CN111396767A - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种发光装置，包括多个第一发光单元，所述第一发光单元发射一第一光线。各个第一发光单元包括一光源、一光调节结构和一光转换结构，其中第一光线由光源提供，由光调节结构调整并由光转换结构转换。第一光线具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于590纳米至780纳米之间的一主波峰，且子波峰的一法线强度大于子波峰的一斜向强度。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种包括光调节结构的发光装置。
背景技术
在传统的发光装置中，入射光可能会照射到相邻的发光单元并影响这些发光单元，使得发光质量(或显示质量)可能会下降。因此，本发明提出了一种能减少上述问题的发光装置。
发明内容
在某些实施例中，一种发光装置，包括多个第一发光单元，所述第一发光单元发射一第一光线。各个第一发光单元包括一光源、一光调节结构和一光转换结构，其中第一光线由光源提供、由光调节结构调整并由光转换结构转换。第一光线具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于590纳米至780纳米之间的一主波峰，且子波峰的一法线强度大于子波峰的一斜向强度。
在某些实施例中，一种发光装置，包括多个发光单元，所述发光单元发射一光线。各个发光单元包括一光源、一光调节结构和一光转换结构，其中光线由光源提供、由光调节结构调整并由光转换结构转换。所述光线具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于520纳米至589纳米之间的一主波峰，且子波峰的一法线强度大于子波峰的一斜向强度。
附图说明
图1所示为本发明第一实施例的发光装置的剖视示意图。
图2所示为由发光单元所发射的光的光分布示意图。
图3A所示为沿法线方向测量由第一发光单元所发射的第一光线的光谱的示意图。
图3B所示为沿倾斜方向测量由第一发光单元所发射的第一光线的光谱的示意图。
图4A所示为沿法线方向测量由第一发光单元所发射的第一光线和由第二发光单元所发射的第二光线的光谱的示意图。
图4B所示为沿倾斜方向测量由第一发光单元所发射的第一光线和由第二发光单元所发射的第二光线的光谱的示意图。
图5所示为本发明第二实施例的光调节结构的剖视示意图。
图6所示为本发明第三实施例的光调节结构的剖视示意图。
图7所示为本发明第四实施例的光调节结构的剖视示意图。
图8所示为本发明第五实施例的发光装置的剖视示意图。
图9所示为本发明第六实施例的发光装置的剖视示意图。
附图标记说明：10-发光装置；100-第一基板；102-第二基板；1041-间隙物；1042-光调变层；106-遮光结构；1081、1082-偏光片；110-光学膜；112-发光源；112R-反射层；114-光学层；114B-下表面；114S-表面；116-倒棱镜；118、126、148-反射面；120-阻障膜；122-隔绝层；124-墙；128、130-平坦层；132-黏着层；134-抗反射层；138-主动层；140-闸极电极；140-1、140-2-导电层；142-源极电极；144-汲极电极；AM-主动数组层；B1、B3-法线强度；B2、B4-斜向强度；BL-背光模块；BS1、BS2-滤光结构；DP-面板；EL1-第一电极；EL2-第二电极；IL1、IL2-入射光；L1、CL1、CL2-光线；L2、L3-斜向光线；LAS1、LAS2、LAS3、LAS-光调节结构；LCS1、LCS2、LCS3-光转换结构；LES1、LES2-发光结构；LS1、LS2、LS3-光源；LU1-第一发光单元；LU2-第二发光单元；LU3-第三发光单元；MW11、MW12、MW21、MW22-主波；O-开口；OL1-第一光线；OL2-第二光线；OL3-第三光线；PM11、PM12、PM21、PM22-主波峰；PS11、PS12、PS21、PS22-子波峰；QD1、QD2-量子点；RM-反射元件；RP-倒棱镜片；S11、S12、S21、S22-光谱；SW11、SW12、SW21、SW22-子波；T-倾斜方向；Tr-晶体管；V-法线方向；X、Y-方向；θ-倾斜角。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出发光装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。
应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」或「连接到」另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接到」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
