CN111472049B - 一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法 - Google Patents
一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111472049B CN111472049B CN202010506839.8A CN202010506839A CN111472049B CN 111472049 B CN111472049 B CN 111472049B CN 202010506839 A CN202010506839 A CN 202010506839A CN 111472049 B CN111472049 B CN 111472049B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- single crystal
- layer
- substrate
- thickness
- hydrogen sulfide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 76
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 44
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 29
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 68
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 12
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000001787 chalcogens Chemical group 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- -1 transition metal chalcogenide Chemical class 0.000 description 3
- YSCNMFDFYJUPEF-OWOJBTEDSA-N 4,4'-diisothiocyano-trans-stilbene-2,2'-disulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC(N=C=S)=CC=C1\C=C\C1=CC=C(N=C=S)C=C1S(O)(=O)=O YSCNMFDFYJUPEF-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000316887 Saissetia oleae Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002064 nanoplatelet Substances 0.000 description 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法,使用硫化氢作为硫源,并预先将前驱体WO3微图案化以达到精准调控前驱体的量,实现了对单层、双层、三层及多层WS2单晶的可控制备。本发明方法所需原料少、产率高、重复性好、得到的晶体质量高、电子迁移率高,尤其适用于大面积均匀分布的层数可控的WS2单晶的制备。
Description
技术领域
本发明属于材料的化学气相沉积法制备领域,具体涉及二维过渡金属硫族化合物的化学气相沉积法制备。
背景技术
自从英国曼切斯特大学Andre Geim等人机械剥离石墨烯后,人们陆续发现了氮化硼(BN)、黑鳞(BP)、过渡金属硫族化合物(TMDs)、过渡金属碳/氮化合物(MXenes)等二维材料,其中,过渡金属硫族化合物(TMDs)的化学式为MX2,M是指过渡金属元素(tansitionmetal element),X是指硫族元素(chalcogens)。单层TMDs是由两层硫族原子夹着一层过渡金属原子组成的“三明治”结构。TMDs层内是以化学共价键结合,层间是以弱的范德华力作用,所以用机械剥离能剥离出单层TMDs。随着对TMDs的深入研究,人们发现TMDs有特定的能带间隙,大部分TMDs材料的能带间隙随厚度而变化,从体材料的间接带隙转变为单层的直接带隙,具有较宽的电磁波谱响应范围,适合应用于光电探测器。另外,TMDs电子迁移率高、电流开关比(on/off)大,适合应用于高灵敏、低功耗场效应晶体管。
其中二硫化钨(WS2)是TMDs的重要一员,具有较强的光-物质作用、约2.1eV的能带间隙、量子效率达到6%,因而在光电子器件领域有潜在的应用前景。另外,二维WS2反演对称性的破缺导致其具有强的自旋轨道耦合效应,可作为谷电子学和自旋电子学的重要研究材料。WS2的电子有效质量小,电子迁移率高,单层WS2室温理论电子迁移率可达1103cm2V-1s-1。双层、三层WS2较单层WS2更稳定,不容易分解,有较高的电子迁移率和驱动电流。因此,WS2在光电子器件、生物传感器等领域得到人们的青睐。
