CN111435673A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开了显示装置。显示装置包括限定有第一像素区和第二像素区的第一衬底、包括第一显示元件和第二显示元件的第二衬底、具有第一折射率的第一层和具有第二折射率的第二层。第一衬底包括布置在第一像素区中的第一波长转换层和布置在第二像素区中的第二波长转换层。第一层与第二层之间的全反射临界角小于从第一显示元件发射并且入射到第二波长转换层中的光的入射角。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年1月15日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0004979号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体地并入本文。
技术领域
本发明构思的示例性实施方式涉及具有经改善的图像品质的显示装置及其制造方法。
背景技术
显示装置包括用于表示期望颜色的波长转换构件。波长转换构件包括特定颜色的颜料颗粒或发射特定颜色的光的发光体。在从像素区提供的光被提供给与其相邻的波长转换部的情况下,可能发生光不仅从与像素区对应的波长转换部发射,而且还从相邻的波长转换部发射的颜色混合问题。
发明内容
本发明构思的示例性实施方式提供了具有经改善的图像品质的显示装置和显示装置的制造方法。
根据本发明构思的示例性实施方式,显示装置包括限定有第一像素区和第二像素区的第一衬底、包括第一显示元件和第二显示元件的第二衬底、第一层和第二层。第一显示元件布置在与第一像素区对应的位置处,并且第二显示元件布置在与第二像素区对应的位置处。第一层布置在第一衬底与第二衬底之间。第一层具有第一折射率。第二层布置在第一衬底与第一层之间。第二层具有比第一折射率更低的第二折射率。第一衬底包括基础层、布置在基础层下方并且在第一像素区中的第一波长转换层和布置在基础层下方并且在第二像素区中的第二波长转换层。第一层与第二层之间的全反射临界角小于从第一显示元件发射并且入射到第二波长转换层中的光的入射角。
在示例性实施方式中,第一衬底还包括限定在其中的第三像素区,第二衬底还包括布置在与第三像素区对应的位置处的第三显示元件,并且第一衬底还包括布置在基础层下方并且在第三像素区中的光学透明层。
在示例性实施方式中,全反射临界角小于从第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件中的一个发射并且入射到第一波长转换层、第二波长转换层和光学透明层中不与第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件中的一个对应的一个中的光的最小入射角。
在示例性实施方式中,第一衬底还包括覆盖第一波长转换层、第二波长转换层和光学透明层的保护层。保护层布置在第二层与第一波长转换层、第二波长转换层和光学透明层之间。
在示例性实施方式中,第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件中的每个包括第一电极、第二电极和布置在第一电极与第二电极之间并且提供源光的发射层。第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件的发射层彼此连接。
在示例性实施方式中,光学透明层包括基础树脂和分散在基础树脂中的散射物体。第一波长转换层包括转换源光的波长的第一发光体,并且第二波长转换层包括转换源光的波长并且与第一发光体不同的第二发光体。
在示例性实施方式中,源光为蓝色光。
在示例性实施方式中,发射层包括至少两个子发射层。
在示例性实施方式中,第一衬底还包括布置在基础层与第一波长转换层之间的第一滤色器层、布置在基础层与第二波长转换层之间的第二滤色器层和布置在基础层与光学透明层之间的第三滤色器层。
在示例性实施方式中,第一滤色器层为红色滤色器层,第二滤色器层为绿色滤色器层,并且第三滤色器层为蓝色滤色器层。
根据本发明构思的示例性实施方式,显示装置包括底板和顶板,底板包括多个发光区,并且顶板包括基础层和布置在基础层下方的多个光学层,其中,多个光学层以一对一的方式对应于发光区。显示装置还包括第一层和第二层,第一层布置在底板与顶板之间,第一层具有第一折射率,并且第二层布置在第一层与顶板之间,第二层具有比第一折射率更低的第二折射率。第一折射率和第二折射率满足其中,n1为第一折射率,n2为第二折射率,DT1为发光区中的一个与布置在发光区中的一个上的多个光学层中的一个之间的距离,并且DT2为多个光学层中的两个相邻的层之间的距离。
在示例性实施方式中,发光区提供蓝色光,并且多个光学层包括将蓝色光转换成红色光的第一波长转换层、将蓝色光转换成绿色光的第二波长转换层和透射蓝色光的光学透明层。
在示例性实施方式中,DT2为第一波长转换层与第二波长转换层之间的第一距离、第二波长转换层与光学透明层之间的第二距离和第一波长转换层与光学透明层之间的第三距离的最小距离。
在示例性实施方式中,顶板还包括布置在基础层与第一波长转换层之间的红色滤色器层、布置在基础层与第二波长转换层之间的绿色滤色器层和布置在基础层与光学透明层之间的蓝色滤色器层。
在示例性实施方式中,顶板还包括覆盖多个光学层的保护层。保护层布置在第二层与多个光学层之间。
根据本发明构思的示例性实施方式,显示装置的制造方法包括:形成包括第一波长转换层和第二波长转换层的第一衬底;以及形成包括第一显示元件和第二显示元件的第二衬底,其中,第一显示元件形成在与第一波长转换层对应的位置处,并且第二显示元件形成在与第二波长转换层对应的位置处。该方法还包括:在第一衬底上形成低折射层;以及在低折射层与第二衬底之间形成高折射层。高折射层具有第一折射率,低折射层具有比第一折射率更低的第二折射率,并且第二折射率基于高折射层的厚度和第一折射率来确定。
在示例性实施方式中,高折射层与低折射层之间的全反射临界角小于从第一显示元件发射并且入射到第二波长转换层中的光的入射角。
在示例性实施方式中,形成第一衬底包括:形成基础层;在基础层的表面上形成多个滤色器层;在多个滤色器层上形成第一波长转换层、第二波长转换层和光学透明层,以及在第一波长转换层、第二波长转换层和光学透明层上形成保护层。低折射层形成在保护层上。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施方式,本发明构思的上述和其它特征将变得更加明确,在附图中:
图1是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的透视图;
图2是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的剖面图;
图3是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的一部分的放大剖面图;
图4A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示元件的剖面图;
