CN111402783A - 像素 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置中的像素，所述像素包括：发光元件；第一晶体管，用于对应于被施加到第一节点的电压来控制经由发光元件从第一电源流向第二电源的电流量；以及第二晶体管和第三晶体管，串联结合在保持电源与结合到第一晶体管的一个电极的第二节点之间，其中，第二晶体管包括结合到发射控制线的栅电极，并且其中，第三晶体管包括结合到扫描线的栅电极。

Description

像素
本申请要求于2018年12月28日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0172891号韩国专利申请的优先权和利益，该韩国专利申请通过引用被完全包含于此。
技术领域
示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种像素和具有该像素的显示装置。
背景技术
显示装置使用发射各种颜色的光(例如，红光、绿光和蓝光)的像素来显示图像。显示装置可以使用控制发射控制信号的导通/截止占空比(即，发光时段或脉冲宽度)的脉冲调光来控制像素的亮度。
每个像素可以包括发光元件和用于驱动发光元件的多个晶体管。然而，晶体管的阈值电压可能会因温度改变、由于使用引起的劣化等而偏移。因此，晶体管的驱动电流可能会因在用于亮度调光(亮度控制)的非发光时段中导通晶体管而改变，并且发光元件可能会发射具有不期望的亮度或不期望的灰度级的光。
发明内容
发明的示例实施例的方面是提供一种像素，该像素通过在非发光时段中向第一晶体管的第一电极(第二节点)供应预定电压来防止晶体管在非发光时段中导通。
发明的示例实施例的另一方面是提供具有该像素的显示装置。
然而，发明的示例实施例的方面不限于上述方面，并且可以在不脱离发明的精神和范围的情况下进行各种扩展。
根据一些实施例，一种像素可以包括：发光元件；第一晶体管，用于对应于被施加到第一节点的电压来控制经由发光元件从第一电源流向第二电源的电流量；以及第二晶体管和第三晶体管，串联结合在结合到第一晶体管的一个电极的第二节点与保持电源之间，其中，第二晶体管可以包括结合到发射控制线的栅电极，并且其中，第三晶体管可以包括结合到扫描线的栅电极。
第一晶体管可以是与第二晶体管和第三晶体管不同类型的。
第二晶体管和第三晶体管可以是NMOS晶体管，并且第一晶体管可以是PMOS晶体管。
像素还可以包括：第四晶体管，结合在数据线与第二节点之间，第四晶体管包括结合到扫描线的栅电极；第五晶体管，结合在第一节点与第三节点之间，第五晶体管包括结合到扫描线的栅电极；第六晶体管，结合在第一电源与第二节点之间，第六晶体管包括结合到发射控制线的栅电极；第七晶体管，结合在第三节点与发光元件之间，第七晶体管包括结合到发射控制线的栅电极；以及存储电容器，结合在第一电源与第一节点之间。
像素还可以包括：第八晶体管，结合在第一节点与初始化电源之间，第八晶体管包括结合到前一扫描线的栅电极；以及第九晶体管，结合在初始化电源与发光元件之间，第九晶体管包括结合到扫描线的栅电极。
保持电源和初始化电源可以相同。
保持电源的电压可以比被供应给数据线的数据电压的最低电压低。
第一晶体管和第四晶体管至第九晶体管可以是PMOS晶体管，并且第二晶体管和第三晶体管可以是NMOS晶体管。
第四晶体管可以包括共同结合到扫描线的多栅电极晶体管。
发射控制信号可以在一帧时段期间被多次施加到发射控制线。
第二晶体管可以响应于发射控制信号的逻辑高电平而导通，第三晶体管可以响应于扫描信号的逻辑高电平而导通。
第六晶体管和第七晶体管可以响应于发射控制信号的逻辑低电平而导通。
第四晶体管和第五晶体管可以响应于扫描信号的逻辑低电平而导通。
根据一些实施例，一种显示装置可以包括：显示面板，包括多个像素；扫描驱动器，用于通过多条扫描线向所述多个像素供应扫描信号；发射驱动器，用于通过多条发射控制线向所述多个像素供应发射控制信号；以及数据驱动器，用于通过多条数据线向显示面板供应数据电压，其中，所述多个像素中的(m，n)像素(m和n是大于0的自然数)可以包括：发光元件；第一晶体管，用于对应于被施加到第一节点的电压来控制经由发光元件从第一电源流向第二电源的电流量；以及第二晶体管和第三晶体管，串联结合在结合到第一晶体管的一个电极的第二节点与保持电源之间，其中，第二晶体管可以包括结合到第n发射控制线的栅电极，并且其中，第三晶体管可以包括结合到第n扫描线的栅电极。
