近蒙皮层一侧的表面上设置有吸波材料，并在每一层吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案；
4）将步骤1）浸泡后的电磁屏蔽增强层铺设在反射层表面，然后依次从下至上将步骤2）处理好的单层防弹板、步骤3）处理好的每一层吸波泡沫层和蒙皮层按照设计要求进行铺层，每层涂抹低介电树脂待固化成型；
5）将步骤4）待固化成型的隐身抗毁屏蔽材料在常温条件下压制，压制完成后取出，得到隐身抗毁屏蔽材料。
本发明步骤1）所述的浸泡，浸泡时间为30min。
步骤2）所述的吸波材料层，吸波材料为电阻薄膜或者磁性材料薄膜；为调节整个吸波材料的空间自由阻抗匹配特性，所述的在吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案，是采用丝网印刷或激光切割工艺在电阻薄膜或者磁性材料薄膜上制备周期排列的镂空结构图案。
步骤2）所述的另一侧进行表面粗化处理，目的在于增加其胶粘强度。
步骤4）所述的每层涂抹低介电树脂待固化成型，其中低介电树脂选自乙烯基树脂或环氧树脂，涂抹的低介电树脂的量，根据最终的产品层数、镂空图案的面积来调整用胶量。
步骤5）所述的压制，压制时间为24h。
步骤与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1、本发明将隐身性能、抗毁性能和电磁屏蔽性能三种材料完美结合，实现了一种复合材料体系拥有一级隐身性能、防弹抗毁效果和高性能电磁屏蔽。
2、抗毁性能通过高密度聚乙烯聚合物材料实现；低面密度，是通过吸波泡沫、吸波材料二者之间的结构设计来实现，即解决了低面密度，又不影响隐身性能。
3、屏蔽性能选择碳纤维材料，在30MHz以下频率范围材料的本征导磁性能是影响其屏蔽效能最重要的因素，在30MHz以上频率范围，屏蔽材料的导电性能将决定影响屏蔽效能的最重要的因素，提高10KHz-18GHz频率范围内屏蔽效能，对碳纤维复合材料进行磁强化或导电强化等金属化复合处理。本发明选择金属化的材质，包括镍网、镍板或坡莫合金作为电磁屏蔽增强层，其厚度为0.1-0.5mm，能达到优秀的电磁屏蔽性能。
附图说明
图1是本发明实施例1的一种隐身抗毁屏蔽材料的结构示意图。
图2是本发明在吸波材料上采用丝网印刷或激光切割等工艺制备的周期排列的镂空结构图案的图。
图1中：1.蒙皮层；2.吸波泡沫层；3.抗毁层；4.电磁屏蔽增强层；5.反射层；6.吸波泡沫；7.吸波材料。
具体实施方式
以下通过实施例进一步详细描述本发明，但这些实施例不应认为是对本发明的限制。
实施例1：
一种隐身抗毁屏蔽材料，其结构示意图如图1所示，由蒙皮层1、吸波泡沫层2、抗毁层3、电磁屏蔽增强层4和反射层5复合而成，其中吸波泡沫层2通过泡沫层覆盖有周期性镂空结构图案化吸波材料7复合而成：
1）各层复合采用E51环氧树脂；
2）蒙皮层选用厚度0.4mm的石英纤维，相对介电常数为2；
3）吸波泡沫层的泡沫为PVC，共六层，第一层2.5mm，第二层3.98mm，第三层2.38mm，第四层3.97mm，第五层1.79mm，第六层4.79mm；
4）抗毁层为单层防弹板，选自高密度聚乙烯防弹板，厚度为14mm；
5）吸波泡沫层除靠近蒙皮层的第一层外，每层PVC泡沫表面及靠近吸波泡沫层的单层防弹板表面均贴附方阻为200-300Ω/□的电损耗吸波材料，厚度0.1mm，每一层吸波材料进行周期性图案化，周期17.86mm，具体图案见图2；
6）电磁屏蔽增强层为厚度为0.1mm的坡莫合金；
7）反射层为厚度0.2mm的碳纤维层；
8）各层材料准备好后，采用模压工艺，整体成型。
上述一种隐身抗毁屏蔽材料的制备方法，包括以下步骤：
1）将丙酮和硅烷偶联剂配成混合溶液，两者质量百分比为100:1，并在室温条件下将电磁屏蔽增强层置于混合溶液浸泡20min进行活性处理；
2）将单层防弹板上靠近吸波泡沫层一侧的表面设置有吸波材料，并在吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案，另一侧进行表面粗化处理；
