CN111490107A - 薄膜太阳电池及薄膜太阳电池的制备方法 - Google Patents

薄膜太阳电池及薄膜太阳电池的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种薄膜太阳电池及薄膜太阳电池的制备方法。该薄膜太阳电池包括：衬底；背电极层，位于所述衬底上方；吸收层，位于所述背电极层上方；缓冲层，位于所述吸收层上方；前电极层，位于所述吸收层上方；以及第一划线区域，该第一划线区域延伸穿过所述吸收层及所述缓冲层，该第一划线区域内填充有导电材料，以及靠近所述背电极层的所述导电材料的宽度大于靠近所述前电极层的所述导电材料的宽度且大于第一预设宽度，其中，宽度为沿所述衬底的纵向上的尺寸。本发明可有效地扩大前电极层和背电极层之间的接触面积，从而相邻子电池之间形成更有效的互联，进而提高太阳能电池的整体转化效率。

Description

薄膜太阳电池及薄膜太阳电池的制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，具体地涉及一种薄膜太阳电池及薄膜太阳电池的制备方法。
背景技术
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，凭借极低的衰减率、良好的弱光响应、较低的温度系数、美丽的外观、优异的可靠性以及可柔性等诸多优势而备受业界重视。传统CIGS组件级联结构是通过激光或机械方式来实现玻璃基CIGS组件的内部互联，这是完成组件加工的重要步骤，即首先是在衬底10上沉积背电极(Mo)层1，背电极层1沉积完成后通过P1刻划将基板(未示出)划分成若干区域，然后在吸收层2、缓冲层3和窗口层4沉积完成后在P1附近刻划P2形成电流通道，最后待前电极层5沉积完毕后在P2附近刻划P3而使得前电极层5在各个子电池之间绝缘。这样光生电流通过沉积在P2沟槽内的前电极层材料使得相邻子电池之间成功互联(如图1所示)。图1中从P1至P3之间的距离因不能产生电能而被称为死区。
CIGS薄膜电池的导电层材料和互联结构对电池整体的串联电阻具有很大的影响，进而影响整体电池的转化效率。具体地，P2沟槽内的前电极层材料5和背电极层1在连接界面H处的接触电阻对电池整体的发电效率具有很大的影响。在实际加工过程中，很难形成理想的平整界面，而大多数情况下会形成如图2所示的接触界面，从而造成接触面积减小、电阻增加，最终导致电池的转化效率大大地降低。
发明内容
本发明的目的是提供一种薄膜太阳电池及薄膜太阳电池的制备方法，其可有效地扩大前电极层和背电极层之间的接触面积，从而提高太阳能电池的整体转化效率。
为了实现上述目的，本发明一方面提供一种薄膜太阳电池，该薄膜太阳电池包括：衬底；背电极层，位于所述衬底上方；吸收层，位于所述背电极层上方；缓冲层，位于所述吸收层上方；前电极层，位于所述吸收层上方；以及第一划线区域，该第一划线区域延伸穿过所述吸收层及所述缓冲层，该第一划线区域内填充有导电材料，以及靠近所述背电极层的所述导电材料的宽度大于靠近所述前电极层的所述导电材料的宽度且大于第一预设宽度，其中，宽度为沿所述衬底的纵向上的尺寸。
可选的，该薄膜太阳电池还包括：第二划线区域，该第二划线区域延伸穿过所述吸收层及所述前电极层，以及该第二划线区域位于所述第一划线区域的第一侧，其中，所述第二划线区域的宽度小于第二预设宽度。
可选的，该薄膜太阳电池还包括：第二划线区域，该第二划线区域延伸穿过所述吸收层及所述前电极层，以及该第二划线区域紧邻所述第一划线区域的第一侧，其中，所述第二划线区域的宽度小于或等于第二预设宽度。
可选的，所述第二划线区域内填充有绝缘材料。
可选的，该薄膜太阳电池还包括：第三划线区域，该第三划线区域位于所述第一划线区域的第二侧，以及该第三划线区域延伸穿过所述背电极层，其中，所述第三划线区域、所述第一划线区域及所述第二划线区域的宽度之和小于或等于第三预设宽度。
