CN111474755A - 显示模组及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示模组、显示模组的制作方法及显示装置。一种显示模组，能够设置在背光模组的一侧，所述显示模组包括：彩膜基板，包括第一透明基板，所述第一透明基板具有朝向所述背光模组的第一侧和远离所述背光模组的第二侧；阵列基板，与所述彩膜基板对盒设置，所述阵列基板包括第二透明基板和指纹识别传感器，所述第二透明基板位于所述第一透明基板的第二侧；所述指纹识别传感器形成在所述第二透明基板朝向所述第一透明基板的一侧，该方案能够避免指纹识别传感器受到大视角杂散光的干扰，进而达到更好的指纹效果。

Description

显示模组及其制作方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示模组、显示模组的制作方法及显示装置。

背景技术

随着手机等显示产品发展的需求，指纹技术集成已成为显示产品发展必然趋势。其中，屏内指纹技术由于其可以实现大面积甚至全屏识别从而被广泛应用，但此屏内指纹技术存在以下缺点：在工作时，指纹识别传感器容易受到来自周围大角度杂散光的影响，使得指纹识别传感器提前饱和，无法再接收有效的指纹光学信号，从而是指纹识别传感器无法正常工作。

需要说明的是，在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种显示模组、显示模组的制作方法及显示装置，能够避免指纹识别传感器受到大视角杂散光的干扰，进而达到更好的指纹效果。

本公开第一方面提供了一种显示模组，能够设置在背光模组的一侧，所述显示模组包括：

彩膜基板，包括第一透明基板，所述第一透明基板具有朝向所述背光模组的第一侧和远离所述背光模组的第二侧；

阵列基板，与所述彩膜基板对盒设置，所述阵列基板包括第二透明基板和指纹识别传感器，所述第二透明基板位于所述第一透明基板的第二侧；所述指纹识别传感器形成在所述第二透明基板朝向所述第一透明基板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述指纹识别传感器包括依次堆叠在所述第二透明基板朝向所述第一透明基板一侧的透明电极、传感器主体和反射电极。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括透明触控电极，形成在所述第二透明基板与所述透明电极之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：

像素电极，形成在所述反射电极远离所述第二透明基板的一侧；

驱动层，形成在所述透明电极与所述透明触控电极之间，且所述驱动层包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述像素电极连接，所述第二薄膜晶体管与所述透明电极连接。

在本公开的一种示例性实施例中，各所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极；所述栅极形成在所述半导体层远离所述第二透明基板的一侧；所述源极和所述漏极同层设置，并位于所述栅极远离所述第二透明基板的一侧，且所述源极通过第一过孔与所述半导体层的一端连接，所述漏极通过第二过孔与所述半导体层的另一端连接；其中，

所述像素电极通过第三过孔与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述透明电极的部分与所述第二薄膜晶体管的漏极直接搭接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括第一转接电极，所述第一转接电极与所述漏极同层设置并通过第四过孔与所述透明触控电极连接，所述第一转接电极配置为与驱动芯片连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极形成在所述像素电极与所述反射电极之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括同层设置的第二转接电极和第三转接电极，所述第二转接电极和所述第三转接电极形成在所述公共电极和所述反射电极之间；其中，

所述第二转接电极通过第五过孔与所述反射电极连接，所述公共电极通过第六过孔与所述第三转接电极连接，且所述第二转接电极、所述第三转接电极配置为与驱动芯片连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述彩膜基板还包括黑矩阵层、彩色滤光部及无色透光部，其中，

所述黑矩阵层形成在所述第一透明基板的第二侧，且所述黑矩阵层具有第一开口和第二开口，所述第一开口在所述第一透明基板上的正投影与所述像素电极在所述第一透明基板上的正投影相交叠；所述第二开口在所述第一透明基板上的正投影与所述指纹识别传感器在所述第一透明基板上的正投影相交叠；所述彩色滤光部形成于所述第一开口；所述无色透光部形成于所述第二开口。

本公开第二方面提供了一种显示装置，其包括背光模组及上述任一项所述的显示模组，所述显示模组形成在所述背光模组的一侧。

本公开第三方面提供了一种显示模组的制作方法，所述显示模组能够设置在背光模组的一侧，其中，所述制作方法包括：

形成彩膜基板，所述彩膜基板包括第一透明基板，所述第一透明基板具有朝向所述背光模组的第一侧和远离所述背光模组的第二侧；

形成阵列基板，所述阵列基板包括第二透明基板和形成所述第二透明基板上的指纹识别传感器；

将所述阵列基板与所述彩膜基板对盒设置，其中，所述第二透明基板位于所述第一透明基板的第二侧；所述指纹识别传感器形成在所述第二透明基板朝向所述第一透明基板的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述形成阵列基板，包括：