3）吸波泡沫层除靠近蒙皮层的第一层外，其余每一层吸波泡沫层上靠近蒙皮层一侧的表面上设置有吸波材料，并在每一层吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案；步骤2）和步骤3）所述的吸波材料为电阻薄膜，采用丝网印刷在电阻薄膜上制备周期排列的镂空结构图案；
4）将步骤1）浸泡后的电磁屏蔽增强层铺设在反射层表面，然后依次从下至上将步骤2）处理好的单层防弹板、步骤3）处理好的每一层吸波泡沫层和蒙皮层按照设计要求进行铺层，每层涂抹低介电树脂待固化成型，低介电树脂选自E51环氧树脂；
5）将步骤4）待固化成型的隐身抗毁屏蔽材料在常温条件下压制24h，压制完成后取出，得到隐身抗毁屏蔽材料。
实施例2：
一种隐身抗毁屏蔽材料，其结构示意图如图1所示，由蒙皮层1、吸波泡沫层2、抗毁层3、电磁屏蔽增强层4和反射层5复合而成，其中吸波泡沫层2通过泡沫层覆盖有周期性镂空结构图案化吸波材料7复合而成：
1）各层复合采用901乙烯基树脂；
2）蒙皮层选用厚度0.2mm的玻璃纤维，相对介电常数为2.5；
3）吸波泡沫层的泡沫为PU，共六层，第一层1.5mm，第二层2.36mm，第三层3.66mm，第四层2.98mm，第五层0.75mm，第六层2.75mm ；
4）抗毁层为单层防弹板，选自高密度聚乙烯防弹板，厚度为14mm；
5）吸波泡沫层除靠近蒙皮层的第一层外，每层PU泡沫表面及靠近吸波泡沫层的单层防弹板表面均贴附方阻为200-300Ω/□的电损耗吸波材料，厚度0.01mm，每一层吸波材料进行周期性图案化，周期15.86mm，具体图案见图2；
6）电磁屏蔽增强层为厚度为0.3mm的镍片；
7）反射层为厚度0.1mm的碳纤维层；
8）各层材料准备好后，采用模压工艺，整体成型。
上述一种隐身抗毁屏蔽材料的制备方法，包括以下步骤：
1）将丙酮和硅烷偶联剂配成混合溶液，两者质量百分比为100:1，并在室温条件下将电磁屏蔽增强层置于混合溶液浸泡40min进行活性处理；
2）将单层防弹板上靠近吸波泡沫层一侧的表面设置有吸波材料，并在吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案，另一侧进行表面粗化处理；
3）吸波泡沫层除靠近蒙皮层的第一层外，其余每一层吸波泡沫层上靠近蒙皮层一侧的表面上设置有吸波材料，并在每一层吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案；步骤2）和步骤3）所述的吸波材料为磁性材料薄膜，采用激光切割工艺在磁性材料薄膜上制备周期排列的镂空结构图案；
4）将步骤1）浸泡后的电磁屏蔽增强层铺设在反射层表面，然后依次从下至上将步骤2）处理好的单层防弹板、步骤3）处理好的每一层吸波泡沫层和蒙皮层按照设计要求进行铺层，每层涂抹低介电树脂待固化成型，低介电树脂选自901乙烯基树脂；
5）将步骤4）待固化成型的隐身抗毁屏蔽材料在常温条件下压制24h，压制完成后取出，得到隐身抗毁屏蔽材料。
实施例3：
一种隐身抗毁屏蔽材料，其结构示意图如图1所示，由蒙皮层1、吸波泡沫层2、抗毁层3、电磁屏蔽增强层4和反射层5复合而成，其中吸波泡沫层2通过泡沫层覆盖有周期性镂空结构图案化吸波材料7复合而成：
1）各层复合采用901乙烯基树脂；
2）蒙皮层选用厚度0.5mm的芳纶纤维，相对介电常数为5；
3）吸波泡沫层的泡沫为PMI，共六层，第一层1.5mm，第二层2.36mm，第三层4.55mm，第四层2.98mm，第五层0.50mm，第六层5.00mm ；
4）抗毁层为单层防弹板，选自高密度聚乙烯防弹板，厚度为14mm；
5）吸波泡沫层除靠近蒙皮层的第一层外，每层PMI泡沫表面及靠近吸波泡沫层的单层防弹板表面均贴附方阻为10-50Ω/□的电损耗吸波材料，厚度0.1mm，每一层吸波材料进行周期性图案化，周期15.86mm，具体图案见图2；
6）电磁屏蔽增强层为厚度为0.1mm的镍网；
7）反射层为厚度1.0mm的碳纤维层；
8）各层材料准备好后，采用真空导入，整体成型。