术语「大约」、「大致上」、「等于」或「相同」通常代表在给定值或范围的20％范围内，或代表在给定值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。
虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1，其所示为本发明第一实施例的发光装置的剖视示意图。发光装置可包括显示设备、电子装置、可挠曲装置或其他适合的装置，但不以此为限。发光装置可应用于倾斜的装置。举例而言，发光装置10可包括一面板DP和一背光模块BL，且面板DP相对于背光模块BL设置。面板DP可包括一第一基板100、一第二基板102和设置在第一基板100与第二基板102之间的一光调变层1042。第一基板100可设置在光调变层1042与背光模块BL之间。第一基板100和第二基板102可包括透明基板，例如包括玻璃基板或石英基板的刚性基板或包括塑料基板的可挠曲基板，但不以此为限。塑料基板的材料可例如包括聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)，但不以此为限。在某些实施例中，面板DP可例如是液晶面板，光调变层1042可为液晶层，且第一基板100和第二基板102之间可设置一些间隙物1041。第一基板100可为数组基板。第二基板102可为彩色滤光层基板或保护基板，但不以此为限。举例来说，晶体管、讯号线(如扫描线或数据线)或绝缘层可设置在第一基板100上，但不以此为限。
面板DP可包括配向层、电极(例如像素电极或共同电极)或遮光结构106，但不以此为限。举例来说，遮光结构106可设置在第二基板102和第一基板100之间。遮光结构106可包括多个开口，且光转换结构(例如光转换结构LCS1、光转换结构LCS2或光转换结构LCS3)可设置在与其对应的遮光结构106的开口中。在某些实施例中，一个光转换结构可对应遮光结构106的一对应开口设置。遮光结构106的材料可包括黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色树脂或其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。
在某些实施例中，面板DP可包括偏光片1081和偏光片1082。偏光片1081可设置在第一基板100和背光模块BL之间，偏光片1082可设置在光转换结构和光调变层1042之间。然而，偏光片1081和偏光片1082的设置位置并不以上述为限。在某些实施例中，发光装置具有光调变层1042(例如液晶(liquid crystal，LC))，光调变层1042可设置在两个偏光片之间以调整灰阶，因此光转换结构无法设置在两个偏光片之间。在某些实施例中，偏光片1081和偏光片1082可设置在第一基板100和第二基板102之间，偏光片1081和偏光片1082可包括金属导线，即为所谓的金属线栅偏极片(wire grid polarizer，WGP)，但并不以此为限。金属导线的材料包括金属、金属合金、其他适合的材料或上述材料的组合，但并不以此为限。在某些实施例中，第一基板100和第二基板102可设置在偏光片1081和偏光片1082之间，偏光片1081和偏光片1082的材料可包括保护膜、纤维素三醋酸酯(triacetate cellulose，TAC)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)、压敏胶(pressure sensitive adhesive，PSA)或离型膜，但并不以此为限。
在某些实施例中，面板DP可包括至少一个设置在面板DP和背光模块BL之间的光学膜110。在一些实施例中，光学膜110包括反射式偏光增光片(duel brightnessenhancement film，DBEF)、棱镜膜、其他适合的光学膜或上述材料的组合，但不以此为限。
背光模块BL可包括一发光源112和一光学层114。如图1所示，背光模块BL可为侧光式背光模块，且发光源112可靠近光学层114的至少一侧壁设置，但不以此为限。发光源112可包括发光二极管(light emitting diode，LED)、微型发光二极管(micro LED)、次毫米发光二极管(mini LED)、有机发光二极管(organic LED，OLED)、量子点LED(QLED或QD-LED)、量子点(QD)、荧光材料，磷光材料、其他适合的光源或上述材料的组合，但不以此为限。在某些实施例中，背光模块BL可发射蓝光或紫外光，但不以此为限。光学层114可包括导光板、扩散板或其他光学膜层(或板)。如图1所示，大致平行于法线方向V的一光线L1可由光学层114的一表面114S射出。一斜向光线L2可由光学层114的表面114S射出，且斜向光线L2可和第一基板100的法线方向V不平行。