提供一所述第二透明基板；

在所述第二透明基板上形成透明触控电极；

形成覆盖所述透明触控电极的绝缘保护层；

在所述绝缘保护层上形成驱动层，所述驱动层包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

在所述驱动层上形成依次堆叠的透明电极、传感器主体和反射电极，以构成所述指纹识别传感器，且所述透明电极与所述第二薄膜晶体管连接；

在所述反射电极远离所述第二透明基板的一侧形成像素电极，所述像素电极与所述第一薄膜晶体管连接。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述绝缘保护层上形成驱动层，包括：

在所述绝缘保护层上形成各所述薄膜晶体管的半导体层；

在所述绝缘保护层上形成覆盖所述半导体层的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成各所述薄膜晶体管的栅极；

在所述栅绝缘层上形成覆盖所述栅极的层间介质层；

形成贯穿所述层间介质层和所述栅绝缘层的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔分别露出所述半导体层的两端；

采用一次构图工艺在所述层间介质层上形成各所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述源极通过所述第一过孔与所述半导体层的一端连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述半导体层的另一端连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述透明电极的部分直接搭接在所述第二薄膜晶体管的漏极上。

在本公开的一种示例性实施例中，在形成贯穿所述层间介质层和所述栅绝缘层的第一过孔和第二过孔的同时，还可形成贯穿所述层间介质层、所述栅绝缘层及所述绝缘保护层的第四过孔，所述第四过孔露出所述透明触控电极的部分；

在采用一次构图工艺在所述层间介质层上形成各所述薄膜晶体管的源极和漏极的同时，还形成有第一转接电极，所述第一转接电极通过所述第四过孔与所述透明触控电极连接，且所述第一转接电极配置为与驱动芯片连接。

在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述像素电极之前，以及在形成所述反射电极之后，还包括：

在所述驱动层上依次形成覆盖所述指纹识别传感器的平坦层和第一钝化层；

形成贯穿所述第一钝化层和所述平坦层的第五过孔，所述第五过孔露出部分所述反射电极；

采用一次构图工艺在所述第一钝化层上形成第二转接电极和第三转接电极，所述第二转接电极通过所述第五过孔与所述反射电极连接；

在所述第一钝化层上形成覆盖所述第二转接电极和所述第三转接电极的第二钝化层；

形成贯穿所述第二钝化层的第六过孔，所述第六过孔露出部分所述第三转接电极；

在所述第二钝化层上形成公共电极，所述公共电极通过所述第六过孔与所述第三转接电极连接；

在所述第二钝化层上形成覆盖所述公共电极的第三钝化层；

形成贯穿所述第三钝化层、所述第二钝化层、所述第一钝化层、所述平坦层的第三过孔，所述第三过孔露出所述第一薄膜晶体管的漏极；

其中，所述像素电极通过所述第三过孔与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，且所述第二转接电极和所述第三转接电极配置为与驱动芯片连接。

本公开提供的技术方案可以达到以下有益效果：

本公开所提供的显示模组、显示模组的制作方法及显示装置，由于阵列基板位于彩膜基板远离背光模组的一侧，因此，可避免彩膜基板反射的大视角杂散光照射到指纹识别传感器上，从而可达到良好的指纹识别效果，提高指纹识别准确性。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了相关技术中显示装置中部分杂散光的光路示意图；

图2示出了本公开一实施例所述的显示装置的结构简图；

图3示出了本公开一实施例所述的显示装置中部分杂散光的光路示意图；

图4示出了本公开一实施例所述的显示模组的结构示意图；

图5示出了本公开另一实施例所述的显示模组与背光模组装配后的结构示意图；

图6示出了相关技术中所述的显示模组与背光模组装配后的结构示意图；

图7示出了本公开一实施例所述的显示模组的制作方法的流程图；

图8示出了完成步骤S713之后的结构示意图；

图9示出了完成步骤S7035之后的结构示意图；

图10示出了完成步骤S7036之后的结构示意图；

图11示出了完成步骤S706之后的结构示意图；

图12示出了完成步骤S709之后的结构示意图；

图13示出了完成步骤S602之后的结构示意图；

图14示出了完成步骤S604之后的结构示意图。

附图说明：

10、显示模组；100、彩膜基板；101、第一透明基板；101a、第一侧；101b、第二侧；102、黑矩阵层；102a、第一开口；102b、第二开口；103、彩色滤光部；104、无色透光部；105、阵列基板；106、第二透明基板；107、指纹识别传感器；107a、透明电极；107b、传感器主体；107c、反射电极；108、透明触控电极；109、绝缘保护层；110a、第一薄膜晶体管；110b、第二薄膜晶体管；1110、半导体层；1111、栅绝缘层；1112、栅极；1113、层间介质层；1114、第一过孔；1115、第二过孔；1116、源极；1117、漏极；1118、第四过孔；1119、第一转接电极；112、平坦层；113、第一钝化层；114、第五过孔；116、第二转接电极；117、第三转接电极；118、第二钝化层；119、第六过孔；120、公共电极；121、第三钝化层；122、缓冲层；123、像素电极；124、遮光层；125、液晶分子；126、绝缘层；20、背光模组；30、盖板；40、上偏光片。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。