上述一种隐身抗毁屏蔽材料的制备方法，包括以下步骤：
1）将丙酮和硅烷偶联剂配成混合溶液，两者质量百分比为100:1，并在室温条件下将电磁屏蔽增强层置于混合溶液浸泡30min进行活性处理；
2）将单层防弹板上靠近吸波泡沫层一侧的表面设置有吸波材料，并在吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案，另一侧进行表面粗化处理；
3）吸波泡沫层除靠近蒙皮层的第一层外，其余每一层吸波泡沫层上靠近蒙皮层一侧的表面上设置有吸波材料，并在每一层吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案；步骤2）和步骤3）所述的吸波材料为电阻薄膜，采用激光切割工艺在电阻薄膜上制备周期排列的镂空结构图案；
4）将步骤1）浸泡后的电磁屏蔽增强层铺设在反射层表面，然后依次从下至上将步骤2）处理好的单层防弹板、步骤3）处理好的每一层吸波泡沫层和蒙皮层按照设计要求进行铺层，每层涂抹低介电树脂待固化成型，低介电树脂选自901乙烯基树脂；
5）将步骤4）待固化成型的隐身抗毁屏蔽材料在常温条件下压制24h，压制完成后取出，得到隐身抗毁屏蔽材料。
实施例4：
一种隐身抗毁屏蔽材料，其结构示意图如图1所示，由蒙皮层1、吸波泡沫层2、抗毁层3、电磁屏蔽增强层4和反射层5复合而成，其中吸波泡沫层2通过泡沫层覆盖有周期性镂空结构图案化吸波材料7复合而成：
1）各层复合采用901乙烯基树脂；
2）蒙皮层选用厚度0.5mm的芳纶纤维，相对介电常数为4.5；
3）吸波泡沫层的泡沫为PMI和PU的等重混合，共六层，第一层1.5mm，第二层2.35mm，第三层4.50mm，第四层3.00mm，第五层0.50mm，第六层5.00mm ；
4）抗毁层为单层防弹板，选自高密度聚乙烯防弹板，厚度为14mm；
5）吸波泡沫层除靠近蒙皮层的第一层外，每层PMI和PU的等重混合泡沫表面及靠近吸波泡沫层的单层防弹板表面均贴附方阻为400-500Ω/□的电损耗吸波材料，厚度0.2mm，每一层吸波材料进行周期性图案化，周期15.86mm，具体图案见图2；
6）电磁屏蔽增强层为厚度为0.5mm的镍网；
7）反射层为厚度1.0mm的碳纤维层；
8）各层材料准备好后，采用真空导入，整体成型。
上述一种隐身抗毁屏蔽材料的制备方法，包括以下步骤：
1）将丙酮和硅烷偶联剂配成混合溶液，两者质量百分比为100:1，并在室温条件下将电磁屏蔽增强层置于混合溶液浸泡30min进行活性处理；
2）将单层防弹板上靠近吸波泡沫层一侧的表面设置有吸波材料，并在吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案，另一侧进行表面粗化处理；
3）吸波泡沫层除靠近蒙皮层的第一层外，其余每一层吸波泡沫层上靠近蒙皮层一侧的表面上设置有吸波材料，并在每一层吸波材料上制备周期排列的镂空结构图案；步骤2）和步骤3）所述的吸波材料为电阻薄膜，采用激光切割工艺在电阻薄膜上制备周期排列的镂空结构图案；
4）将步骤1）浸泡后的电磁屏蔽增强层铺设在反射层表面，然后依次从下至上将步骤2）处理好的单层防弹板、步骤3）处理好的每一层吸波泡沫层和蒙皮层按照设计要求进行铺层，每层涂抹低介电树脂待固化成型，低介电树脂选自901乙烯基树脂；
5）将步骤4）待固化成型的隐身抗毁屏蔽材料在常温条件下压制24h，压制完成后取出，得到隐身抗毁屏蔽材料。
结论：
本发明得到的隐身抗毁屏蔽材料，将三种材料实现了彼此之间的完美结合，实现了一种复合材料体系拥有一级隐身性能、防弹抗毁效果和高性能电磁屏蔽：
1、隐身板一级指标：在频率1-2GHz范围内雷达反射率均值小于-8dB；在频率2-4GHz范围内雷达反射率均值小于-8dB；在频率4-8GHz范围内的雷达反射率均值小于-13dB；在8-12GHz范围内的雷达反射率均值小于-13dB，在频率12-18GHz范围内的雷达反射率均值小于-17dB；在26.5-40GHz范围内的雷达反射率均值小于-17dB。