早期WS2的制备方法有微机械剥离法和液相剥离法,前者只能得到极少量单层WS2,尺寸一般在微米量级,效率很低,但质量较高;后者产量较高,但质量较差,尺寸更小,一般在几百个纳米。由于剥离法一般是以商业化的WS2纳米块体粉末为原料,再通过超声波降解或化学物质嵌入/吸附解离等近似物理的手段来获得WS2纳米片,其始终不能绕过要先合成商业化WS2粉末的缺陷,造成了时间、能源、人力等的二次浪费,同时,剥离法所获得WS2纳米片也存在易团聚、分散性不好、厚度不均、缺陷多、质量不佳等问题,且剥离也会对环境产生噪声污染和化学污染。
近年来,人们普遍认为化学气相沉积方法(CVD)是一种大规模产业化合成TMDs的可行方法。其中,CVD合成二维WS2通常以硫粉和三氧化钨粉为前驱体,不能精确控制反应前驱体的量,导致实验重复性差,不能稳定控制WS2层数的制备,限制了化学气相沉积方法大规模产业化可控合成不同层数WS2的发展。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法,使用硫化氢作硫源,并预先将WO3微图案化以达到精准调控前驱体的量,实现了对单层、双层、三层及多层WS2单晶的可控制备。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法,包括以下步骤:
(1)微图案化WO3前驱体的制备:
通过热蒸发和镂空板在衬底上蒸镀厚度为3~54nm的WO3源,得到镀有微图案化的3~54nm厚WO3源的衬底;所述镂空板为与目标微图案对应的镂空板;
(2)化学气相沉积(CVD)制备WS2:
(2.1)将所述镀有微图案化的3~54nm厚WO3源的衬底放置在所述管式炉的加热区中心,向所述管式炉中通入惰性气体或循环进行抽真空和通惰性气体,以排尽所述管式炉中空气;
(2.2)向所述管式炉内持续通入6~12sccm氩气,将所述管式炉升温至950~1050℃,再向所述管式炉内通入20~26sccm硫化氢,反应1~3min,然后打开炉盖降温并停止通入硫化氢,得到相应层数的WS2单晶。
在本发明的一些具体实例中,所述衬底为SiO2/Si衬底。
在本发明的一些具体实例中,所述衬底为285nm SiO2/Si。
在本发明的一些具体实例中,所述微图案为均匀分布的任意形状的微图案。
在本发明的一些具体实例中,所述微图案为圆阵列、条形阵列、方形阵列。
在本发明的一些具体实例中,所述微图案为圆形直径为150μm、圆心与圆心间距为450μm的圆阵列。
在本发明的一些具体实例中,步骤(2.2)中将所述管式炉升温至995~1005℃。
在本发明的一些具体实例中,步骤(2.2)中将所述管式炉升温至1000℃。
在本发明的一些具体实例中,步骤(2.2)中所述管式炉升温速率为10~30℃/分钟。
在本发明的一些具体实例中,步骤(2.1)中惰性气体为氩气或氮气。
在本发明的一些具体实例中,所述衬底为SiO2/Si衬底时,步骤(1)中WO3蒸镀厚度为3nm,步骤(2.2)中氩气流量为12sccm、硫化氢流量为20sccm,得到单层WS2单晶。
在本发明的一些具体实例中,所述衬底为SiO2/Si衬底时,步骤(1)中WO3蒸镀厚度为3nm,步骤(2.2)中氩气流量为10sccm、硫化氢流量为22sccm,得到双层WS2单晶。
在本发明的一些具体实例中,所述衬底为SiO2/Si衬底时,步骤(1)中WO3蒸镀厚度为3nm,步骤(2.2)中氩气流量为8sccm、硫化氢流量为24sccm,得到三层WS2单晶。
在本发明的一些具体实例中,所述衬底为SiO2/Si衬底时,步骤(1)中WO3蒸镀厚度为3nm,步骤(2.2)中氩气流量为6sccm、硫化氢流量为26sccm,得到多层WS2单晶。
在本发明的一些具体实例中,当所述衬底为SiO2/Si衬底,步骤(2.2)中氩气流量为12sccm和硫化氢流量为20sccm时,
WO3蒸镀厚度为9nm,得到双层WS2单晶;
WO3蒸镀厚度为27nm,得到三层WS2单晶;
WO3蒸镀厚度为54nm,得到多层WS2单晶。
本发明还提供了由上述制备方法所得WS2单晶制得的场效应晶体管。
与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:
本发明方法中,通过在镂空板上蒸镀WO3源,形成镀有微图案化的WO3前驱体,能够精准调控WO3前驱体的量、原料利用率高、制备重复率高。
本发明方法中,通过对前驱体的量的调节以及氩气和硫化氢气体流量的调节,可以分别合成单层、双层、三层及多层WS2单晶。
本发明方法中,通过使用镂空板并形成均匀分布的任意形状的微图案,可以获得均匀分布的WS2单晶,并且WS2单晶的面积不受限制,因此,本发明方法可以合成大面积均匀分布的层数可控的WS2单晶,可广泛应用于电学逻辑器件、光电器件、传感器。
附图说明
图1为本发明微图案化WO3前驱体的规格示意图。
图2为本发明的二硫化钨单晶的制备过程的示意图。
图3(a)给出了实施例1制备所得的WS2样品α的同步光学显微镜图,标尺为10μm。