通过上述技术方案，本发明中的薄膜太阳电池的第一划线区域的形成使得前电极层与背电极层之间形成更宽的光生电流的通道，其内靠近所述背电极层的所述导电材料的宽度大于靠近所述前电极层的所述导电材料的宽度且大于现有技术中接触电阻的预设宽度，从而有效地扩大了前电极层和背电极层之间的接触面积，进而提高太阳能电池的整体转化效率。
相应地，本发明另一方面还提供一种薄膜太阳电池的制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上沉积背电极层；在所述背电极层上沉积吸收层；在所述吸收层上沉积缓冲层；执行刻划操作以形成延伸穿过所述吸收层及所述缓冲层的第一划线区域，在所述缓冲层上沉积前电极层；执行刻划操作以去除沉积于所述第一划线区域的第二侧的部分所述前电极层的材料；以及执行刻划操作以形成位于所述第一划线区域的第一侧且延伸穿过所述吸收层及所述前电极层的第二划线区域，其中，所述第一划线区域的宽度大于第一预设宽度；所述第二划线区域的宽度小于或等于第二预设宽度；其中，所去除的部分所述前电极层的材料的宽度小于所述第一划线区域的宽度，所去除的部分所述前电极层的材料的厚度小于所述前电极层、所述缓冲层、所述吸收层及所述背电极层的厚度之和；其中，宽度为沿所述衬底的纵向上的尺寸，厚度为沿垂直于所述衬底所在平面的方向上的尺寸。
可选的，所述制备方法还包括：在执行所述在所述衬底上沉积背电极层步骤之后，执行刻划操作以形成位于所述第一划线区域的第二侧且延伸穿过所述背电极层的第三划线区域，其中，所述第三划线区域、所述第一划线区域及所述第二划线区域的宽度之和小于或等于第三预设宽度。
可选的，所述制备方法还包括：在执行所述执行刻划操作以形成位于所述第一划线区域的第一侧且延伸穿过所述吸收层及所述前电极层的第二划线区域的步骤之后，向所述第二划线区域内填充绝缘材料。
通过上述技术方案，本发明创造性地通过先刻划大于第一预设宽度的第一划线区域，然后将沉积于该第一划线区域内的部分所述前电极层的材料，使得靠近所述背电极层的所述导电材料的宽度大于靠近所述前电极层的所述导电材料的宽度且大于现有技术中接触电阻的预设宽度，从而有效地扩大了前电极层和背电极层之间的接触面积，进而提高太阳能电池的整体转化效率。
相应地，本发明又一方面还提供一种薄膜太阳电池的制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上沉积背电极层；在所述背电极层上沉积吸收层；在所述吸收层上沉积缓冲层；执行刻划操作以形成延伸穿过所述吸收层及所述缓冲层的第一划线区域；在所述缓冲层上沉积前电极层；执行刻划操作以形成延伸穿过所述吸收层及所述前电极层且紧邻所述第一划线区域的第一侧的第二划线区域；以及在所述第二划线区域内靠近所述第一划线区域的第一侧填充导电材料，其中，所述第一划线区域的宽度小于或等于第一预设宽度；所述第二划线区域的宽度大于第二预设宽度；所述导电材料的宽度小于所述第二划线区域的宽度，所述导电材料的厚度小于所述前电极层、所述缓冲层、所述吸收层及所述背电极层的厚度之和；以及宽度为沿所述衬底的纵向上的尺寸，厚度为沿垂直于所述衬底所在平面的方向上的尺寸。
可选的，所述制备方法还包括：在执行所述在所述第二划线区域内靠近所述第一划线区域的第一侧填充导电材料的步骤之后，向所述第二划线区域内填充绝缘材料。
可选的，所述制备方法还包括：在执行所述在所述衬底上沉积背电极层步骤之后，执行刻划操作以形成位于所述第一划线区域的第二侧且延伸穿过所述背电极层的第三划线区域，其中，所述第三划线区域、所述第一划线区域及所述第二划线区域的宽度之和小于或等于第三预设宽度。
通过上述技术方案，本发明创造性地通过先刻划相邻的第一划线区域及大于第二预设宽度的第二划线区域，然后在该第二划线区域内填充导电材料，使得靠近所述背电极层的所述导电材料的宽度大于靠近所述前电极层的所述导电材料的宽度且大于现有技术中接触电阻的预设宽度，从而有效地扩大了前电极层和背电极层之间的接触面积，进而提高太阳能电池的整体转化效率。