2、满足防弹抗毁性能：单层防弹板的材质是高密度聚乙烯，其厚度14mm，大大降低了整体的面密度。
3、高性能电磁屏蔽：在10KHz-300MHz频率范围内屏蔽效能可以达到≤-40dB，在300MHz-18GHz频率范围内屏蔽效能可以达到-≤60dB。由于纯碳纤维屏蔽层在30 MHz 以下频率范围的电磁屏蔽性能较差，因在对其屏蔽性能进行研究和测试过程中，发现低频下材料的导磁性是影响其屏蔽性能的决定性因素，随着磁导率的上升，电磁屏蔽性能也能逐渐增强，故采用具有很高的弱磁场导磁率的金属材料来增强碳纤维复合材料屏蔽性能效果较为明显。
以上实施例只是对本发明的进一步说明，并不因此限制本发明的内容。

Claims (7)

1.一种隐身抗毁屏蔽材料，其特征在于：为依次堆叠连接的蒙皮层（1）、吸波泡沫层（2）、抗毁层（3）、电磁屏蔽增强层（4）和反射层（5）形成的整体层状结构，其厚度为25-40mm；
所述的蒙皮层（1）为石英纤维、芳纶纤维、玻璃纤维中的一种形成的增强树脂基复合材料制作得到；蒙皮层（1）相对介电常数在2-5之间，厚度在0.2-0.5mm之间；
所述的吸波泡沫层（2）为多层泡沫叠加复合而成，每一层泡沫厚度按照设计要求不同，厚度范围为0.5mm-5.0mm，除靠近蒙皮层（1）的第一层外，每一层泡沫表面覆盖有吸波材料（7）；所述泡沫为PMI、PVC、PU中的一种或多种的复合；
所述的抗毁层（3）为单层防弹板，选自高密度聚乙烯防弹板，其厚度为14.0mm，靠近吸波泡沫层（2）的单层防弹板上覆盖有吸波材料（7）；
所述的电磁屏蔽增强层（4）为镍网、坡莫合金或镍片，其厚度为0.1-0.5mm；
所述的反射层（5）为碳纤维层，其厚度为0.1-1.0mm；
覆盖在泡沫表面或单层防弹板上的所述的吸波材料（7）为电阻薄膜或者磁性材料薄膜，其方阻范围为10-500Ω/□，薄膜的厚度为0.01-0.20mm，每一层的方阻和薄膜厚度为相同或者不同，且在吸波材料（7）上制备周期排列的镂空结构图案。
2.根据权利要求1所述的一种隐身抗毁屏蔽材料，其特征在于：所述的在吸波材料（7）上制备周期排列的镂空结构图案，是采用丝网印刷或激光切割工艺在电阻薄膜或者磁性材料薄膜上制备周期排列的镂空结构图案。
3.根据权利要求1所述的一种隐身抗毁屏蔽材料，其特征在于：所述一种隐身抗毁屏蔽材料的各层之间、层内部的多层之间，均通过低介电树脂进行粘合连接，粘合连接工艺为真空导入或者模压工艺。
4.根据权利要求1-3任一所述的一种隐身抗毁屏蔽材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）将丙酮和硅烷偶联剂配成混合溶液，两者质量百分比为100:1，并在室温条件下将电磁屏蔽增强层（4）置于混合溶液浸泡20-40min进行活性处理；
2）将单层防弹板上靠近吸波泡沫层（2）一侧的表面设置有吸波材料（7），并在吸波材料（7）上制备周期排列的镂空结构图案，另一侧进行表面粗化处理；
3）吸波泡沫层（2）除靠近蒙皮层（1）的第一层外，其余吸波泡沫层（2）的每一层上靠近蒙皮层（1）一侧的表面上设置有吸波材料（7），并在每一层吸波材料（7）上制备周期排列的镂空结构图案；
4）将步骤1）浸泡后的电磁屏蔽增强层（4）铺设在反射层（5）表面，然后依次从下至上将步骤2）处理好的单层防弹板、步骤3）处理好的吸波泡沫层（2）的每一层和蒙皮层（1）按照设计要求进行铺层，每层涂抹低介电树脂待固化成型；
5）将步骤4）待固化成型的隐身抗毁屏蔽材料在常温条件下压制，压制完成后取出，得到隐身抗毁屏蔽材料。
5.根据权利要求4所述的一种隐身抗毁屏蔽材料的制备方法，其特征在于：步骤1）所述的浸泡，浸泡时间为30min。
6.根据权利要求4所述的一种隐身抗毁屏蔽材料的制备方法，其特征在于：步骤4）所述的每层涂抹低介电树脂待固化成型，其中的低介电树脂选自乙烯基树脂或环氧树脂。
7.根据权利要求4所述的一种隐身抗毁屏蔽材料的制备方法，其特征在于：步骤5）所述的压制，压制时间为24h。
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