(m，n)像素还可以包括：第四晶体管，结合在第m数据线与第二节点之间，第四晶体管包括结合到第n扫描线的栅电极；第五晶体管，结合在第一节点与第三节点之间，第五晶体管包括结合到第n扫描线的栅电极；第六晶体管，结合在第一电源与第二节点之间，第六晶体管包括结合到第n发射控制线的栅电极；第七晶体管，结合在第三节点与发光元件之间，第七晶体管包括结合到第n发射控制线的栅电极；以及存储电容器，结合在第一电源与第一节点之间。
(m，n)像素还可以包括：第八晶体管，结合在第一节点与初始化电源之间，第八晶体管包括结合到第n-1扫描线的栅电极；以及第九晶体管，结合在初始化电源与发光元件之间，第九晶体管包括结合到第n扫描线的栅电极。
第二晶体管和第三晶体管可以是NMOS晶体管，第一晶体管和第四晶体管至第九晶体管可以是PMOS晶体管。
发射控制信号可以在一个帧时段期间被多次供应给第n发射控制线。
保持电源和初始化电源可以相同。
附图说明
附图被包括以提供对发明构思的进一步理解，并且被包括在该说明书中并构成该说明书的一部分，附图示出了发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思的原理。
图1是示出根据发明的实施例的显示装置的框图。
图2是示出根据发明的实施例的像素的电路图。
图3是示出图2的像素的操作的实施例的时序图。
图4是示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的电路图。
图5是示出图4的像素的操作的实施例的时序图。
图6是示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的电路图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例，在附图中，同样的附图标记始终表示同样的元件。然而，本发明可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于这里所示的实施例。相反，这些实施例被提供为示例，使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的方面和特征。因此，可以不描述本领域普通技术人员为了完全理解本发明的方面和特征而不需要的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不重复对其的描述。在附图中，为了清楚起见，可能夸大元件、层和区域的相对尺寸。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在此可以用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。此外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或两个层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或两个层之间的唯一元件或唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或中间层。
这里使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并且不意图限制本发明。如这里所使用的，单数形式“一”和“一个”意图也包括复数形式，除非上下文清楚地另有表明。将进一步理解的是，术语“包括”、“包含”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。诸如“……中的至少一个(者)”的表述在位于一列元件之后时，修饰整列元件，而不修饰该列元件中的个别元件。