本发明的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是现有技术中铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池(玻璃基)互联的基本结构；
图2是P2沟槽内前电极层和背电极层的接触界面示意图；
图3是本发明一种实施方式提供的薄膜太阳电池的结构示意图；
图4是本发明一种实施方式提供的薄膜太阳电池的制备方法的流程图；以及
图5是本发明一种实施方式提供的薄膜太阳电池的制备方法的流程图。
附图标记说明
1 背电极层 2 吸收层
3 缓冲层 4 窗口层
5 前电极层 6 导电材料
10 衬底
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明中的宽度为沿衬底的纵向(沿图3所示的X轴方向)上的尺寸，厚度为沿垂直于所述衬底所在平面的方向(沿图3所示的Y轴方向)上的尺寸。本发明中所有对技术方案的描述均是基于上述宽度及厚度的定义进行的。
图3是本发明一种实施方式提供的薄膜太阳电池的结构示意图。如图3所示，所述薄膜太阳电池可包括：衬底10；背电极层1，位于所述衬底10上方；吸收层2，位于所述背电极层1上方；缓冲层3，位于所述吸收层2上方；前电极层5，位于所述吸收层2上方；以及第一划线区域P2，该第一划线区域P2延伸穿过所述吸收层2及所述缓冲层3，该第一划线区域P2内填充有导电材料6，以及靠近所述背电极层1的所述导电材料6的部分的宽度大于靠近所述前电极层5的所述导电材料6的部分的宽度且大于第一预设宽度，例如，该导电材料的形状可以为L型。其中，所述第一预设宽度可根据实际情况具体设置(例如100微米)。该薄膜太阳电池的第一划线区域的形成使得前电极层与背电极层之间形成更宽的光生电流的通道，其内填充的特殊形状的导电材料可有效地扩大前电极层和背电极层之间的接触面积，从而相邻子电池之间形成更有效的互联，进而提高太阳能电池的整体转化效率。
其中，所述导电材料可为在沉积所述前电极层5时形成于所述第一划线区域P2内的所述前电极层5的材料，还可为区别于所述前电极层5的材料的导电材料，此外，还可为所述前电极层5的材料及导电材料的组合。具体地，可通过沉积和/或印刷手段将所述导电材料填充在所述第一划线区域P2内。具体的填充该导电材料的方法及流程详见下文。
其中，所述前电极层5及所述背电极层1可为钼电极层、钛电极层、铬电极层、AZO透明导电层或它们的任一组合中的一种，所述前电极层5及所述背电极层1可以相同，也可以不同。所述吸收层2可为p型铜铟镓硒膜层、p型铜铟镓硒硫膜层、p型铜铟镓硫膜层、p型铜铟镓铝硒膜层、p型铜铟镓铝硒硫膜层、p型铜铟镓铝硫膜层、p型铜铟硒膜层、p型铜铟硒硫膜层、p型铜铟硫膜层或它们的任一组合中的一种。缓冲层3可为硫化镉膜层、硫化锌膜层、硒化锌膜层、硫硒化锌膜层、氧化锌膜层、锌镁氧化物膜层、硫化铟膜层、硒化铟膜层、硫硒化铟膜层或它们的任一组合中的一种。衬底10可为钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃、不锈钢薄板、聚酰亚胺板、铝薄板或钛薄板。
此外，所述薄膜太阳电池还可包括：位于所述前电极层5及所述缓冲层3之间的窗口层4，该窗口层4可为透明导电的掺铝氧化锌或透明氧化锡等材料。
所述薄膜太阳电池(未示出)还可包括：第二划线区域P3，该第二划线区域P3延伸穿过所述吸收层及所述前电极层，以及该第二划线区域P3位于所述第一划线区域P2的第一侧(如图中的右侧)。该第二划线区域P3可使前电极层在各个子电池之间绝缘。其中，所述第二划线区域P3的宽度小于第二预设宽度，该第二预设宽度可根据实际情况具体设置(例如50微米)。