如图1所示，发光装置10包括多个第一发光单元LU1、多个第二发光单元LU2以及多个第三发光单元LU3。在某些实施例中，发光装置10还包括其他的发光单元。在某些实施例中，至少一第一发光单元LU1包括一光源LS1、一光调节结构LAS1和一光转换结构LCS1，至少一第二发光单元LU2包括一光源LS2、一光调节结构LAS2和一光转换结构LCS2，以及至少一第三发光单元LU3包括一光源LS3、一光调节结构LAS3和一光转换结构LCS3。在某些实施例中，光转换结构(如光转换结构LCS1、光转换结构LCS2、光转换结构LCS3)可分别设置在光源(如光源LS1、光源LS2、光源LS3)上。在某些实施例中，光调变层1042可设置在光源和光转换结构之间。如图1所示，一个发光单元可对应至遮光结构106的一个开口。举例而言，如图1所示，一个发光单元可对应一个开口的垂直区域内包含的所有元件。在某些实施例中，发光单元可以是子画素(如红色子画素、绿色子画素或蓝色子画素，但不以此为限)。
在某些实施例中，光调节结构可设置在光源上，或者光调节结构可设置在光源和光转换结构之间。在某些实施例中，光调节结构可被包含于背光模块BL内。在某些实施例中，光调节结构是连续的。如图1所示，光调节结构LAS1、光调节结构LAS2和光调节结构LAS3可彼此互相连接。在某些实施例中，光调节结构LAS1、光调节结构LAS2或光调节结构LAS3可以是一透镜结构。举例而言，透镜结构可由光调节结构LAS1、光调节结构LAS2和光调节结构LAS3所形成，光调节结构可包括一反射元件RM和设置在反射元件RM上的一倒棱镜片RP。倒棱镜片RP可包括多个彼此互相连接的倒棱镜116。举例而言，其中一个倒棱镜116的尖端可指向(或相邻于)反射元件RM。在某些实施例中，反射元件RM可包括一阻障膜120和设置在阻障膜120内的多个反射面118。其中一个反射面118和方向X之间的倾斜角的范围可在20度至80度之间，或在30度至70度之间。在某些实施例中，其中一个反射面118和方向X之间的倾斜角可依不同需求而调整。反射面118的材料可包括金属、白色反射材料或其他适合的反射材料，但不以此为限。阻障膜120的材料可包括透明材料、绝缘材料，但不以此为限。
以光源LS1和光调节结构LAS1为例，由光源LS1发出的光线L1可大致平行于法线方向V，且光线L1的方向可以不受到光调节结构LAS1而改变，且光线L1在通过光调节结构LAS1之后可仍与法线方向V大致平行，但不以此为限。此外，斜向光线L2可被反射元件RM的其中至少一个反射面118所反射，之后可被倒棱镜片RP的其中至少一个倒棱镜116所折射。藉此，斜向光线L2在通过光调节结构LAS1之后，斜向光线L2的方向可被调整至与法线方向V大致平行。需注意的是，虽然图1仅示出斜向光线L2和光线L1，但并不以此为限。实际上，从光学层114的表面114S发出的光线可以是散射的光线。示例中斜向光线L2(和光线L1)的光路仅是一个例子，并不以此为限。
因此，光调节结构(如光调节结构LAS1、光调节结构LAS2和光调节结构LAS3)可以增加光源的准直性，或者提供光准直效果，并且光线在通过光调节结构(如光调节结构LAS1、光调节结构LAS2和光调节结构LAS3)之后可大致平行于法线方向V。举例而言，一入射光IL1可以是一混合光线，其至少由经过光调节结构LAS1调整的光线L1和斜向光线L2所混合，且入射光IL1是准直的或大致平行于法线方向V。
如图1所示，光转换结构LCS1可包括量子点QD1，量子点QD1可被一部分的入射光IL1激发，且所述部分的入射光IL1可被量子点QD1转换为一光线CL1，因此第一光线OL1可以是由光线CL1和未被转换的入射光IL1所混合而成。换言之，第一光线OL1可由光源LS1提供，由光调节结构LSA1调整并由光转换结构LCS1转换。第一光线OL1可为第一发光单元LU1所发射的出射光。在本发明中，出射光可视为由观察者看见的发光装置10的最终可视光。
如图1所示，光转换结构LCS2可包括量子点QD2，量子点QD2可被一部分的入射光IL2(如经光调节结构LAS2调整的准直光)激发，且所述部分的入射光IL2可被量子点QD2转换为一光线CL2。量子点QD2可与量子点QD1不同。一第二光线OL2可以是由光线CL2和未被转换的入射光IL2所混合而成。换言之，第二光线OL2可由光源LS2提供，由光调节结构LSA2调整并由光转换结构LCS2转换。第二光线OL2可为第二发光单元LU2所发射的出射光。
在某些实施例中，第三发光单元LU3所发出的一第三光线OL3可以是蓝光。由于光源LS3发射蓝光，因此光转换结构LCS3可被替换成透明层，其中透明层不具有量子点。透明层可包括透明介电材料，但不以此为限。在某些实施例中，光转换结构LCS3可包括蓝色的彩色滤光片。在某些实施例中，第三发光单元LU3中可不包括光转换结构LCS3。在某些实施例中，光转换结构LCS3可包括适合类型的量子点以调整第三光线OL3的波长。