另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。

需要说明的是，本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。

在本公开中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。

在本公开中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。

相关技术中，如图1所示，液晶显示产品中的阵列基板105设置在彩膜基板100靠近背光模组20的一侧，也就是说，背光模组20发出的光依次透过阵列基板105、彩膜基板100，然后射出；但这样设计使得集成在阵列基板105上的指纹识别传感器107容易受到来自周围大角度杂散光的影响，如图1所示，即：大角度杂散光可到达彩膜基板100的彩色滤光部103处并经彩色滤光部103反射到指纹识别传感器107中，这些杂散光使指纹识别传感器107提前饱和，无法再接收有效的指纹光学信号，从而使指纹识别传感器107无法正常工作。需要说明的是，图1中所示的虚线箭头可示意为前述提到的杂散光。

为了解决这一技术问题，如图2所示，本公开一实施例提供了一种显示模组10，能够设置在背光模组20的一侧，且该显示模组10可包括彩膜基板100和阵列基板105；其中，阵列基板105与彩膜基板100对盒设置，且阵列基板105可位于彩膜基板100远离背光模组20的一侧，也就是说，背光模组20发出的光先经过彩膜基板100，再经过阵列基板105，然后射出。

如图2所示，彩膜基板100可包括第一透明基板101，此第一透明基板101可为玻璃基板，但不限于此。其中，为了方便后面对显示模组10中的各层结构的位置关系进行限定，本公开实施例中先对第一透明基板101进行了限定，具体地，第一透明基板101中朝向背光模组20的一侧可为第一侧101a，远离背光模组20的一侧为第二侧101b，也就是说，第一透明基板101具有朝向背光模组20的第一侧101a和远离背光模组20的第二侧101b。

应当理解的是，彩膜基板100不仅包括第一透明基板101，如图2所示，还可包括位于第一透明基板101的第二侧101b上的彩色滤光部103等结构，此处不作详细赘述，关于彩膜基板100的具体描述，后文结合阵列基板105的结构一起详细赘述。

如图2所示，阵列基板105可包括第二透明基板106和指纹识别传感器107；第二透明基板106位于第一透明基板101的第二侧101b，此第二透明基板106可为玻璃基板，但不限于此；指纹识别传感器107形成在第二透明基板106朝向第一透明基板101的一侧。

在本公开的实施例中，由于阵列基板105位于彩膜基板100远离背光模组20的一侧，因此，相比于相关技术中阵列基板105位于彩膜基板100朝向背光模组20的一侧的方案(如图1所示)，可避免彩膜基板100中部分结构(例如：彩色滤光部103)反射的大视角杂散光照射到指纹识别传感器107上，具体如图3所示，背光模组20发出的部分杂散光(如图3中虚线箭头所示)照射到彩色滤光部103上之后，经彩色滤光部103向背光模组20所在侧反射，该彩色滤光部103并不会将杂散光反射到上方的指纹识别传感器107中，从而可避免这些杂散光使指纹识别传感器107提前饱和而使指纹识别传感器107无法再接收有效的指纹光学信号，使得指纹识别传感器107可达到良好的指纹识别效果，提高指纹识别准确性。

如图2所示，指纹识别传感器107可包括依次堆叠在第二透明基板106朝向第一透明基板101一侧的透明电极107a、传感器主体107b和反射电极107c；也就是说，在制作指纹识别传感器107时，可先在第二透明基板106朝向第一透明基板101的一侧形成透明电极107a，然后在透明电极107a远离第二透明基板106的一侧形成传感器主体107b，最后在传感器主体107b远离第二透明基板106的一侧形成反射电极107c，即：该指纹识别传感器107为纵向结构；这样使得指纹反射光可依次通过第二透明基板106和透明电极107a进入到传感器主体107b中，传感器主体107b可将指纹反射光转化为电信号，然后通过反射电极107c将此电信号传输到外部驱动芯片(图中未示出)中，进而识别出指纹的光学信号。

其中，由于指纹识别传感器107中朝向背光模组20的电极为反射电极107c，因此，在进行指纹识别的过程中，可利用反射电极107c将背光模组20发射的光或其他杂散光进行反射，如图3所示，以避免背光模组20发射的光或其他杂散光使指纹识别传感器107提前饱和，从而使指纹识别传感器107无法再接收有效指纹光学信号的情况，使得指纹识别传感器107可达到良好的指纹识别效果，提高指纹识别准确性。

举例而言，传感器主体107b可为PN结；透明电极107a可采用ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等透明材料制作而成；而反射电极107c可采用金属材料或者合金材料制作而成。

在一些实施例中，如图4所示，阵列基板105还可包括透明触控电极108，此透明触控电极108可形成在第二透明基板106与指纹识别传感器107的透明电极107a之间，也就是说，透明触控电极108相比于指纹识别传感器107更靠近第二透明基板106；这样设计在保证指纹识别准确性的同时，还可保证显示模组10的触控灵敏度，即：使得显示模组10中指纹识别功能与触控功能完美结合起来。

