CN111490457A - 基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器及制备方法 - Google Patents

基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111490457A
CN111490457A CN202010320863.2A CN202010320863A CN111490457A CN 111490457 A CN111490457 A CN 111490457A CN 202010320863 A CN202010320863 A CN 202010320863A CN 111490457 A CN111490457 A CN 111490457A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
wavelength
tunable
array
semiconductor laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010320863.2A
Other languages
English (en)
Inventor
陈向飞
肖如磊
陆骏
方涛
施跃春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Huafei Photoelectric Technology Co., Ltd
Original Assignee
Nanjing Dingxin Rec Equity Investment Partnership LP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Dingxin Rec Equity Investment Partnership LP filed Critical Nanjing Dingxin Rec Equity Investment Partnership LP
Priority to CN202010320863.2A priority Critical patent/CN111490457A/zh
Publication of CN111490457A publication Critical patent/CN111490457A/zh
Priority to US17/235,955 priority patent/US20210336415A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
    • H01S5/2226—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties semiconductors with a specific doping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，包括热敏电阻、可调谐激光器阵列、合波结构、光放大器、光分路器、光探测器、主控制器。本发明能够在激光器受外界环境温度影响时，对外界环境温度造成的影响值进行计算，根据计算结果分别对可调谐激光器阵列和光放大器的驱动电流进行调控，以实现最终输出光与理论光参数一致的目的。由于未采用任何制冷设备，激光器的整体结构大幅度缩小，制备工艺进一步简化，甚至可以不采用密封封装结构，从而大幅度降低激光器件的成本。