在某些实施例中，第一光线OL1可以是绿光，第二光线OL2可以是红光，且第三光线OL3可以是蓝光，但不以此为限。在某些实施例中，发光装置10可包括其他的发光单元，可发出与第一光线OL1、第二光线OL2和第三光线OL3具有不同颜色的光。在某些实施例中，发光装置10可包括其他的发光单元，可发出不同波长的光。
光转换结构可包括量子点、荧光材料、磷光材料、彩色滤光层、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。量子点可由半导体纳米晶体结构所形成，并可包括硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、碲化镉(CdTe)、硒化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)、硫化锌(ZnS)、碲化汞(HgTe)、砷化铟(InAs)、合金(Cd1-xZnxSe1-ySy)、硒化镉/硫化锌、磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)，但不以此为限。量子点通常具有1纳米到30纳米之间、1纳米到20纳米之间或1纳米到10纳米之间的粒径，但不以此为限。在一实施例中，量子点可被背光模块BL所发射的入射光激发，且入射光可被量子点转换为具有不同波长的发射光。发射光的颜色可藉由量子点的材料或大小所调整。在其他实施例中，只要量子点可发射具有适当颜色的光线，量子点可包括圆球颗粒、圆柱颗粒或具有其他任何适合形状的颗粒。
请参考图1和图2，图2所示为由发光单元所发射的光的光分布示意图。举例而言，第一发光单元LU1发射的第一光线OL1可包括光线CL1和未被转换的入射光IL1，且第一光线OL1可由发光装置10的出光面射出。由于未被转换的入射光IL1经光调节结构LSA1所调整，所以发光装置10所发出的未被转换的入射光IL1的分布可以更加集中(准直)。由于经量子点QD1转换的光线CL1可以是散射的光线，所以发光装置10所发出的光线CL1的分布可更加发散。在某些实施例中，光线CL1和未被转换的入射光IL1可具有锥形分布，但不以此为限。光线CL1的分布范围可大于未被转换的入射光IL1的分布范围，但本发明并不以此为限。在某些实施例中，第二发光单元LU2发出的第二光线OL2可具有和上述第一光线OL1相同或相似的特征。
请参考图3A和图3B，图3A所示为沿法线方向测量由第一发光单元所发射的第一光线的光谱的示意图，而图3B所示为沿倾斜方向测量由第一发光单元所发射的第一光线的光谱的示意图。图3A中的光谱S11可沿着图2所示的法线方向V测量而得，且图3B中的光谱S12可沿着图2所示的的一倾斜方向T测量而得。倾斜方向T与法线方向V之间的一倾斜角θ的范围可从30度至80度，其中法线方向V是设成0度，但不以此为限。在图3A和图3B中，光谱S11可包括一主波MW11和一子波SW11，且光谱S12可包括一主波MW12和一子波SW12。主波MW11和主波MW12可代表由光转换结构LCS1所转换的光线CL1，且子波SW11和子波SW12可代表未被转换的入射光IL1。图4A、图4B和图3A、图3B中的光谱可以是经标准化(normalized)过的，且光谱S11及光谱S12中主波的主波峰的标准化后的强度可以是100％。主波MW11包括一主波峰PM11且子波SW11包括一子波峰PS11。主波MW12包括一主波峰PM12且子波SW12包括一子波峰PS12。主波的波峰是定义为「主波峰」，且子波的波峰是定义为「子波峰」。在其他光谱中，「主波峰」及「子波峰」也可用与上述相同的方式定义。在光谱S11及光谱S12中，第一光线OL1具有位于400纳米至500纳米之间的子波峰PS11(或PS12)以及位于590纳米至780纳米之间的主波峰PM11(或PM12)。
如图3A和图3B所示，子波峰PS11的一法线强度B1大于子波峰PS12的一斜向强度B2。子波峰的法线强度是指沿着法线方向V测量得到的子波峰的标准化后的强度，子波峰的斜向强度是指沿着倾斜方向T测量得到的子波峰的标准化后的强度。在某些实施例中，子波峰PS11的法线强度B1的范围为0.1％至10％，且子波峰PS12的斜向强度B2的范围为0.01％至0.97％。当以发光装置10的法线方向V为基准的倾斜角θ增加时，子波峰PS12的斜向强度B2会减小。子波峰PS12的斜向强度B2对子波峰PS11的法线强度B1的一比值的范围为0.001至0.97。由于入射光IL1会经光调节结构LSA1调整并准直，故可降低第一发光单元LU1的入射光IL1发射到相邻发光单元(如第二发光单元LU2或第三发光单元LU3)的可能性，并可提升发光质量(或显示质量)。
