CN111405424B - 发声器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种发声器件，其包括盆架、振动系统和磁路系统，振动系统包括呈环状的上振膜、下振膜、音圈、上骨架、下骨架及隔离振膜，上振膜固定于盆架；下振膜环绕磁路系统间隔设置，下振膜的外周侧固定于盆架；上骨架分别与上振膜和音圈连接；下骨架分别与下振膜和音圈连接；隔离振膜的外周侧与盆架本体连接，其内周侧与下骨架连接。与相关技术相比，本发明的发声器件声学响度更高，声学性能更好。

Description

发声器件

【技术领域】

本发明涉及电声转换领域，尤其涉及一种运用于电子音箱产品的发声器件。

【背景技术】

相关技术的发声器件包括盆架、固定于所述盆架的振动系统和具有磁间隙的磁路系统，所述磁路系统驱动所述振动系统振动发声，所述振动系统包括固定于所述盆架用于振动发声的振膜，贴合于所述振膜的球顶靠近所述磁路系统一侧的骨架以及插设于所述磁间隙并与骨架连接以驱动所述振膜振动的音圈。

然而，相关技术的发声器件中，所述振动系统和所述磁路系统呈上下堆叠结构，在相同高度的发声器件中则限制了磁路系统的结构，从而限制了其磁场的BL值；另外，所述发声器件仅有一个振膜结构，振膜的有效振动面积(SD)较小，从而限制了所述发声器件的响度。

因此，实有必要提供一种新的发声器件解决上述技术问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种响度大且声学性能更优的发声器件。

为了达到上述目的，本发明提供了一种发声器件，其包括盆架、分别支撑于所述盆架的振动系统和驱动所述振动系统振动发声的磁路系统，所述磁路系统具有磁间隙，所述振动系统包括：

上振膜，所述上振膜呈环状并环绕所述磁路系统设置，所述上振膜固定于所述盆架；

下振膜，所述下振膜呈环状且环绕所述磁路系统间隔设置，所述下振膜与所述上振膜间隔相对，所述下振膜的外周侧固定于所述盆架；

音圈，所述音圈插设于所述磁间隙内用以驱动所述上振膜和所述下振膜振动发声；

上骨架，所述上骨架呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述上骨架分别与所述上振膜和所述音圈连接；

下骨架，所述下骨架呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述下骨架分别与所述下振膜和所述音圈连接，所述音圈同时驱动所述上骨架和所述下骨架以带动所述上振膜和所述下振膜同时振动；以及，

隔离振膜，所述隔离振膜呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述隔离振膜间隔设置于所述上振膜和所述下振膜之间，所述隔离振膜的外周侧与所述盆架连接，所述隔离振膜的内周侧与所述下骨架连接。

优选的，所述上骨架包括间隔设置于所述磁路系统外周侧的上骨架本体、由所述上骨架本体向所述磁路系统弯折延伸至所述磁间隙内的上骨架延伸壁以及由所述上骨架延伸壁弯折延伸的呈弧形的上骨架连接壁；所述上骨架本体连接于所述上振膜；所述音圈呈带圆角的矩形结构，所述上骨架连接壁贴合于所述音圈外周侧的圆角处。

优选的，所述上骨架本体包括两个且分别间隔设于所述音圈的相对两侧，每一所述上骨架本体的相对两端分别弯折形成两个所述上骨架延伸壁，每一所述上骨架延伸壁均弯折延伸形成一所述上骨架连接壁，四个所述上骨架连接壁分别设于所述音圈的四个圆角处。

优选的，所述上骨架本体包括上骨架本体壁和由所述上骨架本体壁靠近所述上振膜的一端沿垂直于所述上振膜的振动方向弯折延伸的上加强壁；所述上骨架延伸壁由所述上骨架本体壁弯折延伸，所述上加强壁与所述上振膜连接。