图4B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示元件的剖面图;
图4C是示出根据本发明构思的实施方式的显示元件的剖面图;
图5是示意性地示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的一部分的剖面图;
图6是示出根据本发明构思的示例性实施方式的相对于第一层的厚度的入射角中的变化的曲线图;
图7是示出根据本发明构思的示例性实施方式的相对于第二折射率的全反射临界角的曲线图;
图8是示意性地示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的一部分的剖面图;
图9A至图9D是示意性地示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的制造方法的剖面图;以及
图10是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的一部分的放大剖面图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图对本发明构思的示例性实施方式进行更加全面地描述。在整个附图中,相同的附图标记可指示相同的元件。
应理解,当诸如膜、区、层或元件的部件被称为“在”另一部件“上”、“连接到”、“耦接到”或“相邻于”另一部件时,其可直接在另一部件上、直接连接到、耦接到或相邻于另一部件,或者也可存在有中间部件。还应理解,当部件被称为在两个部件“之间”时,该部件可为两个部件之间的唯一部件,或者也可存在有一个或更多个中间部件。还应理解,当部件被称为“覆盖(covering)”另一部件时,其可为覆盖另一部件的唯一部件,或者一个或更多个中间部件也可覆盖另一部件。
应理解,尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或者部分,但是这些元件、部件、区、层和/或者部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或者部分与另一元件、部件、区、层或者部分区分开。因此,下面讨论的第一元件、部件、区、层或者部分可被称为第二元件、部件、区、层或者部分,而不背离示例实施方式的教导。
空间相对术语诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”等可在本文中为了描述的便利而使用,以描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。应理解,除了图中所示的取向以外,空间相对术语旨在包含装置在使用或操作中的不同取向。例如,如果图中的装置被翻转,则被描述为在其它元件或者特征“下方(below)”或“下面(beneath)”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方”。因此,示例性术语“下方”可包含上方和下方的取向这两者。装置可以以其它方式取向(旋转90度或者在其它取向),并且本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。
除非上下文中另有明确指示,否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。
在本文中参考作为示例性实施方式的理想化实施方式(和中间结构)的示意图的剖面图对本发明构思的示例性实施方式进行描述。由此,由例如制造技术和/或公差的结果所导致的图示的形状的变化是可预期的。因此,本发明构思的示例性实施方式不应被解释为受限于本文中所示出的区的特定形状,而是包括由例如通过制造而导致的形状上的偏差。
考虑到有关测量和与特定数量的测量相关的误差(即,测量系统的限制),本文所用的术语“约(about)”包括在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内的所述值和均数。例如,“约”可意味着在如本领域普通技术人员所理解的一个或更多个标准偏差内。此外,应理解,虽然参数可在本文中被描述为具有“约”某个值,但是根据示例性实施方式,参数可精确地是测量误差内的特定值或近似特定值,正如本领域普通技术人员所理解的那样。
当两个或更多个元件或值被描述为彼此基本上相同或大约相等时,应理解,这些元件或值彼此一致,彼此无法区分,或者彼此可区分、但是在功能上彼此相同,正如本领域普通技术人员所理解的那样。例如,当两个或更多个元件或值彼此基本上相同或大约相等,但彼此不相同时,应理解,两个或更多个元件或值在如本领域普通技术人员将理解的测量误差之内彼此大致相同或相等。
图1是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的透视图。
参照图1,显示装置DD可用于大型电子装置(例如电视机、显示屏和户外广告牌)或中小型电子装置(例如,个人电脑、笔记本电脑、个人数字助手、汽车导航系统、游戏机、便携式电子装置和相机)。然而,应理解,这些仅仅是发明构思的示例,并且可使用其它电子装置来实现发明构思。
显示装置DD中可限定有显示区DA和非显示区NDA。显示区DA可为显示图像的区。非显示区NDA可为不显示图像的区。在示例性实施方式中,像素PX可布置在显示区DA中,而不布置在非显示区NDA中。像素PX可意味着向用户提供图像的有效像素。
显示区DA可与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行。与显示区DA垂直的方向(例如,显示装置DD的厚度方向)将被称为第三方向DR3。每个构件的前表面或顶表面以及后表面或底表面可基于第三方向DR3来区分。
显示装置DD的边框区可由非显示区NDA限定。例如,显示装置DD的边框区可对应于非显示区NDA。非显示区NDA可为与显示区DA相邻的区。非显示区NDA可包围显示区DA。然而,本发明构思不限于此。例如,显示区DA和非显示区NDA的形状可以以相互影响的方式进行各种改变。在示例性实施方式中,非显示区NDA可被省略。
显示装置DD可包括第一衬底100和第二衬底200。第一衬底100可包括像素区和阻光区,并且第二衬底200可包括显示元件。这将在下面进行更详细地描述。第一衬底100可被称为顶板,并且第二衬底200可被称为底板。
图2是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的剖面图。图3是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的一部分的放大剖面图。
参照图2和图3,显示装置DD可包括第一衬底100、第二衬底200、第二层CL、第一层FL和密封剂SLM。图3示出了显示装置DD为有机发光显示装置的示例。第一衬底100可为波长转换衬底,并且第二衬底200可为显示衬底。例如,第一衬底100可包括能够转换入射光的波长或阻挡特定波长范围的光的材料。第二衬底200可配置成提供光或控制光的透射率。下面将对第一衬底100和第二衬底200进行更详细地描述。