请参考图4A和图4B，图4A所示为沿法线方向测量由第一发光单元所发射的第一光线和由第二发光单元所发射的第二光线的光谱的示意图，而图4B所示为沿倾斜方向测量由第一发光单元所发射的第一光线和由第二发光单元所发射的第二光线的光谱的示意图。沿着法线方向V所测量到的第一光线OL1的光谱S11(实线)和第二光线OL2的一光谱S21(虚线)是一并绘示在图4A中，沿着倾斜方向T所测量到的第一光线OL1的光谱S12和第二光线OL2的一光谱S22绘示在图4B中，且光谱S12和光谱S22可在相同的倾斜角θ下测量而得。图4A、图4B和图3A、图3B中的第一光线OL1的光谱S11及光谱S12可以是相同的，在此不再赘述。在图4A和图4B中，光谱S21可包括一主波MW21和一子波SW21，且光谱S22可包括一主波MW22和一子波SW22。主波MW21和主波MW22可代表由光转换结构LCS2所转换的光线CL2，且子波SW21和子波SW22可代表第二光线OL2中未被转换的入射光IL2。主波MW21具有一主波峰PM21且子波SW21具有一子波峰PS21。主波MW22具有一主波峰PM22且子波SW22具有一子波峰PS22。在光谱S21和光谱S22中，第二光线OL2具有位于400纳米至500纳米之间的子波峰PS21及子波峰PS22和位于520纳米至589纳米之间的主波峰PM21及主波峰PM22。
如图4A和图4B所示，子波峰PS21的一法线强度B3大于子波峰PS22的一斜向强度B4。当以发光装置10的法线方向V(0度)为基准的倾斜角θ增加时，子波峰PS22的斜向强度B4会减小。由于光谱S21及光谱S22经过标准化，所以法线强度B3及斜向强度B4的值可以是以百分比计。举例而言，子波峰PS21的法线强度B3的范围为0.1％至20％，且子波峰PS22的斜向强度B4的范围为0.01％至1.95％。在图4A中，第一光线OL1的子波峰PS11的法线强度B1不同于第二光线OL2的子波峰PS21的法线强度B3，且子波峰PS11的法线强度B1小于子波峰PS21的法线强度B3。在图4B中，在相同的倾斜角θ之下，第一光线OL1的子波峰PS12的斜向强度B2不同于第二光线OL2的子波峰PS22的斜向强度B4，且子波峰PS12的斜向强度B2小于子波峰PS22的斜向强度B4。子波峰PS22的斜向强度B4对子波峰PS21的法线强度B3的一比值的范围为0.001至0.97。由于入射光IL2会经光调节结构LSA2调整并准直，故可降低第二发光单元LU2的入射光IL2发射到相邻发光单元(如第一发光单元LU1或第三发光单元LU3)的可能性，并可提升发光质量(或显示质量)。
上述光谱可透过能够测量色度(chromaticity)的仪器所测量而得，如光侦测器(photo detector)、色彩分析仪(color analyzer)CA-210、VKK USB CS1000或分光辐射器(spectroradiometer)，但不以此为限。当在进行测量时，测量仪器可设置在发光装置10的发光单元的发光表面的一侧，且所述发光表面是远离背光模块BL或光源。发光装置10可被设置以开启多个发出相同颜色光线的发光单元(多个第一发光单元LU1或多个第二发光单元LU2)，且各个光谱(如光谱S11、光谱S12、光谱S21和光谱S22)可分别经测量与其对应的发光单元而得。举例而言，请参考图2，光谱可在倾斜角θ为0度(即法线方向V)至90度(即方向X或方向Y，但不限于此)的范围内测量。
本发明的不同实施例中的技术特征可被替换、重组或混合。为了方便比较这些实施力的差异，下述内容将会详细说明不同实施例之间的差异，至于相同的技术特征则不再赘述。需注意的是，虽然以下说明或图示仅示出斜向光线L2和光线L1，但并不以此为限。实际上，从光学层114的表面114S发出的光线可以是散射的光线。示例中斜向光线L2(和光线L1)的光路仅是一个例子，并不以此为限。
请参考图5，其所示为本发明第二实施例的光调节结构的剖视示意图。与第一实施例不同的是，光调节结构LAS的反射元件RM可设置在光学层114中，且反射面118可设置在靠近光学层114的表面114S的一部分光学层114之中，其中表面114S是邻近于倒棱镜片RP。此外，倒棱镜片RP可设置在光学层114的表面114S上。在某些实施例中，假如光线L1大致平行于法线方向V，光线L1的方向可不被光调节结构LAS改变，且光线L1在通过光调节结构LAS之后仍可大致平行于法线方向V。在另一个例子中，斜向光线L2可被光学层114的反射面118所反射，且之后可被倒棱镜片RP的倒棱镜116所折射。藉此，斜向光线L2的方向在通过光调节结构LAS之后可被调整至大致平行于法线方向V。
请参考图6，其所示为本发明第三实施例的光调节结构的剖视示意图。与第一实施例不同的是，背光模块BL可为直下式背光模块，且发光源112可相邻于光学层114的下表面114B设置，但不以此为限。在某些实施例中，一反射层112R可设置在至少一发光源112的侧面或下表面上。反射层112R可用于将对应的发光源112所发出的光线反射至光学层114。反射层112R的材料可包括适合的反射材料，例如金属、白色反射材料，但不以此为限。