优选的，所述下骨架包括间隔环绕所述磁路系统设置的呈环状的下骨架本体、由所述下骨架本体向所述磁路系统弯折延伸至所述磁间隙内的下骨架支架以及由所述下骨架支架弯折延伸的呈弧形的下骨架连接壁；所述下骨架本体靠近所述上振膜的一端与所述隔离振膜远离所述上振膜的一侧连接，所述下骨架本体远离所述上振膜的一端与所述下振膜靠近所述上振膜的一侧连接，所述下骨架连接壁贴合于所述音圈外周侧的圆角处且与所述上骨架连接壁间隔设置。

优选的，所述下骨架支架包括四个，所述下骨架连接壁包括四个，每一所述下骨架支架均弯折延伸形成一所述下骨架连接壁，四个所述下骨架连接壁分别设于所述音圈的四个圆角处。

优选的，所述下骨架本体包括下骨架本体壁、由所述下骨架本体壁靠近所述隔离振膜的一端沿垂直于所述上振膜的振动方向弯折延伸的第一下加强壁、以及由所述下骨架本体壁靠近所述下振膜的一端沿垂直于所述振动方向弯折延伸的第二下加强壁，所述第一下加强壁与所述第二下加强壁分别位于所述下骨架本体壁的相异两侧；所述第一下加强壁与所述隔离振膜连接；所述第二下加强壁与所述下振膜连接；所述下骨架支架由所述下骨架本体壁弯折延伸。

优选的，所述上振膜包括均呈环状的第一上折环部、环绕所述第一上折环部并相互间隔的呈环状的第二上折环部、由所述第一上折环部的外周侧弯折延伸的第一上振动部、由所述第一上折环部的内周侧弯折延伸的第一上固定部、由所述第二上折环部的外周侧弯折延伸的第二上固定部、由所述第二上折环部的内周侧弯折延伸的第二上振动部以及同时盖设固定于所述第一上振动部和所述第二上振动部远离所述下振膜一侧的上球顶部，所述第一上固定部固定于所述磁路系统，所述第二上固定部固定于所述盆架；所述上骨架连接于所述第一上振动部。

优选的，所述上球顶部与所述隔离振膜间隔正对设置。

优选的，所述下振膜包括呈环状的下折环部、由所述下折环部的内周侧弯折延伸的下振动部、由所述下折环部的外周则弯折延伸的下固定部以及盖设固定于所述下振动部靠近所述上振膜一侧的呈环状的下球顶部；所述下球顶部与所述下骨架连接，所述下固定部固定于所述盆架。

优选的，所述隔离振膜与所述下球顶部间隔正对设置，且所述隔离振膜沿垂直于所述上振膜的振动方向的宽度小于所述下球顶部的宽度。

优选的，所述第二上折环部与所述下折环部正对设置。

优选的，所述第二上折环部呈向远离所述下折环部方向凹陷形成的弧形结构，所述下折环部呈向远离所述第二上折环部方向凹陷形成的弧形结构。

优选的，所述盆架包括固定支撑所述磁路系统的底壁、由所述底壁周缘弯折延伸的呈环状的侧壁以及由所述侧壁向靠近所述磁路系统方向延伸的呈环状的支撑壁；所述下振膜的外周侧固定于所述侧壁并使所述下振膜与所述底壁间隔设置，所述上振膜的外周侧固定于所述侧壁远离所述底壁的一端，所述隔离振膜的外周侧固定于所述支撑壁。

优选的，所述磁路系统包括支撑于所述底壁的磁轭和分别固定于所述磁轭的主磁钢以及环绕所述主磁钢的副磁钢，所述副磁钢与所述主磁钢间隔形成所述磁间隙；所述副磁钢设有让位口，所述上骨架和所述下骨架均经所述让位口延伸至所述磁间隙内并与所述音圈连接；所述第一上固定部固定于所述副磁钢远离所述磁轭的一侧。

优选的，所述副磁钢包括间隔设置于所述主磁钢相对两侧的第一副磁钢和间隔设置于所述主磁钢另外相对两侧的第二副磁钢，相邻的所述第一副磁钢和所述第二副磁钢间隔形成所述让位口。