第一衬底100中可限定有第一像素区PXA1、第二像素区PXA2、第三像素区PXA3和阻光区NFXA。
第一像素区PXA1可配置成提供第一颜色光,第二像素区PXA2可配置成提供第二颜色光,并且第三像素区PXA3可配置成提供第三颜色光。第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可在它们的颜色或波长方面彼此不同。例如,第一颜色光至第三颜色光中的一个可为红色光,另一个可为绿色光,并且另一个可为蓝色光。
阻光区NFXA可布置成与第一像素区PXA1、第二像素区PXA2和第三像素区PXA3相邻。阻光区NFXA可设置第一像素区PXA1、第二像素区PXA2和第三像素区PXA3中的每个的边界。阻光区NFXA可防止在第一像素区PXA1、第二像素区PXA2和第三像素区PXA3之间发生颜色混合问题。例如,在从第一像素区PXA1、第二像素区PXA2和第三像素区PXA3中的一个向与其相邻的波长转换部提供光的情况下,可能发生光不仅从与发射光的像素区对应的预期的波长转换部发射,而且还从与不同像素区对应的相邻的波长转换部发射的颜色混合问题。示例性实施方式以可防止发生这种颜色混合问题或可减小这种颜色混合问题的影响的配置来布置阻光区NFXA。另外,阻光区NFXA可阻挡源光,以使得源光不提供给用户。
第一衬底100可包括基础层BS1、第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2和第三滤色器层CF3、阻光层BM、多个光学层WCL1、WCL2和TL以及第一保护层PL1和第二保护层PL2。
基础层BS1可为包括例如硅衬底、塑料衬底、玻璃衬底、绝缘膜或多个绝缘层的堆叠。
阻光层BM可布置在基础层BS1的表面上。当在平面图中观察时,阻光层BM可与阻光区NFXA重叠。在示例性实施方式中,阻光层BM不与第一像素区PXA1、第二像素区PXA2和第三像素区PXA3重叠。例如,阻光层BM中可限定有多个开口,并且当在平面图中观察时,多个开口可与第一像素区PXA1、第二像素区PXA2和第三像素区PXA3重叠。
第一滤色器层CF1可布置在基础层BS1的表面上。例如,第一滤色器层CF1可布置在基础层BS1下方。当在平面图中观察时,第一滤色器层CF1可与第一像素区PXA1重叠。
第二滤色器层CF2可布置在基础层BS1的表面上。例如,第二滤色器层CF2可布置在基础层BS1下方。当在平面图中观察时,第二滤色器层CF2可与第二像素区PXA2重叠。
第三滤色器层CF3可布置在基础层BS1的表面上。例如,第三滤色器层CF3可布置在基础层BS1下方。当在平面图中观察时,第三滤色器层CF3可与第三像素区PXA3重叠。
第一滤色器层CF1可为红色滤色器层,第二滤色器层CF2可为绿色滤色器层,并且第三滤色器层CF3可为蓝色滤色器层。
第一保护层PL1可覆盖第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2和第三滤色器层CF3以及阻光层BM。第一保护层PL1可包括例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种。在示例性实施方式中,第一保护层PL1可被省略。
多个光学层WCL1、WCL2和TL可布置在第一保护层PL1下方。多个光学层WCL1、WCL2和TL可包括第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和光学透明层TL。
第一波长转换层WCL1可布置在第一像素区PXA1中,第二波长转换层WCL2可布置在第二像素区PXA2中,并且光学透明层TL可布置在第三像素区PXA3中。第一波长转换层WCL1可布置在第一滤色器层CF1下方,第二波长转换层WCL2可布置在第二滤色器层CF2下方,并且光学透明层TL可布置在第三滤色器层CF3下方。第一波长转换层WCL1可在第一像素区PXA1中布置在基础层BS1下方,并且第二波长转换层WCL2可在第二像素区PXA2中布置在基础层BS1下方。光学透明层TL可在第三像素区PXA3中布置在基础层BS1下方。
第一波长转换层WCL1可包括第一基础树脂BR1、第一散射颗粒SC1和第一发光体EP1。第二波长转换层WCL2可包括第二基础树脂BR2、第二散射颗粒SC2和第二发光体EP2。光学透明层TL可包括第三基础树脂BR3和第三散射颗粒SC3。
第一基础树脂BR1、第二基础树脂BR2和第三基础树脂BR3可为分散有发光体的介质材料,并且可由通常被称为“粘合剂”的各种树脂复合物中的至少一种制成。然而,本发明构思不限于此。例如,在示例性实施方式中,当将发光体分散在介质材料中时,这种介质材料可被称为基础树脂,而与其名称、附加功能或成分无关。基础树脂可为例如聚合物树脂。例如,基础树脂可为丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、硅树脂和/或环氧树脂。基础树脂可为透明的。
第一散射颗粒SC1、第二散射颗粒SC2和第三散射颗粒SC3可为或包括TiO2或基于二氧化硅的纳米颗粒等。第一散射颗粒SC1、第二散射颗粒SC2和第三散射颗粒SC3可引起光的散射。包括在光学透明层TL中的第三散射颗粒SC3的量可为约等于或大于包括在第一波长转换层WCL1中的第一散射颗粒SC1的量和包括在第二波长转换层WCL2中的第二散射颗粒SC2的量。例如,当第三散射颗粒SC3的量大于第一散射颗粒SC1和第二散射颗粒SC2的量时,即使光学透明层TL不包括发光体,第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2的光散射度和光学透明层TL的光散射度也可为相似的。在示例性实施方式中,第一散射颗粒SC1和第二散射颗粒SC2可被省略。
第一发光体EP1和第二发光体EP2中的每个可为或包括转换入射光的波长的颗粒。例如,第一发光体EP1和第二发光体EP2中的每个可为量子点、量子棒或磷光体。
量子点中的每个可具有由数百至数千个原子构成的纳米级晶体材料,并且由于它们的尺寸小,量子点可表现出量子限制效应,从而导致带隙增加。在入射到量子点的光的能量大于量子点中的每个的带隙的情况下,量子点中的每个可吸收光以处于激发态,且然后可在返回到基态的同时发射特定波长的光。发射光的波长可由带隙确定。也就是说,通过调节量子点的大小或成分,可控制发光体的量子限制效应和发光特性。
量子点的核可选自例如由II-VI化合物、III-V化合物、IV-VI化合物、IV元素、IV化合物及其组合物构成的集群。
II-VI化合物可选自例如由二元化合物(例如,包括CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和MgS)、二元化合物的混合物、三元化合物(例如,包括CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和MgZnS)、三元化合物的混合物、四元化合物(例如,包括HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe)和四元化合物的混合物构成的集群。