请参考图7，其所示为本发明第四实施例的光调节结构的剖视示意图。与第三实施例不同的是，光调节结构LAS包括多个倒棱镜116，倒棱镜116设置在发光源112上，其中光源包括至少一发光源112。所述至少一发光源112可设置在相邻的两个倒棱镜116之间。在某些实施例中，其中一个发光源112可对应相邻两倒棱镜116之间的一开口O设置。在某些实施例中，在法线方向V上，其中一个发光源112可和相邻两倒棱镜116之间的一开口O重迭。如图7所示，倒棱镜116可以是沿方向Y延伸的棱镜条(prism bar)的截面。在某些实施例中，背光模块BL可包括沿方向Y延伸的多个棱镜条和沿方向X延伸的多个棱镜条。沿方向Y延伸的棱镜条可和沿方向X延伸的棱镜条交错定义出多个开口。在某些实施例中，背光模块BL可包括沿方向Y延伸的多个棱镜条，且多个沿方向Y延伸的开口可分别由两个相邻的棱镜条所定义。
请参考图8，其所示为本发明第五实施例的发光装置的剖视示意图。与第一实施例不同的是，发光装置10可包括有机发光二极管(organic light emitting diodes，OLED)。如图8所示，一发光结构LES1和一发光结构LES2可设置在第一基板100和第二基板102之间。发光结构LES1(及/或发光结构LES2)可延伸通过并对应第一发光单元LU1、第二发光单元LU2及第三发光单元LU3。发光结构LES1(及/或发光结构LES2)可包括有机发光材料、量子点、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。在某些实施例中，发光装置10可包括至少一发光结构。在某些实施例中，发光结构可以是连续的。在某些实施例中，发光结构可以是非连续的，且各个发光结构可设置在对应的一个发光单元内。
发光结构LES1及发光结构LES2可设置在多个第一电极EL1和一第二电极EL2之间。各个第一电极EL1可分别设置在第一发光单元LU1、第二发光单元LU2或第三发光单元LU3之中。第二电极EL2可延伸通过并对应第一发光单元LU1、第二发光单元LU2和第三发光单元LU3。第二电极EL2可以是阴极和阳极的其中一个，且第一电极EL1可以是阴极和阳极的其中另一个。第二电极EL2的材料可包括透明导电材料，如氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化铝锌(aluminum zinc oxide，AZO)，但不以此为限。第一电极EL1的材料可包括反射性导电材料(如金属)，但不以此为限。
一隔绝层122可设置在第二电极EL2上且延伸通过并对应第一发光单元LU1、第二发光单元LU2及第三发光单元LU3。隔绝层122的材料可包括无机层或有机层，但不以此为限。在某些实施例中，隔绝层122的材料可为无机-有机-无机(inorganic-organic-inorganic，IOI)层。以第一发光单元LU1为例，光调节结构LAS1相邻于光源LS1(包括设置在第一发光单元LU1内的发光结构LES1和发光结构LES2)设置，且光调节结构LAS1可以是非连续的，即光调节结构LAS1与光调节结构LAS2以及光调节结构LAS3分离。此外，墙124(如发光单元(画素)定义层)可具有多个开口用以定义不同的发光单元(第一发光单元LU1、第二发光单元LU2和第三发光单元LU3)。在某些实施例中，光调节结构LAS1(光调节结构LAS2或光调节结构LAS3)可设置在墙124的至少一侧面上。光调节结构LAS1可包括扩散层或反射层，但不以此为限。举例而言，光调节结构LAS1可包括一隔绝层122和一反射面126，其中反射面126设置在隔绝层122内。在某些实施例中，反射面126可具有一锯齿结构、一直线结构，或其他适合的造型，但不以此为限。在某些实施例中，反射面126的材料可包括反射性材料(如金属)、白色反射性材料，但不以此为限。在某些实施例中，反射面126可以是单层结构或多层复合结构。在某些实施例中，反射面126可以是具有不同折射率的互相堆栈的多层结构。隔绝层122可包括至少一有机层或至少一无机层，且反射面126可设置在隔绝层122之中。举例而言，反射面126可设置在隔绝层122的其中至少一层之中，或者反射面126可设置在隔绝层122的其中两层之间。
在某些实施例中，光调节结构LAS1的反射面126设置在墙124的至少一侧面上，从光源LS1发出的一斜向光线L3可被反射面126所反射，且斜向光线L3的行进方向可被调整到大致与法线方向V平行，其中光源LS1包括位于第一发光单元LU1内的部分发光结构LES1和发光结构LES2。在某些实施例中，在第二发光单元LU2和第三发光单元LU3内，光调节结构LAS2和光调节结构LAS3也可包括反射面126。因此，从光源LS1(或光源LS2、光源LS3)发出的光线(包括斜向光线L3)在透过光调节结构LAS1(或光调节结构LAS2、光调节结构LAS3)调整之后可大致平行于法线方向V或更加准直。
