CN111447817A - 一种改善系统级的电磁干扰的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种改善系统级的电磁干扰的方法,包括下列步骤:给定系统的尺寸和内部结构;确定屏蔽外壳内部以TE10单模传输时的频率范围;确定屏蔽外壳内部以TE10单模传输时的谐振频率范围;在屏蔽外壳内部添加金属隔板,确定金属隔板在屏蔽外壳的位置。

Description

一种改善系统级的电磁干扰的方法
技术领域
本发明属于电磁兼容的领域,是一种通过改变屏蔽外壳内部腔体结构改变屏蔽外壳的谐振频率,从而改善系统级电磁干扰的方法。
背景技术
在工程中,对于某一频率或某一频段的电磁干扰要求很严格,如GPS、GLONASS。如果在该频率范围内,屏蔽外壳发生谐振,则会恶化电磁干扰。
在屏蔽外壳内部进行分腔处理,即加入金属隔板,可以很好的避免在该频率范围内进行谐振。
发明内容
本专利的目的是提供一种改善系统级的电磁干扰的方法,通过改变屏蔽外壳的谐振频率,有效的降低某频率范围内的电磁干扰。技术方案如下:
一种改善系统级的电磁干扰的方法,包括下列步骤:
1)给定系统的尺寸和内部结构,设系统屏蔽外壳尺寸为a×b×l,噪声源位于PCB电路板上,噪声源距离屏蔽外壳一侧腔体为l0,l0>l-l0,PCB距离屏蔽外壳底部h,将PCB电路板固定在屏蔽外壳内部;
2)确定屏蔽外壳内部以TE10单模传输时的频率范围,信号在波导内传输时,信号的截止频率计算公式:
Figure BDA0002381548150000011
式中,fc为信号在波导内传输时信号的截止频率,m、n代表波指数,c为真空中的波速,a×b为波导的横截面尺寸,a>b;根据式(1)分别计算TE10的截止频率为fc1,TE11的截止频率为fc2,TE20的截止频率为fc3,频率f∈(fc1,min{fc2,fc3})以TE10单模传输;
3)确定屏蔽外壳内部以TE10单模传输时的谐振频率范围,信号在波导内传输时,信号的谐振频率计算公式:
Figure BDA0002381548150000012
式中,f0为信号在波导内传输时信号的谐振频率,m、n、p代表波指数,c为真空中的波速,l为波导的腔长度,a×b为横截面尺寸,a>b,计算m=1、n=0、p=1时,TE101的最低谐振频率为f0,频率f∈(f0,min{fc2,fc3}),在该腔体内发生谐振;
4)在屏蔽外壳内部添加金属隔板,确定金属隔板在屏蔽外壳的位置:设系统内需要抑制的频率F∈(f0,min{fc2,fc3}),在屏蔽外壳腔体内部添加金属隔板,金属隔板距离屏蔽外壳一侧为d,当d=l1时,包含噪声源的腔体内的最低谐振频率f0=F;在l1<d<l-l1处添加金属隔板,抑制在频率F处的系统级的电磁干扰。
附图说明
图1系统模型立体示意图
图2加入隔板后的系统模型立体示意图
图3加入隔板后的系统模型俯视图
具体实施方式
矩形屏蔽外壳可以等效为矩形波导。在腔长度为l,横截面尺寸为a×b的矩形波导中。传输波的形式是横电波和横磁波。对于以波指数为m、n表征的正规波TEmn和TMmn,其对应的截止波长为:
Figure BDA0002381548150000021
谐振波长为:
Figure BDA0002381548150000022
频率f与波长λ的关系:
Figure BDA0002381548150000023
其中,c为真空中的波速。在确定的屏蔽外壳下,屏蔽外壳的尺寸a、b和l确定。当按照单一模式进行传输时,可以确定该模式下传输的频率范围以及m和n的值。通过式(2)和式(3)确定谐振频率的范围。对于电磁干扰要求严格的频率在谐振频率范围内,可以通过改变屏蔽外壳的腔体长度l,从而改变式(3)所确定的谐振频率。
本发明的改善系统级的电磁干扰的方法,包括下列步骤:
1)给定系统的尺寸和内部结构。系统屏蔽外壳尺寸为a×b×l,噪声源位于PCB电路板上,噪声源距离屏蔽外壳左侧腔体为l0,l0>l-l0,PCB距离屏蔽外壳底部h,通过螺丝钉将PCB固定在屏蔽外壳内部;