Description

基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器及制备方法
技术领域
本发明涉及光通信技术领域，具体而言涉及一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器及的制备方法。
背景技术
随着互联网技术的发展以及5G及人工智能的出现，网络数据流量的不断增大、接入设备不断增加、内容和服务器的虚拟化以及快速增长的云端服务，现有的静态的网络体系由于其网络线路固定、流量不易调整分配，将面临巨大压力。在未来网络的解决方案中，无论是数据容量的扩大还是提升网络的灵活度，实现动态改变网络架构，都需要在网络设备中大量使用波长可调谐半导体激光器。然而，目前商用可调谐半导体激光器较高的价格严重限制了相关技术的推广，从技术上降低可调谐半导体激光器的成本成为一个迫切的需求。由于常规可调谐半导体激光器器件中，半导体制冷器(Thermal electronic cooler，TEC)的功耗是激光器器件的主要功耗来源之一，也是低成本激光器的主要成本来源之一。省去制冷器，一方面可以带来光模块成本的大幅度下降，另一方面是功耗的大幅度降低，同时体积上也明显减少。因此由于成本和能源消耗的原因，非制冷WDM器件技术被认为是非常重要的。此外，由于采用TEC，激光器器件基本均需要采用密封封装结构，除制备工艺复杂之外，也额外增加了激光器件的成本。因此，本发明提出了一种实现无制冷可调谐半导体激光器的方案，以提供一种低成本的半导体可调谐光源解决方案。
发明内容
本发明目的在于提供一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器及制备方法，在激光器受外界环境温度影响时，对外界环境温度造成的影响值进行计算，根据计算结果分别对可调谐激光器阵列和光放大器的驱动电流进行调控，以实现最终输出光与理论光参数一致的目的。由于未采用任何制冷设备，激光器的整体结构大幅度缩小，制备工艺进一步简化，甚至可以不采用密封封装结构，从而大幅度降低激光器件的成本。
为达成上述目的，结合图1，本发明提出一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，所述半导体激光器包括热敏电阻、可调谐激光器阵列、合波结构、光放大器、光分路器、光探测器、主控制器；
所述可调谐激光器阵列包括复数个不同波长的激光器单元，依次通过合波结构、光放大器与光分路器连接，与主控制器连接，根据主控制器的控制指令驱动其中一个激光器单元发射对应波长的激光光束，经光放大器放大后进入光分路器；所述光分路器具有两个输出端，其中一个输出端被设定为出光端，另一个输出端通过光探测器与主控制器连接，以构成反馈回路，将实际输出光的波长和功率特性实时反馈至主控制器；
所述热敏电阻与主控制器连接，用于实时探测外界环境温度，将探测结果反馈至主控制器；
所述主控制器结合设置的理论波长和实时探测到的外界环境温度，计算得到补偿波长漂移后的修正波长值，初步调整可调谐激光器阵列的驱动电流以驱使与修正波长值最接近的激光器单元发射激光光束，继而根据反馈回的实际输出光的波长和功率特性，结合设置的理论波长和理论功率，对可调谐激光器阵列和光放大器的驱动电流进行微调以使实际输出光满足理论波长和理论功率要求。
进一步的实施例中，所述半导体激光器还包括热沉基板，作为热敏电阻、可调谐激光器阵列、合波结构、光放大器的载台。
进一步的实施例中，所述合波结构包括无源合波结构和有源合波结构；
所述无源合波结构包括多模干涉器结构、级联Y分支波导结构或阵列波导光栅结构；
所述有源合波结构包括级联Y分支波导结构。
进一步的实施例中，所述可调谐激光器阵列的最大波长调谐范围满足：
最大调谐波长范围＝理论调谐波长范围+额外调谐波长范围
所述额外调谐波长范围由环境温度变化导致的波长漂移特性决定。
进一步的实施例中，所述激光器单元之间具有固定的波长间隔；
所述可调谐激光器阵列的激光器单元总数满足：
激光器单元总数＝最大调谐波长范围/波长间隔。
进一步的实施例中，所述激光器单元呈并行、串行或矩阵形式排列。
进一步的实施例中，所述激光器单元包括采用了等效-重构啁啾技术的DFB激光器，波导结构包括脊波导型和掩埋异质结型；
当波导结构为脊波导型时，波导两侧进行了深刻蚀来实现对光的限制；
当波导结构为掩埋异质结型时，波导两侧进行了磷化铟材料的生长掩埋，从而实现对光的限制。
进一步的实施例中，光分路器的具体比例由输出光强与光检测器需要的最小光强决定。
基于前述无制冷可调谐半导体激光器，本发明还提及一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器的工作方法，所述工作方法包括：
S1，实时采集外界环境温度、实际输出光的波长和功率特性；
S2，计算得到实际输出光的波长与理论波长之间的差值，如果差值大于当前处于工作状态的激光器单元的可调谐范围，进入步骤S3，否则，进入步骤S4；
S3，计算得到补偿波长漂移后的修正波长值，初步调整可调谐激光器阵列的驱动电流以驱使与修正波长值最接近的激光器单元发射激光光束；
S4：结合反馈回的实际输出光的波长值和理论波长的差值，采用驱动电流热效应调谐方法对可调谐激光器阵列的驱动电流进行微调，使反馈回的实际输出光的波长值与理论波长一致；
S5：结合反馈回的实际输出光的功率值与理论功率，对光放大器的驱动电流进行微调，使反馈回的实际输出光的功率值与理论功率一致。
基于前述无制冷可调谐半导体激光器，本发明还提及一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器的制备方法，所述制备方法包括：