举例而言，透明触控电极108可采用ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等透明材料制作而成。

应当理解的是，如图4所示，在第二透明基板106与透明触控电极108之间，还可设置有缓冲层122，也就是说，在第二透明基板106上制作透明触控电极108之前，可先在第二透明基板106上制作一层缓冲层122，此缓冲层122可为无机材料制作而成，例如：氧化硅等。

在一些实施例中，如图4所示，阵列基板105还可包括驱动层和像素电极123。此驱动层形成在透明触控电极108与指纹识别传感器107之间，也就是说，在制作阵列基板105时，可先在第二透明基板106上形成透明触控电极108，再在透明触控电极108远离第二透明基板106的一侧形成驱动层，然后再在驱动层远离第二透明基板106的一侧形成指纹识别传感器107；而像素电极123形成在指纹识别传感器107远离第二透明基板106的一侧。

具体地，如图4所示，驱动层形成在指纹识别传感器107的透明电极107a与透明触控电极108之间，像素电极123形成在指纹识别传感器107的反射电极107c远离第二透明基板106的一侧。其中，驱动层包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管可包括第一薄膜晶体管110a和第二薄膜晶体管110b，第一薄膜晶体管110a与像素电极123连接，用于控制像素电极123工作；第二薄膜晶体管110b与透明电极107a连接，用于控制指纹识别传感器107工作。

如图4所示，各薄膜晶体管(比如：第一薄膜晶体管110a、第二薄膜晶体管110b)包括半导体层1110、栅极1112、源极1116和漏极1117。举例而言，本公开实施例的薄膜晶体管可为顶栅型，在顶栅型薄膜晶体管中，栅极1112形成在半导体层1110远离第二透明基板106的一侧；而源极1116和漏极1117同层设置，并位于栅极1112远离第二透明基板106的一侧；其中，源极1116通过第一过孔与半导体层1110的一端连接，漏极1117通过第二过孔与半导体层1110的另一端连接。

应当理解的是，如图4所示，各薄膜晶体管还可包括位于半导体层1110与栅极1112之间的栅绝缘层1111，以及位于源极1116和漏极1117与栅极1112之间的层间介质层1113；其中，第一过孔和第二过孔贯穿栅绝缘层1111和层间介质层1113以分别露出半导体层110的两端。

需要说明的是，阵列基板的驱动层不限于包括上述薄膜晶体管，还可包括存储电容(图中未示出)等结构。

此外，如图4所示，半导体层1110与透明触控电极108之间还需通过绝缘保护层109绝缘设置，也就是说，在制作薄膜晶体管的半导体层110之前，可先制作一层绝缘保护层109覆盖透明触控电极108，然后再在绝缘保护层109上制作半导体层1110。

基于上述内容可知，在阵列基板105与彩膜基板100对盒之后，薄膜晶体管中的栅极1112、源极1116和漏极1117相比于半导体层1110更靠近背光模组20，这样设计使得栅极1112、源极1116和漏极1117均可对半导体层1110进行遮挡，相比于如图6所示的相关技术中阵列基板105位于彩膜基板100朝向背光模组20一侧、且设置遮光层124对半导体层1110进行遮挡的方案，本公开实施例的阵列基板105不需要设置额外的遮光层124对半导体层1110进行遮挡，具体对比图5和图6可知，因此，可节省一道掩膜工序，从而可降低成本。

应当理解的是，前述提到的像素电极123可通过第三过孔与第一薄膜晶体管110a的漏极1117连接；而透明电极107a的部分与第二薄膜晶体管110b的漏极1117可直接搭接，这样设计相比于如图6所示的相关技术中阵列基板105位于彩膜基板100朝向背光模组20一侧、且指纹识别传感器107的反射电极107c与漏极1117连接的方案，可减少一层绝缘层126的设置，具体对比图5和图6可知，因此，可节省一道掩膜工序，从而可降低成本。

在一些实施例中，阵列基板105还包括第一转接电极1119，第一转接电极1119与漏极1117同层设置并通过第四过孔与透明触控电极108连接，第一转接电极1119配置为与驱动芯片(图中未示出)连接，也就是说，透明触控电极108可通过与薄膜晶体管的漏极1117同层设置的第一转接电极1119与驱动芯片连接。

在本公开的实施例中，由于第一转接电极1119与薄膜晶体管的漏极1117同层设置，因此，在保证透明触控电极108通过第一转接电极1119与驱动芯片连接的同时，还可减少掩膜工序，从而可降低成本。

在一些实施例中，阵列基板105还可包括公共电极120，此公共电极120形成在像素电极123与指纹识别传感器107的反射电极107c之间，也就是说，在制作阵列基板105的过程中，该公共电极120在制作完指纹识别传感器107的反射电极107c之后且在制作像素电极123之前形成。