优选的，所述磁路系统还包括盖设于所述副磁钢的导磁板，所述导磁板将所述第一上固定部压设于所述副磁钢上。

优选的，所述导磁板抵接于所述主磁钢。

优选的，所述副磁钢远离所述磁轭的一端呈倒角结构，所述第一上折环部正对于该倒角结构的位置设置，且所述第一上折环部呈向远离所述磁路系统方向凹陷形成的弧形结构。

与相关技术相比，本发明的发声器件将所述振动系统与所述磁路系统由堆叠结构设计为平行结构，即将所述振动系统环绕于所述磁路系统设置，从而使得在同样高度的发声器件中，所述磁路系统可以有效利用了发声器件的高度空间而设计更厚，从而有效提高磁场BL值，使得磁路系统驱动力更大，提高了振动系统的振动性能，并极大程度的提高了振动系统的声学性能；同时，将振动系统设高振动方向计为上振膜和下振膜的双振膜结构，使得上振膜和下振膜分别通过上前腔和下前腔发声并共用同一后腔，该结构在充分利用发声器件的高度空间有效的提高了振动系统的振膜有效振动面积(SD)，提高了发声器件的发声响度，也即在发声器件的振膜有效振动面积(SD)相同的情况下，可使发声器件尺寸更小。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1为本发明发声器件的立体结构示意图；

图2为本发明发声器件的部分立体结构分解图；

图3为沿图1中A-A线的剖示图；

图4为图3中B所示部分的放大图；

图5为本发明发声器件的所述上骨架结构示意图；

图6为本发明发声器件的所述下骨架结构示意图；

图7为本发明发声器件的上骨架、下骨架及音圈的组装立体结构示意图；

图8为本发明发声器件的上骨架、音圈及上振膜的组装立体结构示意图；

图9为本发明发声器件的下骨架、音圈、隔离振膜及下振膜的组装立体结构示意图；

图10为本发明发声器件的磁路系统的部分结构示意图。

【具体实施方式】

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请同时参阅图1-10，本发明提供了一种发声器件100，其包括盆架1、分别支撑于所述盆架1的振动系统2和磁路系统3以及上盖板4，所述磁路系统3具有磁间隙30，所述磁路系统3驱动所述振动系统2振动发声。

所述振动系统2包括上振膜21、下振膜22、音圈23、上骨架24、下骨架25以及隔离振膜26。其中，所述上振膜21、所述隔离振膜26以及所述下振膜22由上向下依次间隔设置。

所述上振膜21呈环状并环绕所述磁路系统3设置。

所述上振膜21的外周侧固定于所述盆架1远离所述磁路系统3的一侧。所述上振膜21的内周侧固定于所述磁路系统3。所述上振膜21和所述盆架1共同围成收容空间10。

所述上振膜21远离所述收容空间10的一侧与外界连通并充当所述上振膜21发声的上前腔101；具体的，所述上盖板4盖设于固定于所述盆架1远离所述磁路系统3的一侧，所述上振膜21的外周侧夹设固定于所述盆架1和所述上盖板4之间，且所述上振膜21、所述盆架1以及所述上盖板4共同围成所述上前腔101，所述上盖板4设有贯穿其上的发声口40，所述发声口40将所述上前腔101与外界连通，实现发声。本实施方式中，所述上振膜21包括均呈环状的第一上折环部211、环绕所述第一上折环部211并相互间隔的呈环状的第二上折环部212、由所述第一上折环部211的外周侧弯折延伸的第一上振动部213、由所述第一上折环部211的内周侧弯折延伸的第一上固定部214、由所述第二上折环部212的外周侧弯折延伸的第二上固定部215、由所述第二上折环部212的内周侧弯折延伸的第二上振动部216以及同时盖设固定于所述第一上振动部213和所述第二上振动部216远离所述下振膜22一侧的上球顶部217。所述第一上固定部214固定于所述磁路系统3，所述第二上固定部215夹设固定于所述盆架1和所述上盖板4之间。所述上骨架24连接于所述第一上振动部213。