如图3所示，所述薄膜太阳电池还可包括：第二划线区域P3，该第二划线区域P3延伸穿过所述吸收层3及所述前电极层5，以及该第二划线区域P3紧邻所述第一划线区域P2的第一侧(如图中的右侧)。该第二划线区域P3可使前电极层在各个子电池之间绝缘。其中，所述第二划线区域P3的宽度小于或等于第二预设宽度，该第二预设宽度可根据实际情况具体设置(例如50微米)。
与现有技术中的P3划线的宽度相比，上述两个本实施例中的所述第二划线区域P3的宽度较小，为了保证各个子电池之间的绝缘度，可采用印刷绝缘材料等填充手段向所述第二划线区域P3内填充绝缘材料。所述绝缘材料可包括：硅橡胶、丁腈橡胶、聚乙烯、聚丙烯、聚四氟乙烯、聚酯、尼龙、聚氨酯弹性体及苯乙烯丙烯等。
如图3所示，该薄膜太阳电池还可包括：第三划线区域P1，该第三划线区域P1位于所述第一划线区域P2的第二侧(如图中左侧)，以及该第三划线区域P1延伸穿过所述背电极层1。所述第三划线区域P1可将所述衬底10划分成若干区域，即形成若干个子电池。其中，所述第三预设宽度可根据实际情况具体设置(例如50微米)。
当然，上述实施例中的所述第一预设宽度、所述第二预设宽度及所述第三预设宽度并不限于上述所设置的具体值，其他合理的任意值均是可行的。
所述第三划线区域P1、所述第一划线区域P2及所述第二划线区域P3的宽度之和小于或等于第三预设宽度。所述第一划线区域、所述第二划线区域及所述第三划线区域可通过激光刻划、机械刻划或刻蚀的方式形成。对于其中的激光刻划，目前实际工业生产中激光刻划等设备的精度均已达到±5微米的精度级别，并且加工过程中具有实时的跟踪校正系统以确保加工精度。如图3所示的薄膜太阳能电池的改进结构，在不增加甚至减小电池死区的条件下，可显著提高前电极层和背电极层的接触面积，使得各子电池的串联电阻显著降低，从而可使前电极层和背电极层更好的接触和电流的顺利导出，由此最终可极大地提高太阳能电池组件的电性能。
综上所述，本发明中的该薄膜太阳电池的第一划线区域的形成使得前电极层与背电极层之间形成更宽的光生电流的通道，其内填充的特殊形状(如L型)的导电材料可有效地扩大前电极层和背电极层之间的接触面积，从而相邻子电池之间形成更有效的互联，进而提高太阳能电池的整体转化效率。
相应地，如图4所示，本发明一实施例还提供一种薄膜太阳电池的制备方法，具体地，通过去除沉积于第一划线区域P2(如图3所示)内的前电极层的材料中的部分材料(如图3所示的位于C区域的部分材料)，形成具有特殊形状(例如L型)的前电极层的材料，此过程中的导电材料为前电极层的材料。所述制备方法可包括以下步骤：
步骤S401，提供衬底。
步骤S402，在所述衬底上沉积背电极层。
步骤S403，在所述背电极层上沉积吸收层。
步骤S404，在所述吸收层上沉积缓冲层。
步骤S405，执行刻划操作以形成延伸穿过所述吸收层及所述缓冲层的第一划线区域。
通过激光刻划、机械刻划或刻蚀的方式刻划第一划线区域P2(如图3所示)，该第一划线区域P2宽度略大于所述第一预设宽度(正常工艺宽度)，在实际操作中第一划线区域P2宽度可为200微米。其中，所述第一划线区域的宽度大于第一预设宽度，从而在步骤S407中才有可能形成具有特殊结构的前电极层的材料的形状，即靠近所述背电极层的所述前电极层的材料的宽度大于靠近所述前电极层的所述材料的宽度且大于第一预设宽度，也就是说，与现有技术中的P2划线内的导电材料的形状相比，本实施例中的第一划线区域P2内的前电极层的材料与背电极层的接触面积更大。由此，本实施例中的太阳能电池的互联结构可有效地扩大前电极层和背电极层之间的接触面积，从而相邻子电池之间形成更有效的互联，进而提高太阳能电池的整体转化效率。
其中，所述第一预设宽度可根据实际情况具体设置(例如100微米)。该薄膜太阳电池的第一划线区域的形成使得前电极层与背电极层之间形成更宽的光生电流的通道，其内填充的特殊形状的导电材料可有效地扩大前电极层和背电极层之间的接触面积，从而相邻子电池之间形成更有效的互联，进而提高太阳能电池的整体转化效率。