举例而言，此像素电极123可为狭缝电极，公共电极120可为板状电极，但不限于此，也可像素电极123为板状电极，公共电极120为狭缝电极，视具体情况而定。其中，公共电极120、像素电极123可采用ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等透明材料制作而成。

需要说明的是，公共电极120不限于形成在像素电极123朝向第二透明基板106的一侧，该公共电极120也可形成在像素电极123远离第二透明基板106的一侧。此外，公共电极120与像素电极123不限于形成在同一基板上，也就是说，公共电极120与像素电极123也可形成在不同基板上，例如，像素电极123可形成在阵列基板105上，公共电极120可形成在彩膜基板100上等等。

在一些实施例中，阵列基板105还包括同层设置的第二转接电极116和第三转接电极117，此第二转接电极116和第三转接电极117形成在公共电极120和指纹识别传感器107的反射电极107c之间，也就是说，第二转接电极116和第三转接电极117在形成指纹识别传感器107的反射电极107c之后且在形成公共电极120之前形成。

其中，第二转接电极116通过第五过孔与指纹识别传感器107的反射电极107c连接，公共电极120通过第六过孔与第三转接电极117连接，且第二转接电极116、第三转接电极117配置为与驱动芯片连接，也就是说，指纹识别传感器107可通过第二转接电极116与驱动芯片连接，公共电极120可通过第三转接电极117与驱动芯片连接。

需要说明的是，前述提到的第一转接电极1119、第二转接电极116、第三转接电极117可与同一驱动芯片连接，以实现TDDI(Touch and Display Driver Integration，触控与显示驱动器集成)一体化，但不限于此，第一转接电极1119、第二转接电极116、第三转接电极117也可与不同驱动芯片连接，视具体情况而定。

应当理解的是，该阵列基板105还可包括平坦层112、第一钝化层113、第二钝化层118及第三钝化层121；这些层在阵列基板105中的位置具体参考后文实施例中显示模组10的制作方法所描述的内容，在此处不作详细赘述。

此外，还需要说明的是，阵列基板105上不限于包括前述提到的结构，也可包括其他结构，例如：数据线、栅线(图中未示出)等，由于这些结构的设置并不是本申请所要保护的技术点，因此，在此不作详细描述，具体设置可参考相关常规技术。

在一些实施例中，如图4所示，彩膜基板100还可包括黑矩阵层102、彩色滤光部103及无色透光部104。详细说明，黑矩阵层102形成在第一透明基板101的第二侧101b，且黑矩阵层102具有第一开口和第二开口，该第一开口在第一透明基板101上的正投影与像素电极123在第一透明基板101上的正投影相交叠；第二开口在第一透明基板101上的正投影与指纹识别传感器107在第一透明基板101上的正投影相交叠；而彩色滤光部103形成于第一开口；无色透光部104形成于第二开口。

其中，背光模组20发出的部分光线可经彩色滤光部103进行过滤，过滤后的光线用于显示；且背光模组20发出的部分光线还可经无色透光部104射出并到达用户手指，经用户手指反射的指纹反射光可射入到指纹识别传感器107，以进行识别。需要说明的是，指纹识别传感器107在第二透明基板106上的正投影可位于无色透光部104在第二透明基板106上的正投影内，以便于进行指纹识别。

应当理解的是，第一开口和第二开口可设置有多个；且彩色滤光部103可设置有多个，多个彩色滤光部103可包括红色滤光部、绿色滤光部和蓝色滤光部等等；每个彩色滤光部103对应形成于一第一开口中；无色透光部104可设置有多个，每个无色透光部104对应形成于一第二开口中。

需要说明的是，该显示模组10还可包括填充于彩膜基板100和阵列基板105之间的液晶分子125。

需要说明的是，图5和图6的主要区别在于：阵列基板105与彩膜基板100及背光模组20三者之间的位置关系不同；且图5比图6多了一层透明触控电极108和一层绝缘保护层109，由于绝缘保护层109可与栅绝缘层1111和层间介质层1113共同采用一道掩膜工序制作，因此，虽然增加了两层结构，但仅增加了一道掩膜工序；以及图5比图6少了一层遮光层124和一层绝缘层126，即：少了两道掩膜工序；总体来说，图5示出的方案相比于图6示出的方案可少一道掩膜工序，因此，在保证指纹识别准确性的同时，图5示出的方案相比于图6示出的方案可降低工艺成本。

基于前述内容，本公开实施例的显示模组10不仅避免了指纹识别传感器107受到大视角杂乱光线的干扰，进而达到了更好的指纹效果，而且也保证了触控功能不受影响，同时达到了减少掩膜数量的目的，大幅降低了显示模组10的制作成本。

本公开实施例提供了一种显示模组的制作方法，该显示模组可为前述任一实施例所描述的显示模组10，参考图2、图4及图5；此显示模组10能够设置在背光模组20的一侧。其中，如图7所示，此显示模组10的制作方法可包括：