所述下振膜22呈环状且环绕所述磁路系统3间隔设置。

所述下振膜22与所述上振膜21间隔相对并位于所述第二收容空间20内，所述下振膜22的外周侧固定于所述盆架1远离所述上振膜21的一侧。

具体的，所述下振膜22包括呈环状的下折环部221、由所述下折环部221的内周侧弯折延伸的下振动部222和由所述下折环部221的外周则弯折延伸的下固定部223以及盖设固定于所述下振动部222靠近所述上振膜21一侧的呈环状的下球顶部224。所述下球顶部224与所述下骨架25连接，所述下固定部223固定于所述盆架1远离所述上振膜21的一侧。

本实施方式中，所述第二上折环部212与所述下折环部221正对设置。更优的，所述第二上折环部212呈向远离所述下折环部221方向凹陷形成的弧形结构，所述下折环部221呈向远离所述第二上折环部212方向凹陷形成的弧形结构。该结构有效的利用于所述发声器件100的高度空间，使得所述上振膜21和所述下振膜22具有更大的振动空间，振动性能更优。

所述音圈23插设于所述磁间隙30内用以驱动所述上振膜21和所述下振膜22振动发声。上述结构形成双振膜振动发声结构，有效的提高了振动系统2的振动有效振动面积(SD)，提高了发声器件的发声响度，也即在所述发声器件100的振膜有效振动面积(SD)相同的情况下，可使发声器件100尺寸更小，有利于微型化发展。同时，所述上振膜21和所述下振膜22均环绕所述磁路系统3设置，打破了振动系统2与磁路系统3的常规叠层结构设计，使得磁路系统3可充分利用发声器件100的高度空间设计更厚，有效提高其磁场的BL值，进而改善驱动力以提高了发声器件100的振动性能，改善发声性能。

所述上骨架24位于所述收容空间10内。所述上骨架24呈环状并环绕所述磁路系统3间隔设置。

所述上骨架24分别与所述音圈23和所述上振膜21连接，所述音圈23驱动所述上骨架24以带动所述上振膜21振动。

所述下骨架25位于所述收容空间10内。所述下骨架25呈环状并环绕所述磁路系统3间隔设置。所述下骨架25分别与所述下振膜22、所述音圈23及所述隔离振膜26连接。所述音圈23同时驱动所述上骨架24和所述下骨架25以带动所述上振膜21和所述下振膜22同时振动，实现双振膜振动发声结构。

所述隔离振膜26呈环状并环绕所述磁路系统3间隔设置。

所述隔离振膜26间隔设置于所述上振膜21和所述下振膜22之间，所述隔离振膜26的外周侧与所述盆架1连接，所述隔离振膜26的内周侧与所述下骨架25连接。

更优的，所述上球顶部217与所述隔离振膜26间隔正对设置。

更优的，所述隔离振膜26与所述下球顶部224间隔正对设置，且所述隔离振膜26沿垂直于所述上振膜21的振动方向的宽度小于所述下球顶部224的宽度。该结构设置避免所述隔离振膜26宽度过大造成下振膜22的振膜有效振动面积SD损失而影响声学性能。

所述下振膜22、所述下骨架25、所述隔离振膜26以及所述盆架1共同将所述收容空间10分隔成用于所述下振膜22发声的下前腔103以及用于所述上振膜21和所述下振膜22共用的后腔102。具体的，所述下振膜22远离所述上振膜21的一侧与所述后腔102连通并与所述上振膜21共用所述后腔102。所述发声孔120将所述下前腔103与外界连通，实现发声。

也就是说，所述隔离振膜26从所述收容空间10内隔离出所述下前腔103，避免了所述后腔102与所述下前腔103声短路。

所述上骨架24连接所述上振膜21和所述音圈23，具体的，所述上骨架24连接于所述第一上振动部213。

所述下骨架25呈环状，所述下骨架25与所述下振膜22连接，具体的，所述下振膜22的所述下振动部222与所述下骨架25连接。

所述隔离振膜26的内周侧连接于所述下骨架25。所述隔离振膜26的外周侧固定于所述盆架1。此时，所述下振膜22、所述下骨架25、所述隔离振膜26以及所述盆架1共同围成用于所述下振膜22发声的所述下前腔103。