如这里所使用的，术语“基本”、“大约”和类似术语用作近似术语，而不是用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。此外，“可(可以)”的使用在描述本发明的实施例时表示“本发明的一个或更多个实施例”。如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以分别被认为与术语“利用”及其变型同义。另外，术语“示例性”意图表示示例或说明。
根据这里描述的本发明的实施例的显示装置和/或任何其他相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实现。例如，显示装置可以包括显示面板、扫描驱动器、发射驱动器、数据驱动器、时序控制器和电源单元。这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或者形成在分离的IC芯片上。此外，这些装置的各种组件可以实现在柔性印刷电路膜、载带封装件(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个基底上。此外，这些装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行的进程或线程，其执行计算机程序指令并与其他系统组件交互以执行这里描述的各种功能。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，除非这里明确如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应当以理想化的或过于形式化的含义来解释。
图1是示出根据发明的实施例的显示装置的框图。
参照图1，显示装置1000可以包括显示面板100、扫描驱动器200、发射驱动器300、数据驱动器400和时序控制器500。
作为另一实施例，显示装置1000还可以包括用于向显示面板100供应第一电源VDD的电压、第二电源VSS的电压、保持电源VHOLD的电压和初始化电源VINT的电压的电源单元。然而，作为另一实施例，第一电源VDD，第二电源VSS、保持电源VHOLD和初始化电源VINT中的至少一个可以从时序控制器500或数据驱动器400供应。
第一电源VDD和第二电源VSS可以产生用于驱动具有发光元件(例如，图2中的像素10的发光元件LED)的像素P的电压。在一个实施例中，第二电源VSS的电压可以低于第一电源VDD的电压。
在一个实施例中，保持电源VHOLD的电压和初始化电源VINT的电压可以相同。例如，保持电源VHOLD和初始化电源VINT可以是相同的电源。在另一实施例中，保持电源VHOLD的电压可以低于初始化电源VINT的电压。这里，保持电源VHOLD和初始化电源VINT的电压可以被设定为在约-4.5V至约-3.5V的范围内的任何合适的值。
在一个实施例中，显示装置1000可以提供有用于调节发射控制信号的截止占空比和/或截止占空周期的调光方案，以控制显示装置1000的亮度。
显示面板100可以包括多条扫描线S1至Si、多条发射控制线E1至Ei、多条数据线D1至Dj以及结合到扫描线S1至Si、发射控制线E1至Ei和数据线D1至Dj的多个像素P，其中，i和j是大于1的整数。每个像素P可以包括驱动晶体管和多个开关晶体管。
扫描驱动器200可以根据第一控制信号SCS通过扫描线S1至Si顺序地向像素P供应扫描信号。扫描驱动器200可以从时序控制器500接收第一控制信号SCS和至少一个时钟信号。在一个实施例中，在一个帧时段中供应给一条扫描线的扫描信号可以包括至少一个扫描脉冲。
发射驱动器300可以根据第二控制信号ECS通过发射控制线E1至Ei顺序地向像素P供应发射控制信号。发射驱动器300可以从时序控制器500接收第二控制信号ECS和时钟信号。发射控制信号可以针对像素线将每个帧时段划分为发光时段和非发光时段。
在一个实施例中，发射控制信号可以在一个帧时段期间被多次供应给一条发射控制线。例如，发射控制信号可以被多次供应给一条发射控制线，使得逻辑低电平和逻辑高电平可以在一个帧时段期间交替。显示装置1000的亮度(例如，调光亮度)可以根据供应发射控制信号的次数和/或逻辑低电平时段的长度(或逻辑高电平时段的长度)来确定。