图3(b)给出了实施例2制备所得的WS2样品β的同步光学显微镜图,标尺为10μm。
图3(c)给出了实施例3制备所得的WS2样品γ的同步光学显微镜图,标尺为10μm。
图3(d)给出了实施例4制备所得的WS2样品δ的同步光学显微镜图,标尺为50μm。
图3(e)给出了实施例5制备所得的WS2样品ε的同步光学显微镜图,标尺为50μm。
图3(f)给出了实施例6制备所得的WS2样品ζ的同步光学显微镜图,标尺为50μm。
图3(g)给出了实施例7制备所得的WS2样品η的同步光学显微镜图,标尺为10μm。
图4(a)、图4(b)、图4(c)分别是单层WS2样品δ、双层WS2样品ε、三层WS2样品ζ的光学显微镜图,标尺为10μm;图4(a)中右上角插图、图4(b)中右上角插图、图4(c)中右上角插图分别是单层WS2样品δ、双层WS2样品ε、三层WS2样品ζ的AFM图。
图5(a)显示了使用532nm激光对在SiO2/Si衬底上的单层WS2样品δ、双层WS2样品ε、三层WS2样品ζ进行拉曼测试对应得到的E1 2g(Γ)和A1g(Γ)峰位。
图5(b)显示了使用488nm激光对在SiO2/Si衬底上的单层WS2样品δ、双层WS2样品ε、三层WS2样品ζ进行拉曼测试对应得到的E1 2g(Γ)和A1g(Γ)峰位。
图6(a)给出了双层WS2样品γ场效应晶体管的Ids-Vg转移曲线。
图6(b)给出了双层WS2样品γ场效应晶体管的Ids-Vds输出曲线。
图6(c)给出了双层WS2样品γ的STEM-HAADF图。
图6(d)给出了图6(c)中框选区域的像素强度剖面图(Pixel intensityprofile)。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明的实施方案进行详细描述。应理解,这些实施例仅用于说明本发明,而不应视为限定本发明的范围。
下列实施例中未注明具体技术或条件者,按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市场购得的常规产品。
WS2单晶片的制备
实施例1 WS2样品α的制备
(1)微图案化WO3前驱体的制备:
将镂空板(板上镂空图案为圆阵列)置于285nm SiO2/Si衬底(即,表层为285nmSiO2的硅片)上,一并放置于镀膜机中,通过热蒸发在285nm SiO2/Si衬底上蒸镀厚度为3nm的微图案化WO3源(或称为WO3前驱体):在285nm SiO2/Si衬底上,WO3圆阵列的直径为150μm,圆心与圆心间距为450μm,如图1所示。
(2)化学气相沉积(CVD)制备WS2:
(2.1)把镀有3nm厚的微图案化WO3源的SiO2/Si衬底放置在管式炉的加热区中心,向管式炉中通入300sccm氩气,持续30min,以排尽在管式炉内的空气;
(2.2)调整氩气流量为6sccm,持续通入,将管式炉温度以25℃/分钟升温至1000℃,再向管式炉内通入26sccm硫化氢,反应90秒,然后掀起炉盖降温并停止通入硫化氢,得到多层WS2样品α。
实施例2 WS2样品β的制备
(1)微图案化WO3前驱体的制备:
将镂空板(板上镂空图案为圆阵列)置于285nm SiO2/Si衬底(即,表层为285nmSiO2的硅片)上,一并放置于镀膜机中,通过热蒸发在285nm SiO2/Si衬底上蒸镀厚度为3nm的微图案化WO3源(或称为WO3前驱体):在285nm SiO2/Si衬底上,WO3圆阵列的直径为150μm,圆心与圆心间距为450μm。
(2)化学气相沉积(CVD)制备WS2:
(2.1)把镀有3nm厚的微图案化WO3源的SiO2/Si衬底放置在管式炉的加热区中心,向管式炉中通入300sccm氩气,持续30min,以排尽在管式炉内的空气;
(2.2)调整氩气流量为8sccm,持续通入,将管式炉温度以25℃/分钟升温至1000℃,再向管式炉内通入24sccm硫化氢,反应90秒,然后掀起炉盖降温并停止通入硫化氢,得到三层WS2样品β。
实施例3 WS2样品γ的制备
(1)微图案化WO3前驱体的制备:
将镂空板(板上镂空图案为圆阵列)置于285nm SiO2/Si衬底(即,表层为285nmSiO2的硅片)上,一并放置于镀膜机中,通过热蒸发在285nm SiO2/Si衬底上蒸镀厚度为3nm的微图案化WO3源(或称为WO3前驱体):在285nm SiO2/Si衬底上,WO3圆阵列的直径为150μm,圆心与圆心间距为450μm。
(2)化学气相沉积(CVD)制备WS2:
(2.1)把镀有3nm厚的微图案化WO3源的SiO2/Si衬底放置在管式炉的加热区中心,向管式炉中通入300sccm氩气,持续30min,以排尽在管式炉内的空气;
(2.2)调整氩气流量为10sccm,持续通入,将管式炉温度以25℃/分钟升温至1000℃,再向管式炉内通入22sccm硫化氢,反应90秒,然后掀起炉盖降温并停止通入硫化氢,得到双层WS2样品γ。
上述使用微图案化WO3前驱体通过化学气相沉积(CVD)制备双层WS2的过程如图2所示。
实施例4 WS2样品δ的制备