具体的，所述上骨架24包括间隔设置于所述磁路系统3外周侧的上骨架本体241、由所述上骨架本体241向所述磁路系统3弯折延伸至所述磁间隙30内的上骨架延伸壁242以及由所述上骨架延伸壁242弯折延伸的呈弧形的上骨架连接壁243。

所述上骨架本体241连接于所述上振膜21。值得一提的是，音圈的结构形式是不限，比如，在本实施方式中，所述音圈23呈带圆角的矩形结构，所述上骨架连接壁243贴合于所述音圈23外周侧的圆角处。

所述上骨架本体241包括两个且分别间隔设于所述音圈23的相对两侧，每一所述上骨架本体241的相对两端分别弯折形成两个所述上骨架延伸壁242，每一所述上骨架延伸壁242均弯折延伸形成一所述上骨架连接壁243，即共形成四个所述上骨架连接壁243，四个所述上骨架连接壁243分别设于所述音圈23的四个圆角处。上述结构对称支撑所所述音圈23，支撑更稳定，振动可靠性更好。

更优的，所述上骨架本体241包括上骨架本体壁2411、由所述上骨架本体壁2411靠近所述上振膜21的一端沿垂直于所述上振膜21的振动方向弯折延伸的上加强壁2412。所述上骨架延伸壁242由所述上骨架本体壁2411弯折延伸。

所述上加强壁2412与所述上振膜21连接，具体为，所述上加强壁2412与所述上振膜21的上振动部213连接。所述上加强壁2412设置通过增加结合面积以增加了所述上骨架本体241与所述上振膜21的连接强度，提高振动可靠性。

所述下骨架25包括间隔环绕所述磁路系统3设置的呈环状的下骨架本体251、由所述下骨架本体251向所述磁路系统3弯折延伸至所述磁间隙30内的下骨架支架252以及由所述下骨架支架252弯折延伸的呈弧形的下骨架连接壁253。

所述下骨架本体251靠近所述上振膜21的一端与所述隔离振膜26远离所述上振膜21的一侧连接；所述下骨架本体251远离所述上振膜21的一端与所述下振膜22靠近所述上振膜21的一侧连接。

所述下骨架连接壁253贴合于所述音圈23外周侧的圆角处。所述下骨架连接壁253与所述上骨架连接壁243间隔设置。也就是说，所述音圈23带动下骨架25振动，下骨架25带动下振膜22振动，从而实现下振膜22的同时振动发声。

本实施方式中，所述下骨架支架252包括四个，所述下骨架连接壁253包括四个，每一所述下骨架支架252均弯折延伸形成一所述下骨架连接壁253，四个所述下骨架连接壁253分别设于所述音圈23的四个圆角处。上述结构对称支撑所所述音圈23，支撑更稳定，振动可靠性更好。

此时，所述下振膜22、所述下骨架25、所述隔离振膜26以及所述下盆架1共同围成所述下前腔103。

更优的，所述下骨架本体251包括下骨架本体壁2511、由所述下骨架本体壁2511靠近所述隔离振膜26的一端沿垂直于所述上振膜21的振动方向弯折延伸的第一下加强壁2512、以及由所述下骨架本体壁2511靠近所述下振膜22的一端沿垂直于所述振动方向弯折延伸的第二下加强壁2513。其中，所述下骨架支架252由所述下骨架本体壁2511弯折延伸。所述第一下加强壁2512与所述隔离振膜26连接。所述第二下加强壁2513与所述下振膜22连接，具体的，所述第二下加强壁2513与所述下球顶部224连接。

所述第一下加强壁2512与所述第二下加强壁2513的设置通过增加结合面积分别增加了所述下骨架本体251与所述隔离振膜26的连接强度，以及所述下骨架本体251与所述下振膜22的连接强度，从而进一步地提高振动可靠性。