数据驱动器400可以从时序控制器500接收第三控制信号DCS和图像数据信号RGB。数据驱动器400可以根据第三控制信号DCS和图像数据信号RGB通过数据线D1至Dj向像素P供应数据信号(例如，数据电压)。数据驱动器400可以向数据线D1至Dj供应与图像的灰度级对应的数据信号。例如，数据信号中的对应的一个可以与扫描信号中的对应的一个同步地向像素P供应。
时序控制器500可以(例如，根据基于从外部源提供的信号供应的时序信号)控制扫描驱动器200、发射驱动器300和数据驱动器400。时序控制器500可以向扫描驱动器200供应包括第一控制信号SCS和扫描时钟信号的控制信号，并且向发射驱动器300供应包括第二控制信号ECS和发射控制时钟信号的控制信号。用于控制数据驱动器400的第三控制信号DCS可以包括源开始信号、源输出使能信号、源采样时钟等。
图2是示出根据发明的实施例的像素的电路图。
参照图1和图2，像素10可以包括发光元件LED、第一晶体管T1至第九晶体管T9以及存储电容器Cst。
参照图2，像素10可以布置在第n行第m列处，其中，n和m是大于0的自然数。
发光元件LED的第一电极可以结合到第七晶体管T7的一个电极，发光元件LED的第二电极可以结合到第二电源VSS。发光元件LED可以发射具有与从第一晶体管T1供应的电流(例如，驱动电流)的量对应的亮度(例如，预定亮度)的光。在一个实施例中，发光元件LED可以是包括有机发光层的有机发光二极管。在这种情况下，发光元件LED的第一电极可以是阳极电极，发光元件LED的第二电极可以是阴极电极。相反，在其他实施例中，发光元件LED的第一电极可以是阴极电极，发光元件LED的第二电极可以是阳极电极。
在另一实施例中，发光元件LED可以是由无机材料形成的无机发光元件。在另一实施例中，发光元件LED可具有结合在第二电源VSS与第七晶体管T7的一个电极之间的多个无机发光元件。
第一晶体管T1可以结合在电结合到第一电源VDD的第二节点N2和(例如，通过第七晶体管T7)电结合到发光元件LED的第一电极的第三节点N3之间。第一晶体管T1可以用于产生驱动电流并向发光元件LED提供驱动电流。第一晶体管T1的栅电极可以结合到第一节点N1。第一晶体管T1可以用作像素10的驱动晶体管。
第四晶体管T4可以结合在数据线(例如，第m数据线Dm)与第二节点N2之间。第四晶体管T4可以包括用于接收扫描信号的栅电极。例如，第四晶体管T4的栅电极可以结合到扫描线(例如，第n扫描线Sn)。当第四晶体管T4导通时，数据电压DATA可以传输到第二节点N2。
第五晶体管T5可以结合在第一节点N1与第三节点N3之间。第五晶体管T5可以包括用于接收扫描信号的栅电极。例如，第五晶体管T5的栅电极可以结合到第n扫描线Sn。
第五晶体管T5可以被扫描信号导通，以电连接第一晶体管T1的栅电极和第三节点N3。因此，当第五晶体管T5导通时，第一晶体管T1可以二极管形式连接。即，第五晶体管T5可以为第一晶体管T1写入数据电压DATA并补偿阈值电压。
存储电容器Cst可以结合在第一电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可以存储与数据电压DATA和第一晶体管T1的阈值电压对应的电压。
第六晶体管T6可以结合在第一电源VDD与第二节点N2之间。第六晶体管T6可以包括用于接收发射控制信号的栅电极。第六晶体管T6的栅电极可以结合到发射控制线(例如，第n发射控制线En)。
第七晶体管T7可以结合在第三节点N3与发光元件LED的第一电极之间。第七晶体管T7可以包括用于接收发射控制信号的栅电极。第七晶体管T7的栅电极可以结合到第n发射控制线En。
第六晶体管T6和第七晶体管T7可以在发射控制信号的栅极导通时段(例如，逻辑低电平时段)中导通，并且可以在发射控制信号的栅极截止时段(例如，逻辑高电平时段)中截止。
第八晶体管T8可以结合在第一节点N1与初始化电源VINT之间。第八晶体管T8可以包括用于接收被供应给前一扫描线(例如，第n-1扫描线Sn-1)的扫描信号的栅电极。例如，第八晶体管T8的栅电极可以结合到第n-1扫描线Sn-1。