步骤S406，在所述缓冲层上沉积前电极层。
在沉积前电极层的同时，步骤S405中形成的第一划线区域P2内也会沉积所述前电极层5的材料(如图1或2所示)。
步骤S407，执行刻划操作以去除沉积于所述第一划线区域的第二侧的部分所述前电极层的材料。
通过激光刻划、机械刻划或刻蚀的方式刻划以去除沉积于所述第一划线区域P2的第二侧的部分所述前电极层的材料(例如图3中位于C区域的所述前电极层的材料)，所去除的部分所述前电极层的材料的宽度小于所述第一划线区域的宽度，所去除的部分所述前电极层的材料的厚度小于所述前电极层、所述缓冲层、所述吸收层及所述背电极层的厚度之和。由此，最总可形成具有特殊形状的前电极层的材料的形状(靠近所述背电极层的所述前电极层的材料的宽度大于靠近所述前电极层的所述导电材料的宽度且大于第一预设宽度，如图3所示的L型结构)，以增加前电极层和背电极层之间的接触面积，使得各子电池的串联电阻显著降低以提高组件的电性能。
步骤S408，执行刻划操作以形成位于所述第一划线区域的第一侧且延伸穿过所述吸收层及所述前电极层的第二划线区域。
通过激光刻划、机械刻划或刻蚀的方式所述第二划线区域P3(如图3所述)，该第二划线区域P3可使前电极层在各个子电池之间绝缘。其中，所述第二划线区域P3的宽度小于第二预设宽度，该第二预设宽度可根据实际情况具体设置(例如50微米)。
所述制备方法还可包括：在执行所述步骤S402之后，执行刻划操作以形成位于所述第一划线区域的第二侧且延伸穿过所述背电极层的第三划线区域，其中，所述第三划线区域、所述第一划线区域及所述第二划线区域的宽度之和小于或等于第三预设宽度。所述第三划线区域P1可将所述衬底划分成若干区域，即形成若干个子电池。其中，所述第三预设宽度可根据实际情况具体设置(例如50微米)。
所述制备方法还可包括：在执行所述步骤S408之后，向所述第二划线区域内填充绝缘材料。与现有技术中的P3划线的宽度相比，本实施例中的所述第二划线区域P3的宽度较小，为了保证各个子电池之间的绝缘度，可采用印刷绝缘材料等填充手段向所述第二划线区域P3内填充绝缘材料。
有关本发明提供的薄膜太阳电池的制备方法的具体细节及益处可参阅上述针对薄膜太阳电池的描述，于此不再赘述。
相应地，如图5所示，本发明一实施例还提供一种薄膜太阳电池的制备方法，具体地，通过向第二划线区域P2(如图3所示)内的B区域(如图3所示)填充导电材料，形成具有特殊形状(例如L型)的前电极层及导电材料组合，此过程中的导电材料为前电极层的材料及区别于所述前电极层的材料的导电材料的组合。所述制备方法可包括以下步骤：
步骤S501，提供衬底。
步骤S502，在所述衬底上沉积背电极层。
步骤S503，在所述背电极层上沉积吸收层。
步骤S504，在所述吸收层上沉积缓冲层。
步骤S505，执行刻划操作以形成延伸穿过所述吸收层及所述缓冲层的第一划线区域。
通过激光刻划、机械刻划或刻蚀的方式刻划第一划线区域P2(如图3所示)，该第一划线区域P2宽度小于或等于所述第一预设宽度(正常工艺宽度)，在实际操作中第一划线区域P2宽度可为50微米。其中，所述第一预设宽度可根据实际情况具体设置(例如100微米)。该薄膜太阳电池的第一划线区域P2的形成使得前电极层与背电极层之间形成更宽的光生电流的通道。
步骤S506，在所述缓冲层上沉积前电极层。
在沉积前电极层的同时，步骤S505中形成的第一划线区域P2内也会沉积所述前电极层5的材料(如图1或2所示)。
步骤S507，执行刻划操作以形成延伸穿过所述吸收层及所述前电极层且紧邻所述第一划线区域的第一侧的第二划线区域。
