CN111462809A - 一种nvme硬盘测试治具及测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及硬盘测试技术领域,提供一种NVME硬盘测试治具及测试方法,NVME硬盘测试治具包括现场可编程门阵列、内存、硬盘接口、电源插槽和若干个LED;现场可编程门阵列,与所述内存、硬盘接口以及若干个所述LED连接,用于当识别到所述硬盘接口插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项,并通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果,从而提供一种专门的NVME硬盘的测试治具,提高NVME硬盘的测试效率,提高生产效率和生产直通率。
Description
技术领域
本发明属于硬盘测试技术领域,尤其涉及一种NVME硬盘测试治具及测试方法。
背景技术
非易失性存储(Non-Volatile Memory,NVME)硬盘属于目前较为高端的一种硬盘形态,属于固态硬盘(Solid State Drive,SSD)的一种,具有稳定性高、传输速率快、寿命长、价格昂贵的特点,目前在服务器领域使用较多,主要应用在对存储要求较高的领域,例如数据库、金融以及通信等领域。由于NVME硬盘价格昂贵,所以在IQC阶段,甚至在服务器生产之前都需要对NVME硬盘进行检测,将存在质量隐患的硬盘剔除,保证生产效率和生产直通率。
目前,NVME硬盘的检测主要是在服务器整机上进行检测,具体方法是将某些服务器固化为测试设备,将硬盘插入服务器进行检测,这种测试方法速度慢、效率低,很难满足大规模生产检测的要求。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明提供了一种NVME硬盘测试治具,旨在解决现有技术中硬盘的测试通过插入服务器,通过服务器进行测试,这种测试方法速度慢、效率低,很难满足大规模生产检测的要求的问题。
本发明所提供的技术方案是:一种NVME硬盘测试治具,包括现场可编程门阵列、内存、硬盘接口、电源插槽和若干个LED;
所述电源插槽,用于插入外接的供电单元PSU,为所述现场可编程门阵列和内存供电;
所述内存,用于为所述现场可编程门阵列提供运行缓存;
所述现场可编程门阵列,与所述内存、硬盘接口以及若干个所述LED连接,用于当识别到所述硬盘接口插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项,并通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果,其中,所述测试项包括带宽测试项、速率测试项、SMART测试项以及读写测试项。
作为一种改进的方案,所述电源插槽引出的供电线路上级联有四个电源稳压器,分别记为第一电源稳压器、第二电源稳压器、第三电源稳压器和第四电源稳压器;
所述第一电源稳压器设有两个输出端,一个输出端与所述第二电压稳压器连接,另一个输出端输出5V电压;
所述第二电源稳压器设有两个输出端,一个输出端与所述第三电压稳压器连接,另一个输出端引出P3V3线路为所述现场可编程门阵列供电;
所述第三电源稳压器设有两个输出端,一个输出端与所述第四电压稳压器连接,另一个输出端引出P1V8线路为所述现场可编程门阵列供电;
所述第四电源稳压器设有一个输出端,该输出端引出P1V线路为所述现场可编程门阵列和内存供电。
作为一种改进的方案,所述现场可编程门阵列包括:
带宽测试模块,用于当识别到所述硬盘接口插入的待测NVME硬盘时,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的带宽,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的带宽是否正常;
速率测试模块,用于当识别到所述硬盘接口插入的待测NVME硬盘时,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的速率,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的速率是否正常;
SMART日志测试模块,用于所述待测NVME硬盘的速率和带宽测试完成后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,读取所述待测NVME硬盘的SMART日志,并判断所述待测NVME硬盘的SMART日志的raw data是否正常;
读写功能测试模块,用于读取所述待测NVME硬盘的SMART日志后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,校验判断所述待测NVME硬盘的读写功能是否正常;
第一LED点亮控制模块,用于当判定所述待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能均正常时,则控制点亮测试通过所对应的LED;
第二LED点亮控制模块,用于当判定待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能中有测试不通过的测试项时,则控制点亮对应的LED。
作为一种改进的方案,所述现场可编程门阵列还包括:
待测NVME硬盘在位状态识别模块,用于对所述硬盘接口的硬盘插入状态进行识别判断;
状态确定模块,用于与所述待测NVME硬盘进行底层握手交互,确定所述待测NVME硬盘的带宽和速率。
作为一种改进的方案,所述读写功能测试模块具体包括:
写模块,用于控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Write命令,交替将8’b01010101和8’b10101010的byte写入NVME硬盘中,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示所述待测NVME硬盘已接收到数据和命令;
读模块,用于控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Read Request命令,将写入的byte读取出来,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示命令已经被接收;
校验判断模块,用于对从所述待测NVME硬盘读取的数据进行读写功能的校验判断。