步骤S60，形成彩膜基板，彩膜基板包括第一透明基板，第一透明基板具有朝向背光模组的第一侧和远离背光模组的第二侧；

步骤S70，形成阵列基板，阵列基板包括第二透明基板和形成第二透明基板上的指纹识别传感器；

步骤S80，将阵列基板与彩膜基板对盒设置，其中，第二透明基板位于第一透明基板的第二侧；指纹识别传感器形成在第二透明基板朝向第一透明基板的一侧。

应当理解的是，本公开实施例的提供的上述制作方法应该具备与本公开实施例提供的显示模组10具有相同的特点和优点，所以，本公开实施例的提供的上述制作方法的特点和优点可以参照上文描述的显示模组10的特点和优点，在此不再赘述。

在一些实施例中，步骤S70，形成阵列基板，可包括：

步骤S700，提供一第二透明基板106；

步骤S701，在第二透明基板106上形成透明触控电极108；

步骤S702，形成覆盖透明触控电极108的绝缘保护层109；

步骤S703，在绝缘保护层109上形成驱动层，驱动层包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管110a和第二薄膜晶体管110b；

步骤S704，在驱动层上形成依次堆叠的透明电极107a、传感器主体107b和反射电极107c，以构成指纹识别传感器107，且透明电极107a与第二薄膜晶体管110b连接；

步骤S713，在反射电极107c远离第二透明基板106的一侧形成像素电极123，像素电极123与第一薄膜晶体管110a连接，如图8所示。

需要说明的是，在形成透明触控电极108之前，可先在第二透明基板106上形成一层缓冲层122，如图8所示。

可选地，步骤S703，在绝缘保护层109上形成驱动层，可包括：

步骤S7031，在绝缘保护层109上形成各薄膜晶体管的半导体层1110；

步骤S7032，在绝缘保护层109上形成覆盖半导体层1110的栅绝缘层1111；

步骤S7033，在栅绝缘层1111上形成各薄膜晶体管的栅极1112；

步骤S7034，在栅绝缘层1111上形成覆盖栅极1112的层间介质层1113；

步骤S7035，形成贯穿层间介质层1113和栅绝缘层1111的第一过孔1114和第二过孔1115，第一过孔1114和第二过孔1115分别露出半导体层1110的两端，如图9所示；

步骤S7036，采用一次构图工艺在层间介质层1113上形成各薄膜晶体管的源极1116和漏极1117，源极1116通过第一过孔1114与半导体层1110的一端连接，漏极1117通过第二过孔1115与半导体层1110的另一端连接，如图10所示。

在一些实施例中，如图8所示，透明电极107a的部分直接搭接在第二薄膜晶体管110b的漏极1117上，也就是说，在制作完薄膜晶体管的源极1116和漏极1117之后，不需要在制作其他绝缘层，可直接形成指纹识别传感器107的透明电极107a，使得透明电极107a的部分直接搭接在第二薄膜晶体管110b的漏极1117上，以使指纹识别传感器107与第二薄膜晶体管110b连接。

在一些实施例中，如图9所示，在形成贯穿层间介质层1113和栅绝缘层1111的第一过孔1114和第二过孔1115的同时，还可形成贯穿层间介质层1113、栅绝缘层1111及绝缘保护层109的第四过孔1118，第四过孔1118露出透明触控电极108的部分。

举例而言，可采用灰阶掩膜工艺进行图案化处理，以同时形成第一过孔1114、第二过孔1115及第四过孔1118；具体地，在形成层间介质层1113之后，可在层间介质层1113上涂覆光刻胶层，然后利用灰阶掩膜对光刻胶层进行图案化处理，以形成光刻胶图案，其中，光刻胶图案中与相同深度的过孔所对应的部位的厚度相同，与不同深度的过孔所对应的部位的厚度不相同，具体厚度关系根据过孔深度关系进行调控；然后对层间介质层1113、栅绝缘层1111及绝缘保护层109进行一次或多次刻蚀，以形成第一过孔1114、第二过孔1115及第四过孔1118；其中，灰阶掩膜中与相同深度的过孔所对应的掩膜区域的透光率相同，与不同深度的过孔所对应的掩膜区域的透光率不同。

应当理解的是，在光刻胶层为正性光刻胶，为了使得第四过孔1118的深度大于第一过孔1114和第二过孔1115，灰阶掩膜中对应形成第四过孔1118的掩膜区域的透光率可大于对应形成第一过孔1114和第二过孔1115的掩膜区域的透光率；在光刻胶层为负性光刻胶时，为了使得第四过孔1118的深度大于第一过孔1114和第二过孔1115，灰阶掩膜中对应形成第四过孔1118的掩膜区域的透光率可小于对应形成第一过孔1114和第二过孔1115的掩膜区域的透光率。

在一些实施例中，如图10所示，在采用一次构图工艺在层间介质层1113上形成各薄膜晶体管的源极1116和漏极1117的同时，还形成有第一转接电极1119，第一转接电极1119通过第四过孔1118与透明触控电极108连接，且第一转接电极1119配置为与驱动芯片连接。