通过激光刻划、机械刻划或刻蚀的方式所述第二划线区域P3(如图3所述)，该第二划线区域P3可使前电极层在各个子电池之间绝缘。其中，所述第二划线区域P3的宽度大于第二预设宽度，该第二预设宽度可根据实际情况具体设置(例如50微米)，从而在步骤S508中才有可能形成具有特殊结构的前电极层的材料及导电材料组合的形状，即靠近所述背电极层的所述前电极层的材料及所述导电材料的组合的宽度大于靠近所述前电极层的该组合的宽度且大于第一预设宽度，也就是说，与现有技术中的P2划线内的导电材料的形状相比，本实施例中的第二划线区域P3内的所述组合与背电极层的接触面积更大。由此，本实施例中的太阳能电池的互联结构可有效地扩大前电极层和背电极层之间的接触面积，从而相邻子电池之间形成更有效的互联，进而提高太阳能电池的整体转化效率。
步骤S508，在所述第二划线区域内靠近所述第一划线区域的第一侧填充导电材料。
采用印刷技术在所述第二划线区域P3内靠近所述第一划线区域的第一侧填充导电材料。其中，所述导电材料的厚度小于所述前电极层、所述缓冲层、所述吸收层及所述背电极层的厚度之和；以及宽度为沿所述衬底的纵向上的尺寸，厚度为沿垂直于所述衬底所在平面的方向上的尺寸。具体地，可通过印刷手段在所述第二划线区域P3内的B区域(如图3所示)填充导电材料，从而形成具有特殊形状的前电极层的材料及导电材料组合的形状(靠近所述背电极层的所述组合的宽度大于靠近所述前电极层的所述组合的宽度且大于第一预设宽度，如图3所示的L型结构)，以增加前电极层和背电极层之间的接触面积，使得各子电池的串联电阻显著降低以提高组件的电性能。
此外，对于上述两个实施例，所述制备方法还可包括：在执行步骤S404或步骤S504之后，在所述缓冲层上沉积窗口层。
由于所述第一划线区域P2紧邻所述第二划线区域P3，故也可将通过上述制备方法制备出来的互联结构中第二划线区域P3中位于B区域的区别于所述前电极层的材料的导电材料，视为位于第一划线区域P2中的区别于所述前电极层的材料的导电材料，即本实施例中位于第一划线区域P2中的导电材料由前电极层的材料及区别于所述前电极层的材料的导电材料的组合。
可选的，所述在所述第二划线区域内靠近所述第一划线区域的第一侧填充导电材料包括：采用印刷技术在所述第二划线区域内靠近所述第一划线区域的第一侧填充导电材料。
可选的，所述制备方法还包括：在执行所述在所述第二划线区域内靠近所述第一划线区域的第一侧填充导电材料的步骤之后，向所述第二划线区域内填充绝缘材料。
可选的，所述制备方法还包括：在执行所述在所述衬底上沉积背电极层步骤之后，执行刻划操作以形成位于所述第一划线区域的第二侧且延伸穿过所述背电极层的第三划线区域，其中，所述第三划线区域、所述第一划线区域及所述第二划线区域的宽度之和小于或等于第三预设宽度。
有关本发明提供的薄膜太阳电池的制备方法的具体细节及益处可参阅上述针对薄膜太阳电池的描述，于此不再赘述。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (11)

1.一种薄膜太阳电池，其特征在于，该薄膜太阳电池包括：
衬底；
背电极层，位于所述衬底上方；
吸收层，位于所述背电极层上方；
缓冲层，位于所述吸收层上方；
前电极层，位于所述吸收层上方；以及
第一划线区域，该第一划线区域延伸穿过所述吸收层及所述缓冲层，该第一划线区域内填充有导电材料，以及靠近所述背电极层的所述导电材料的宽度大于靠近所述前电极层的所述导电材料的宽度且大于第一预设宽度，
其中，宽度为沿所述衬底的纵向上的尺寸。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池，其特征在于，该薄膜太阳电池还包括：
第二划线区域，该第二划线区域延伸穿过所述吸收层及所述前电极层，以及该第二划线区域位于所述第一划线区域的第一侧，
其中，所述第二划线区域的宽度小于第二预设宽度。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池，其特征在于，该薄膜太阳电池还包括：
第二划线区域，该第二划线区域延伸穿过所述吸收层及所述前电极层，以及该第二划线区域紧邻所述第一划线区域的第一侧，