S100，制备可调谐激光器阵列，所述可调谐激光器阵列为基于重构-等效啁啾技术的阵列型分布反馈半导体激光器芯片，包括复数个不同波长的激光器单元，根据主控制器的控制指令驱动其中一个激光器单元发射对应波长的激光光束；
S200，将热敏电阻和制备完成的可调谐激光器阵列以焊接或胶粘的方式贴附在作为载台的热沉基板上，可调谐激光器阵列的出光端面与热沉基板的上表面之间构成一用以抑制F-P腔效应的夹角；
S300，在可调谐激光器阵列的输出端，通过光子引线键合技术集成无源合波结构，或者通过材料生长单片集成有源合波结构，以实现可调谐激光器阵列的单端口光输出功能；
S400，在无源合波结构或有源合波结构的末端集成半导体光放大器，通过改变该光放大器的输入电流以对最终输出光功率进行放大或衰减；
S500，在光放大器的末端通过封装一个隔离器微透镜组或通过光子引线键合技术来实现其与光纤的耦合，使激光器芯片发出的激光通过该光纤输出。
以上本发明的技术方案，与现有相比，其显著的有益效果在于：
(1)在激光器受外界环境温度影响时，对外界环境温度造成的影响值进行计算，根据计算结果分别对可调谐激光器阵列和光放大器的驱动电流进行调控，以实现最终输出光与理论光参数一致的目的。
(2)未采用任何制冷设备，激光器的整体结构大幅度缩小，制备工艺进一步简化，甚至可以不采用密封封装结构，从而大幅度降低激光器件的成本。
(3)与常规技术中通过制冷设备以抵消外界环境温度影响不同，本发明接受包括外界环境温度在内的任何一个环境因素对输出光造成的影响，对最终的影响值进行计算分析，结合分析结果通过重新选择激光器单元或者对激光器单元、光放大器进行微调来达到输出光与理论光一致的目的，因此，相比于现有技术，本发明提出的激光器的功耗更小，适应性更广，其调控对象并不局限于外界环境温度这一主要影响因子，最终所能达到的输出光的参数精度高。
(4)采用热敏电阻对外界环境温度进行实时探测，结合光检测器对分光器其中一个输出光的分析结果，准确计算得到影响值，从而实现精确控制。
(5)光分路器的具体比例由输出光强与光检测器需要的最小光强决定，在某些场合下，光分路器还可以辅助调节输出光的实际功率。
(6)采用焊接或胶粘的方式将热敏电阻和制备完成的可调谐激光器阵列贴附在作为载台的热沉基板上，在可调谐激光器阵列的输出端，通过光子引线键合技术集成无源合波结构，或者通过材料生长单片集成有源合波结构，在光放大器的末端通过封装一个隔离器微透镜组或通过光子引线键合技术来实现其与光纤的耦合，本发明对各结构件的类型限制小，可根据实际情况任意选择其中一种功能件，并且制备工艺成熟可靠，制备成功率高，制备成本低。
应当理解，前述构思以及在下面更加详细地描述的额外构思的所有组合只要在这样的构思不相互矛盾的情况下都可以被视为本公开的发明主题的一部分。另外，所要求保护的主题的所有组合都被视为本公开的发明主题的一部分。
结合附图从下面的描述中可以更加全面地理解本发明教导的前述和其他方面、实施例和特征。本发明的其他附加方面例如示例性实施方式的特征和/或有益效果将在下面的描述中显见，或通过根据本发明教导的具体实施方式的实践中得知。
附图说明
附图不意在按比例绘制。在附图中，在各个图中示出的每个相同或近似相同的组成部分可以用相同的标号表示。为了清晰起见，在每个图中，并非每个组成部分均被标记。现在，将通过例子并参考附图来描述本发明的各个方面的实施例，其中：
图1是本发明的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器的模块示意图。
图2是本发明的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器的多个例子的具体结构示意图。
图3是本发明的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器的工作方法流程图。
图4是本发明的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器的制备方法流程图。
图5是本发明的可调谐激光器阵列的调谐范围示意图。
图6是本发明的可调谐激光器阵列光谱和可调谐激光器阵列调谐后的光谱示意图。
图7是本发明的激光器单元的结构示意图。
具体实施方式
为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。
结合图1，本发明提出一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，所述半导体激光器包括热敏电阻、可调谐激光器阵列、合波结构、光放大器、光分路器、光探测器、主控制器。
所述可调谐激光器阵列包括复数个不同波长的激光器单元，依次通过合波结构、光放大器与光分路器连接，与主控制器连接，根据主控制器的控制指令驱动其中一个激光器单元发射对应波长的激光光束，经光放大器放大后进入光分路器；所述光分路器具有两个输出端，其中一个输出端被设定为出光端，另一个输出端通过光探测器与主控制器连接，以构成反馈回路，将实际输出光的波长和功率特性实时反馈至主控制器。
所述热敏电阻与主控制器连接，用于实时探测外界环境温度，将探测结果反馈至主控制器。
所述主控制器结合设置的理论波长和实时探测到的外界环境温度，计算得到补偿波长漂移后的修正波长值，初步调整可调谐激光器阵列的驱动电流以驱使与修正波长值最接近的激光器单元发射激光光束，继而根据反馈回的实际输出光的波长和功率特性，结合设置的理论波长和理论功率，对可调谐激光器阵列和光放大器的驱动电流进行微调以使实际输出光满足理论波长和理论功率要求。