III-V化合物可选自例如由二元化合物(例如,包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和InSb)、二元化合物的混合物、三元化合物(例如,包括GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs和InPSb)、三元化合物的混合物、四元化合物(例如,包括GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和GaAlNP)和四元化合物的混合物构成的集群。
IV-VI化合物可选自例如由二元化合物(例如,包括SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和PbTe)、二元化合物的混合物、三元化合物(例如,包括SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和SnPbTe)、三元化合物的混合物、四元化合物(例如,包括SnPbSSe、SnPbSeTe和SnPbSTe)和四元化合物的混合物构成的集群。IV元素可选自例如由Si、Ge及其混合物构成的集群。IV化合物可包括选自例如由SiC、SiGe及其混合物构成的集群的二元化合物。
此处,二元化合物、三元化合物或四元化合物在整个颗粒中可具有均匀的浓度,或者在每个颗粒中可具有空间变化的浓度分布。在示例性实施方式中,量子点中的每个可具有一个量子点被另一个量子点包围的核/壳结构。在核与壳之间的界面处,包含在壳中的元素可具有在中心方向上减小的浓度梯度。
在示例性实施方式中,量子点可具有包括包含上述纳米晶体的核和围绕核的壳的核-壳结构。量子点的壳可用作保护层,可防止核的化学特性发生变化并保留核的半导体特性,和/或可用作允许量子点具有电泳性能的充电层。壳可为单层或多层。在核与壳之间的界面处,包含在壳中的元素可具有在中心方向上减小的浓度梯度。例如,量子点的壳可由金属或非金属元素的氧化物、半导体化合物或其任意组合物形成或包括它们。
例如,用于壳的金属或非金属元素的氧化物化合物可包括二元化合物(例如,SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO)和三元化合物(例如,MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4)。然而,本发明构思不限于这些示例。
另外,用于壳的半导体化合物可包括例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和AlSb。然而,本发明构思不限于这些示例。
量子点中的每个可具有其半峰全宽(FWHM)小于约45nm(例如,在示例性实施方式中小于约40nm,或者在示例性实施方式中小于约30nm)的发光波长光谱。在这种情况下,可实现经改善的颜色纯度或颜色再现特性。此外,量子点可允许光放射状地发射,因此可改善视角性能。
在示例性实施方式中,量子点可为球形、金字塔形、多臂或立方纳米颗粒。在示例性实施方式中,量子点可为纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板状颗粒。然而,本发明构思不限于这些示例。
从量子点发射的光的波长或颜色可由量子点的粒径确定,并且通过提供各种尺寸的量子点,可实现各种颜色(例如,蓝色、红色和绿色)。
根据本发明构思的示例性实施方式,在第一发光体EP1和第二发光体EP2为量子点的情况下,第一发光体EP1中的每个的粒径可与第二发光体EP2中的每个的粒径不同。例如,第一发光体EP1中的每个的粒径可大于第二发光体EP2中的每个的粒径。在这种情况下,第一发光体EP1可发射其波长长于从第二发光体EP2发射的光的波长的光。
第一波长转换层WCL1可将蓝色光转换为红色光,并且可将红色光提供给第一滤色器层CF1。第二波长转换层WCL2可将蓝色光转换为绿色光,并且可将绿色光提供给第二滤色器层CF2。光学透明层TL可散射蓝色光并且可将散射的蓝色光提供给第三滤色器层CF3。
第一滤色器层CF1可透射其波长在与红色对应的波长范围内的光,但是可吸收其它波长的光。第二滤色器层CF2可透射其波长在与绿色对应的波长范围内的光,但是可吸收其它波长的光。第三滤色器层CF3可透射其波长在与蓝色对应的波长范围内的光,但是可吸收其它波长的光。
第二保护层PL2可覆盖第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和光学透明层TL。第二保护层PL2可包括例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种。
第二衬底200可包括基础层BS2、电路层CCL、发射层EL和薄膜封装层TFE。电路层CCL可布置在基础层BS2上。电路层CCL可包括多个绝缘层、多个导电层和半导体层。发射层EL可布置在电路层CCL上。薄膜封装层TFE可密封并封装发射层EL。在示例性实施方式中,薄膜封装层TFE可被省略。
基础层BS2可为包括硅衬底、塑料衬底、玻璃衬底、绝缘膜或多个绝缘层的堆叠。
电路层CCL可包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3以及多个绝缘层IL1、IL2、IL3和IL4。多个绝缘层IL1、IL2、IL3和IL4可包括第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4。
第一绝缘层IL1可布置在基础层BS2上,并且第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3可布置在第一绝缘层IL1上。第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3可具有基本上相同的结构。因此,下面将代表性地对第一晶体管TR1进行描述。应理解,第二晶体管TR2和第三晶体管TR3的结构可与下面描述的第一晶体管TR1的结构基本上相同。第一晶体管TR1可包括控制电极CE、输入电极IE、输出电极OE和半导体层ACL。
半导体层ACL可布置在第一绝缘层IL1上。第一绝缘层IL1可为向半导体层ACL提供改性表面的缓冲层。在这种情况下,半导体层ACL可具有对第一绝缘层IL1的粘合强度比对基础层BS2的粘合强度更高的粘合强度。在示例性实施方式中,第一绝缘层IL1可为保护半导体层ACL的底表面的阻挡层。在这种情况下,第一绝缘层IL1可防止从基础层BS2或通过基础层BS2提供的污染材料或湿气进入半导体层ACL。在示例性实施方式中,第一绝缘层IL1可用作光阻挡层,从而防止通过基础层BS2入射的外部光进入半导体层ACL。在这种情况下,第一绝缘层IL1还可包括阻光材料。
半导体层ACL可包括多晶硅或非晶硅。另外,半导体层ACL可包括金属氧化物半导体材料中的至少一种。半导体层ACL可包括用作电子或空穴的传导路径的沟道区以及在沟道区介于其间的情况下彼此间隔开的第一掺杂区和第二掺杂区。
