CN111430893B - 电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种电子设备，属于天线技术领域。该电子设备包括：金属中框、音腔壳体、音腔金属本体、音腔金属支撑片和馈源。音腔壳体固定在金属中框上，音腔金属本体和音腔金属支撑片间隔设置在音腔壳体的内腔，且音腔金属本体与金属中框绝缘设置。馈源用于向音腔金属本体馈入激励信号，以激励音腔金属本体谐振于第一谐振频率，激励信号还通过音腔金属本体与音腔金属支撑片之间间隙耦合至音腔金属支撑片，以激励音腔金属支撑片谐振于第一谐振频率。本申请中，在馈源馈入激励信号至音腔金属本体时，该电子设备可以处于1/2工作波长的微带天线的工作模式，保证了该电子设备的高效辐射和定向性。

Description

电子设备

技术领域

本申请涉及天线技术领域，特别涉及一种电子设备。

背景技术

目前，在电子设备的使用过程中，为了保证电子设备的天线性能，均会固定设置天线装置。而为了保证天线装置设置的合理性，均会以电子设备的金属边框为辐射体设置天线装置。比如，可以在金属边框的底部或两侧开缝的设计方案实现金属边框作为辐射体。然而，通过将金属边框作为辐射体的辐射效率低，辐射方向图近乎全向性辐射，从而降低了电子设备的天线性能。

发明内容

本申请提供了一种电子设备，可以在节省空间的同时实现电子设备内波束辐射方向的定向性问题。所述技术方案如下：

一方面、提供了一种电子设备，所述电子设备包括：

金属中框；

音腔壳体，固定在所述金属中框上，所述音腔壳体内间隔设置有音腔金属本体和音腔金属支撑片，所述音腔金属本体位于所述音腔金属支撑片和所述金属中框之间，且与所述金属中框绝缘设置；

馈源，耦合至所述音腔金属本体，用于向所述音腔金属本体馈入激励信号，以激励所述音腔金属本体谐振于第一谐振频率，所述激励信号还通过所述音腔金属本体与所述音腔金属支撑片之间的间隙耦合至所述音腔金属支撑片，以激励所述音腔金属支撑片谐振于所述第一谐振频率。

本申请提供的技术方案的有益效果至少可以包括：

通过馈源向音腔金属本体馈入激励信号时，可以激励音腔金属本体谐振于第一谐振频率，这样音腔金属本体以第一谐振频率辐射的电磁能量在金属中框的反射作用下全部朝向音腔金属支撑片，进而可以保证音腔金属本体辐射的电磁能量的定向性。之后，音腔金属支撑片在音腔金属本体与音腔金属支撑片之间的间隙耦合作用下，也可以谐振于第一谐振频率，进而可以实现以音腔金属本体和音腔金属支撑片为主辐射体，从而使得该电子设备内的天线装置工作在1/2工作波长的微带天线的工作模式，保证了该电子设备内天线装置的波束辐射的定向性和辐射效率。另外，由于该电子设备产生的辐射方向图具有定向性的特点，从而避免了该电子设备辐射的波束与该电子设备内设置的其他天线装置辐射的定向波束的空间耦合，避免了与其他天线装置之间产生的相互影响，从而可以进一步提高了该电子设备的天线性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种电子设备的内部结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种电子设备的内部结构的a区域的示意图；

图3是本申请实施例提供的一种电子设备的内部结构剖面示意图；

图4是本申请实施例提供的一种电子设备的内部结构的电流流向示意图；

图5是本申请实施例提供的一种电子设备的反射系数曲线图；

图6是本申请实施例提供的一种电子设备的辐射效率和系统效率曲线图；

图7是本申请实施例提供的一种电子设备在3.35GHz处的辐射方向图；

图8是本申请实施例提供的一种电子设备在3.45GHz处的辐射方向图。

附图标记：

1：金属中框；2：音腔壳体；3：耦合贴片；4：音腔金属本体；5：音腔金属支撑片；6：馈源；7：匹配电路；8：绝缘隔层。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

图1示例了本申请实施例的一种电子设备的内部结构示意图，图2示例了本申请实施例的一种电子设备的内部结构的a区域的示意图，图3示例了本申请实施例的一种电子设备的内部剖面结构示意图。如图1、图2和图3所示，该电子设备包括：金属中框1、音腔壳体2和馈源6。音腔壳体2固定在金属中框1上，音腔壳体2内间隔设置有音腔金属本体4和音腔金属支撑片5，音腔金属本体4位于音腔金属支撑片5和金属中框1之间，且与金属中框1绝缘设置。馈源6耦合至音腔金属本体4，馈源6用于向音腔金属本体4馈入激励信号，以激励音腔金属本体4谐振于第一谐振频率，激励信号还通过音腔金属本体4与音腔金属支撑片5之间的间隙耦合至音腔金属支撑片5，以激励音腔金属支撑片5谐振于第一谐振频率。

本申请实施例中，通过馈源6向音腔金属本体4馈入激励信号时，该激励信号可以激励音腔金属本体4谐振于第一谐振频率，这样在金属中框1的反射作用下，音腔金属本体4以第一谐振频率辐射的电磁能量的辐射方向全部朝向音腔金属支撑片5，进而可以保证音腔金属本体4辐射的电磁能量的定向性，以及电磁能量的辐射效率。之后，音腔金属支撑片5可以在音腔金属本体4与音腔金属支撑片5之间的间隙耦合作用下，也谐振于第一谐振频率，进而可以实现音腔金属本体4和音腔金属支撑片5作为主辐射体，以第一谐振频率辐射电磁能量，从而使得该电子设备工作在1/2工作波长的微带天线的工作模式，保证了该电子设备的辐射的高效性和辐射方向图的定向性。另外，由于该电子设备产生的辐射方向图具有定向性的特点，从而避免了该电子设备辐射的波束与该电子设备内设置的其他天线装置辐射的定向波束的空间耦合，进一步提高了该电子设备的天线性能。

其中，第一谐振频率可以是馈源6馈入音腔金属本体4的激励信号的频率，第一谐振频率可以是位于3.3GHz～3.8GHz频率区间内的任一频率，也即是第一谐振频率可以覆盖3.3GHz～3.8GHz频率区间。示例地，第一谐振频率可以是3.35GHz或3.45GHz等。工作波长λ可以是指第一谐振频率的波束信号在音腔壳体2中传播的波长。

其中，金属中框1可以是指电子设备内的金属板，比如，当电子设备为手机时，则金属中框1可以为手机中框。金属中框1的尺寸可以远大于音腔壳体2的尺寸，这样，音腔金属本体4辐射的朝向金属中框1的电磁能量可以完全反射至朝向音腔金属支撑片5。

另外，结合图1和图2，音腔壳体2可以设置在金属中框1的边缘位置，当然也可以设置在金属中框1的中间位置，或者其他位置，只要可以实现对音腔金属本体4辐射的电磁能量的反射即可，本申请实施例对此不做限定。

在一些实施例中，如图2所示，音腔壳体2可以为矩形壳体，这样将音腔壳体2固定在金属中框1上时，音腔壳体2的长度方向可以与金属中框1的宽度方向平行，也即是音腔壳体2在金属中框1的宽度方向上的尺寸为音腔壳体2的长度，音腔壳体2在金属中框1的长度方向上的尺寸为音腔壳体2的宽度。当然，音腔壳体2的长度方向与金属中框1的宽度方向之间也可以呈一定夹角，本申请实施例对此不做限定。

在一些实施例中，音腔壳体2的材质可以为塑料、树脂或陶瓷等，也即是音腔壳体2可以为塑料壳体、树脂壳体或陶瓷壳体等。当然音腔壳体2的材质也可以为其他材质，只要能够实现绝缘即可，本申请实施例对此不做限定。

音腔壳体2上远离金属中框1的一侧可以开口设置，此时，可以更方便的将音腔金属本体4和音腔金属支撑片5间隔设置在音腔壳体2的内腔，且音腔金属支撑片5可以盖在音腔壳体2的开口侧。

在音腔壳体2的内腔间隔设置音腔金属本体4和音腔金属支撑片5时，如图3所示，音腔金属本体4与金属中框1之间均可以填充绝缘隔层8，以实现音腔金属本体4与金属中框1之间的绝缘设计。

示例地，该电子设备还可以包括绝缘隔层8，此时，绝缘隔层8和音腔金属本体4层叠设置在音腔壳体2内。

其中，绝缘隔层8可以是介质基板，也即是该电子设备还可以包括介质基板层。此时，工作波长可以是第一谐振频率的波束信号在介质基板中传播的波长。当然，绝缘隔层8也可以是由音腔壳体2的材质制成的隔板，也即是绝缘隔层8可以是塑料隔层或陶瓷隔层等。以塑料隔层为例，该电子设备还可以包括塑料隔层。此时，工作波长可以是第一谐振频率的波束信号在塑料隔层中传播的波长。

在一些实施例中，如图2所示，音腔金属本体4和音腔金属支撑片5的形状均可以为矩形，此时，音腔金属本体4的长度方向、音腔金属支撑片5的长度方向均可以相互平行，且与音腔壳体2的长度方向平行。也即是，金属中框1的宽度方向、音腔壳体2的长度方向、音腔金属本体4的长度方向和音腔金属支撑片5的长度方向相互平行。

需要说明的是，在馈源6向音腔金属本体4馈入激励信号时，为了保证该电子设备的阻抗匹配，音腔金属本体4的长边和音腔金属支撑片5的长边的尺寸均可以等于1/2工作波长。当然，音腔金属支撑片5的长边的尺寸也可以小于1/2工作波长，也即是音腔金属支撑片5的长边的尺寸小于音腔金属本体4的长边的尺寸，从而可以保证该电子设备的工作模式更接近于微带天线的工作模式。示例地，音腔金属支撑片5的长边的尺寸可以为1/4工作波长。

由于传输线的阻抗是感容交替变化的，且以半波长为一个周期，而音腔金属支撑片5可以看做是一种终端开路的传输线，因此，当音腔金属支撑片5的长边的尺寸小于或等于1/2工作波长时，可以保证该电子设备谐振的阻抗的虚部为0或者更接近于0，从而可以使得该电子设备的阻抗更为匹配，该电子设备的辐射效率更高。

进一步，音腔金属支撑片5的宽边的尺寸小于音腔金属本体4的宽边的尺寸，也即是，音腔金属支撑片5的尺寸小于音腔金属本体4的尺寸，以保证音腔金属支撑片5的正投影可以位于音腔金属本体4上。这样，可以使得音腔金属支撑片5更近似于微带天线的微带贴片，进而可以避免该电子设备工作在微带天线的1/2工作波长的工作模式时，音腔金属支撑片5对该电子设备的辐射方向图的影响，保证该电子设备的辐射方向图的定向性。

在一些实施例中，音腔金属本体4和音腔金属支撑片5之间的垂直距离可以为0.1λ，从而可以更好的保证音腔金属本体4和音腔金属支撑片5之间的间隙耦合。

当然，音腔金属本体4和音腔金属支撑片5之间的垂直距离为其他数值，示例地，其他数值可以为0.09λ或者0.11λ等，只要可以保证馈源6馈入的激励信号能够通过音腔金属本体4与音腔金属支撑片5之间的间隙耦合至音腔金属支撑片5即可。

在一些实施例中，间隔设置音腔金属本体4和音腔金属支撑片5时，音腔金属本体4的法向中心线与音腔金属支撑片5的法向中心线可以重合，当然，也可以偏移一定距离，只要音腔金属支撑片5辐射的波束的辐射方向不会态偏离音腔金属本体4辐射的波束的辐射方向，且可以保证音腔金属本体4与和音腔金属支撑片5之间的耦合，以保证该电子设备的辐射方向图的定向性即可，本申请实施例对此不做限定。

在一些实施例中，如图3所示，电子设备还可以包括耦合贴片3，耦合贴片3与音腔金属本体4间隔设置，且位于音腔金属本体4和金属中框1之间。馈源6与耦合贴片3电连接，馈源6用于向耦合贴片3馈入激励信号，以通过耦合贴片3与音腔金属本体4之间的间隙耦合至音腔金属本体4。这样，馈源6可以向耦合贴片3馈入激励信号，以激励耦合贴片谐振于第一谐振频率，之后，该激励信号可以通过耦合贴片3与音腔金属本体4之间的间隙耦合至音腔金属本体4，实现馈源6将激励信号馈入至音腔金属本体4。

其中，耦合贴片3的形状可以为矩形，此时，耦合贴片3的长边可以与音腔金属本体4的长边平行，当然偶合贴片3的长边与音腔金属本体4的长边也可以存在一定夹角。

当然，耦合贴片3除了可以为矩形外，也可以为圆形或其他形状，本申请实施例对此不做限定，只要可以实现该天线装置的高效辐射以及方向图的定向性即可，本申请实施例对此不做限定。

其中，耦合贴片3与金属中框1之间可以绝缘设置。结合上述描述，绝缘隔层8可以设置在耦合贴片3与金属中框之间，从而可以同时实现耦合贴片3和音腔金属本体4与金属中框1之间的绝缘。

当然，由于耦合贴片3的尺寸远小于音腔金属本体4的尺寸，为了减小绝缘隔层8的用量，该绝缘隔层8可以包括第一绝缘隔层和第二绝缘隔层，第一绝缘隔层、耦合贴片3、第二绝缘隔层、音腔金属本体4层叠设置在音腔壳体2内。

其中，第一绝缘隔层的尺寸可以大于或等于耦合贴片3的尺寸，以实现耦合贴片3与金属中框1之间的绝缘；第二绝缘隔层的尺寸可以大于或等于音腔金属本体4的尺寸，以实现音腔金属本体4与金属中框1之间的绝缘。

在一些实施例中，耦合贴片3与音腔金属本体4之间垂直距离可以为0.1λ，从而可以更好的保证耦合贴片3与音腔金属本体4之间的间隙耦合。其中，λ可以是如上述所描述的工作波长。

当然，耦合贴片3与音腔金属本体4之间的垂直距离为其他数值，示例地，其他数值可以为0.09λ或者0.11λ等，只要可以保证馈源6馈入耦合贴片3的激励信号能够通过耦合贴片3与音腔金属本体4之间的间隙耦合至音腔金属本体4即可，本申请实施例对此不做限定。

在一些实施例中，耦合贴片3的法向中心线与音腔金属本体3的法向中心线重合。这样，耦合贴片3辐射的电磁能量可以更均匀化的耦合在音腔金属本体4上，从而可以提高音腔金属本体4对电磁能量的耦合效果。

在一些实施例中，如图3所示，电子设备还可以包括匹配电路7，匹配电路7的输入端与馈源6电连接，匹配电路7的输出端与耦合贴片3电连接。这样，在通过馈源6向耦合贴片3馈入激励信号时，可以通过匹配电路7调整馈入的激励信号的阻抗，以使该电子设备的阻抗更为匹配，从而使得该电子设备的功率损耗小、辐射效率高，增益好。

其中，匹配电路7可以包括电感和电容，电感和电容串联后，电感上未与电容连接的一端与馈源6电连接，电容上与电感连接的一端与耦合贴片3电连接，电容上未与电感连接的一端接地。这样可以通过电感和电容的作用实现馈源6馈入的激励信号的阻抗调整。电感和电容的属性数值可以基于需要匹配的阻抗的大小进行调整。

当然，匹配电路7除了可以是上述电路外，还可以是其他电路，只要可以实现对馈入的激励信号的阻抗的调整即可，本申请实施例对此不做限定。示例地，在电感与电容串联后，也可以是电容上未与电感连接的一端与馈源6电连接，电感上与电容连接的一端与耦合贴片3电连接，电感上未与电容连接的一端接地。

在一些实施例中，馈源6可以是单独设置的电子元器件，也可以是共用电子设备内的电子元器件。馈源6可以是射频芯片，也即是馈源6适用于将无线电信号通信转换成一定的无线电信号波形，并通过天线谐振发送出去的一个电子元器件。

当馈源6为单独设置的电子元器件时，馈源6与辐射体贴片之间可以通过传输线实现激励信号的传输，当然也可以在传输线的基础上，通过上述实施例所述的匹配电路7实现电连接，只要在馈源6馈入的激励信号激励耦合贴片3辐射电磁能量时，能够保证阻抗的匹配即可，本申请实施例对此不做限定。

当馈源6为共用电子设备内的电子元器件时，馈源6可以设置为设置在PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)上的电子元器件。此时可以通过金属弹脚直馈的方式馈入激励信号至耦合贴片3。

在一些实施例中，为了实现馈源6通过金属弹脚直馈的方式馈入激励信号至音腔金属本体4，该电子设备还可以包括金属弹片，金属弹片分别与馈源6与音腔金属本体4电连接，馈源用于通过金属弹片向音腔金属本体4馈入激励信号。这样，在通过金属弹片将馈源6与音腔金属本体4电连接后，可以将金属弹片作为传输线，实现激励信号直接馈入至音腔金属本体4，从而激励音腔金属本体4辐射波束。

其中，金属弹片所在的平面与音腔金属本体4所在的平面垂直，从而可以避免金属弹片对音腔金属本体4辐射的波束的反射等影响。当然，金属弹片所在的平面与音腔金属本体4所在的平面之间也可以存在一定夹角，只要夹角较小，不影响音腔金属本体4辐射的波束的定向性即可。

需要说明的是，为了便于金属弹片与馈源6和音腔金属本体4的电连接，音腔壳体2可以设置在金属中框1上用于靠近PCB的一侧。此时，馈源6为设置在PCB上靠近金属中框1的一侧的电子元器件。这样，音腔金属本体4和馈源6位于金属中框1与PCB之间，从而在通过金属弹片电连接音腔金属本体4和馈源6时，避免了在金属中框1和/或PCB板上设置开孔的现象，也即是可以直接将金属弹片的一端与音腔金属本体4电连接，将金属弹片的另一端与馈源6电连接。

本申请实施例中，当馈源6向音腔金属本体4馈入激励信号时，该激励信号可以音腔金属本体4谐振于第一谐振频率并辐射电磁能量，之后辐射的电磁能量可以通过音腔金属本体4与音腔金属支撑片5之间的间隙耦合至音腔支撑片5上，并以音腔金属本体4和音腔金属支撑片5为辐射主体向外辐射电磁能量。

而在通过音腔金属本体4和音腔金属支撑片5辐射电磁能量时，音腔金属本体4和音腔支撑钢片的电流分布可以如图4所示，可以看到音腔金属本体4和音腔金属支撑片5上都激励起了电流，且沿长度方向音腔金属本体4和音腔金属支撑片5的边缘的电流为0，中心点位置的电流最大，且音腔金属本体4和音腔金属支撑片5上的电流方向均没有发生变化，从而可以保证该电子设备工作在微带天线的1/2波长的工作模式。

如图5所示，给出了馈源6向音腔金属本体4馈入激励信号时，该电子设备的反射系数的曲线图，结合图5中A点对应的频率和B点对应的频率可以发现在3.3～3.5GHz内，该电子设备的反射系数小于-5dB。也即是在第一谐振频率覆盖3.3～3.5GHz的频率区间时，该电子设备的反射系数较小，能够保证该电子设备的天线性能。

如图6所示，给出了馈源6向音腔金属本体4馈入激励信号时，该电子设备的辐射效率和系统效率曲线，可以发现在3.25～3.5GHz内时，该电子设备的辐射效率和系统效率均能达到大于或等于-4dB。也即是，在第一谐振频率覆盖3.3～3.5GHz的频率区间时，该电子设备的辐射效率和系统效率均较高，能够保证该电子设备的天线性能。另外，由于3.3～3.5GHz的频率区间位于5G通信系统的N78频段(3.3-3.8)内，从而可以保证该电子设备能够满足5G通信系统的N78频段需求。

如图7和图8所示，分别给出了馈源6向音腔金属本体4馈入激励信号，且第一谐振频率分别为3.35GHz和3.45GHz时，该电子设备的远场方向图。可以看到，第一谐振频率为3.35GHz时，该电子设备的辐射效率为-0.6618db，总效率为-2.025db，系统辐射效率为-0.6622，系统总效率为-1.348；第一谐振频率为3.45GHz时，该电子设备的辐射效率为-1.043GHz，总效率为-2.852GHz，系统辐射效率为-1.043，系统总效率为-1.054；从而可知该电子设备的远场方向图具有良好的定向性。也即是，在第一谐振频率为3.35GHz或3.45GHz时，该电子设备的辐射方向图具有定向性，能够保证该电子设备的天线性能。

本申请实施例中，通过馈源向音腔金属本体馈入激励信号时，可以激励音腔金属本体谐振于第一谐振频率，这样音腔金属本体以第一谐振频率辐射的电磁能量在金属中框的反射作用下全部朝向音腔金属支撑片，进而可以保证音腔金属本体辐射的电磁能量的定向性。之后，音腔金属支撑片在电磁能量的耦合作用下，也可以谐振于第一谐振频率，进而可以实现以音腔金属本体和音腔金属支撑片为主辐射体的电子设备。由于音腔金属支撑片的尺寸小于或等于音腔金属本体的尺寸，从而使得音腔金属支撑片更接近于微带天线的贴片，进而使得该电子设备的工作模式为1/2工作波长的微带天线的工作模式，保证了该电子设备的定向辐射和辐射效率。另外，由于该电子设备产生的辐射方向图具有定向性的特点，从而避免了该电子设备辐射的波束与该电子设备内设置的天线装置辐射的定向波束的空间耦合，避免了与其他天线装置之间产生的相互影响。

另外，由于该电子设备是以电子设备的音腔的金属结构设计得到的，从而避免了该电子设备在电子设备金属边框处所占据的空间，也即是提高了该电子设备的内部空间的利用率，解决了电子设备的电子设备布局空间小带来的问题。

以上所述仅为本申请的说明性实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种电子设备，其特征在于，包括：

金属中框；

音腔壳体，固定在所述金属中框上，所述音腔壳体内间隔设置有音腔金属本体和音腔金属支撑片，所述音腔金属本体位于所述音腔金属支撑片和所述金属中框之间，且与所述金属中框绝缘设置；

馈源，耦合至所述音腔金属本体，用于向所述音腔金属本体馈入激励信号，以激励所述音腔金属本体谐振于第一谐振频率，所述激励信号还通过所述音腔金属本体与所述音腔金属支撑片之间的间隙耦合至所述音腔金属支撑片，以激励所述音腔金属支撑片谐振于所述第一谐振频率；所述音腔金属本体和所述音腔金属支撑片为主辐射体，且工作在微带天线的半波长工作模式；

所述金属中框的尺寸大于所述音腔壳体的尺寸，用于反射所述音腔金属本体辐射的电磁能量，使电磁能量的辐射方向朝向所述音腔金属支撑片。

2.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括耦合贴片，所述耦合贴片与所述音腔金属本体间隔设置，且位于所述音腔金属本体和所述金属中框之间；

所述馈源与所述耦合贴片电连接，所述馈源用于向所述耦合贴片馈入所述激励信号，以通过所述耦合贴片与所述音腔金属本体之间的间隙耦合至所述音腔金属本体。

3.如权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述耦合贴片和所述音腔金属本体之间垂直距离为0.1λ，所述λ是指所述第一谐振频率的波束信号在所述音腔壳体中传播的波长。

4.如权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述耦合贴片的法向中心线与所述音腔金属本体的法向中心线重合。

5.如权利要求2-4任一所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括匹配电路，所述匹配电路的输入端与所述馈源电连接，所述匹配电路的输出端与所述耦合贴片电连接。

6.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括金属弹片，所述金属弹片分别与所述馈源和所述音腔金属本体电连接，所述馈源用于通过所述金属弹片向所述音腔金属本体馈入所述激励信号。

7.如权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述金属弹片所在的平面与所述音腔金属本体所在的平面垂直。

8.如权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述音腔壳体设置在所述金属中框上用于靠近印制电路板PCB的一侧，所述馈源设置在所述PCB上。

9.如权利要求1、2、6中任一所述的电子设备，其特征在于，所述音腔金属支撑片的尺寸小于所述音腔金属本体的尺寸，所述音腔金属支撑片的正投影位于所述音腔金属本体上。

10.如权利要求1、2、6中任一所述的电子设备，其特征在于，所述音腔金属本体和所述音腔金属支撑片之间的垂直距离为0.1λ，所述λ是指所述第一谐振频率的波束信号在所述音腔壳体中传播的波长。

11.如权利要求1、2、6中任一所述的电子设备，其特征在于，所述第一谐振频率覆盖3.3GHz～3.8GHz频率区间。

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