(1)微图案化WO3前驱体的制备:
将镂空板(板上镂空图案为圆阵列)置于285nm SiO2/Si衬底(即,表层为285nmSiO2的硅片)上,一并放置于镀膜机中,通过热蒸发在285nm SiO2/Si衬底上蒸镀厚度为3nm的微图案化WO3源(或称为WO3前驱体):在285nm SiO2/Si衬底上,WO3圆阵列的直径为150μm,圆心与圆心间距为450μm。
(2)化学气相沉积(CVD)制备WS2:
(2.1)把镀有3nm厚的微图案化WO3源的SiO2/Si衬底放置在管式炉的加热区中心,向管式炉中通入300sccm氩气,持续30min,以排尽在管式炉内的空气;
(2.2)调整氩气流量为12sccm,持续通入,将管式炉温度以25℃/分钟升温至1000℃,再向管式炉内通入20sccm硫化氢,反应90秒,然后掀起炉盖降温并停止通入硫化氢,得到单层WS2样品δ。
实施例5 WS2样品ε的制备
(1)微图案化WO3前驱体的制备:
将镂空板(板上镂空图案为圆阵列)置于285nm SiO2/Si衬底(即,表层为285nmSiO2的硅片)上,一并放置于镀膜机中,通过热蒸发在285nm SiO2/Si衬底上蒸镀厚度为9nm的微图案化WO3源(或称为WO3前驱体):在285nm SiO2/Si衬底上,WO3圆阵列的直径为150μm,圆心与圆心间距为450μm。
(2)化学气相沉积(CVD)制备WS2:
(2.1)把镀有9nm厚的微图案化WO3源的SiO2/Si衬底放置在管式炉的加热区中心,向管式炉中通入300sccm氩气,持续30min,以排尽在管式炉内的空气;
(2.2)调整氩气流量为12sccm,持续通入,将管式炉温度以25℃/分钟升温至1000℃,再向管式炉内通入20sccm硫化氢,反应90秒,然后掀起炉盖降温并停止通入硫化氢,得到双层WS2样品ε。
实施例6 WS2样品ζ的制备
(1)微图案化WO3前驱体的制备:
将镂空板(板上镂空图案为圆阵列)置于285nm SiO2/Si衬底(即,表层为285nmSiO2的硅片)上,一并放置于镀膜机中,通过热蒸发在285nm SiO2/Si衬底上蒸镀厚度为27nm的微图案化WO3源(或称为WO3前驱体):在285nm SiO2/Si衬底上,WO3圆阵列的直径为150μm,圆心与圆心间距为450μm。
(2)化学气相沉积(CVD)制备WS2:
(2.1)把镀有27nm厚的微图案化WO3源的SiO2/Si衬底放置在管式炉的加热区中心,向管式炉中通入300sccm氩气,持续30min,以排尽在管式炉内的空气;
(2.2)调整氩气流量为12sccm,持续通入,将管式炉温度以25℃/分钟升温至1000℃,再向管式炉内通入20sccm硫化氢,反应90秒,然后掀起炉盖降温并停止通入硫化氢,得到三层WS2样品ζ。
实施例7 WS2样品η的制备
(1)微图案化WO3前驱体的制备:
将镂空板(板上镂空图案为圆阵列)置于285nm SiO2/Si衬底(即,表层为285nmSiO2的硅片)上,一并放置于镀膜机中,通过热蒸发在285nm SiO2/Si衬底上蒸镀厚度为54nm的微图案化WO3源(或称为WO3前驱体):在285nm SiO2/Si衬底上,WO3圆阵列的直径为150μm,圆心与圆心间距为450μm。
(2)化学气相沉积(CVD)制备WS2:
(2.1)把镀有54nm厚的微图案化WO3源的SiO2/Si衬底放置在管式炉的加热区中心,向管式炉中通入300sccm氩气,持续30min,以排尽在管式炉内的空气;
(2.2)调整氩气流量为12sccm,持续通入,将管式炉温度以25℃/分钟升温至1000℃,再向管式炉内通入20sccm硫化氢,反应90秒,然后掀起炉盖降温并停止通入硫化氢,得到多层WS2样品η。
WS2单晶片的结构和性能测试
图3(a)~图3(g)给出了实施例1~7制备所得的各WS2样品α~η的同步光学显微镜图,其中,标尺分别为10μm(α,β,γ,η)和50μm(δ,ε,ζ)。
从图3(a)~图3(g)可以看出:
当步骤(2.2)中的氩气流量为12sccm和硫化氢流量为20sccm时,随着WO3蒸镀厚度增加,WS2单晶层数逐渐增加:当WO3蒸镀厚度分别为3nm、9nm、27nm、54nm,分别得到单层、双层、三层、多层WS2单晶。
当WO3蒸镀厚度为3nm,随着步骤(2.2)中的硫化氢流量增加和氩气流量减少,WS2单晶层数逐渐增加:步骤(2.2)中的硫化氢流量分别为20sccm、22sccm、24sccm、26sccm,同时,步骤(2.2)中的氩气流量分别为12sccm、10sccm、8sccm、6sccm,分别得到单层、双层、三层、多层WS2单晶。
上述各实施例制备所得各样品的层数是通过各样品在SiO2/Si衬底上的光学显微镜图、WS2拉曼的面内振动E1 2g(Γ)与面外振动A1g(Γ)的峰位差以及AFM高度来判断的。
例如,图4(a)、图4(b)、图4(c)分别显示了实施例4制得的WS2样品δ、实施例5制得的WS2样品ε、实施例6制得的WS2样品ζ的光学显微镜图,标尺为10μm。从图4(a)、图4(b)、图4(c)分别可以看出WS2样品δ、WS2样品ε、WS2样品ζ的实物图像,通过衬底颜色的对比,可区分出WS2样品的层数:WS2样品δ为单层、WS2样品ε为双层、WS2样品ζ为三层。