第八晶体管T8可以在扫描信号被供应给第n-1扫描线Sn-1时导通，以将初始化电源VINT的电压供应给第一节点N1。因此，第一节点N1的电压(即，第一晶体管T1的栅极电压)可以初始化为初始化电源VINT的电压。在一个实施例中，初始化电源VINT可以被设定为比数据电压DATA的最低电压低的电压。
第九晶体管T9可以结合在初始化电源VINT与发光元件LED的第一电极之间。第九晶体管T9可以包括用于接收扫描信号的栅电极。第九晶体管T9的栅电极可以结合到第n扫描线Sn。
在另一实施例中，第九晶体管T9的栅电极可结合到前一扫描线或后一扫描线(例如，第n-1扫描线Sn-1或第n+1扫描线Sn+1)。
当扫描信号被供应时，第九晶体管T9可以导通，并且将初始化电源VINT的电压被供应给发光元件LED的第一电极。
在一个实施例中，第一晶体管T1、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8和第九晶体管T9可以是P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。例如，PMOS晶体管可以由低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管形成。
在这种情况下，发射控制信号和扫描信号的逻辑低电平可以是用于导通第一晶体管T1和第四晶体管T4至第九晶体管T9的栅极导通电压，发射控制信号和扫描信号的逻辑高电平可以是用于截止第一晶体管T1和第四晶体管T4至第九晶体管T9的栅极截止电压。
随着晶体管劣化或驱动温度升高，PMOS晶体管的阈值电压会在正方向上偏移。例如，当显示面板100长时间以高亮度发射光时，由于显示面板100的温度升高，包括在像素10中的PMOS晶体管的阈值电压会在正方向上偏移。在这种情况下，晶体管在相同条件下相对于栅极-源极电压变成导电的，并且流过晶体管的电流量会增大。
因此，当高电压(例如，低灰度电压或黑灰度电压)在其中发射控制信号具有逻辑高电平的非发光时段中传输到数据线Dm时，第四晶体管T4、第一晶体管T1和第五晶体管T5会导通(例如，轻度导通)，并且第一节点N1的电压会升高。此后，在其中发光控制信号具有逻辑低电平的发光时段中，出现第一晶体管T1中的电流泄漏，并且发光元件LED发射具有不期望的亮度或不期望的灰度级的光。例如，诸如暗线的显示缺陷会在视觉上被识别。
为了避免这种显示缺陷，可以对扫描信号的栅极导通电压(例如，逻辑高电平)应用0.2V或更高的余量(净空余量(headroom margin))。因此，包括在像素10中的晶体管可以截止(例如，完全截止)。然而，为了升高扫描信号的逻辑高电平，用于产生逻辑高电平的电源电压会升高。因此，升高扫描信号的逻辑高电平会增大功耗。
在根据发明的实施例的像素10中，足够低的电压可以在其中不执行数据写入的非发光时段中被施加到第二节点N2，以防止由于阈值电压偏移而引起的显示缺陷。因此，可以防止第一晶体管T1的意外导通。
在实施例中，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以串联结合在第二节点N2与保持电源VHOLD之间。第二晶体管T2可以包括结合到第n发射控制线En的栅电极。第三晶体管T3可以包括结合到第n扫描线Sn的栅电极。
第二晶体管T2和第三晶体管T3可以是与第一晶体管T1不同类型的。在一个实施例中，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以是N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。例如，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以是N型氧化物半导体薄膜晶体管。
因此，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以分别响应于具有逻辑高电平的发射控制信号和具有逻辑高电平的扫描信号而导通。即，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以在非发光时段期间导通，保持电源VHOLD的电压可以被供应给第二节点N2。