优选的，所述半导体激光器还包括热沉基板，作为热敏电阻、可调谐激光器阵列、合波结构、光放大器的载台。
下面结合图1和图2对本发明的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器的结构进行详细说明。
(一)激光器单元的排列方式
可调谐半导体激光器结构如图2所示，其核心是单片集成多波长DFB激光器矩阵。矩阵区域中包含复数个激光器单元，区域中每个激光器单元之间波长各不相同，但具存在一个共同的波长间隔Δλ。图6是该阵列所有激光器单元光谱示意图，所有激光器单元的发射波长可以组合成一个能覆盖较大波长范围的梳状光谱输出。在作为可调谐激光器使用时，该多波长阵列每次只有一个激光器工作，其他激光不激射以保证器件的单频输出。在空间分布安排上，所述激光器单元根据激光器的结构需求呈并行、串行或矩阵形式排列。如图2(a)所示，即是其中一种矩阵排列方式，利用等效-重构啁啾技术实现对复数个不同波长的分布反馈激光器实现单片集成，不同激光器以M×N的矩阵式排列，M和N为1，2，3，…。沿图中x方向，相连激光器单元之间的波长差为Δλ，沿图中y方向，同一行的激光器单元之间共享一个波导结构，相邻激光器单元之间的波长差为M*Δλ。在出光端，可调谐激光器阵列通过弯曲波导直接合并的合波结构将空间中不同位置的出射光引导到一个出光端口输出。合波器部分(合波结构)的外延结构与激光器完全相同，工作中需要外加电流使其工作在透明或放大状态，因此同时具有合波器和放大器的功能。激光器最终的出光端面需要倾斜一定角度，以抑制F-P腔效应。该激光器有一个集成的SOA结构，该结构被安排在器件的出光端位置，集成SOA的功能可以直接使用有源合波器来实现，也可以与独立于有源合波器，单独安排一段有源波导结构来实现。
(二)激光器单元的结构
激光器单元的典型结构如图7(a)所示，详解如下：激光器单元为应用了等效-重构啁啾技术的DFB激光，激光器波导结构可以是脊波导型或掩埋异质结型。激光器材料为磷化铟以及InGaAsP、InGaAlAs四元化合物半导体材料。当采用脊波导型结构的激光器时，器件外延生长结构如图7所示。其中，702为激光器衬底层，是生长整个激光器主要结构的基本支撑；703为单边下限制层，为进行光学限制的一个低折射率外延层；704为有源层，是由本征半导体材料形成的双异质结或多层量子阱结构，实现电子到光子的转换；705为上限制层，作用与下限制层一样，但材料为p型掺杂；707为光栅层，其上制作应用等效-重构啁啾技术设计的DFB光栅以实现对激光器单元激射波长的选择；708层为脊波导层，脊波导结构通过光刻刻蚀的方法在本层制作；709层为欧姆接触层，材料为重掺杂的InGaAs，用于在半导体材料和金属电极之间形成欧姆接触，减小电阻；701和710为金属电极，用于为激光器供电。
本器件也可以采用掩埋异质结型波导结构，此时，器件具体结构如图7(b)所示，其中712，713，714，715，716，717与脊波导结构的器件中对应各层一样。BH结构的波导首先需要通过一次深刻蚀，将(716)p型波导层、717光栅层和714有源层中不需要的部分去除，上述各层只留下波导正下方的区域，之后再通过一次异质外延生长，用能隙不同的p型材料718和n型材料719将刻蚀出的脊形结构重新掩埋，形成BH掩埋波导结构。
(三)激光器单元的波长特性和工作原理
优选的，激光器之间设定有固定的波长间隔，便于调谐控制的同时，当外界环境温度变化时，只需要调节激光器单元的数量即可完成温度适应性要求，这是由激光器的温度补偿原理决定的。与常规技术中通过制冷设备以抵消外界环境温度影响不同，本发明接受包括外界环境温度在内的任何一个环境因素对输出光造成的影响，利用额外的波长调谐范围补偿由于环境温度变化引起的激光器波长漂移。例如对于一个在通信C波段约35nm的波长调谐的应用需求，需要-20℃至70℃的温度变化下实现无制冷工作，则激光器本身在设计时需要考虑补偿高低温约90℃的环境温度变化引起的波长漂移，因此，激光器波长调谐范围需大于(35+9)nm＝44nm。若阵列设计间隔为2nm，即每个激光器单元覆盖约2nm的连续波长调谐范围，则本可调谐激光器需要包含至少22个波长激光器阵列以覆盖44nm调谐范围。其他情况类似，具体包含的不同波长的激光器单元数量将根据实际需求设计。
如图5所示，器件中集成的激光器数量由无制冷工作温度范围和波长调谐范围需求共同决定，激光器实际能达到的波长调谐范围大于应用所需要的调谐范围，额外的调谐范围用于补偿由于温度变化导致的波长漂移。
激光器工作时采用实时监控，动态稳定的方式实现激光器在无制冷工作状态下输出波长的稳定。具体方案如图3所示，在器件封装中，使用一个光分路器将输出光的一小部分反射到光检测器中，并与激光的主控制器形成一个闭环反馈控制系统。分光的具体比例由输出光强和光检测器需要的最小光强决定，光分路器可以是一个镀有部分反射膜的反射式分光片，也可以是集成的分光器件，如平面波导光分路器等。光检测器实时的将检测到的波长变化反馈到主控制器中，主控制器根据波长检测结果调整芯片中激光器的驱动电流和SOA补偿电流，实现动态稳定的波长输出。
激光器在整个波长调谐范围内的连续波长调谐通过以下方法实现：首先单元激光通过驱动电流热效应调谐的方法覆盖一个较小范围的波长连续调谐。该波长调谐范围不小于多波长阵列的波长间隔Δλ。在此范围内的波长调谐通过对对应激光器单元的电热调谐实现。当所需的调谐范围大于波长间隔时，主控制器根据新波长需要选择让最接近新波长的激光器单元工作，并利用驱动电流热效应调谐方式对新单元激光的波长进行微调，使之匹配新的波长工作需求。