图4(a)中右上角插图、图4(b)中右上角插图、图4(c)中右上角插图分别是实施例4制得的WS2样品δ、实施例5制得的WS2样品ε、实施例6制得的WS2样品ζ的AFM高度图。从图4(a)中右上角插图、图4(b)中右上角插图、图4(c)中右上角插图上,分别可以看出WS2样品δ、WS2样品ε、WS2样品ζ的厚度分别为0.7nm、1.5nm、2.0nm,即,单层、双层、三层WS2的厚度分别为0.7nm、1.5nm、2.0nm。
图5(a)显示了使用532nm激光对在SiO2/Si衬底上WS2样品δ、WS2样品ε、WS2样品ζ进行拉曼测试对应的面内振动E1 2g(Γ)和面外振动A1g(Γ)峰位。图5(b)显示了使用488nm激光对在SiO2/Si衬底上WS2样品δ、WS2样品ε、WS2样品ζ进行拉曼测试对应的面内振动E1 2g(Γ)和面外振动A1g(Γ)峰位。
从图5(a)和图5(b)可以看出,相同拉曼测试条件,WS2样品ε的拉曼面外振动A1g(Γ)峰强度比WS2样品δ的拉曼面外振动A1g(Γ)峰强度强,WS2样品ζ的拉曼面外振动A1g(Γ)峰强度比WS2样品ε的拉曼面外振动A1g(Γ)峰强度强,即,随层数增加,WS2样品的拉曼面外振动A1g(Γ)峰强度增强;同时,随层数增加,面内振动峰(E1 2g)红移,面外振动峰(A1g)蓝移,即E1 2g(Γ)和A1g(Γ)峰位差扩大,这和文献报道的机械剥离得到的WS2样品拉曼峰位和层数的变化趋势相符。
WS2场效应晶体管的制备及性能测试
用现有技术中常规方法制备WS2场效应晶体管:在长有WS2的硅片上旋涂光刻胶聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA),电子束光刻,用显影液显影,分别热蒸镀5nm铬、50nm金,用丙酮泡去PMMA,得到WS2场效应晶体管。
通过半导体参数分析系统4200-SCS,测定WS2场效应晶体管的转移曲线和输出曲线。通过FEI Probe Corrected Titan Cubed Themis G2 60-300S/TEM获得双层WS2晶体(样品γ)的扫描隧道电子显微-高角度环形暗场(STEM-HAADF)图像。
图6(a)给出了由WS2样品γ所对应的双层WS2场效应晶体管的Ids-Vg转移曲线,图6(b)给出了由WS2样品γ所对应的双层WS2场效应晶体管的Ids-Vds输出曲线。图6(c)给出了WS2样品γ所对应的双层WS2晶体的STEM-HAADF图。图6(d)是图6(c)中框选区域的像素强度剖面图(Pixel intensity profile)。
从图6(a)中曲线1可以看出:样品γ所对应的双层WS2场效应晶体管的转移曲线,Ids随着Vg增加而增加,表明所得双层WS2为n型半导体。
场效应晶体管的电子迁移率μ的计算公式如下:
μ=dIds/dVg×L/(W·Cox·Vds)
其中,dIds/dVg为漏极电流对栅极电压的导数,L为沟道长度,W为沟道宽度,Vds为给定的源漏电压,Cox=ε0εr/d是介电层的比电容,ε0=8.854×10-12Fm-1是真空介电常数,εr=3.9是SiO2的相对介电常数,d=285nm为SiO2电介质厚度。
对图6(a)中曲线1求切线斜率dIds/dVg,代入公式可求得电子迁移率为μ=20.3cm2V-1S-1。图6(a)中曲线2是对曲线1的数据进行对数处理后得到的,从曲线2可以看出器件开状态与关状态的电流比值(Ion/off)约为108,表明双层WS2晶体管有很好的栅电场调控效果。
图6(b)中的各线条分别代表栅压为-60V、-40V、-20V、0V、20V、40V、60V时器件的伏安特性图。其中,栅压为负以及零的时候,器件为关状态,电流较小,所以栅压为-60V、-40V、-20V、0V的伏安特性线基本重合;栅压为正时,器件为开状态。伏安特性线为正比例函数关系,说明WS2与电极间的接触为欧姆接触。
图6(c)为双层WS2晶体的STEM-HAADF图,可清晰看出单个原子的排列。其中能直观看出六个圆球组成的正六边形,且组成正六边形的六个圆球亮度是明暗交替的;其中亮球对应一个钨原子与两个硫原子的重叠,暗球对应一个钨原子。仔细观察可看出正六边形中部还有一个较暗的圆球,其对应两个硫原子重叠的位置。由此可判断所得双层WS2晶体结构为斜方六面体结构3R相。
对图6(c)中框选区域进行像素强度剖面图(Pixel intensity profile)分析,可直观分辨STEM-HAADF图的明暗度,从而判断对应的原子位置。图6(d)是对图6(c)中框选区域的像素强度剖面图(Pixel intensity profile)。图6(d)中,峰强高的峰位对应亮球(一个钨原子与两个硫原子的重叠,图中记为W+2S),峰强适中的峰位对应暗球(一个钨原子,图中记为W),峰强较弱的峰位对应较暗的圆球(两个硫原子的重叠,图中记为2S),结合STEM-HAADF图的原子分布,可判断所得双层WS2晶体结构为斜方六面体3R相。图中箭头所指的峰位强度不明显,说明对应位置原子缺失,该位置为硫空位。从整体来说,双层WS2硫空位少,表明所得双层WS2晶体缺陷少、晶体质量高,相应的电学性能好。