一平坦层128可设置在隔绝层122上。在某些实施例中，一平坦层130可设置在平坦层128上，且一黏着层132可设置在平坦层128和平坦层130之间。在某些实施例中，可省略平坦层128(或平坦层130)，且黏着层132可覆盖不平坦的隔绝层122。此外，多个抗反射层134可设置在第二基板102上。抗反射层134可以是一偏光片或一金属线栅偏极片(WGP)，但不以此为限。
在某些实施例中，在第一发光单元LU1(及/或第二发光单元LU2)内，一滤光结构BS1(及/或一滤光结构BS2)可设置在光转换结构LCS1(及/或光转换结构LCS2)和第二基板102之间。滤光结构可包括布拉格层(Bragg layer)、黄色彩色滤光层、其他波长的彩色滤光层、其他适合的材料或上述的组合，但不以此为限。在某些实施例中，光转换结构LCS3可包括散射粒子136，但不以此为限。
一主动数组层AM可设置在发光结构LES1和第一基板100之间。主动数组层AM可包括多个晶体管Tr。第一发光单元LU1、第二发光单元LU2和第三发光单元LU3可分别包括至少一晶体管Tr，但不以此为限。第一电极EL1可分别和对应的晶体管Tr电性连接。晶体管Tr可包括一主动层138，一闸极电极140，一源极电极142以及一汲极电极144。
请参考图9，其所示为本发明第六实施例的发光装置的剖视示意图。与第一实施例不同的是，发光装置10可包括发光二极管(light emitting diode，LED)。如图9所示，光源LS1、光源LS2和光源LS3可设置在第一基板100和第二基板102之间。第一发光单元LU1、第二发光单元LU2或第三发光单元LU3可分别包括设置在第一基板100上的至少一发光源112。发光源112可包括发光二极管、微型发光二极管(micro LED)、次毫米发光二极管(mini LED)、量子点LED(QLED或QD-LED)，但不以此为限。在一发光源112中，其可包括一导电层140-1、一导电层140-2及一保护层146，且保护层146可相邻于导电层140-1或导电层140-2的至少一侧，但不以此为限。此外，黏着层132可设置在发光源112的其中至少一个和光转换结构的其中至少一个之间，但不以此为限。
以第一发光单元LU1为例，光调节结构LAS1可设置在墙124的至少一侧面上。在某些实施例中，光调节结构LAS1可包括一部分的隔绝层122，并包括多个反射面148设置在此部分的隔绝层122之中。反射面148可不与法线方向V及方向X平行，且反射面148彼此可大致互相平行，但不以此为限。在某些实施例中，反射面148的斜率可和所对应的墙124的侧面的斜率相似，其中所对应的墙124的侧面可以是反射面148形成于其上的侧面。在某些实施例中，反射面148的斜率可不同于所对应的墙124的侧面的斜率，其中所对应的墙124的侧面可以是反射面148形成于其上的侧面。
在某些实施例中，反射面148的材料可包括反射性材料(如金属)、白色反射性材料，但不以此为限。隔绝层122可包括多个有机层和多个无机层，反射面148可设置在隔绝层122的其中一层之中或隔绝层122的其中多个层内，或者反射面148可设置在隔绝层122的其中两层之间。
由于光调节结构LAS1的反射面148设置在墙124的其中至少一侧面上，所以从光源LS1发出的斜向光线可被反射面148所反射，且光源LS1所发出的斜向光线的方向可被调整到大致与法线方向V平行。在第二发光单元LU2和第三发光单元LU3中，光调节结构LAS2和光调节结构LAS3可包括反射面148。因此，光源(如光源LS1、光源LS2和光源LS3)所发出的光线在透过光调节结构(如光调节结构LAS1、光调节结构LAS2和光调节结构LAS3)调整之后可大致平行于法线方向V或更加准直。
在某些实施例中，上述实施例中的发光装置10可应用在交通工具中，如汽车、火车或飞机，但不以此为限。
由于在倾斜方向T上未被光转换结构转换的光的量小于在法线方向V上未被光转换结构转换的光的量，且光线由光源发射到相邻发光单元的可能性降低，所以观看者(或驾驶)感知的信号光的颜色可以更纯。
综上所述，发光装置可包括光调节结构，且由光源发出的光线可更为准直或可被光调节结构调整到大致与法线方向平行。在某些实施例中，光调节结构可包括倒棱镜片和反射元件。在某些实施例中，光调节结构可包括设置在隔绝层之中的隔绝层和反射面。因此，光线由发光单元发射到相邻发光单元的可能性降低，并可提升发光质量(或显示质量)。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种发光装置，其特征在于，包括：
多个第一发光单元，所述多个第一发光单元发射一第一光线，所述多个第一发光单元中的每一个第一发光单元包括一光源、一光调节结构和一光转换结构，其中所述第一光线由所述光源提供、由所述光调节结构调整并由所述光转换结构转换，