本实施方式中，所述第一下加强壁2512与所述第二下加强壁2513分别位于所述下骨架本体壁2511的相异两侧。

本实施方式中，所述盆架1包括固定支撑所述磁路系统3的底壁11、由所述底壁11周缘弯折延伸的呈环状的侧壁12以及由所述侧壁12向靠近所述磁路系统3方向延伸的呈环状的支撑壁13。

所述下振膜22的外周侧固定于所述侧壁12，具体为，所述下振膜22的下固定部223固定于所述侧壁12，并使所述下振膜22与所述底壁11间隔设置，为下振膜22提供振动空间。

所述上振膜21的外周侧固定于所述侧壁12远离所述底壁11的一端，具体为，所述上振膜21的所述第二上固定部215固定于所述侧壁12远离所述底壁11的一端。

所述发声孔120贯穿所述侧壁12设置且位于所述支撑壁13靠近所述底壁11的一侧。

具体的，所述侧壁12包括由所述底壁11周缘弯折延伸的第一侧壁121和由所述第一侧壁121向远离所述底壁11方向延伸的第二侧壁122，所述支撑壁13由所述第二侧壁122弯折延伸。

所述上振膜21的外周侧，即所述第二上固定部215固定于所述第二侧壁122远离所述底壁11的一端；所述下振膜22的外周侧，即下固定部223夹设固定于所述第一侧壁121与所述第二侧壁122之间。所述发声孔120贯穿所述第二侧壁122设置且位于所述支撑壁13靠近所述底壁11的一侧。

所述隔离振膜26的外周侧固定于所述盆架1的支撑壁13。此时，所述下振膜22、所述下骨架25、所述隔离振膜26以及所述第二侧壁122共同围成用于所述下振膜22发声的所述下前腔103。

所述磁路系统3包括支撑于所述底壁11的磁轭31和分别固定于所述磁轭31的主磁钢32以及环绕所述主磁钢32的副磁钢33。所述副磁钢33与所述主磁钢32间隔形成所述磁间隙30。

所述副磁钢33设有让位口330，所述上骨架24和所述下骨架25均经所述让位口330延伸至所述磁间隙30内并与所述音圈23连接。具体为，所述上骨架24的所述上骨架延伸壁242经所述让位口330延伸至所述磁间隙30内；所述下骨架25的所述下骨架支架252经所述让位口330延伸至所述磁间隙30内。

所述上振膜21的所述第一上固定部214固定于所述副磁钢33远离所述磁轭31的一侧。

更优的，所述副磁钢33包括间隔设置于所述主磁钢32相对两侧的第一副磁钢331和间隔设置于所述主磁钢32另外相对两侧的第二副磁钢332，相邻的所述第一副磁钢331和所述第二副磁钢332间隔设置形成所述让位口330。

所述磁路系统3还包括盖设于所述副磁钢31的导磁板34，所述导磁板34将所述上振膜21的内周侧，即第一上固定部214压设于所述副磁钢31上，加强上振膜21的固定强度，提高可靠性。

为了减少磁路系统30的磁场外泄，将所述导磁板34设置为平板状，并使导磁板34覆盖所述主磁钢32和所述磁间隙30。本实施方式中，所述导磁板34抵接于所述主磁钢32。

更优的，所述副磁钢33远离所述磁轭31的一端呈倒角结构，所述第一上折环部211正对于该倒角结构的位置设置，且所述第一上折环部211呈向远离所述磁路系统3方向凹陷形成的弧形结构。该结构利用该倒角结构为所述第一上折环部211的振动提供让位，使所述第一上折环部211具有更大的振动空间，提高有效振动幅度。

与相关技术相比，本发明的发声器件将所述振动系统与所述磁路系统由堆叠结构设计为平行结构，即将所述振动系统环绕于所述磁路系统设置，从而使得在同样高度的发声器件中，所述磁路系统可以有效利用了发声器件的高度空间而设计更厚，从而有效提高磁场BL值，使得磁路系统驱动力更大，提高了振动系统的振动性能，并极大程度的提高了振动系统的声学性能；同时，将振动系统设高振动方向计为上振膜和下振膜的双振膜结构，使得上振膜和下振膜分别通过上前腔和下前腔发声并共用同一后腔，该结构在充分利用发声器件的高度空间有效的提高了振动系统的振膜有效振动面积(SD)，提高了发声器件的发声响度，也即在发声器件的振膜有效振动面积(SD)相同的情况下，可使发声器件尺寸更小。

以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。

Claims (19)

1.一种发声器件，其包括盆架、分别支撑于所述盆架的振动系统和驱动所述振动系统振动发声的磁路系统，所述磁路系统具有磁间隙，其特征在于，所述振动系统包括：

上振膜，所述上振膜呈环状并环绕所述磁路系统设置，所述上振膜固定于所述盆架；

下振膜，所述下振膜呈环状且环绕所述磁路系统间隔设置，所述下振膜与所述上振膜间隔相对，所述下振膜的外周侧固定于所述盆架；

音圈，所述音圈插设于所述磁间隙内用以驱动所述上振膜和所述下振膜振动发声；

上骨架，所述上骨架呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述上骨架分别与所述上振膜和所述音圈连接；

下骨架，所述下骨架呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述下骨架分别与所述下振膜和所述音圈连接，所述音圈同时驱动所述上骨架和所述下骨架以带动所述上振膜和所述下振膜同时振动；以及，

隔离振膜，所述隔离振膜呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述隔离振膜间隔设置于所述上振膜和所述下振膜之间，所述隔离振膜的外周侧与所述盆架连接，所述隔离振膜的内周侧与所述下骨架连接。

2.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述上骨架包括间隔设置于所述磁路系统外周侧的上骨架本体、由所述上骨架本体向所述磁路系统弯折延伸至所述磁间隙内的上骨架延伸壁以及由所述上骨架延伸壁弯折延伸的呈弧形的上骨架连接壁；所述上骨架本体连接于所述上振膜；所述音圈呈带圆角的矩形结构，所述上骨架连接壁贴合于所述音圈外周侧的圆角处。

3.根据权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述上骨架本体包括两个且分别间隔设于所述音圈的相对两侧，每一所述上骨架本体的相对两端分别弯折形成两个所述上骨架延伸壁，每一所述上骨架延伸壁均弯折延伸形成一所述上骨架连接壁，四个所述上骨架连接壁分别设于所述音圈的四个圆角处。

4.根据权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述上骨架本体包括上骨架本体壁和由所述上骨架本体壁靠近所述上振膜的一端沿垂直于所述上振膜的振动方向弯折延伸的上加强壁；所述上骨架延伸壁由所述上骨架本体壁弯折延伸，所述上加强壁与所述上振膜连接。

5.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述下骨架包括间隔环绕所述磁路系统设置的呈环状的下骨架本体、由所述下骨架本体向所述磁路系统弯折延伸至所述磁间隙内的下骨架支架以及由所述下骨架支架弯折延伸的呈弧形的下骨架连接壁；所述下骨架本体靠近所述上振膜的一端与所述隔离振膜远离所述上振膜的一侧连接，所述下骨架本体远离所述上振膜的一端与所述下振膜靠近所述上振膜的一侧连接，所述下骨架连接壁贴合于所述音圈外周侧的圆角处且与所述上骨架连接壁间隔设置。

6.根据权利要求5所述的发声器件，其特征在于，所述下骨架支架包括四个，所述下骨架连接壁包括四个，每一所述下骨架支架均弯折延伸形成一所述下骨架连接壁，四个所述下骨架连接壁分别设于所述音圈的四个圆角处。