激光器的输出功率有工作的单元激光驱动电流和集成SOA器件的驱动电流共同决定。在进行驱动电流热效应波长调谐时，光放大器也进行相应的电流调节，补偿因驱动电流改变带来的输出功率变化，实现波长调谐时输出功率基本不变，具体的改变量通过图1中的闭环反馈系统决定。与波长稳定方法类似，同样利用光分路器，将输出光的一小部分反射到光检测器中检测，并将功率检测结果输入主控制器中。当检测到功率增加时，主控制器将增加SOA的工作电流，反之则减小SOA工作电流，以抑制激光器在波长调谐时的输出功率波动，实现输出功率的动态稳定。
在一些例子中，由于光分路器分光的具体比例由输出光强和光检测器需要的最小光强决定，因此，光分路器也可以做为辅助功率调节装置提供部分输出功率调节功能，降低特殊情形下的调控难度。
结合图3，本发明还提出了一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器的工作方法，所述工作方法包括：
S1，实时采集外界环境温度、实际输出光的波长和功率特性。
S2，计算得到实际输出光的波长与理论波长之间的差值，如果差值大于当前处于工作状态的激光器单元的可调谐范围，进入步骤S3，否则，进入步骤S4。
S3，计算得到补偿波长漂移后的修正波长值，初步调整可调谐激光器阵列的驱动电流以驱使与修正波长值最接近的激光器单元发射激光光束。
S4：结合反馈回的实际输出光的波长值和理论波长的差值，采用驱动电流热效应调谐方法对可调谐激光器阵列的驱动电流进行微调，使反馈回的实际输出光的波长值与理论波长一致。
S5：结合反馈回的实际输出光的功率值与理论功率，对光放大器的驱动电流进行微调，使反馈回的实际输出光的功率值与理论功率一致。
(四)合波结构
结合图2可知，所述合波结构包括无源合波结构和有源合波结构；所述无源合波结构包括多模干涉器结构、级联Y分支波导结构或阵列波导光栅结构；所述有源合波结构包括级联Y分支波导结构。
结合图4，本发明提出了一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器的制备方法，所述制备方法包括：
S100，制备可调谐激光器阵列，所述可调谐激光器阵列为基于重构-等效啁啾技术的阵列型分布反馈半导体激光器芯片，包括复数个不同波长的激光器单元，根据主控制器的控制指令驱动其中一个激光器单元发射对应波长的激光光束。
S200，将热敏电阻和制备完成的可调谐激光器阵列以焊接或胶粘的方式贴附在作为载台的热沉基板上，可调谐激光器阵列的出光端面与热沉基板的上表面之间构成一用以抑制F-P腔效应的夹角。器件通过在封装中使用热导率较低的材料作为激光器芯片的载台，增强驱动电流的热效应，实现利用激光器驱动电流热效应对分布反馈半导体激光器波长的较大范围调谐，该热调谐范围大于阵列波长间隔，以实波长在整个工作范围内的连续调谐。
S300，在可调谐激光器阵列的输出端，通过光子引线键合技术集成无源合波结构，或者通过材料生长单片集成有源合波结构，以实现可调谐激光器阵列的单端口光输出功能。
S400，在无源合波结构或有源合波结构的末端集成半导体光放大器，通过改变该光放大器的输入电流以对最终输出光功率进行放大或衰减。
S500，在光放大器的末端通过封装一个隔离器微透镜组或通过光子引线键合技术来实现其与光纤的耦合，使激光器芯片发出的激光通过该光纤输出。
如图2(b)所示，该激光器芯片通过材料生长单片集成了一个无源合波结构，该无源合波结构可以是多模干涉器结构、级联Y分支波导结构或阵列波导光栅结构，通过该无源合波结构可以实现单端口光输出功能。
如图2(c)所示，该激光器芯片通过光子引线键合技术集成了一个无源合波结构，该无源合波结构可以是多模干涉器结构、级联Y分支波导结构或阵列波导光栅结构，通过该无源合波结构可以实现单端口光输出功能。
如图2(d)所示，该激光器芯片通过光子引线键合技术集成了一个无源合波结构，并且在末端集成了一个半导体光放大器结构，该无源合波结构可以是多模干涉器结构、级联Y分支波导结构或阵列波导光栅结构，通过该无源合波结构可以实现单端口光输出功能，通过改变该光放大器的输入电流可以对最终输出光功率进行放大或衰减。
如图2(e)所示，该激光器芯片通过材料生长单片集成了一个有源合波结构，该有源合波结构一般是级联Y分支波导结构，通过在该有源合波结构上施加一个电流，可以实现合波单端口光输出功能。
如图2(f)所示，该激光器芯片通过材料生长单片集成了一个有源合波结构和末端集成了一个半导体光放大器结构，该有源合波结构一般是级联Y分支波导结构，通过在该有源合波结构上施加一个电流，可以实现合波单端口光输出功能，通过改变该光放大器的输入电流可以对最终输出光功率进行放大或衰减。
如图2(g)所示，其激光器芯片为基于重构-等效啁啾技术的阵列型分布反馈半导体激光器芯片，该激光器芯片与一个热敏电阻以焊接或胶粘的方式一起贴在一个热沉基板上，末端通过封装一个隔离器微透镜组来实现与光纤的耦合，因而激光器芯片发出的激光器可以通过该光纤输出。
如图2(h)所示，其激光器芯片为基于重构-等效啁啾技术的阵列型分布反馈半导体激光器芯片，该激光器芯片与一个热敏电阻以焊接或胶粘的方式一起贴在一个热沉基板上，末端通过光子引线键合技术来实现与光纤的耦合，因而激光器芯片发出的激光器可以通过该光纤输出。
在本公开中参照附图来描述本发明的各方面，附图中示出了许多说明的实施例。本公开的实施例不必定义在包括本发明的所有方面。应当理解，上面介绍的多种构思和实施例，以及下面更加详细地描述的那些构思和实施方式可以以很多方式中任意一种来实施，这是因为本发明所公开的构思和实施例并不限于任何实施方式。另外，本发明公开的一些方面可以单独使用，或者与本发明公开的其他方面的任何适当组合来使用。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (10)