第二绝缘层IL2可布置在第一绝缘层IL1上并且可覆盖半导体层ACL。第二绝缘层IL2可包括无机材料。无机材料可包括例如氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。
控制电极CE可布置在第二绝缘层IL2上。第三绝缘层IL3可布置在第二绝缘层IL2上并且可覆盖控制电极CE。第三绝缘层IL3可由单层或多层构成。当构成为单层时,该单层可包括例如无机层。当由多层构成时,该多层可包括例如有机层和无机层。
输入电极IE和输出电极OE可布置在第三绝缘层IL3上。输入电极IE和输出电极OE可通过穿透第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3的穿透孔连接到半导体层ACL。
第四绝缘层IL4可布置在第三绝缘层IL3上并且可覆盖输入电极IE和输出电极OE。第四绝缘层IL4可由单层或多层构成。当由单层构成时,该单层可包括例如有机层。当由多层构成时,该多层可包括例如有机层和无机层。第四绝缘层IL4可为具有平坦顶表面的平坦化层。
发射层EL可布置在第四绝缘层IL4上。发射层EL可包括第一显示元件ED1、第二显示元件ED2、第三显示元件ED3和像素限定层PDL。
第一显示元件ED1可布置成对应于第一像素区PXA1。也就是说,第一显示元件ED1可布置在与第一像素区PXA1对应的位置处。例如,当在平面图中观察时,第一显示元件ED1可与第一像素区PXA1重叠。第二显示元件ED2可布置成对应于第二像素区PXA2。也就是说,第二显示元件ED2可布置在与第二像素区PXA2对应的位置处。例如,当在平面图中观察时,第二显示元件ED2可与第二像素区PXA2重叠。第三显示元件ED3可布置成对应于第三像素区PXA3。也就是说,第三显示元件ED3可布置在与第三像素区PXA3对应的位置处。例如,当在平面图中观察时,第三显示元件ED3可与第三像素区PXA3重叠。如本文中所使用的表达“当在平面图中观察时”意味着在第三方向DR3上观察所描述的结构。
第一显示元件ED1可包括第一电极E1-1、第一发射层EML-1和第二电极E2-1。第二显示元件ED2可包括第一电极E1-2、第二发射层EML-2和第二电极E2-2。第三显示元件ED3可包括第一电极E1-3、第三发射层EML-3和第二电极E2-3。
第一电极E1-1、E1-2和E1-3可布置在第四绝缘层IL4上。第一电极E1-1、E1-2和E1-3可通过穿透孔以一对一的方式电连接到第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3。例如,第一电极E1-1可电连接到第一晶体管TR1,第一电极E1-2可电连接到第二晶体管TR2,并且第一电极E1-3可电连接到第三晶体管TR3。
像素限定层PDL可暴露第一电极E1-1、E1-2和E1-3中的每个的至少一部分。
第一发射层EML-1、第二发射层EML-2和第三发射层EML-3可彼此连接以构成单个发射层。例如,第一发射层EML-1、第二发射层EML-2和第三发射层EML-3可布置在像素限定层PDL以及第一电极E1-1、E1-2和E1-3上。第一发射层EML-1、第二发射层EML-2和第三发射层EML-3可生成蓝色光。第一发射层EML-1、第二发射层EML-2和第三发射层EML-3可具有串联结构或单层结构。
发射层EL的在平面图中与第一像素区PXA1重叠的区可限定为第一发光区EMA1。发射层EL的在平面图中与第二像素区PXA2重叠的区可限定为第二发光区EMA2。发射层EL的在平面图中与第三像素区PXA3重叠的区可限定为第三发光区EMA3。
第二电极E2-1、E2-2和E2-3可彼此连接以构成单个第二电极。第二电极E2-1、E2-2和E2-3可布置在第一发射层EML-1、第二发射层EML-2和第三发射层EML-3上。
空穴控制层可设置在第一电极E1-1、E1-2和E1-3与发射层EL之间,并且电子控制层可设置在发射层EL和第二电极E2-1、E2-2和E2-3之间。空穴控制层可包括空穴注入区、空穴传输区、缓冲区和电子防止区中的至少一个。电子控制层可包括电子注入区、电子传输区和空穴阻挡区中的至少一个。
薄膜封装层TFE可布置在第二电极E2-1、E2-2和E2-3上。薄膜封装层TFE可直接覆盖第二电极E2-1、E2-2和E2-3。在示例性实施方式中,覆盖层还可布置在薄膜封装层TFE与第二电极E2-1、E2-2和E2-3之间,以使得其覆盖第二电极E2-1、E2-2和E2-3。在这种情况下,薄膜封装层TFE可直接覆盖覆盖层。在示例性实施方式中,薄膜封装层TFE可被省略。
薄膜封装层TFE可包括顺序地堆叠的第一无机层EL1、有机层EL2和第二无机层EL3。有机层EL2可布置在第一无机层EL1与第二无机层EL3之间。第一无机层EL1和第二无机层EL3可通过沉积无机材料来形成,并且有机层EL2可通过沉积、印刷或涂覆有机材料来形成。
第一无机层EL1和第二无机层EL3可保护发射层EL免受湿气和氧气的影响,并且有机层EL2可保护发射层EL免受诸如例如粉尘颗粒的污染材料的影响。第一无机层EL1和第二无机层EL3可包括例如氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。有机层EL2可包括聚合物(例如,丙烯酸有机层)。然而,本发明构思不限于本示例。
图3示出了包括两个无机层和一个有机层的薄膜封装层TFE的示例。应理解,本发明构思不限于图3中所示的示例。例如,在示例性实施方式中,薄膜封装层TFE可包括三个无机层和两个有机层。在这种情况下,无机层和有机层可布置成具有交替地堆叠的结构。
第一层FL可布置在第一衬底100与第二衬底200之间。第二层CL可布置在第一层FL与第一衬底100之间。
第一层FL可具有第一折射率n1,并且第二层CL可具有比第一折射率n1更低的第二折射率n2。第一层FL可被称为高折射层,并且第二层CL可被称为低折射层。从第一层FL朝向第二层CL传播的光的至少一部分可被全反射。由于第一层FL的厚度DTa,第一衬底100与第二衬底200之间可形成有间隙。由于该间隙,光可能进入相邻的像素,并且这可能导致相邻的像素之间的颜色混合问题。导致颜色混合问题的入射角可由以下式给出:
[式1]
第一距离DT1可为发射层EL中的一个与布置在其上的光学层之间的距离。例如,发射层EL中的一个可为第一发射层EML-1,并且光学层可为第一波长转换层WCL1。第二距离DT2可为两个相邻的光学层之间的距离。例如,第二距离DT2可为第一波长转换层WCL1与第二波长转换层WCL2之间的距离。另外,第二距离DT2可对应于像素限定层PDL的宽度DTP。例如,第二距离DT2可约等于像素限定层PDL的宽度DTP。然而,本发明构思不限于此。例如,在示例性实施方式中,第二距离DT2可大于宽度DTP或小于宽度DTP。
根据本发明构思的示例性实施方式,以导致颜色混合问题的角度入射的光可在第一层FL与第二层CL之间的界面处被全反射。因此,可防止在相邻的像素之间发生颜色混合问题(或可减少颜色混合问题),并且可改善显示装置DD的图像品质。
第一层FL可包括具有第一折射率n1的材料。例如,第一层FL可包括树脂(例如,基于硅的聚合物、基于环氧的树脂或基于丙烯酸的树脂)。然而,第一层FL的材料不限于以上示例。