在一些实施例中，在形成像素电极123之前，以及在形成反射电极107c之后，即：在步骤S713之前，及在步骤S704之后，还包括：

步骤S705，在驱动层上依次形成覆盖指纹识别传感器107的平坦层112和第一钝化层113；此平坦层112可为有机材料制作而成，例如：树脂等材料；第一钝化层113可为无机材料制作而成，例如：氧化硅等材料；

步骤S706，形成贯穿第一钝化层113和平坦层112的第五过孔114，第五过孔114露出部分反射电极107c，如图11所示；

步骤S707，采用一次构图工艺在第一钝化层113上形成第二转接电极116和第三转接电极117，第二转接电极116通过第五过孔114与反射电极107c连接；

步骤S708，在第一钝化层113上形成覆盖第二转接电极116和第三转接电极117的第二钝化层118；

步骤S709，形成贯穿第二钝化层118的第六过孔119，第六过孔119露出部分第三转接电极117，如图12所示；

步骤S710，在第二钝化层118上形成公共电极120，公共电极120通过第六过孔119与第三转接电极117连接；

步骤S711，在第二钝化层118上形成覆盖公共电极120的第三钝化层121；

步骤S712，形成贯穿第三钝化层121、第二钝化层118、第一钝化层113、平坦层112的第三过孔(图中未示出)，第三过孔露出第一薄膜晶体管110a的漏极1117；

其中，像素电极123通过第三过孔与第一薄膜晶体管110a的漏极1117连接，且第二转接电极116和第三转接电极117配置为与驱动芯片连接。

在一些实施例中，步骤S60，形成彩膜基板，可包括：

步骤S601，提供一第一透明基板101，此第一透明基板101具有朝向背光模组20的第一侧101a和远离背光模组20的第二侧101b；

步骤S602，在第一透明基板101的第二侧101b形成黑矩阵层102，此黑矩阵层102具有第一开口102a和第二开口102b，如图13所示；

步骤S603，形成彩色滤光部103，此彩色滤光部103位于第一开口102a；

步骤S604，形成无色透光部104，此无色透光部104位于第二开口102b，如图14所示。

在一些实施例中，在步骤S80之后，还可包括：步骤S90，将阵列基板105与彩膜基板100之间填充液晶分子125，如图4所示。

应当注意，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。此外，上面的一些步骤可以并行执行或顺序执行等等，并不局限于上文描述的具体操作顺序。

本公开一实施例提供了一种显示装置，此显示装置可为液晶显示装置。具体地，如图5所示，显示装置可包括背光模组20和显示模组10，该显示模组10可为前述任一实施例所描述的显示模组10，背光模组20可包括背光源、下偏光片、反射片、扩散片(图中未示出)等等。其中，显示模组10形成在背光模组20的一侧。

根据本公开的实施例，该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如液晶显示屏、手机、笔记本电脑等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。

需要说明的是，该显示装置除了显示模组10、背光模组20以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，还可包括盖板30、上偏光片40，如图5所示；也可包括外壳、主电路板、电源线，等等，本领域善解人意可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。

Claims (16)

1.一种显示模组，能够设置在背光模组的一侧，其特征在于，所述显示模组包括：

彩膜基板，包括第一透明基板，所述第一透明基板具有朝向所述背光模组的第一侧和远离所述背光模组的第二侧；

阵列基板，与所述彩膜基板对盒设置，所述阵列基板包括第二透明基板和指纹识别传感器，所述第二透明基板位于所述第一透明基板的第二侧；所述指纹识别传感器形成在所述第二透明基板朝向所述第一透明基板的一侧。

2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述指纹识别传感器包括依次堆叠在所述第二透明基板朝向所述第一透明基板一侧的透明电极、传感器主体和反射电极。

3.根据权利要求2所述的显示模组，其特征在于，所述阵列基板还包括透明触控电极，形成在所述第二透明基板与所述透明电极之间。

4.根据权利要求3所述的显示模组，其特征在于，所述阵列基板还包括：

像素电极，形成在所述反射电极远离所述第二透明基板的一侧；

驱动层，形成在所述透明电极与所述透明触控电极之间，且所述驱动层包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述像素电极连接，所述第二薄膜晶体管与所述透明电极连接。

5.根据权利要求4所述的显示模组，其特征在于，

各所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极；所述栅极形成在所述半导体层远离所述第二透明基板的一侧；所述源极和所述漏极同层设置，并位于所述栅极远离所述第二透明基板的一侧，且所述源极通过第一过孔与所述半导体层的一端连接，所述漏极通过第二过孔与所述半导体层的另一端连接；其中，

所述像素电极通过第三过孔与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，所述透明电极的部分与所述第二薄膜晶体管的漏极直接搭接。

6.根据权利要求5所述的显示模组，其特征在于，所述阵列基板还包括第一转接电极，所述第一转接电极与所述漏极同层设置并通过第四过孔与所述透明触控电极连接，所述第一转接电极配置为与驱动芯片连接。