1.一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括热敏电阻、可调谐激光器阵列、合波结构、光放大器、光分路器、光探测器、主控制器；
所述可调谐激光器阵列包括复数个不同波长的激光器单元，依次通过合波结构、光放大器与光分路器连接，与主控制器连接，根据主控制器的控制指令驱动其中一个激光器单元发射对应波长的激光光束，经光放大器放大后进入光分路器；所述光分路器具有两个输出端，其中一个输出端被设定为出光端，另一个输出端通过光探测器与主控制器连接，以构成反馈回路，将实际输出光的波长和功率特性实时反馈至主控制器；
所述热敏电阻与主控制器连接，用于实时探测外界环境温度，将探测结果反馈至主控制器；
所述主控制器结合设置的理论波长和实时探测到的外界环境温度，计算得到补偿波长漂移后的修正波长值，初步调整可调谐激光器阵列的驱动电流以驱使与修正波长值最接近的激光器单元发射激光光束，继而根据反馈回的实际输出光的波长和功率特性，结合设置的理论波长和理论功率，对可调谐激光器阵列和光放大器的驱动电流进行微调以使实际输出光满足理论波长和理论功率要求。
2.根据权利要求1所述的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括热沉基板，作为热敏电阻、可调谐激光器阵列、合波结构、光放大器的载台。
3.根据权利要求1所述的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，其特征在于，所述合波结构包括无源合波结构和有源合波结构；
所述无源合波结构包括多模干涉器结构、级联Y分支波导结构或阵列波导光栅结构；
所述有源合波结构包括级联Y分支波导结构。
4.根据权利要求1所述的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，其特征在于，所述可调谐激光器阵列的最大波长调谐范围满足：
最大调谐波长范围＝理论调谐波长范围+额外调谐波长范围
所述额外调谐波长范围由环境温度变化导致的波长漂移特性决定。
5.根据权利要求1-4任意一项中所述的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，其特征在于，所述激光器单元之间具有固定的波长间隔；
所述可调谐激光器阵列的激光器单元总数满足：
激光器单元总数＝最大调谐波长范围/波长间隔。
6.根据权利要求1-4任意一项中所述的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，其特征在于，所述激光器单元呈并行、串行或矩阵形式排列。
7.根据权利要求1-4任意一项中所述的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，其特征在于，所述激光器单元包括采用了等效-重构啁啾技术的DFB激光器，波导结构包括脊波导型和掩埋异质结型；
当波导结构为脊波导型时，波导两侧进行了深刻蚀来实现对光的限制；
当波导结构为掩埋异质结型时，波导两侧进行了磷化铟材料的生长掩埋，从而实现对光的限制。
8.根据权利要求1-4任意一项中所述的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器，其特征在于，光分路器的具体比例由输出光强与光检测器需要的最小光强决定。
9.一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器的工作方法，其特征在于，所述无制冷可调谐半导体激光器采用权利要求1-4任意一项中所述的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器；
所述工作方法包括：
S1，实时采集外界环境温度、实际输出光的波长和功率特性；
S2，计算得到实际输出光的波长与理论波长之间的差值，如果差值大于当前处于工作状态的激光器单元的可调谐范围，进入步骤S3，否则，进入步骤S4；
S3，计算得到补偿波长漂移后的修正波长值，初步调整可调谐激光器阵列的驱动电流以驱使与修正波长值最接近的激光器单元发射激光光束；
S4：结合反馈回的实际输出光的波长值和理论波长的差值，采用驱动电流热效应调谐方法对可调谐激光器阵列的驱动电流进行微调，使反馈回的实际输出光的波长值与理论波长一致；
S5：结合反馈回的实际输出光的功率值与理论功率，对光放大器的驱动电流进行微调，使反馈回的实际输出光的功率值与理论功率一致。
10.一种基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器的制备方法，其特征在于，所述无制冷可调谐半导体激光器采用权利要求1-4任意一项中所述的基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器；
所述制备方法包括：
S100，制备可调谐激光器阵列，所述可调谐激光器阵列为基于重构-等效啁啾技术的阵列型分布反馈半导体激光器芯片，包括复数个不同波长的激光器单元，根据主控制器的控制指令驱动其中一个激光器单元发射对应波长的激光光束；
S200，将热敏电阻和制备完成的可调谐激光器阵列以焊接或胶粘的方式贴附在作为载台的热沉基板上，可调谐激光器阵列的出光端面与热沉基板的上表面之间构成一用以抑制F-P腔效应的夹角；
S300，在可调谐激光器阵列的输出端，通过光子引线键合技术集成无源合波结构，或者通过材料生长单片集成有源合波结构，以实现可调谐激光器阵列的单端口光输出功能；
S400，在无源合波结构或有源合波结构的末端集成半导体光放大器，通过改变该光放大器的输入电流以对最终输出光功率进行放大或衰减；
S500，在光放大器的末端通过封装一个隔离器微透镜组或通过光子引线键合技术来实现其与光纤的耦合，使激光器芯片发出的激光通过该光纤输出。
CN202010320863.2A 2020-04-22 2020-04-22 基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器及制备方法 Pending CN111490457A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010320863.2A CN111490457A (zh) 2020-04-22 2020-04-22 基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器及制备方法
US17/235,955 US20210336415A1 (en) 2020-04-22 2021-04-21 Non-refrigerated tunable semiconductor laser based on multi-wavelength array and preparation method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010320863.2A CN111490457A (zh) 2020-04-22 2020-04-22 基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111490457A true CN111490457A (zh) 2020-08-04