7.根据权利要求5所述的发声器件，其特征在于，所述下骨架本体包括下骨架本体壁、由所述下骨架本体壁靠近所述隔离振膜的一端沿垂直于所述上振膜的振动方向弯折延伸的第一下加强壁、以及由所述下骨架本体壁靠近所述下振膜的一端沿垂直于所述振动方向弯折延伸的第二下加强壁，所述第一下加强壁与所述第二下加强壁分别位于所述下骨架本体壁的相异两侧；所述第一下加强壁与所述隔离振膜连接；所述第二下加强壁与所述下振膜连接；所述下骨架支架由所述下骨架本体壁弯折延伸。

8.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述上振膜包括均呈环状的第一上折环部、环绕所述第一上折环部并相互间隔的呈环状的第二上折环部、由所述第一上折环部的外周侧弯折延伸的第一上振动部、由所述第一上折环部的内周侧弯折延伸的第一上固定部、由所述第二上折环部的外周侧弯折延伸的第二上固定部、由所述第二上折环部的内周侧弯折延伸的第二上振动部以及同时盖设固定于所述第一上振动部和所述第二上振动部远离所述下振膜一侧的上球顶部，所述第一上固定部固定于所述磁路系统，所述第二上固定部固定于所述盆架；所述上骨架连接于所述第一上振动部。

9.根据权利要求8所述的发声器件，其特征在于，所述上球顶部与所述隔离振膜间隔正对设置。

10.根据权利要求8所述的发声器件，其特征在于，所述下振膜包括呈环状的下折环部、由所述下折环部的内周侧弯折延伸的下振动部、由所述下折环部的外周则弯折延伸的下固定部以及盖设固定于所述下振动部靠近所述上振膜一侧的呈环状的下球顶部；所述下球顶部与所述下骨架连接，所述下固定部固定于所述盆架之间。

11.根据权利要求10所述的发声器件，其特征在于，所述隔离振膜与所述下球顶部间隔正对设置，且所述隔离振膜沿垂直于所述上振膜的振动方向的宽度小于所述下球顶部的宽度。

12.根据权利要求10所述的发声器件，其特征在于，所述第二上折环部与所述下折环部正对设置。

13.根据权利要求12所述的发声器件，其特征在于，所述第二上折环部呈向远离所述下折环部方向凹陷形成的弧形结构，所述下折环部呈向远离所述第二上折环部方向凹陷形成的弧形结构。

14.根据权利要求10所述发声器件，其特征在于，所述盆架包括固定支撑所述磁路系统的底壁、由所述底壁周缘弯折延伸的呈环状的侧壁以及由所述侧壁向靠近所述磁路系统方向延伸的呈环状的支撑壁；所述下振膜的外周侧固定于所述侧壁并使所述下振膜与所述底壁间隔设置，所述上振膜的外周侧固定于所述侧壁远离所述底壁的一端，所述隔离振膜的外周侧固定于所述支撑壁。

15.根据权利要求14所述的发声器件，其特征在于，所述磁路系统包括支撑于所述底壁的磁轭和分别固定于所述磁轭的主磁钢以及环绕所述主磁钢的副磁钢，所述副磁钢与所述主磁钢间隔形成所述磁间隙；所述副磁钢设有让位口，所述上骨架和所述下骨架均经所述让位口延伸至所述磁间隙内并与所述音圈连接；所述第一上固定部固定于所述副磁钢远离所述磁轭的一侧。

16.根据权利要求15所述发声器件，其特征在于，所述副磁钢包括间隔设置于所述主磁钢相对两侧的第一副磁钢和间隔设置于所述主磁钢另外相对两侧的第二副磁钢，相邻的所述第一副磁钢和所述第二副磁钢间隔形成所述让位口。

17.根据权利要求15所述的发声器件，其特征在于，所述磁路系统还包括盖设于所述副磁钢的导磁板，所述导磁板将所述第一上固定部压设于所述副磁钢上。

18.根据权利要求17所述的发声器件，其特征在于，所述导磁板抵接于所述主磁钢。

19.根据权利要求15所述的发声器件，其特征在于，所述副磁钢远离所述磁轭的一端呈倒角结构，所述第一上折环部正对于该倒角结构的位置设置，且所述第一上折环部呈向远离所述磁路系统方向凹陷形成的弧形结构。

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