7.根据权利要求4所述的显示模组，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极形成在所述像素电极与所述反射电极之间。

8.根据权利要求7所述的显示模组，其特征在于，所述阵列基板还包括同层设置的第二转接电极和第三转接电极，所述第二转接电极和所述第三转接电极形成在所述公共电极和所述反射电极之间；其中，

所述第二转接电极通过第五过孔与所述反射电极连接，所述公共电极通过第六过孔与所述第三转接电极连接，且所述第二转接电极、所述第三转接电极配置为与驱动芯片连接。

9.根据权利要求4至8中任一项所述的显示模组，其特征在于，所述彩膜基板还包括黑矩阵层、彩色滤光部及无色透光部，其中，

所述黑矩阵层形成在所述第一透明基板的第二侧，且所述黑矩阵层具有第一开口和第二开口，所述第一开口在所述第一透明基板上的正投影与所述像素电极在所述第一透明基板上的正投影相交叠；所述第二开口在所述第一透明基板上的正投影与所述指纹识别传感器在所述第一透明基板上的正投影相交叠；所述彩色滤光部形成于所述第一开口；所述无色透光部形成于所述第二开口。

10.一种显示装置，其特征在于，包括背光模组及权利要求1至9中任一项所述的显示模组，所述显示模组形成在所述背光模组的一侧。

11.一种显示模组的制作方法，所述显示模组能够设置在背光模组的一侧，其特征在于，所述制作方法包括：

形成彩膜基板，所述彩膜基板包括第一透明基板，所述第一透明基板具有朝向所述背光模组的第一侧和远离所述背光模组的第二侧；

形成阵列基板，所述阵列基板包括第二透明基板和形成所述第二透明基板上的指纹识别传感器；

将所述阵列基板与所述彩膜基板对盒设置，其中，所述第二透明基板位于所述第一透明基板的第二侧；所述指纹识别传感器形成在所述第二透明基板朝向所述第一透明基板的一侧。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述形成阵列基板，包括：

提供一所述第二透明基板；

在所述第二透明基板上形成透明触控电极；

形成覆盖所述透明触控电极的绝缘保护层；

在所述绝缘保护层上形成驱动层，所述驱动层包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

在所述驱动层上形成依次堆叠的透明电极、传感器主体和反射电极，以构成所述指纹识别传感器，且所述透明电极与所述第二薄膜晶体管连接；

在所述反射电极远离所述第二透明基板的一侧形成像素电极，所述像素电极与所述第一薄膜晶体管连接。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在所述绝缘保护层上形成驱动层，包括：

在所述绝缘保护层上形成各所述薄膜晶体管的半导体层；

在所述绝缘保护层上形成覆盖所述半导体层的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成各所述薄膜晶体管的栅极；

在所述栅绝缘层上形成覆盖所述栅极的层间介质层；

形成贯穿所述层间介质层和所述栅绝缘层的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔分别露出所述半导体层的两端；

采用一次构图工艺在所述层间介质层上形成各所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述源极通过所述第一过孔与所述半导体层的一端连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述半导体层的另一端连接。

14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述透明电极的部分直接搭接在所述第二薄膜晶体管的漏极上。

15.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，

在形成贯穿所述层间介质层和所述栅绝缘层的第一过孔和第二过孔的同时，还可形成贯穿所述层间介质层、所述栅绝缘层及所述绝缘保护层的第四过孔，所述第四过孔露出所述透明触控电极的部分；

在采用一次构图工艺在所述层间介质层上形成各所述薄膜晶体管的源极和漏极的同时，还形成有第一转接电极，所述第一转接电极通过所述第四过孔与所述透明触控电极连接，且所述第一转接电极配置为与驱动芯片连接。

16.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，在形成所述像素电极之前，以及在形成所述反射电极之后，还包括：

在所述驱动层上依次形成覆盖所述指纹识别传感器的平坦层和第一钝化层；

形成贯穿所述第一钝化层和所述平坦层的第五过孔，所述第五过孔露出部分所述反射电极；

采用一次构图工艺在所述第一钝化层上形成第二转接电极和第三转接电极，所述第二转接电极通过所述第五过孔与所述反射电极连接；

在所述第一钝化层上形成覆盖所述第二转接电极和所述第三转接电极的第二钝化层；

形成贯穿所述第二钝化层的第六过孔，所述第六过孔露出部分所述第三转接电极；

在所述第二钝化层上形成公共电极，所述公共电极通过所述第六过孔与所述第三转接电极连接；

在所述第二钝化层上形成覆盖所述公共电极的第三钝化层；

形成贯穿所述第三钝化层、所述第二钝化层、所述第一钝化层、所述平坦层的第三过孔，所述第三过孔露出所述第一薄膜晶体管的漏极；

其中，所述像素电极通过所述第三过孔与所述第一薄膜晶体管的漏极连接，且所述第二转接电极和所述第三转接电极配置为与驱动芯片连接。

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