本发明的另一目的在于提供一种基于NVME硬盘测试治具的NVME硬盘测试方法,所述方法包括下述步骤:
当识别到插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项,其中,所述测试项包括带宽测试项、速率测试项、SMART测试项以及读写测试项;
通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果。
作为一种改进的方案,所述当识别到插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项的步骤具体包括下述步骤:
当识别到插入的待测NVME硬盘时,带宽测试模块控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的带宽,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的带宽是否正常;
当识别到插入的待测NVME硬盘时,速率测试模块控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的速率,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的速率是否正常;
所述待测NVME硬盘的速率和带宽测试完成后,SMART日志测试模块控制与待测NVME硬盘进行通信交互,读取所述待测NVME硬盘的SMART日志,并判断所述待测NVME硬盘的SMART日志的raw data是否正常;
读写功能测试模块控制读取所述待测NVME硬盘的SMART日志后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,校验判断所述待测NVME硬盘的读写功能是否正常。
作为一种改进的方案,所述通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果的步骤具体包括下述步骤:
当判定所述待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能均正常时,第一LED点亮控制模块控制点亮测试通过所对应的LED;
当判定待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能中有测试不通过的测试项时,第二LED点亮控制模块控制点亮对应的LED。
作为一种改进的方案,所述方法还包括下述步骤:
待测NVME硬盘在位状态识别模块对所述硬盘接口的硬盘插入状态进行识别判断;
状态确定模块与所述待测NVME硬盘进行底层握手交互,确定所述待测NVME硬盘的带宽和速率。
作为一种改进的方案,所述读写功能测试模块控制读取所述待测NVME硬盘的SMART日志后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,校验判断所述待测NVME硬盘的读写功能是否正常的步骤具体包括包括下述步骤:
写模块控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Write命令,交替将8’b01010101和8’b10101010的byte写入NVME硬盘中,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示所述待测NVME硬盘已接收到数据和命令;
读模块控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Read Request命令,将写入的byte读取出来,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示命令已经被接收;
校验判断模块对从所述待测NVME硬盘读取的数据进行读写功能的校验判断。
在本发明实施例中,NVME硬盘测试治具包括现场可编程门阵列、内存、硬盘接口、电源插槽和若干个LED;现场可编程门阵列,与所述内存、硬盘接口以及若干个所述LED连接,用于当识别到所述硬盘接口插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项,并通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果,从而提供一种专门的NVME硬盘的测试治具,提高NVME硬盘的测试效率,提高生产效率和生产直通率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中,类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中,各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
图1是本发明提供的NVME硬盘测试治具的结构示意图;
图2是本发明提供的现场可编程门阵列的结构框图;
图3是本发明提供的读写功能测试模块的结构框图;
图4是本发明提供的NVME硬盘测试方法的实现流程图;
图5是本发明提供的当识别到插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项的实现流程图;
图6是本发明提供的通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果的实现流程图;
图7是本发明提供的读写功能测试模块控制读取所述待测NVME硬盘的SMART日志后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,校验判断所述待测NVME硬盘的读写功能是否正常的实现流程图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的、技术方案,因此只作为示例,而不能以此来限制本发明的保护范围。
图1是本发明提供的NVME硬盘测试治具的结构示意图,为了便于说明,图中仅给出与本发明实施例相关的部分。
NVME硬盘测试治具包括现场可编程门阵列1、内存2、硬盘接口3、电源插槽4和若干个LED;
电源插槽4,用于插入外接的供电单元PSU,为所述现场可编程门阵列1和内存2供电;
内存2,用于为所述现场可编程门阵列1提供运行缓存,其采用DDR3内存模组;
现场可编程门阵列1,与所述内存2、硬盘接口3以及若干个所述LED连接,用于当识别到所述硬盘接口3插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存2执行对所述待测NVME硬盘的测试项,并通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果,其中,所述测试项包括带宽测试项、速率测试项、SMART测试项以及读写测试项。
其中,该NVME硬盘测试治具还包括封装壳体、开机按钮、重启按钮以及其他部件,在此不再赘述。
在该实施例中,结合图1所示,电源插槽4引出的供电线路上级联有四个电源稳压器,分别记为第一电源稳压器5、第二电源稳压器6、第三电源稳压器7和第四电源稳压器8;
第一电源稳压器5设有两个输出端,一个输出端与所述第二电压稳压器连接,另一个输出端输出5V电压;
第二电源稳压器6设有两个输出端,一个输出端与所述第三电压稳压器连接,另一个输出端引出P3V3线路为所述现场可编程门阵列1供电;
第三电源稳压器7设有两个输出端,一个输出端与所述第四电压稳压器连接,另一个输出端引出P1V8线路为所述现场可编程门阵列1供电;
第四电源稳压器8设有一个输出端,该输出端引出P1V线路为所述现场可编程门阵列1供电;
当然,为了给该NVME硬盘测试治具的其他部件供电,可以设置其他供电线路,在此不再赘述。
在本发明实施例中,如图2所示,现场可编程门阵列1包括:
带宽测试模块9,用于当识别到所述硬盘接口插入的待测NVME硬盘时,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的带宽,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的带宽是否正常;
速率测试模块10,用于当识别到所述硬盘接口插入的待测NVME硬盘时,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的速率,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的速率是否正常;
SMART日志测试模块11,用于所述待测NVME硬盘的速率和带宽测试完成后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,读取所述待测NVME硬盘的SMART日志,并判断所述待测NVME硬盘的SMART日志的raw data是否正常;
读写功能测试模块12,用于读取所述待测NVME硬盘的SMART日志后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,校验判断所述待测NVME硬盘的读写功能是否正常;
第一LED点亮控制模块13,用于当判定所述待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能均正常时,则控制点亮测试通过所对应的LED;
第二LED点亮控制模块14,用于当判定待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能中有测试不通过的测试项时,则控制点亮对应的LED。
在该实施例中,带宽bandwidth指的是x4、x8以及x16,速率speed指的是gen1、gen2以及gen3,其中,该待测NVME硬盘的正常数据是x4和gen3,即判断是否符合该条件。
其中,图1中分别示出了五个LED,最上部的是测试通过对应的LED,下部四个LED分别代表带宽异常、速率异常、SMART异常以及读写异常对应的指示灯。
在该实施例中,如图2所示,现场可编程门阵列1还包括:
待测NVME硬盘在位状态识别模块15,用于对所述硬盘接口的硬盘插入状态进行识别判断;
其中,FPGA通过serdes与硬盘接口连接,每个5ms对信号pin进行充放电,当NVME硬盘没有插入时,两者之间的电容充放电速度很快,FPGA检测NVME硬盘不在位;NVME硬盘插入治具后,两者之间的电容充放电速度变慢,FPGA检测NVME硬盘在位,其中,该硬盘接口为SFF8639接口;
状态确定模块16,用于与所述待测NVME硬盘进行底层握手交互,确定所述待测NVME硬盘的带宽和速率;
其中,当FPGA检测到NVME硬盘在位后,FPGA和NVME controller的硬件底层进行握手(PCIe training),进入L0(L0状态机是PCIe接口正常工作的状态机)后,bandwidth和speed将固定下来,不会再改变,即FPGA不再要求进入recovery state(该状态机是PCIe进行速率切换的状态机)。
在本发明实施例中,如图3所示,读写功能测试模块12具体包括:
写模块17,用于控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Write命令,交替将8’b01010101和8’b10101010的byte写入NVME硬盘中,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示所述待测NVME硬盘已接收到数据和命令;
读模块18,用于控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Read Request命令,将写入的byte读取出来,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示命令已经被接收;
校验判断模块19,用于对从所述待测NVME硬盘读取的数据进行读写功能的校验判断。
图4示出了本发明提供的NVME硬盘测试方法的实现流程图,其具体包括下述步骤:
在步骤S101中,当识别到插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项,其中,所述测试项包括带宽测试项、速率测试项、SMART测试项以及读写测试项;
在步骤S102中,通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果。
在该实施例中,如图5所示,当识别到插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项的步骤具体包括下述步骤:
在步骤S201中,当识别到插入的待测NVME硬盘时,带宽测试模块控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的带宽,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的带宽是否正常;
在步骤S202中,当识别到插入的待测NVME硬盘时,速率测试模块控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的速率,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的速率是否正常;
在步骤S203中,待测NVME硬盘的速率和带宽测试完成后,SMART日志测试模块控制与待测NVME硬盘进行通信交互,读取所述待测NVME硬盘的SMART日志,并判断所述待测NVME硬盘的SMART日志的raw data是否正常;
在步骤S204中,读写功能测试模块控制读取所述待测NVME硬盘的SMART日志后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,校验判断所述待测NVME硬盘的读写功能是否正常。
其中,上述判断的条件为常规技术实现,在此不再赘述。
在该实施例中,如图6所示,通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果的步骤具体包括下述步骤:
在步骤S301中,当判定所述待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能均正常时,第一LED点亮控制模块控制点亮测试通过所对应的LED;
在步骤S302中,当判定待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能中有测试不通过的测试项时,第二LED点亮控制模块控制点亮对应的LED。
在本发明实施例中,待测NVME硬盘在位状态识别模块对所述硬盘接口的硬盘插入状态进行识别判断;
当识别到待测NVME硬盘插入式,状态确定模块与所述待测NVME硬盘进行底层握手交互,确定所述待测NVME硬盘的带宽和速率。
在本发明实施例中,如图7所示,读写功能测试模块控制读取所述待测NVME硬盘的SMART日志后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,校验判断所述待测NVME硬盘的读写功能是否正常的步骤具体包括包括下述步骤:
在步骤S401中,写模块控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Write命令,交替将8’b 01010101和8’b10101010的byte写入NVME硬盘中,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示所述待测NVME硬盘已接收到数据和命令;
在步骤S402中,读模块控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Read Request命令,将写入的byte读取出来,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示命令已经被接收;
在步骤S403中,校验判断模块对从所述待测NVME硬盘读取的数据进行读写功能的校验判断。
在本发明实施例中,NVME硬盘测试治具包括现场可编程门阵列、内存、硬盘接口、电源插槽和若干个LED;现场可编程门阵列,与所述内存、硬盘接口以及若干个所述LED连接,用于当识别到所述硬盘接口插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项,并通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果,从而提供一种专门的NVME硬盘的测试治具,提高NVME硬盘的测试效率,提高生产效率和生产直通率。
以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围,其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。
Claims (10)
1.一种NVME硬盘测试治具,其特征在于,包括现场可编程门阵列、内存、硬盘接口、电源插槽和若干个LED;
所述电源插槽,用于插入外接的供电单元PSU,为所述现场可编程门阵列和内存供电;
所述内存,用于为所述现场可编程门阵列提供运行缓存;
所述现场可编程门阵列,与所述内存、硬盘接口以及若干个所述LED连接,用于当识别到所述硬盘接口插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项,并通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果,其中,所述测试项包括带宽测试项、速率测试项、SMART测试项以及读写测试项。
2.根据权利要求1所述的NVME硬盘测试治具,其特征在于,所述电源插槽引出的供电线路上级联有四个电源稳压器,分别记为第一电源稳压器、第二电源稳压器、第三电源稳压器和第四电源稳压器;
所述第一电源稳压器设有两个输出端,一个输出端与所述第二电压稳压器连接,另一个输出端输出5V电压;
所述第二电源稳压器设有两个输出端,一个输出端与所述第三电压稳压器连接,另一个输出端引出P3V3线路为所述现场可编程门阵列供电;
所述第三电源稳压器设有两个输出端,一个输出端与所述第四电压稳压器连接,另一个输出端引出P1V8线路为所述现场可编程门阵列供电;
所述第四电源稳压器设有一个输出端,该输出端引出P1V线路为所述现场可编程门阵列和内存供电。
3.根据权利要求1所述的NVME硬盘测试治具,其特征在于,所述现场可编程门阵列包括:
带宽测试模块,用于当识别到所述硬盘接口插入的待测NVME硬盘时,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的带宽,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的带宽是否正常;
速率测试模块,用于当识别到所述硬盘接口插入的待测NVME硬盘时,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的速率,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的速率是否正常;
SMART日志测试模块,用于所述待测NVME硬盘的速率和带宽测试完成后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,读取所述待测NVME硬盘的SMART日志,并判断所述待测NVME硬盘的SMART日志的raw data是否正常;
读写功能测试模块,用于读取所述待测NVME硬盘的SMART日志后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,校验判断所述待测NVME硬盘的读写功能是否正常;
第一LED点亮控制模块,用于当判定所述待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能均正常时,则控制点亮测试通过所对应的LED;
第二LED点亮控制模块,用于当判定待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能中有测试不通过的测试项时,则控制点亮对应的LED。
4.根据权利要求3所述的NVME硬盘测试治具,其特征在于,所述现场可编程门阵列还包括:
待测NVME硬盘在位状态识别模块,用于对所述硬盘接口的硬盘插入状态进行识别判断;
状态确定模块,用于与所述待测NVME硬盘进行底层握手交互,确定所述待测NVME硬盘的带宽和速率。
5.根据权利要求3所述的NVME硬盘测试治具,其特征在于,所述读写功能测试模块具体包括:
写模块,用于控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Write命令,交替将8’b01010101和8’b10101010的byte写入NVME硬盘中,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示所述待测NVME硬盘已接收到数据和命令;
读模块,用于控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Read Request命令,将写入的byte读取出来,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示命令已经被接收;
校验判断模块,用于对从所述待测NVME硬盘读取的数据进行读写功能的校验判断。
6.一种基于权利要求1所述的NVME硬盘测试治具的NVME硬盘测试方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:
当识别到插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项,其中,所述测试项包括带宽测试项、速率测试项、SMART测试项以及读写测试项;
通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果。
7.根据权利要求6所述的NVME硬盘测试方法,其特征在于,所述当识别到插入的待测NVME硬盘时,结合所述内存执行对所述待测NVME硬盘的测试项的步骤具体包括下述步骤:
当识别到插入的待测NVME硬盘时,带宽测试模块控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的带宽,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的带宽是否正常;
当识别到插入的待测NVME硬盘时,速率测试模块控制与待测NVME硬盘进行通信交互,获取所述待测NVME硬盘的速率,并判断获取到的所述待测NVME硬盘的速率是否正常;
所述待测NVME硬盘的速率和带宽测试完成后,SMART日志测试模块控制与待测NVME硬盘进行通信交互,读取所述待测NVME硬盘的SMART日志,并判断所述待测NVME硬盘的SMART日志的raw data是否正常;
读写功能测试模块控制读取所述待测NVME硬盘的SMART日志后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,校验判断所述待测NVME硬盘的读写功能是否正常。
8.根据权利要求7所述的NVME硬盘测试方法,其特征在于,所述通过若干个所述LED分别显示对应测试项的测试结果的步骤具体包括下述步骤:
当判定所述待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能均正常时,第一LED点亮控制模块控制点亮测试通过所对应的LED;
当判定待测NVME硬盘的带宽、速率、SMART日志以及读写功能中有测试不通过的测试项时,第二LED点亮控制模块控制点亮对应的LED。
9.根据权利要求7所述的NVME硬盘测试方法,其特征在于,所述方法还包括下述步骤:
待测NVME硬盘在位状态识别模块对所述硬盘接口的硬盘插入状态进行识别判断;
状态确定模块与所述待测NVME硬盘进行底层握手交互,确定所述待测NVME硬盘的带宽和速率。
10.根据权利要求7所述的NVME硬盘测试治具,其特征在于,所述读写功能测试模块控制读取所述待测NVME硬盘的SMART日志后,控制与待测NVME硬盘进行通信交互,校验判断所述待测NVME硬盘的读写功能是否正常的步骤具体包括包括下述步骤:
写模块控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Write命令,交替将8’b01010101和8’b10101010的byte写入NVME硬盘中,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示所述待测NVME硬盘已接收到数据和命令;
读模块控制向所述待测NVME硬盘发送1K Memory Read Request命令,将写入的byte读取出来,其中,当接收到所述待测NVME硬盘反馈的ACK_DLLP时,表示命令已经被接收;
校验判断模块对从所述待测NVME硬盘读取的数据进行读写功能的校验判断。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010154807.6A CN111462809A (zh) | 2020-03-08 | 2020-03-08 | 一种nvme硬盘测试治具及测试方法 |
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CN113204456A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-03 | 山东英信计算机技术有限公司 | 一种服务器vpp接口的测试方法、治具、装置及设备 |
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