第二层CL可包括具有比第一折射率n1更低的第二折射率n2的材料。例如,第二层CL可包括无机材料(例如,氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种)。可考虑第一层FL的特性来确定第二层CL的材料。例如,在示例性实施方式中,可基于第一折射率n1和/或第一层FL的厚度来确定第二层CL的材料。在示例性实施方式中,第二层CL可包括有机材料或者可包括有机材料和无机材料两者。
第一衬底100与第二衬底200之间的间隙可通过密封剂SLM保持。密封剂SLM可与非显示区NDA重叠。密封剂SLM可包括例如有机粘合构件、无机粘合构件或熔块。在示例性实施方式中,密封剂SLM可被省略。
图4A是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示元件的剖面图。
参照图4A,显示元件ED可包括第一电极层E1、空穴控制层HCL、发射层EML、电子控制层ECL和第二电极层E2。空穴控制层HCL可布置在发射层EML与第一电极层E1之间,并且电子控制层ECL可布置在发射层EML与第二电极层E2之间。
空穴控制层HCL可包括空穴注入区、空穴传输区、缓冲区和电子防止区中的至少一个。空穴控制层HCL可为由单个材料制成的单层或由几种不同材料制成的单层,或者可具有包括由几种不同材料制成的多层的多层结构。空穴控制层HCL可由空穴注入材料和空穴传输材料中的至少一种构成。空穴注入材料和空穴传输材料中的每个可选自已知材料。
电子控制层ECL可包括电子注入区、电子传输区和空穴阻挡区中的至少一个。电子控制层ECL可为由单个材料制成的单层或由几种不同材料制成的单层,或者可具有包括由几种不同材料制成的多层的多层结构。电子控制层ECL可包括电子传输材料和电子注入材料中的至少一种。电子注入材料和电子传输材料中的每个可选自已知材料。
发射层EML可包括主体材料和掺杂剂材料。在示例性实施方式中,磷光材料、荧光材料或热激活的延迟荧光材料可用作掺杂剂材料,其被提供在发射层EML的主体材料中。发射层EML可发射特定颜色的光。例如,发射层EML可发射蓝色光。
图4B是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示元件的剖面图。
参照图4B,显示元件EDa可包括第一电极层E1、发射层EMLa、第一空穴控制层HCL1、第一电子控制层ECL1、电荷产生层CGL、第二空穴控制层HCL2、第二电子控制层ECL2和第二电极层E2。发射层EMLa可包括第一子发射层SEML1和第二子发射层SEML2。
显示元件EDa可包括顺序地堆叠的第一电极层E1、第一空穴控制层HCL1、第一子发射层SEML1、第一电子控制层ECL1、电荷产生层CGL、第二空穴控制层HCL2、第二子发射层SEML2、第二电子控制层ECL2和第二电极层E2。
电荷产生层CGL可将电荷注入到第一子发射层SEML1和第二子发射层SEML2中。电荷产生层CGL可布置在第一子发射层SEML1与第二子发射层SEML2之间,并且可用于控制电荷的平衡。
在本发明构思的示例性实施方式中,电荷产生层CGL可包括n型电荷产生层和p型电荷产生层,并且p型电荷产生层可布置在n型电荷产生层上。n型电荷产生层和p型电荷产生层可提供为具有连结结构。n型电荷产生层可布置成与第一电极层E1相邻,并且p型电荷产生层可布置成与第二电极层E2相邻。n型电荷产生层可将电子供给到与第一电极层E1相邻的第一子发射层SEML1,并且p型电荷产生层可将空穴供给到第二子发射层SEML2。由于电荷产生层CGL向第一子发射层SEML1和第二子发射层SEML2中的每个提供电荷,因此可增加发光效率并且可降低驱动电压。
在示例性实施方式中,第一子发射层SEML1和第二子发射层SEML2中的每个可产生蓝色光波长带中的光。例如,光可具有约455nm至约492nm的波长。第一子发射层SEML1和第二子发射层SEML2可包括相同的材料或可包括彼此不同的材料。
第一子发射层SEML1可产生第一光。第二子发射层SEML2可产生第二光。第一光和第二光中的每个可为蓝色光。第一光和第二光可具有相同的光谱或可具有彼此不同的光谱。例如,第一光可为深蓝色光、浅蓝色光和蓝色光中的一种,并且第二光可为深蓝色光、浅蓝色光和蓝色光中的一种。
图4C是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示元件的剖面图。
参照图4C,显示元件EDb可包括第一电极层E1、发射层EMLb、第一空穴控制层HCL1、第一电子控制层ECL1、第一电荷产生层CGL1、第二空穴控制层HCL2、第二电子控制层ECL2、第二电荷产生层CGL2、第三空穴控制层HCL3、第三电子控制层ECL3和第二电极层E2。发射层EMLb可包括第一子发射层SEML1、第二子发射层SEML2和第三子发射层SEML3。
第三子发射层SEML3可布置在第一子发射层SEML1与第二子发射层SEML2之间。第一子发射层SEML1和第二子发射层SEML2可分别对应于图4B的第一子发射层SEML1和第二子发射层SEML2。
第三子发射层SEML3可包括与第一子发射层SEML1和第二子发射层SEML2不同的材料。在示例性实施方式中,第三子发射层SEML3可包括与第一子发射层SEML1和第二子发射层SEML2中的至少一个相同的材料。
由第三子发射层SEML3产生的第三光可为蓝色光。例如,第三光可为深蓝色光、浅蓝色光和蓝色光中的一种。
第一电荷产生层CGL1可布置在第一子发射层SEML1与第三子发射层SEML3之间。在第一电荷产生层CGL1中产生的电子可通过第一电子控制层ECL1提供给第一子发射层SEML1,并且在第一电荷产生层CGL1中产生的空穴可通过第三空穴控制层HCL3提供给第三子发射层SEML3。
第二电荷产生层CGL2可布置在第二子发射层SEML2与第三子发射层SEML3之间。在第二电荷产生层CGL2中产生的空穴可通过第二空穴控制层HCL2提供给第二子发射层SEML2,并且在第二电荷产生层CGL2中产生的电子可通过第三电子控制层ECL3提供给第三子发射层SEML3。
图5是示意性地示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的一部分的剖面图。
参照图5,示出了第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2、光学透明层TL、第一发光区EMA1、第二发光区EMA2、第三发光区EMA3、第一层FL和第二层CL。
第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和光学透明层TL中的每个可设置为多个,并且第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和光学透明层TL可在第二方向DR2上交替地排列。
第一波长转换层WCL1与第二波长转换层WCL2之间的第一距离DTx、第二波长转换层WCL2与光学透明层TL之间的第二距离DTy以及光学透明层TL与第一波长转换层WCL1之间的第三距离DTz可基本上相同。例如,第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和光学透明层TL可以以大约相同的距离彼此间隔开。