可见,上述方法中,通过在镂空板上蒸镀WO3源,形成镀有微图案化的WO3前驱体,能够精准调控前驱体的量、原料利用率高、制备重复率高;通过对前驱体的量的调节以及氩气和硫化氢气体流量的调节,可以分别合成单层、双层、三层及多层WS2单晶。本发明方法合成的层数可控的WS2单晶可以为大面积均匀分布的WS2单晶,可广泛应用于电学逻辑器件、光电器件、传感器。
此外,本发明方法还可以有一些替代或变形,例如:
本发明中,微图案化WO3前驱体,其微图案可以是上述各实施例中的圆阵列,也可以是其他任何均匀分布的形状的微图案,例如,条形阵列、正方形阵列等等。
本发明中,反应时间可限定为1~3min,如时间过短,晶体尺寸小或没有产物;如时间过长,WO3前驱体的供应不足,所得WS2晶体逐渐分解,缺陷增多。
本发明中,步骤(2.1)的氩气可以被其他惰性气体例如氮气所替代。
本发明中,步骤(2.1)的氩气的流量可以根据实际情况进行调整,例如选择氩气的流量为50~300sccm,氩气通入的时间也可以根据实际情况进行调整,以排尽管式炉内空气为准。
本发明中,步骤(2.1)还可采取向管式炉中循环“抽真空-通入惰性气体”来排尽空气时,惰性气体可以是氩气或氮气,惰性气体的流量和通入时间可以根据实际情况来调整,如选择氩气的流量为50~300sccm。
本发明中,步骤(2.2)中管式炉的升温速度通常可设置为10~30℃/分钟。
本发明中,步骤(2.2)中管式炉可升温至950~1050℃,以995~1005℃为佳,以1000℃为最佳。
应当注意的是,以上所述的实施例仅用于解释本发明,并不构成对本发明的任何限制,通过参照典型实施例对本发明进行了描述,但应当理解为其中所用的词语为描述性和解释性词汇,而不是限定性词汇。可以按规定在本发明权利要求的范围内对本发明作出修改,以及在不背离本发明的范围和精神内对本发明进行修订。尽管其中描述的本发明涉及特定的方法、材料和实施例,但是并不意味着本发明限于其中公开的特定例,相反,本发明可扩展至其他所有具有相同功能的方法和应用。
Claims (8)
1.一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)微图案化WO3前驱体的制备:
通过热蒸发和镂空板在衬底上蒸镀厚度为3~54nm的WO3源,得到镀有微图案化的3~54nm厚WO3源的衬底;所述衬底为SiO2/Si衬底;
(2)化学气相沉积制备WS2:
(2.1)将所述镀有微图案化的3~54nm厚WO3源的衬底放置在管式炉的加热区中心,向所述管式炉中通入惰性气体或循环进行抽真空和通惰性气体,以排尽所述管式炉中空气;
(2.2)向所述管式炉内持续通入6~12sccm氩气,将所述管式炉升温至950~1050℃,再向所述管式炉内通入20~26sccm硫化氢,反应1~3min,然后打开炉盖降温并停止通入硫化氢,得到相应层数的WS2单晶。
2.如权利要求1所述的层数可控的二硫化钨单晶的制备方法,其特征在于,所述微图案为均匀分布的任意形状的微图案。
3.如权利要求1所述的层数可控的二硫化钨单晶的制备方法,其特征在于,所述微图案为圆阵列、条形阵列或方形阵列。
4.如权利要求1所述的层数可控的二硫化钨单晶的制备方法,其特征在于,步骤(2.1)中,所述惰性气体为氩气。
5.如权利要求1所述的层数可控的二硫化钨单晶的制备方法,其特征在于,步骤(2.2)中,将所述管式炉升温至995~1005℃。
6.如权利要求1~5中任一项所述的层数可控的二硫化钨单晶的制备方法,其特征在于,WO3蒸镀厚度为3nm时,
步骤(2.2)中氩气流量为10sccm、硫化氢流量为22sccm,得到双层WS2单晶;
步骤(2.2)中氩气流量为8sccm、硫化氢流量为24sccm,得到三层WS2单晶;
步骤(2.2)中氩气流量为6sccm、硫化氢流量为26sccm,得到多层WS2单晶。
7.如权利要求1~5中任一项所述的层数可控的二硫化钨单晶的制备方法,其特征在于,当步骤(2.2)中氩气流量为12sccm和硫化氢流量为20sccm时,
WO3蒸镀厚度为3nm,得到单层WS2单晶;
WO3蒸镀厚度为9nm,得到双层WS2单晶;
WO3蒸镀厚度为27nm,得到三层WS2单晶;
WO3蒸镀厚度为54nm,得到多层WS2单晶。
8.由权利要求1~7中任一项所述的制备方法所得WS2单晶制得的场效应晶体管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010506839.8A CN111472049B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010506839.8A CN111472049B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111472049A CN111472049A (zh) | 2020-07-31 |