保持电源VHOLD的电压可以被设定为比数据电压DATA的最低电压低的电压。因此，当保持电源VHOLD的电压被供应给第二节点N2时，第二节点N2的电压变得比第三节点N3的电压低。因此，第一晶体管T1可以在非发光时段期间截止(例如，完全截止)。
在一个实施例中，保持电源VHOLD的电压可以基本等于初始化电源VINT的电压。即，保持电源VHOLD和初始化电源VINT可以是不可区分的。例如，保持电源VHOLD可以由初始化电源VINT代替，从而降低了制造成本和复杂度。
在另一实施例中，保持电源VHOLD的电压可以比数据电压DATA的电压(例如，对应于白灰度的电压)低。例如，保持电源VHOLD和初始化电源VINT可以从相同或不同的电源产生和输出。
如上所述，保持电源VHOLD的电压可以通过在其中不执行数据写入的非发光时段中导通第二晶体管T2和第三晶体管T3而被供应给第二节点N2。因此，可以防止在非发光时段期间第一晶体管T1的意外激活，并且可以基本避免诸如暗线的显示缺陷。
图3是示出图2的像素的操作的实施例的时序图。
参照图1至图3，发射控制信号可以在一个帧时段期间被多次施加到第n发射控制线En。
图3示出了脉冲调光驱动的其中一个帧时段包括多个发光时段EP1和EP2以及多个非发光时段NEP1和NEP2的示例。
在图3中，包括在一个帧时段中的发光时段EP1和EP2被示出为比非发光时段NEP1和NEP2短。然而，发光时段与非发光时段之间的关系不限于此。例如，发光时段EP1和EP2的长度可以比非发光时段NEP1和NEP2的长度大。
此外，亮度可以由一个帧时段内的发光时段EP1和EP2的长度、次数或总长度来控制。
在一个实施例中，第一晶体管T1和第四晶体管T4至第九晶体管T9可以是PMOS晶体管，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以是NMOS晶体管。第四晶体管T4、第五晶体管T5和第九晶体管T9可以响应于扫描信号的逻辑低电平而导通，第三晶体管T3可以响应于扫描信号的逻辑高电平而导通。第八晶体管T8可响应于来自第n-1扫描线Sn-1的扫描信号的逻辑低电平而导通。第六晶体管T6和第七晶体管T7可以响应于发射控制信号的逻辑低电平而导通，第二晶体管T2可以响应于发射控制信号的逻辑高电平而导通。
如图3中所示，在一个实施例中，一个帧时段可以通过交替地重复非发光时段NEP1和NEP2以及发光时段EP1和EP2两次来驱动。然而，非发光时段的数量和发光时段的数量不限于此。
发射控制信号可以在非发光时段NEP1和NEP2中具有逻辑高电平，并且发射控制信号可以在发光时段EP1和EP2中具有逻辑低电平。
扫描信号可以在第一非发光时段NEP1中被顺序供应给第n-1扫描线Sn-1和第n扫描线Sn。换句话说，具有逻辑低电平的扫描信号可以在第一非发光时段NEP1期间被供应给第n-1扫描线Sn-1和第n扫描线Sn。因此，第一非发光时段NEP1可以被定义为其中数据电压DATA被写入像素10的写入时段WP。
扫描信号可以在第一发光时段EP1、第二非发光时段NEP2和第二发光时段EP2中的至少一部分期间保持在逻辑高电平。
在第一非发光时段NEP1中在扫描信号被施加到第n-1扫描线Sn-1之前，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以导通并且保持电源VHOLD的电压可以被施加到第二节点N2。
第八晶体管T8可以被第一非发光时段NEP1中被施加到第n-1扫描线Sn-1的扫描信号导通，并且第一晶体管T1的栅极电压可以被初始化为初始化电源VINT的电压。
此后，第四晶体管T4、第五晶体管T5和第九晶体管T9可以被施加到第n扫描线Sn的扫描信号导通，并且第八晶体管T8可以被施加到第n-1扫描线Sn-1的扫描信号截止。因此，数据电压DATA可以被供应给第一节点N1，第一晶体管T1可以是二极管连接的，并且第一晶体管T1的阈值电压可以被补偿。此外，如上所述，阈值电压被补偿，并且发光元件LED的第一电极的电压可以被初始化为初始化电源VINT的电压。