Family

ID=71798362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010320863.2A Pending CN111490457A (zh) 2020-04-22 2020-04-22 基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器及制备方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20210336415A1 (zh)
CN (1) CN111490457A (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112946843A (zh) * 2021-02-23 2021-06-11 中国科学院半导体研究所 阵列光电芯片混合封装结构
CN113381300A (zh) * 2021-06-09 2021-09-10 南京大学 一种基于四通道并联dfb激光器阵列的线性扫频激光器
CN113985536A (zh) * 2021-10-28 2022-01-28 中国科学院半导体研究所 一种光电子集成器件及其制备方法
CN114204406A (zh) * 2021-10-13 2022-03-18 南京华飞光电科技有限公司 一种非气密性封装的半导体激光器波长调谐方法及激光器
CN114374145A (zh) * 2022-01-12 2022-04-19 南京大学 一种rec半导体激光器阵列波长控制系统
CN115189774A (zh) * 2022-06-29 2022-10-14 武汉光迅科技股份有限公司 一种可编组光模块及使用方法
CN115267967A (zh) * 2022-08-01 2022-11-01 浙江大学 一种强限制的三维光子引线波导实现片上光源互连的方法
CN115576114A (zh) * 2021-10-29 2023-01-06 华为技术有限公司 一种分光方法以及相关设备
WO2023014647A1 (en) * 2021-08-03 2023-02-09 Meta Platforms Technologies, Llc Laser die packaging for an rgb light source

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114122907B (zh) * 2021-11-05 2023-11-17 南京大学 基于重构等效啁啾激光器阵列芯片并行重组的高速大功率光发射模块
CN114152407B (zh) * 2022-02-10 2022-04-15 山东鹰联光电科技股份有限公司 一种掺铒光纤放大器温度监测及预警方法
WO2023191788A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Intel Corporation Laser transmitter component, light detection and ranging system, and computer readable medium

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101847825A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 古河电气工业株式会社 波长可变光源装置
CN101867151A (zh) * 2010-07-08 2010-10-20 华中科技大学 一种无致冷半导体激光器波长随温度漂移的自动补偿电路
CN104638511A (zh) * 2013-11-08 2015-05-20 南京大学科技园发展有限公司 基于重构-等效啁啾以及串联/并联混合集成技术的低成本可调谐半导体激光器的方法及装置
WO2017123309A2 (en) * 2016-01-06 2017-07-20 Northwestern University Monolithical widely tunable quantum cascade laser devices

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101847825A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 古河电气工业株式会社 波长可变光源装置
CN101867151A (zh) * 2010-07-08 2010-10-20 华中科技大学 一种无致冷半导体激光器波长随温度漂移的自动补偿电路
CN104638511A (zh) * 2013-11-08 2015-05-20 南京大学科技园发展有限公司 基于重构-等效啁啾以及串联/并联混合集成技术的低成本可调谐半导体激光器的方法及装置
WO2017123309A2 (en) * 2016-01-06 2017-07-20 Northwestern University Monolithical widely tunable quantum cascade laser devices