第一层FL的第一折射率n1可高于第二层CL的第二折射率n2。因此,在从第一发光区EMA1、第二发光区EMA2和第三发光区EMA3提供的光中,具有大于全反射临界角AG-C的入射角的光可在第一层FL与第二层CL之间的界面处被全反射。
第二折射率n2可满足由以下所示的式2给出的条件。根据本发明构思的示例性实施方式,可考虑第一层FL的厚度DTa和第一层FL的第一折射率n1来确定第二层CL的第二折射率n2。
[式2]
此外,第一折射率n1和第二折射率n2可满足由式3给出的条件:
[式3]
第一距离DT1可为第一发光区EMA1与第一波长转换层WCL1之间的距离,并且第二距离DT2可为第一距离DTx、第二距离DTy和第三距离DTz中的最小距离。在示例性实施方式中,由于第一距离DTx、第二距离DTy和第三距离DTz彼此相等,因此第二距离DT2可为第一距离DTx、第二距离DTy和第三距离DTz中的一个。
在第二折射率n2满足由式2和式3给出的条件的情况下,全反射临界角AG-C可小于入射角AG-I。入射角AG-I可为由第一发光区EMA1产生并入射到第二波长转换层WCL2中的光的入射角。全反射临界角AG-C可为并且入射角AG-I可为入射角AG-I可为引起颜色混合问题的入射角。
在示例性实施方式中,全反射临界角AG-C可小于入射角AG-I。入射角AG-I可为光的最小入射角。光从第一发光区EMA1、第二发光区EMA2和第三发光区EMA3中的一个发射,并且入射到第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和光学透明层TL中不与第一发光区EMA1、第二发光区EMA2和第三发光区EMA3中的一个对应的一个中。
在从显示元件提供的光入射到相邻的波长转换层中的情况下,在相邻的波长转换层处可能发生颜色混合问题。相邻的波长转换层可为不对应于显示元件的波长转换层。根据本发明构思的示例性实施方式,以导致颜色混合问题的角度入射的光可在第一层FL与第二层CL之间的界面处被全反射。因此,根据示例性实施方式,可减少或防止颜色混合问题,并且可改善显示装置的图像品质。
图6是示出根据本发明构思的示例性实施方式的相对于第一层的厚度的入射角中的变化的曲线图。图7是示出根据本发明构思的示例性实施方式的相对于第二折射率的全反射临界角的曲线图。
图6示出了在第一距离DTx为20μm并且第一层FL的第一折射率为1.6时获得的入射角AG-I相对于第一层FL的厚度DTa的变化。入射角AG-I可为引起颜色混合问题的入射角。
第一层FL的厚度DTa越大,入射角AG-I越小。第一层FL的厚度DTa可被选择。例如,如果第一层FL的厚度DTa为约12μm,则入射角AG-I可为约60°。
参照图5至图7,第二层CL的第二折射率n2可被选择为使得全反射临界角AG-C小于入射角AG-I。在厚度DTa为约12μm的先前情况下,引起颜色混合问题的入射角AG-I可为约60°。因此,第二折射率n2可被选择为使得全反射临界角AG-C在小于60°的范围内。
根据图7,当第二折射率n2为约1.4时,可满足上述对于60°的全反射临界角AG-C的要求。因此,用于第二层CL的材料可被选择为具有小于1.4的折射率。应理解,参考图6和图7给出的值是示例性的,并且本发明构思不限于此。
第二层CL的厚度可小于第一层FL的厚度。第二层CL的厚度可为几纳米或更大。在示例性实施方式中,第二层CL的厚度可为几十纳米或更大。
图8是示意性地示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的一部分的剖面图。为了解释的便利,先前参考图5描述的元件可由相同的附图标记标识,并且可省略先前描述的元件和技术方面的进一步描述。
参照图8,示出了第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2、光学透明层TL、第一发光区EMA1、第二发光区EMA2、第三发光区EMA3、第一层FL和第二层CL。
第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和光学透明层TL中的每个可设置为多个,并且第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和光学透明层TL可在第二方向DR2上交替地排列。第一波长转换层WCL1与第二波长转换层WCL2之间的第一距离DTx1、第二波长转换层WCL2与光学透明层TL之间的第二距离DTy1以及光学透明层TL与第一波长转换层WCL1之间的第三距离DTz1中的一个可与其它两个不同。例如,第一距离DTx1和第二距离DTy1可彼此大约相等,并且第三距离DTz1可大于第一距离DTx1和第二距离DTy1。
在示例性实施方式中,全反射临界角AG-C可小于入射角AG-Ia。入射角AG-Ia可为从第一发光区EMA1、第二发光区EMA2和第三发光区EMA3中的一个发射并且入射到第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和光学透明层TL中不与第一发光区EMA1、第二发光区EMA2和第三发光区EMA3中的一个对应的一个中的光的最小入射角。例如,全反射临界角AG-C和入射角AG-Ia可满足由式4给出的条件:
[式4]
第一距离DT1可为第一发光区EMA1与第一波长转换层WCL1之间的距离,并且第二距离DT2可为第一距离DTx1、第二距离DTy1和第三距离DTz1中的最小距离。在示例性实施方式中,第二距离DT2可为第一距离DTx1或第二距离DTy1。全反射临界角AG-C可为并且入射角AG-Ia可为入射角AG-Ia可为引起颜色混合问题的入射角。
图9A至图9D是示意性地示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的制造方法的剖面图。
参照图9A,可形成第一衬底100。第一衬底100的形成可包括以下步骤。
可形成基础层BS1。在显示装置DD的制造工艺期间,基础层BS1可布置在工作衬底上。在显示装置DD的制造之后,可去除工作衬底。
阻光层BM可形成在基础层BS1的表面上。阻光层BM中可形成有多个开口。
第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2和第三滤色器层CF3可形成在基础层BS1的表面上。第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2和第三滤色器层CF3可以一对一的方式对应于阻光层BM的开口,并且可覆盖开口。
第一保护层PL1可形成在第一滤色器层CF1、第二滤色器层CF2和第三滤色器层CF3上。第一保护层PL1可包括例如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种。
第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和光学透明层TL可形成在第一保护层PL1上。