CN111472049B true CN111472049B (zh) | 2021-06-04 |
Family
ID=71765298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010506839.8A Active CN111472049B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111472049B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112038451A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-04 | 温州大学新材料与产业技术研究院 | 一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备及测试方法 |
CN112647042A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-13 | 温州大学新材料与产业技术研究院 | 一种用热板制备二维WS2/PbI2垂直异质结的制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201345096Y (zh) * | 2008-12-16 | 2009-11-11 | 柯涵钰 | 透明基板的图案化透明导电薄膜及触控面板 |
-
2020
- 2020-06-05 CN CN202010506839.8A patent/CN111472049B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201345096Y (zh) * | 2008-12-16 | 2009-11-11 | 柯涵钰 | 透明基板的图案化透明导电薄膜及触控面板 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
Controlled Synthesis and Transfer of Large-Area WS2 Sheets: From Single Layer to Few Layers;Ana Laura Elias et al.;《ACSNANO》;20130506;第7卷(第6期);第5235-5242页 * |
WS2二维原子晶体的控制生长、掺杂及光电器件研究;梁洁园;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技I辑》;20200115;参见第11页图1-15、第4页第2段、第13页图1-19、第13页最后1段-第14页第1段、第18页第2段 * |
低温制备单层二硫化铼的研究;潘宝俊;《西部皮革》;20200514;第42卷(第5期);参见摘要部分、第133页中栏第2段 * |
化学气相沉积法控制合成低维过渡金属硫族化合物的研究;许冠辰;《中国博士学位论文全文数据库 工程科技I辑》;20160115;参见摘要部分第2页第5段、第4页图1.2、第7页图1.5、第9页第3段 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111472049A (zh) | 2020-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Lan et al. | Wafer-scale synthesis of monolayer WS 2 for high-performance flexible photodetectors by enhanced chemical vapor deposition | |
Muratore et al. | Physical vapor deposition of 2D Van der Waals materials: a review | |
Reale et al. | High-mobility and high-optical quality atomically thin WS 2 | |
Feng et al. | Synthesis of large-area highly crystalline monolayer molybdenum disulfide with tunable grain size in a H2 atmosphere | |
CN111472049B (zh) | 一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法 | |
Pradhan et al. | Temperature controlled 1T/2H phase ratio modulation in mono-and a few layered MoS2 films | |