此后，被供应给第n发射控制线En的发射控制信号可以在第一发光时段EP1中具有逻辑低电平。因此，第六晶体管T6和第七晶体管T7可以导通，并且发光元件LED可以以与数据电压DATA对应的亮度发射光。
在第二非发光时段NEP2中，发射控制信号和扫描信号两者可以具有逻辑高电平。因此，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以导通，并且保持电源VHOLD的电压可以被供应给第二节点N2。
另一方面，数据电压DATA的大小可以在第二非发光时段NEP2的时间点(在下文中被称为第一时间点t1)处(例如，在预定时间点处)改变。例如，可以改变数据电压DATA，以将数据电压DATA供应给与当前像素10不同的像素，并且不同的像素可以基于改变的数据电压DATA而发射光。
当在第一时间点t1处改变的数据电压DATA具有相对高的电压时，其阈值电压偏移的第四晶体管T4可能会导通。因此，可能会出现通过第一晶体管T1的电流泄漏。
然而，由于第二节点N2的电压被导通的第二晶体管T2和第三晶体管T3保持在足够低的电压(即，保持电源VHOLD的电压)，所以第一晶体管T1可以保持在截止状态(例如，完全截止状态)。
因此，防止了第一节点N1的电压在第二非发光时段NEP2中的改变，并且可以基本避免诸如第二发光时段EP2中的亮度/灰度改变和暗线的显示缺陷。
此外，由于第二晶体管T2和第三晶体管T3的添加，因此可以不对扫描信号的逻辑高电平应用净空余量，使得可以改善(例如，降低)功耗。
图4是示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的电路图。
在图4中，对于参照图2描述的组件使用相同的附图标记，并且可以省略这些组件的冗余描述。此外，除了控制第三晶体管T3和第九晶体管T9的信号之外，图4的像素11可以与图2的像素10基本相同或类似。
参照图2和图4，像素11可以包括发光元件LED、第一晶体管T1至第九晶体管T9以及存储电容器Cst。
在一个实施例中，第九晶体管T9的栅电极可以结合到第n+1扫描线Sn+1。因此，当扫描信号被供应给第n+1扫描线Sn+1时，第九晶体管T9可以导通，以初始化发光元件LED的第一电极的电压。
在一个实施例中，第三晶体管T3的栅电极可以结合到传输单独的控制信号的第n控制线Cn。因此，当控制信号被供应给第n控制线Cn时，第三晶体管T3可以导通。
图5是示出图4的像素的操作的实施例的时序图。
在图5中，对于参照图3描述的组件使用相同的附图标记，并且可以省略这些组件的冗余描述。此外，除了发光/非发光时段的周期数量和包括控制信号之外，图5的时序图可以与图3的像素的操作基本相同或类似。
参照图2至图5，发射控制信号可以在一个帧时段期间被多次供应给第n发射控制线En。
在一个实施例中，一个帧时段可以包括四个非发光时段NEP1至NEP4和四个发光时段EP1至EP4，并且可以以四周期方案驱动，使得可以控制亮度。
在一个实施例中，在第一非发光时段NEP1中，其中控制信号Cn具有逻辑低电平的时段可以比扫描信号Sn或Sn-1的低电平时段大。例如，控制信号的逻辑低电平时段可以与扫描信号的低电平时段重叠(例如，与由扫描线Sn和Sn-1供应的扫描信号的低电平时段重叠)。
然而，控制信号的低电平时段的宽度不限于此。例如，控制信号可以与被供应给第n扫描线Sn的扫描信号的时序基本相同。
第二晶体管T2和第三晶体管T3可以在第二非发光时段NEP2、第三非发光时段NEP3和第四非发光时段NEP4中导通，并且第二节点N2的电压可以是保持电源VHOLD的电压。因此，即使数据电压DATA在第一时间点t1处升高，也可以保持包括在像素11中的第四晶体管T4、第一晶体管T1等的截止状态。
因此，可以基本避免诸如像素11的亮度/辉度改变和暗线的显示缺陷。
图6是示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的电路图。
在图6中，对于参照图2描述的组件使用相同的附图标记，并且可以省略这些组件的冗余描述。此外，除了第四晶体管T4的构造之外，图6的像素12可以具有与图2的像素10基本相同或类似的构造。
参照图2和图6，像素12可以包括发光元件LED、第一晶体管T1至第九晶体管T9以及存储电容器Cst。