第二保护层PL2可形成在第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和光学透明层TL上。
图9A示出了一个阻光层BM直接布置在基础层BS1上的示例。然而,本发明构思不限于本示例。例如,可提供多个阻光层BM。在这种情况下,阻光层BM中的一个可直接布置在基础层BS1上,阻光层BM中的另一个可布置在第一波长转换层WCL1与第二波长转换层WCL2之间、第二波长转换层WCL2与光学透明层TL之间以及光学透明层TL与第一波长转换层WCL1之间。
参照图9B,可形成第二衬底200。第二衬底200的形成可包括:形成基础层BS2;在基础层BS2上形成电路层CCL;在电路层CCL上形成发射层EL;以及在发射层EL上形成薄膜封装层TFE。在图9B中示意性地示出了电路层CCL、发射层EL和薄膜封装层TFE。
参照图3和图9C,可在第一衬底100上形成第二层CL。第二层CL的材料可基于第一层FL的厚度DTa和第一层FL的第一折射率n1来确定。
第二层CL可选自满足由以下式给出的第二折射率n2的条件的材料:
[式5]
参照图9D,可在第二层CL与第二衬底200之间形成第一层FL。第二层CL可为间隙填充材料。第二层CL可包括树脂(例如,基于硅的聚合物、基于环氧的树脂或基于丙烯酸的树脂)。
图10是示出根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的一部分的放大剖面图。为了解释的便利,先前参照图3描述的元件可由相同的附图标记标识,并且可省略先前描述的元件和技术方面的进一步描述。
参照图10,显示装置DD-1可包括第一衬底100、第二衬底200、第二层CL-1和第一层FL。
第二层CL-1可包括一个或更多个层。例如,第二层CL-1可包括第一控制层CLa和第二控制层CLb。第一控制层CLa可布置在第一层FL上,并且第二控制层CLb可布置在第一控制层CLa上。
图10示出了第二层CL-1包括两个控制层(例如,第一控制层CLa和第二控制层CLb)的示例。然而,本发明构思不限于本示例。例如,第二层CL-1可包括三个或更多个控制层。
第一控制层CLa和第二控制层CLb可包括相同的材料或可包括彼此不同的材料。第一控制层CLa和第二控制层CLb的折射率可基本上相同或可彼此不同。
在入射到第一控制层CLa与第一层FL之间的区中的光中,引起颜色混合问题的光的入射角可限定为颜色混合入射角。第一控制层CLa的折射率可被选择为使得第一控制层CLa与第一层FL之间的全反射临界角在小于颜色混合入射角的范围内。
第二控制层CLb可包括其折射率高于第一控制层CLa的折射率的材料。因此,第二控制层CLb可改变光的传播方向,并且这可用于更有效地防止发生颜色混合问题或减少颜色混合问题的程度。
根据本发明构思的示例性实施方式,显示装置可包括具有第一折射率的第一层和具有比第一折射率更低的第二折射率的第二层。以导致本文中描述的颜色混合问题的角度入射的光可在第一层与第二层之间的界面处被全反射。因此,可防止在相邻的像素之间发生颜色混合问题(或减少颜色混合问题),并且可改善显示装置的图像品质。
虽然已参考本发明构思的示例性实施方式对本发明构思进行了具体示出和描述,但是本领域普通技术人员将理解,在不背离如随附权利要求书中限定的本发明构思的范围和精神的情况下,可在形式和细节上进行各种变化。
Claims (11)
1.显示装置,包括:
第一衬底,所述第一衬底中限定有第一像素区和第二像素区;
第二衬底,所述第二衬底包括第一显示元件和第二显示元件,其中,所述第一显示元件布置在与所述第一像素区对应的位置处,并且所述第二显示元件布置在与所述第二像素区对应的位置处;
第一层,所述第一层布置在所述第一衬底与所述第二衬底之间,所述第一层具有第一折射率;以及
第二层,所述第二层布置在所述第一衬底与所述第一层之间,所述第二层具有低于所述第一折射率的第二折射率,
其中,所述第一衬底包括:
基础层;
第一波长转换层,所述第一波长转换层布置在所述基础层下方并且在所述第一像素区中;以及
第二波长转换层,所述第二波长转换层布置在所述基础层下方并且在所述第二像素区中,
其中,所述第一层与所述第二层之间的全反射临界角小于从所述第一显示元件发射并且入射到所述第二波长转换层中的光的入射角。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一衬底还包括限定在其中的第三像素区,
所述第二衬底还包括布置在与所述第三像素区对应的位置处的第三显示元件,以及
所述第一衬底还包括布置在所述基础层下方并且在所述第三像素区中的光学透明层。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述全反射临界角小于从所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件中的一个发射并且入射到所述第一波长转换层、所述第二波长转换层和所述光学透明层中不与所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件中的所述一个对应的一个中的光的最小入射角。
4.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一衬底还包括覆盖所述第一波长转换层、所述第二波长转换层和所述光学透明层的保护层,以及
所述保护层布置在所述第二层与所述第一波长转换层、所述第二波长转换层和所述光学透明层之间。
5.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件中的每个包括第一电极、第二电极和布置在所述第一电极与所述第二电极之间并且提供源光的发射层,
其中,所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件的所述发射层彼此连接。
7.如权利要求5所述的显示装置,其中,所述光学透明层包括基础树脂和分散在所述基础树脂中的散射物体,
所述第一波长转换层包括转换所述源光的波长的第一发光体,以及
所述第二波长转换层包括转换所述源光的所述波长并且与所述第一发光体不同的第二发光体。
8.如权利要求5所述的显示装置,其中,所述源光为蓝色光。
9.如权利要求5所述的显示装置,其中,所述发射层包括至少两个子发射层。
10.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一衬底还包括:
第一滤色器层,所述第一滤色器层布置在所述基础层与所述第一波长转换层之间;
第二滤色器层,所述第二滤色器层布置在所述基础层与所述第二波长转换层之间;以及
第三滤色器层,所述第三滤色器层布置在所述基础层与所述光学透明层之间。
11.如权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一滤色器层为红色滤色器层,所述第二滤色器层为绿色滤色器层,并且所述第三滤色器层为蓝色滤色器层。
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