Mbuyisa et al. | Controlled growth of zinc oxide nanorods synthesised by the hydrothermal method | |
Yeh et al. | Probing substrate-dependent long-range surface structure of single-layer and multilayer Mo S 2 by low-energy electron microscopy and microprobe diffraction | |
Xiang et al. | Mo doping assisting the CVD synthesis of size-controlled, uniformly distributed single-layer MoS2 on rutile TiO2 (110) | |
KR101363825B1 (ko) | 플라즈마 처리를 통한 메탈이 부착된 그래핀 시트 복합체 기반 고감응성 플렉시블 화학센서 제조방법 | |
Liang et al. | Carbon-nanoparticle-assisted growth of high quality bilayer WS 2 by atmospheric pressure chemical vapor deposition | |
Butanovs et al. | Growth and characterization of PbI2-decorated ZnO nanowires for photodetection applications | |
Gupta et al. | Modifications of optical, structural, chemical and morphological properties of molybdenum disulfide (MoS2) sputtered thin films under high dose gamma radiation | |
Jelken et al. | The Hidden Flower in WS2 Flakes: A Combined Nanomechanical and Tip-Enhanced Raman Exploration | |
Xie et al. | Vapor–Liquid–Solid Growth of Morphology-Tailorable WS2 toward P-Type Monolayer Field-Effect Transistors | |
Sharma et al. | Vapour transport deposition of fluorographene oxide films and electro-optical device applications | |
Shahzad et al. | Significant enhancement in field emission and photoluminescence properties of vertically aligned tellurium nanorods by plasma treatment | |
Tao et al. | N-Channel and P-channel few-layer InSe photoelectric devices | |
Seok et al. | Flexible sensor platform: Nano-grain of 2D heterostructure by cold-plasma | |
Lavrov et al. | The heterogeneity analysis of two-dimensional Mo (1− x) W (x) S (1− y) Sey alloys by optical methods | |
CN113699594B (zh) | 一种雪花状的二硫化钨二维晶体材料、sers传感器及其制备方法和应用 | |
Ganger | Growth of Two-Dimensional Molybdenum Disulfide via Chemical Vapor Deposition | |
Khadka | Growth Techniques and Optoelectronic Study of 2D Semiconductor Based Devices | |
Goel et al. | Scalable growth of high-quality MoS 2 film by magnetron sputtering: application for NO 2 gas sensing | |
Hossen | Prospect of Molybdenum Disulfide (MoS2) in Future Electronics |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |