CN111458805A - 具有grin光纤的波长不敏感扩展光束 - Google Patents
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Abstract
公开了一种特别适合用于高能激光应用的GRIN光纤透镜连接系统。在一个方面,公开了在很宽的光谱范围(例如约200nm,300nm或者400nm)上有效的一种GRIN光纤透镜扩展光束系统,其用于耦合一个光纤(例如单模态光纤)和另一光纤。例如,GRIN光纤透镜扩展光束系统在从约400nm到约800nm,从约190nm到约390nm,或者从约1270nm到约1650nm的波长范围上是有效的。也公开了用于设计这种耦合系统的方法。在另一示例中,该GRIN光纤透镜的芯基本没有锗,并且覆层掺杂有元素,例如氟,其降低了覆层的折射率。
Description
本申请是申请日为2013年4月8日、申请号为201380024546.4、名为“具有GRIN光纤的波长不敏感扩展光束”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明通常涉及光纤之间的互相连接,更具体地涉及使用梯度折射率(GRIN)光纤透镜来进行具有高带宽并且适于高能应用的光纤连接。
背景技术
光纤具有从高速数据通信系统到使用高能激光的外科医疗装置的广泛范围的应用。经常在光纤系统中需要光连接器,以用于如下目的:拼接光缆并且使得各种激光工具附接到光缆上。持续需要提供一种高效光连接器,用于使得光传输时的能量损失最小。传统的光连接器,尤其是那些用于高能激光应用的光连接器,其或者还没有被设计成使得对于宽光谱光束的由于多色色散导致的损失最小,或者对于透镜的材料具有非常严格的要求。
本发明公开了一种用于耦合光纤的基于GRIN-透镜的连接(GRIN-lens-basedconnection),和用于设计这种连接的方法。
发明内容
本发明提出了特别适合用于高能激光应用的GRIN光纤透镜连接系统。在一个方面,公开了在宽的光谱区上(例如约200nm,300nm or400nm的范围)有效的GRIN光纤透镜扩展光束系统,其用于耦合一个光纤(例如单模态光纤)到另一光纤。在一个示例中,GRIN光纤透镜扩展光束系统在从约400nm到约800nm的波长范围上是有效的。在另一示例中,该波长范围是从约190nm到约390nm。在再一示例中,该波长范围从约1270nm到约1650nm。
在用于设计这种耦合系统的典型方法中,根据包含例如从塞耳迈耶尔方程得出的抛物线形折射率分布的波长依赖性的关系,能使得覆层掺杂浓度最优化,使得在所需波长范围内的两种或者多种波长上在1/2-间距的GRIN光纤透镜中的差异最小化。这样得出的关系能够建立覆层掺杂浓度水平,使得芯折射率与作为波长函数的覆层折射率具有基本固定的关系。
在本发明中示出的示例中,GRIN光纤透镜的芯基本没有锗,锗对于UV波长范围内的光的传输是有害的。代替的是,GRIN光纤透镜的覆层掺杂有元素,例如氟,其降低覆层的折射率。该元素(例如氟)的掺杂水平可被选择,使得对于至少两种预定波长的半间距长度zp相同。
在本发明的示例中提出的设计方法允许在用于制造光纤的材料的限制内最优化波长独立的GRIN光纤透镜。
附图说明
图1示意性示出了根据本发明的一个方面的GRIN连接系统。
图2(a)示出了在典型的传统的扩展光束连接系统中作为沿着GRIN光纤透镜的光轴的位置的函数的模场半径的说明图,图2(b)是图2(a)的图的放大部分。
图3(a)示出了在根据本发明的一个方面的扩展光束连接系统中作为沿着GRIN光纤透镜的光轴的位置的函数的模场半径的说明图,图3(b)是图3(a)的图的放大部分。
图4绘图示出了在根据本发明的一个方面的GRIN光纤透镜的覆层中用于最佳氟掺杂水平的数值结果。
图5示出了用于根据本发明的一个方面的最优化的GRIN光纤透镜的作为波长的函数的半间距长度Zp的失配的绘图。
图6示出了根据本发明的一个方面在具有50μm芯直径的扩展光束连接系统中作为沿着GRIN光纤透镜的光轴的位置的函数的模场半径的绘图。
图7示出了根据本发明的一个方面在具有62.5μm的芯直径的扩展光束连接系统中作为沿着GRIN光纤透镜的光轴的位置的函数的模场半径的绘图。
图8示出了根据本发明的一个方面在具有80μm的芯直径的扩展光束连接系统中作为沿着GRIN光纤透镜的光轴的位置的函数的模场半径的绘图。
图9示出了根据本发明的一个方面在具有100μm的芯直径的扩展光束连接系统中作为沿着GRIN光纤透镜的光轴的位置的函数的模场半径的绘图。
图10示出了根据本发明的一个方面在具有50μm的芯直径的扩展光束连接系统中作为GRIN光纤透镜的总长度的函数的信号衰减。
图11示出了根据本发明的一个方面在具有62.5μm的芯直径的扩展光束连接系统中作为GRIN光纤透镜的总长度的函数的信号衰减。
图12示出了根据本发明的一个方面在具有80μm的芯直径的扩展光束连接系统中作为GRIN光纤透镜的总长度的函数的信号衰减。
图13示出了根据本发明的一个方面在具有100μm的芯直径的扩展光束连接系统中作为GRIN光纤透镜的总长度的函数的信号衰减。
具体实施方式
在两个光纤之间的可拆卸连接中的连接界面处,需要降低能量密度,以减少由于光纤失准、粉尘侵入等导致的光能衰减。因此需要扩展光束解决方案。由短长度GRIN光纤实现的透镜便于光束的扩展,因而在透镜的半长度(1/4间距)处选定界面。但是,当GRIN没有仔细被设计时,这种方案趋于材料色射,即传输是波长依赖的,这导致了对于各种波长的低效耦合。此外,光纤芯区通常具有锗掺杂,以增加折射率。在高能UV波长处,锗的存在是不允许的。在本发明中公开的某些示例的目的是通过氟掺杂产生梯度折射率分布,使得连接器能够在UV波长上有效操作。在有些示例中,使用纯硅芯,并且氟的浓度被调节成使得该系统变成对于重要光谱区是充分波长独立的。
在图1中示意性示出了根据本发明的一个方面的一种典型的GRIN光纤透镜扩展光束连接系统100。在这种配置中,可包括具有界面160的两个单独的半段110a和110b的GRIN光纤透镜110分别在界面130和150处光连接两个光纤120和140。在该示例中,GRIN光纤透镜和光纤120和140是实心圆柱形,每个具有沿着z轴对齐的光轴。GRIN光纤透镜110在该示例中由两个光纤节段110a和110b构成,该两个光纤节段110a和110b具有与该节段110a和110b分别被连接到其上的光纤120和140相同的直径,但是可以具有其它的截面尺寸。另外,在两个半段110a和110b之间的界面160可以是在两个半段之间的接触界面,但是也可以是气隙、真空间隙或者填充有另一种介质的间隙。在气隙或者真空间隙的情况下,透镜110的总长度是节段110a和110b的长度之和。
光纤120和130可以是任何合适的光纤,包括单模态光纤。
在该示例中,GRIN光纤透镜110的芯在x-y面中具有基本抛物线形的折射率分布。即,折射率n(r)可通常被表达为在x-y面中距离光轴的距离r的下列函数:
其中,nco是在GRIN光纤透镜的中心(即,沿着光轴)处的芯折射率,并且Δ涉及到芯和覆层的折射率之间的差。覆层折射率ncl贯穿覆层区都是常数,并且通常是在芯的半径R处的数值n(r)。
为了获得芯的折射率的抛物线形分布,通常使用掺杂元素(例如锗),其提高主材料(例如硅)的折射率。但是,锗对于UV光的传输是有害的,UV光在某些高能激光应用中是重要的光谱色。因此,在根据本发明的GRIN光纤透镜的有些示例中,不使用锗掺杂。代替的是,氟被掺杂在覆层中,以降低覆层的折射率。此外,通过远离芯的中心放射状地逐步增加氟浓度,在芯中产生抛物线形的折射率。在覆层区域,氟浓度全部被保持基本恒定。
该连接系统被调节成使得光的传输在所需的范围上基本上独立于波长,例如在200nm,300nm或者400nm的范围内。在一个示例中,连接系统被调节成使得光的传输在从约405nm到约800nm的波长范围上基本上独立于波长。在另一示例中,波长范围是从约190nm到约390nm。在再一示例中,波长范围是从约1270nm到约1650nm。
如在该申请中使用的,“基本独立”意味着用于波长范围(例如405nm和800nm)的半间距长度的差别不大于约1μm。在一个示例中,例如通过在覆层中以合适水平进行氟掺杂,该系统被调节成使得半间距长度zp对于在所需波长范围内的两种特定波长而言基本上相同。例如,在所需范围的相对的端部处或者其附近的两种波长可被设置成基本相同。作为一个更加特定的示例,用于405nm和800nm的zp可被设置成与用于从405nm到800nm的范围的相同。
该连接系统能可选地被调节成满足其它状态。例如,该系统例如通过氟掺杂可被调节成使得用于几种选定波长的zp的总伸展(例如基于最小平方的和)可被最小化。
下面是根据本发明的一个方面用于实现基本波长独立的连接的典型方法的概要。用于抛物线形分布的光线半周期是(例如参见A.W.Snyder,“Optical Waveguide Theory”,1983)
考虑到线性偏振(LP)模场与无限抛物线折射率分布关联。该近似简化了计算,因为场根据拉盖尔多项式分析得出。在计算了重叠积分之后,在GRIN中的总电场作为具有其幅值的所有导模的和:
其中,(l,m)表示方位角和径向指数,其中β表示传播系数。
然后由模电磁场的结构干涉引起场扩展。在图2(a)中,1/e2光束宽度被描绘为纵向坐标的函数。注意到,尤其从图2(b)注意到,半间距长度是波长依赖的。GRIN光纤透镜的总长度可被选择,以使得对于各种波长总模场直径最小。例如,在图2(a)和2(b)示出的情况下,总GRIN光纤透镜110的最优长度是约0.558mm。
通过适当地设置材料参数,能够获得半间距长度基本是波长独立的连接系统,如图3(a)和3(b)所示。下面的示例性方法被用于调整材料属性以获得这样的结果。
对于给出的折射率分布,很好地理解近似模电磁场理论(参见A.Ghatak和K.Thyagarajan,“An Introduction to Fiber Optics”,第一版,Cambridge UniversityPress,1998)。给出电场和磁场,强度分布可由下述给出
由根据z项得出
其中,用于抛物线形折射率分布的传播系数β得出
使用泰勒展开式,β可由下述近似得出
传播系数被均匀隔开。考虑到场被传播长度zp到所有的相构造都相对于基模变成2π的倍数,即,
其中,对于第一半周期要求,
2Δβzp=2π。
对于退化震荡模组的相结构干涉的情况而言,我们已经推导出用于半间距长度zp的闭合形表达式:
因此,长度zp取决于R,光束扩展同样如此。同样地,当考虑了几何光学方法时,可以得到抛物线形分布的半间距长度(光线半周期)是(参见:例如A.W.Snyder,“OpticalWaveguide Theory”,1983)
考虑了波长依赖折射率分布,在覆层中的氟浓度可被选择为使得zp的分子和分母同样变化。如果我们然后例如用塞耳迈耶尔方程说明芯和覆层折射率的波长依赖,那么我们能将氟浓度(XF)的最小化问题公式表达为未知参数。例如,氟浓度(XF)可被选择为使其用于波长405nm和800nm,
用于该方程的解答可容易获得,如图4所示。在该特定的示例中,氟的最佳摩尔分数是约0.016。由此导致的光纤在整个光谱上不是波长独立的,如图5所示。但是,对于重要的区域是基本独立的,如下面概括的数据所例证:
半径R[μm] | 平均值z<sub>p</sub>[mm] | 变量[μm] |
25 | 0.512 | +/-0.3 |
31.25 | 0.640 | +/-0.4 |
40 | 0.819 | +/-0.5 |
给出覆层中的最佳氟浓度,GRIN光纤透镜的总长度对于波长范围内的各种波长而言可通过对于zp的最小平方计算容易获得。对于图3中的示例,光透镜长度是约0.525mm。
示例:
一旦覆层浓度已经固定(并且因而NA固定),增加半径R就增加zp,但是也增加光束扩展。在下面的示例中,给出了用于具有上述的最优氟掺杂的GRIN光纤透镜的MFR分布和其它数据的示例。
示例1
在图6中绘制了用于R=50μm对于不同波长作为z位置的函数的MFR。一些关联数据示出在下面的表中:
λ[nm] | MFD(0)[μm] | MFD(z<sub>p</sub>/2)[μm] | 扩展因数 |
405 | 3 | 16.9 | 5.5 |
488 | 3.4 | 16.5 | 4.9 |
560 | 3.8 | 15.4 | 4.1 |
640 | 4.3 | 13.7 | 3.2 |
800 | 5.8 | 9.5 | 1.7 |
在图10中示出了对于各种波长而言对于总透镜长度的灵敏度,其根据作为z位置的函数的能量衰减表达。从图10中看出,为了保持低于0.2dB的衰减,长度上的公差是约10μm。
示例2
在图7中绘制了用于R=62.5μm对于不同波长的作为z位置的函数的MFR。一些关联数据示出在下面的表中:
λ[nm] | MFD(0)[μm] | MFD(z<sub>p</sub>/2)[μm] | 扩展因数 |
405 | 3 | 21.3 | 7 |
488 | 3.4 | 20.6 | 6.1 |
560 | 3.8 | 19.3 | 5.1 |
640 | 4.3 | 16.9 | 4 |
800 | 5.8 | 12 | 2.1 |
在图11中示出了对于各种波长而言对于总透镜长度的灵敏度,其根据作为z位置的函数的能量衰减表达。从图11中看出,为了保持低于0.2dB的衰减,长度上的公差保持约10μm。
示例3
在图8中绘制了用于R=80μm对于不同波长的作为z位置的函数的MFR。一些关联数据示出在下面的表中:
λ[nm] | MFD(0)[μm] | MFD(z<sub>p</sub>/2)[μm] | 扩展因数 |
405 | 3 | 27.3 | 8.9 |
488 | 3.4 | 26.4 | 7.8 |
560 | 3.8 | 24.5 | 6.5 |
640 | 4.3 | 22 | 5.1 |
800 | 5.8 | 15.3 | 2.6 |
在图12中示出了对于各种波长而言对于总透镜长度的灵敏度,其根据作为z位置的函数的能量衰减表达。从图12中看出,为了保持低于0.2dB的衰减,长度上的公差保持约10μm。
示例4
在图9中绘制了用于R=100μm对于不同波长的作为z位置的函数的MFR。一些关联数据示出在下面的表中:
λ[nm] | MFD(0)[μm] | MFD(z<sub>p</sub>/2)[μm] | 扩展因数 |
405 | 3 | --- | --- |
488 | 3.4 | 26.4 | 9.7 |
560 | 3.8 | 24.5 | 8.1 |
640 | 4.3 | 22 | 6.3 |
800 | 5.8 | 15.3 | 3.3 |
在图13中示出了对于各种波长而言对于总透镜长度的灵敏度,其根据作为z位置的函数的能量衰减表达。从图13中看出,为了保持低于0.2dB的衰减,长度上的公差保持约10μm。
因此,根据本发明已经获得了基本波长独立的GRIN光纤透镜连接。因为在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可作出本发明的许多实施例,所以本发明的权利存在于下文所附的权利要求书中。
Claims (15)
1.一种用于光连接两个光纤的光耦合系统,所述系统包括限定光轴和沿着所述光轴隔开设置的两端部的梯度折射率(“GRIN”)光纤透镜,
所述GRIN光纤透镜能够光连接到两个光纤上,每个光纤处于所述两端中的相应的一个处,
所述GRIN光纤透镜具有在至少200nm的波长范围上差别不大于1μm的半间距长度,
所述GRIN光纤透镜进一步限定沿着所述光轴的所述半间距长度的整数倍的总透镜长度,并且
所述GRIN光纤透镜包括沿着所述光轴限定的芯和轴向围绕所述芯的覆层,所述芯具有不高于纯硅的折射率,并且所述覆层在所述至少200nm的波长范围上比纯硅具有更低的折射率,
其特征在于,所述GRIN光纤透镜没有锗。
2.根据权利要求1所述的光耦合系统,其特征在于,所述覆层掺杂有氟。
3.根据权利要求2所述的光耦合系统,其特征在于,覆层包含0.016摩尔分数的氟。
4.根据权利要求1所述的光耦合系统,其特征在于,所述GRIN光纤透镜的总透镜长度是一个半间距长度。
5.根据权利要求1所述的光耦合系统,其特征在于,所述波长范围为至少300nm。
6.根据权利要求5所述的光耦合系统,其特征在于,所述波长范围为至少400nm。
7.根据权利要求6所述的光耦合系统,其特征在于,所述波长范围为至少405nm至800nm。
8.根据权利要求1所述的光耦合系统,其特征在于,用于两种波长的所述半间距长度差别不大于100nm。
9.根据权利要求8所述的光耦合系统,其特征在于,用于405nm和800nm的所述半间距长度差别不大于1μm。
10.根据权利要求1所述的光耦合系统,其特征在于,所述GRIN光纤透镜包括由其间的界面分隔开的两个透镜部分。
11.根据权利要求8所述的光耦合系统,其特征在于,所述两个光纤是单模态光纤。
12.一种光学系统,包括:
根据权利要求1-11中的任一项所述的光耦合系统,和
两个光纤,每个所述光纤限定端部,每个光纤的所述端部与所述GRIN光纤透镜的所述两个端部中的对应的一个界面连接。
13.一种制造根据权利要求1-11中的任一项所述的光耦合系统的方法,所述光耦合系统用于使得一个光纤的光束传输进另一光纤中,所述方法包括:
选定一定范围的波长,所述耦合系统用于在所述一定范围的波长上传输;
提供GRIN光纤透镜,所述GRIN光纤透镜限定光轴和沿着所述光轴分开设置的两端部,所述GRIN光纤透镜可光连接到两个光纤上,每个所述光纤处于所述两端部中的对应的一个上,
确定用于所述GRIN光纤透镜的组分分布,使得
所述GRIN光纤透镜光能的衰减对于在所述选定的波长范围内的所有波长而言都小于1dB,并且
对于在所述波长范围内的两种波长的所述半间距长度差别不大于1μm;
所述GRIN光纤透镜具有所述确定的组分分布,并且限定了沿着所述光轴的所述半间距长度的整数倍的总透镜长度。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述波长范围包括UV波长,并且,所述确定的组分是无锗的,且在所述GRIN光纤透镜的覆层上包括氟。
15.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述选定的波长范围是从405nm到800nm,并且,确定所述组分分布的步骤包括:确定组分范围,使得用于405nm和800nm的所述半间距长度差别不大于1μm。
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