2)确定屏蔽外壳内部以TE10单模传输时的频率范围。信号在波导内传输时,信号的截止频率计算公式:
Figure BDA0002381548150000031
式中,fc为信号在波导内传输时信号的截止频率,m、n代表波指数,c为真空中的波速,a×b为波导的横截面尺寸,a>b。根据式(4)分别计算TE10的截止频率为fc1,TE11的截止频率为fc2,TE20的截止频率为fc3,频率f∈(fc1,min{fc2,fc3})以TE10单模传输。
3)确定屏蔽外壳内部以TE10单模传输时的谐振频率范围。信号在波导内传输时,信号的谐振频率计算公式:
Figure BDA0002381548150000032
式中,f0为信号在波导内传输时,信号的谐振频率,m、n、p代表波指数,c为真空中的波速,l为波导的腔长度,a×b为横截面尺寸,a>b。根据式(5)计算m=1、n=0、p=1时,TE101的最低谐振频率为f0。频率f∈(f0,min{fc2,fc3}),可以在该腔体内发生谐振。
4)在屏蔽外壳内部添加金属隔板,确定金属隔板在屏蔽外壳的位置。系统内需要抑制的频率F∈(f0,min{fc2,fc3}),在屏蔽外壳腔体内部添加金属隔板,金属隔板距离屏蔽外壳左侧为d。根据式(5)计算,当d=l1时,包含噪声源的腔体内的最低谐振频率f0=F。在l1<d<l-l1处添加金属隔板,可以抑制在频率F处的系统级的电磁干扰。
5)采用HFSS仿真软件对添加金属隔板前后的系统进行建模仿真,得出系统级的电磁干扰数值,对这两种情况的电磁干扰进行对比。
下面结合附图和实施例对本发明进行说明。
屏蔽外壳与电路板的模型立体图如图1所示,该图介绍了FR4电路板与屏蔽外壳的位置关系,其中屏蔽外壳的尺寸为a×b×l,电路板距离屏蔽外壳h mm。当a=140mm,b=49mm,l=180mm,h=6mm时,根据式(1)和式(3),可得λ∈(140.2mm,280.4mm),即频率f∈(1.07GHz,2.14GHz)以TE10单模传输,此时最低的谐振模式为TE101。根据式(2)和式(3),可得最低谐振频率为f0=1.36GHz。当频率f∈(1.07GHz,1.36GHz),在该波导中不会发生谐振,当频率f∈(1.36GHz,2.14GHz),可能会发生谐振。对于工程,比较关注GPS和GLONASS频段,比如1.6GHz,1.6GHz∈(1.36GHz,2.14GHz),在该频率下可能发生谐振,采用HFSS仿真软件对该模型进行仿真。
2、在屏蔽外壳内部添加金属隔板,立体图如图2所示,平面俯视图如图3所示。电路板上存在噪声源,噪声源的位置距离金属屏蔽外壳的左侧较远,因此将金属隔板放置在噪声源的左侧,金属隔板距离屏蔽外壳左侧为dmm。该模型中,根据式(2)和式(3)计算可得,只有当d>53.4mm时,系统在1.6GHz处不发生谐振。然而当d<53.4mm时,系统在1.6GHz处的谐振情况不确定,采用HFSS仿真软件对该模型进行仿真。
表1加入屏蔽外壳后的系统的电磁干扰强度
Figure BDA0002381548150000041
3、上述仿真结果如表1所示,对仿真结果进行比较。仿真结果表明,当d=0mm时,即没有在屏蔽外壳加入隔板,此时系统的电磁干扰为4.1dBμV。当d=30mm时,电磁干扰为9.2dBμV,电磁干扰反而增强了,表明系统在1.6GHz处发生谐振。当d=45mm时,电磁干扰强度为-9.9dBμV,电磁干扰降低,此时系统在1.6GHz处的谐振减弱。表明当d<53.4mm时,系统在1.6GHz处不确定是否发生谐振。但是d=60mm和90mm时,电磁干扰强度降低,表明当d>53.4mm时,系统在1.6GHz处不发生谐振。对于该系统,在频率1.6GHz处,改变金属隔板的位置可以改变电磁干扰的影响。因此在某些位置添加金属隔板可以改变特定频率下的谐振,从而降低该频率下系统级的电磁干扰强度。