其中所述第一光线具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于590纳米至780纳米之间的一主波峰，且所述子波峰的一法线强度大于所述子波峰的一斜向强度。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，当以所述发光装置的一法线方向为基准的一倾斜角增加时，所述子波峰的所述斜向强度会减小。
3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述子波峰的所述斜向强度对所述子波峰的所述法线强度的一比值的范围为0.001至0.97。
4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述子波峰的所述法线强度的范围为0.1％至10％。
5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述子波峰的所述斜向强度的范围为0.01％至0.97％。
6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括：
多个第二发光单元，所述多个第二发光单元发射一第二光线，所述多个第二发光单元中的每一个第二发光单元包括另一光源、另一光调节结构和另一光转换结构，其中所述第二光线由所述另一光源提供、由所述另一光调节结构调整并由所述另一光转换结构转换，
其中所述第二光线具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于520纳米至589纳米之间的一主波峰，且所述第一光线的所述子波峰的所述法线强度不同于所述第二光线的所述子波峰的一法线强度。
7.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，在同一倾斜角下，所述第一光线的所述子波峰的所述斜向强度不同于所述第二光线的所述子波峰的一斜向强度。
8.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光调节结构是一透镜结构。
9.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光调节结构包括一反射元件和设置在所述反射元件上的一倒棱镜片，且所述反射元件包括多个反射面。
10.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光调节结构包括多个倒棱镜，所述光源包括至少一发光源，且所述至少一发光源设置在所述多个倒棱镜中的相邻的两个倒棱镜之间。
11.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光调节结构包括一隔绝层和至少一反射面，且所述至少一反射面设置在所述隔绝层内。
12.如权利要求11所述的发光装置，其特征在于，所述反射面具有一锯齿结构或一直线结构。
13.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光调节结构是连续的，且所述光调节结构设置在所述光源上。
14.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光调节结构是非连续的，且所述光调节结构相邻所述光源设置。
15.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括相邻所述光源设置的一墙，其中所述光调节结构设置在所述墙的至少一侧面上。
16.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光转换结构包括多个量子点、一荧光材料或一磷光材料。
17.一种发光装置，其特征在于，包括：
多个发光单元，所述多个发光单元发射一光线，所述多个发光单元中的每一个发光单元包括一光源、一光调节结构和一光转换结构，其中所述光线由所述光源提供、由所述光调节结构调整并由所述光转换结构转换；
其中所述光线具有位于400纳米至500纳米之间的一子波峰以及位于520纳米至589纳米之间的一主波峰，且所述子波峰的一法线强度大于所述子波峰的一斜向强度。
18.如权利要求17所述的发光装置，其特征在于，当以所述发光装置的一法线方向为基准的一倾斜角增加时，所述子波峰的所述斜向强度减小。
19.如权利要求17所述的发光装置，其特征在于，所述子波峰的所述斜向强度对所述子波峰的所述法线强度的一比值的范围为0.001至0.97。
20.如权利要求17所述的发光装置，其特征在于，所述光调节结构是一透镜结构。
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