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112946843A (zh) * 2021-02-23 2021-06-11 中国科学院半导体研究所 阵列光电芯片混合封装结构
CN113381300A (zh) * 2021-06-09 2021-09-10 南京大学 一种基于四通道并联dfb激光器阵列的线性扫频激光器
WO2023014647A1 (en) * 2021-08-03 2023-02-09 Meta Platforms Technologies, Llc Laser die packaging for an rgb light source
CN114204406A (zh) * 2021-10-13 2022-03-18 南京华飞光电科技有限公司 一种非气密性封装的半导体激光器波长调谐方法及激光器
CN114204406B (zh) * 2021-10-13 2023-11-28 南京华飞光电科技有限公司 一种非气密性封装的半导体激光器波长调谐方法及激光器
CN113985536A (zh) * 2021-10-28 2022-01-28 中国科学院半导体研究所 一种光电子集成器件及其制备方法
CN113985536B (zh) * 2021-10-28 2023-06-13 中国科学院半导体研究所 一种光电子集成器件及其制备方法
CN115576114B (zh) * 2021-10-29 2023-07-14 华为技术有限公司 一种分光方法以及相关设备
CN115576114A (zh) * 2021-10-29 2023-01-06 华为技术有限公司 一种分光方法以及相关设备
CN114374145A (zh) * 2022-01-12 2022-04-19 南京大学 一种rec半导体激光器阵列波长控制系统
CN114374145B (zh) * 2022-01-12 2023-09-29 南京大学 一种rec半导体激光器阵列波长控制系统
CN115189774B (zh) * 2022-06-29 2023-05-23 武汉光迅科技股份有限公司 一种可编组光模块及使用方法
CN115189774A (zh) * 2022-06-29 2022-10-14 武汉光迅科技股份有限公司 一种可编组光模块及使用方法
CN115267967A (zh) * 2022-08-01 2022-11-01 浙江大学 一种强限制的三维光子引线波导实现片上光源互连的方法
CN115267967B (zh) * 2022-08-01 2024-04-05 浙江大学 一种强限制的三维光子引线波导实现片上光源互连的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210336415A1 (en) 2021-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111490457A (zh) 基于多波长阵列的无制冷可调谐半导体激光器及制备方法
US6757499B1 (en) Optical transmitter and optical signal transmitter
US6516017B1 (en) Multiwavelength semiconductor laser device with single modulator and drive method therefor
JP5567226B2 (ja) 半導体レーザモジュール
CN113557643A (zh) 硅光子外腔可调谐激光器的波长控制方法
US20090238219A1 (en) Optical module
US7457339B2 (en) Semiconductor laser apparatus
KR100464359B1 (ko) 파장 가변형 레이저 장치
US20150311676A1 (en) Optical semiconductor device, semiconductor laser module, and optical fiber amplifier
US7409113B2 (en) Semiconductor electro-absorption optical modulator, semiconductor electro-absorption optical modulator integrated laser, optical transmitter module and optical module
JP5424136B2 (ja) 波長可変レーザ装置、光モジュールおよび波長可変レーザの制御方法
JP2012169499A (ja) 半導体レーザモジュール
US20080291957A1 (en) Wavelength tunable laser apparatus and wavelength control method
Hatakeyama et al. Wavelength-selectable microarray light sources for S-, C-, and L-band WDM systems
WO2002101893A1 (en) Integrated multiple wavelength pump laser module
US20030064537A1 (en) Semiconductor laser device and method for effectively reducing facet reflectivity
JP2003289169A (ja) 半導体レーザ装置
US12009636B2 (en) Wavelength-variable laser
JP2002164615A (ja) 光半導体装置及び光半導体モジュール
CN115764541A (zh) 一种基于光学相控阵阵列的量子级联激光器
CN106981819B (zh) 一种可调激光器及其控制方法
JP2009246390A (ja) 半導体レーザ装置
EP1215778A2 (en) Semiconductor laser apparatus and fabrication method of the same, and semiconductor laser module
Yashiki et al. Wavelength-independent operation of EA-modulator integrated wavelengthselectable microarray light sources
Kudo et al. Multirange wavelength-selectable microarray light sources simultaneously fabricated on a wafer covering the entire C-Band

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200914

Address after: 211135 floor 2, block B, No.300 Huizhi Road, Qilin science and Technology Innovation Park, Jiangning District, Nanjing, Jiangsu Province

Applicant after: Nanjing Huafei Photoelectric Technology Co., Ltd

Address before: Floor 2, block B, No. 300, Zhihui Road, Qilin science and Technology Innovation Park, Nanjing, Jiangsu Province

Applicant before: Nanjing Dingxin rec equity investment partnership (L.P.)

RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200804