Claims (1)

1.一种改善系统级的电磁干扰的方法,包括下列步骤:
1)给定系统的尺寸和内部结构,设系统屏蔽外壳尺寸为a×b×l,噪声源位于PCB电路板上,噪声源距离屏蔽外壳一侧腔体为l0,l0>l-l0,PCB距离屏蔽外壳底部h,将PCB电路板固定在屏蔽外壳内部。
2)确定屏蔽外壳内部以TE10单模传输时的频率范围,信号在波导内传输时,信号的截止频率计算公式:
Figure RE-FDA0002523873660000011
式中,fc为信号在波导内传输时信号的截止频率,m、n代表波指数,c为真空中的波速,a×b为波导的横截面尺寸,a>b;根据式(1)分别计算TE10的截止频率为fc1,TE11的截止频率为fc2,TE20的截止频率为fc3,频率f∈(fc1,min{fc2,fc3})以TE10单模传输;
3)确定屏蔽外壳内部以TE10单模传输时的谐振频率范围,信号在波导内传输时,信号的谐振频率计算公式:
Figure RE-FDA0002523873660000012
式中,f0为信号在波导内传输时信号的谐振频率,m、n、p代表波指数,c为真空中的波速,l为波导的腔长度,a×b为横截面尺寸,a>b,计算m=1、n=0、p=1时,TE101的最低谐振频率为f0,频率f∈(f0,min{fc2,fc3}),在该腔体内发生谐振;
4)在屏蔽外壳内部添加金属隔板,确定金属隔板在屏蔽外壳的位置:设系统内需要抑制的频率F∈(f0,min{fc2,fc3}),在屏蔽外壳腔体内部添加金属隔板,金属隔板距离屏蔽外壳一侧为d,当d=l1时,包含噪声源的腔体内的最低谐振频率f0=F;在l1<d<l-l1处添加金属隔板,抑制在频率F处的系统级的电磁干扰。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113194704A (zh) * 2021-05-10 2021-07-30 西安电子科技大学 一种用于保护腔体内部工作电路的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1162849A (zh) * 1996-03-01 1997-10-22 株式会社村田制作所 介电集成非辐射介电波导超导带通滤波装置
US20030117786A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Intel Corporation Electromagnetic interference waveguide shield with absorber layer
CN102722000A (zh) * 2012-07-16 2012-10-10 北京邮电大学 一种基于光子晶体的微波光子滤波器实现方法
CN106199287A (zh) * 2016-08-19 2016-12-07 华北电力大学 一种基于矩形波导的材料电场屏蔽效能测试系统和方法
CN106940405A (zh) * 2017-03-24 2017-07-11 华北电力大学 一种微波屏蔽服屏蔽效能测试系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1162849A (zh) * 1996-03-01 1997-10-22 株式会社村田制作所 介电集成非辐射介电波导超导带通滤波装置
US20030117786A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Intel Corporation Electromagnetic interference waveguide shield with absorber layer
CN102722000A (zh) * 2012-07-16 2012-10-10 北京邮电大学 一种基于光子晶体的微波光子滤波器实现方法
CN106199287A (zh) * 2016-08-19 2016-12-07 华北电力大学 一种基于矩形波导的材料电场屏蔽效能测试系统和方法
CN106940405A (zh) * 2017-03-24 2017-07-11 华北电力大学 一种微波屏蔽服屏蔽效能测试系统

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
路宏敏等: "有孔阵矩形机壳屏蔽效能研究", 《兵工学报》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113194704A (zh) * 2021-05-10 2021-07-30 西安电子科技大学 一种用于保护腔体内部工作电路的方法

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