其中，所述第二划线区域的宽度小于或等于第二预设宽度。
4.根据权利要求2或3所述的薄膜太阳电池，其特征在于，所述第二划线区域内填充有绝缘材料。
5.根据权利要求2或3所述的薄膜太阳电池，其特征在于，该薄膜太阳电池还包括：
第三划线区域，该第三划线区域位于所述第一划线区域的第二侧，以及该第三划线区域延伸穿过所述背电极层，
其中，所述第三划线区域、所述第一划线区域及所述第二划线区域的宽度之和小于或等于第三预设宽度。
6.一种薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上沉积背电极层；
在所述背电极层上沉积吸收层；
在所述吸收层上沉积缓冲层；
执行刻划操作以形成延伸穿过所述吸收层及所述缓冲层的第一划线区域；
在所述缓冲层上沉积前电极层；
执行刻划操作以去除沉积于所述第一划线区域的第二侧的部分所述前电极层的材料；以及
执行刻划操作以形成位于所述第一划线区域的第一侧且延伸穿过所述吸收层及所述前电极层的第二划线区域，
其中，所述第一划线区域的宽度大于第一预设宽度；所述第二划线区域的宽度小于或等于第二预设宽度；
其中，所去除的部分所述前电极层的材料的宽度小于所述第一划线区域的宽度，所去除的部分所述前电极层的材料的厚度小于所述前电极层、所述缓冲层、所述吸收层及所述背电极层的厚度之和；
其中，宽度为沿所述衬底的纵向上的尺寸，厚度为沿垂直于所述衬底所在平面的方向上的尺寸。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在执行所述在所述衬底上沉积背电极层步骤之后，执行刻划操作以形成位于所述第一划线区域的第二侧且延伸穿过所述背电极层的第三划线区域，
其中，所述第三划线区域、所述第一划线区域及所述第二划线区域的宽度之和小于或等于第三预设宽度。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在执行所述执行刻划操作以形成位于所述第一划线区域的第一侧且延伸穿过所述吸收层及所述前电极层的第二划线区域的步骤之后，向所述第二划线区域内填充绝缘材料。
9.一种薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上沉积背电极层；
在所述背电极层上沉积吸收层；
在所述吸收层上沉积缓冲层；
执行刻划操作以形成延伸穿过所述吸收层及所述缓冲层的第一划线区域；
在所述缓冲层上沉积前电极层；
执行刻划操作以形成延伸穿过所述吸收层及所述前电极层且紧邻所述第一划线区域的第一侧的第二划线区域；以及
在所述第二划线区域内靠近所述第一划线区域的第一侧填充导电材料，
其中，所述第一划线区域的宽度小于或等于第一预设宽度；所述第二划线区域的宽度大于第二预设宽度；所述导电材料的宽度小于所述第二划线区域的宽度，所述导电材料的厚度小于所述前电极层、所述缓冲层、所述吸收层及所述背电极层的厚度之和；以及宽度为沿所述衬底的纵向上的尺寸，厚度为沿垂直于所述衬底所在平面的方向上的尺寸。
10.根据权利要求9所述的薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在执行所述在所述第二划线区域内靠近所述第一划线区域的第一侧填充导电材料的步骤之后，向所述第二划线区域内填充绝缘材料。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在执行所述在所述衬底上沉积背电极层步骤之后，执行刻划操作以形成位于所述第一划线区域的第二侧且延伸穿过所述背电极层的第三划线区域，
其中，所述第三划线区域、所述第一划线区域及所述第二划线区域的宽度之和小于或等于第三预设宽度。
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