在一个实施例中，第四晶体管T4-1和T4-2可以具有共同连接到第n扫描线Sn的多个栅电极。例如，第四晶体管T4-1和T4-2可以具有双栅电极结构。
由于双栅电极结构，第四晶体管T4-1和T4-2的沟道电阻会增大。因此，即使第四晶体管T4-1和T4-2的阈值电压在正方向上偏移，也可以防止第四晶体管T4-1和T4-2由于被施加到另一像素的高的数据电压DATA引起的导通。
在一个实施例中，初始化电源VINT可以结合到第三晶体管T3的一个电极。例如，第三晶体管T3可以结合在第二晶体管T2与初始化电源VINT之间。
通过具有多个栅电极的第四晶体管T4-1和T4-2以及作为NMOS晶体管的第二晶体管T2和第三晶体管T3，可以基本避免由于阈值电压偏移引起的显示缺陷。
如上所述，根据发明的实施例的像素12和具有该像素12的显示装置可以包括用于在数据写入之后的非发光时段中向第二节点N2供应保持电压的第二晶体管T2和第三晶体管T3，使得可以基本避免由于晶体管的阈值电压偏移引起的诸如暗线(或不期望的水平线)和亮度改变的显示缺陷。
另外，由于第二晶体管T2和第三晶体管T3的添加，所以可以不对扫描信号的逻辑高电平应用净空余量，使得可以降低功耗。
如上所述，已经通过详细描述和附图公开了发明的实施例。将理解的是，这里使用的术语仅用于描述发明的目的，而不用于限制权利要求或其等同物中描述的发明的范围。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离发明的范围的情况下，各种修改和等同实施例是可能的。因此，发明的真实范围应由所附权利要求及其等同物的技术思想来确定。

Claims (10)

1.一种像素，所述像素包括：
发光元件；
第一晶体管，被构造为对应于被施加到第一节点的电压来控制经由所述发光元件从第一电源流向第二电源的电流量；以及
第二晶体管和第三晶体管，串联结合在保持电源与结合到所述第一晶体管的一个电极的第二节点之间，
其中，所述第二晶体管包括结合到发射控制线的栅电极，并且
其中，所述第三晶体管包括结合到扫描线的栅电极。
2.如权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管是与所述第二晶体管和所述第三晶体管不同类型的。
3.如权利要求2所述的像素，其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管是NMOS晶体管，并且
其中，所述第一晶体管是PMOS晶体管。
4.如权利要求1所述的像素，所述像素还包括：
第四晶体管，结合在数据线与所述第二节点之间，所述第四晶体管包括结合到所述扫描线的栅电极；
第五晶体管，结合在所述第一节点与第三节点之间，所述第五晶体管包括结合到所述扫描线的栅电极；
第六晶体管，结合在所述第一电源与所述第二节点之间，所述第六晶体管包括结合到所述发射控制线的栅电极；
第七晶体管，结合在所述第三节点与所述发光元件之间，所述第七晶体管包括结合到所述发射控制线的栅电极；以及
存储电容器，结合在所述第一电源与所述第一节点之间。
5.如权利要求4所述的像素，所述像素还包括：
第八晶体管，结合在所述第一节点与初始化电源之间，所述第八晶体管包括结合到前一扫描线的栅电极；以及
第九晶体管，结合在所述初始化电源与所述发光元件之间，所述第九晶体管包括结合到所述扫描线的栅电极。
6.如权利要求5所述的像素，其中，所述保持电源和所述初始化电源相同。
7.如权利要求5所述的像素，其中，所述保持电源的电压比被供应给所述数据线的数据电压的最低电压低。
8.如权利要求5所述的像素，其中，所述第一晶体管和所述第四晶体管至所述第九晶体管是PMOS晶体管，并且
其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管是NMOS晶体管。
9.如权利要求4所述的像素，其中，所述第四晶体管包括共同结合到所述扫描线的多栅电极晶体管。
10.如权利要求4所述的像素，其中，发射控制信号在一帧时段期间被多次施加到所述发射控制线。
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