CN111380827A - 测量掩埋层 - Google Patents

测量掩埋层 Download PDF

Info

Publication number
CN111380827A
CN111380827A CN201911366313.8A CN201911366313A CN111380827A CN 111380827 A CN111380827 A CN 111380827A CN 201911366313 A CN201911366313 A CN 201911366313A CN 111380827 A CN111380827 A CN 111380827A
Authority
CN
China
Prior art keywords
rdl
radiation
detection signal
dielectric layer
absorption characteristic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911366313.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111380827B (zh
Inventor
Z·B·埃泽尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Camtek Ltd
Original Assignee
Camtek Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Camtek Ltd filed Critical Camtek Ltd
Publication of CN111380827A publication Critical patent/CN111380827A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111380827B publication Critical patent/CN111380827B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/33—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using ultraviolet light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明涉及测量掩埋层。提供一种检查对象的顶部再分配层导体的方法。顶部再分布层(RDL)位于至少一个下RDL之上和至少一个其它介电层之上。该方法包括(i)用辐射照射对象，该至少一个下介电层显著吸收该辐射；(ii)由检测器产生表示从对象反射的辐射的检测信号，以及(iii)由处理器处理所述检测信号以提供关于该顶部RDL的信息。该处理包括区分与顶部RDL相关的检测信号和与至少一个下RDL相关的检测信号。

Description

测量掩埋层
背景技术
再分配层(RDL)包括用于电耦合不同位置的不同导体的布线。在各种封装技术中，例如晶片级芯片级封装、WLFO-晶片级扇出和晶片级扇入，RDL被用于将芯片彼此接合。
不同的RDL彼此之间通过介电聚合物层(聚酰亚胺、PBO等)分隔。
检测层缺陷(如切割、短路和其它变形)需要进行缺陷检测。
每个RDL应单独检查。在检查当前的RDL时，也可以在图像中观察到位于其它深度处的其它RDL，因为聚合物在可见光谱范围内大多是透明的。
难以在不同的RDL之间进行区分以及避免错误的缺陷通知。
发明内容
提供了一种用于检查对象的顶部再分配层导体的方法，该方法可包括(i)用辐射照射对象；其中，所述顶部RDL位于至少一个下RDL之上和至少一个下介电层之上；其中，所述至少一个下介电层显著地吸收辐射；(ii)通过检测器产生代表从所述对象反射的辐射的检测信号；以及(iii)通过处理器处理检测信号以提供关于顶部RDL的信息；其中，所述处理包括区分与所述顶部RDL相关的检测信号和与所述至少一个下RDL相关的检测信号。
所述区分基于所述检测信号的强度，并且其中与所述顶部RDL相关的所述检测信号比与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号强。
该方法可包括基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围。
所述至少一个吸收特性可是形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱。
所述至少一个吸收特性可是所述对象的介电层的至少一个的厚度。
所述至少一个吸收特性可是(a)形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱，以及(b)所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。
所述确定可基于使用不同谱范围的辐射测试所述对象和选择所述不同谱范围的选择的谱范围。
所述确定可基于估计当被不同谱范围的辐射照射时从所述对象反射的反射辐射和选择所述不同谱范围的选择的谱范围。
所述确定可包括选择位于辐射源和所述对象之间的滤波器的滤波特性。
所述确定可包括从多个源中选择源。
提供了一种非暂时性计算机可读介质，该介质存储用于以下步骤的指令：(i)用辐射照射对象；其中，顶部RDL位于至少一个下RDL之上和至少一个下介电层之上；其中，所述至少一个下介电层显著吸收所述辐射；(ii)通过检测器产生代表从所述对象反射的辐射的检测信号；以及(iii)通过处理器处理所述检测信号以提供关于所述顶部RDL的信息；其中，所述处理包括区分与所述顶部RDL相关的检测信号和与所述至少一个下RDL相关的检测信号。
所述区分可基于检测信号的强度，以及其中与所述顶部RDL相关的所述检测信号比与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号强。
一种非暂时性的计算机可读介质，其存储用于基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围的指令。
所述至少一个吸收特性可是形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱。
所述至少一个吸收特性可是所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。
所至少一个吸收特性可是(a)形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱，以及(b)所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。
所述确定基于使用不同谱范围的辐射测试所述对象和选择所述不同谱范围的选择的谱范围。
所述确定可基于估计当被不同谱范围的辐射照射时从所述对象反射的反射辐射以及选择所述不同谱范围的选择的谱范围。
所述确定可包括选择位于辐射源和所述对象之间的滤波器的滤波特性。
所述确定可以包括从多个源中选择源。
提供了一种用于检查对象的系统，该系统可包括：(i)照射模块，其被配置为用辐射照射对象，其中该对象的顶部再分配层(RDL)位于至少一个下RDL之上和至少一个其它介电层之上；(ii)检测器，被配置为产生代表从所述对象反射的辐射的检测信号；其中，与所述顶部RDL相关的所述检测信号强于与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号；以及处理器，其被配置为处理所述检测信号以提供关于所述顶部RDL的信息。所述处理器包括区分与所述顶部RDL相关的所述检测信号和与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号。
该系统可被配置为基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围。
所述区别可基于所述检测信号的强度，其中与所述顶部RDL相关的所述检测信号比与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号强。
该系统可被配置为基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围。
所述至少一个吸收特性可是形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱。
所述至少一个吸收特性可是所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。
所述至少一个吸收特性可是(a)形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱，以及(b)所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。
该系统可被配置为基于使用不同谱范围的辐射测试所述对象并选择不同光谱范围的选择的谱范围来确定。
该系统可被配置为基于估计当被不同谱范围的辐射照射时从所述对象反射的反射辐射并选择所述不同谱范围的选择的谱范围来确定。
所述确定可包括选择位于辐射源和对象之间的滤波器的滤波特性。
所述确定可包括从多个源中选择源。
附图说明
通过结合以下附图的详细描述，本发明将被更充分地理解和了解，其中：
图1示出了使用可见光照射的对象的实例；
图2示出了使用紫外辐射照射的对象的实例；
图3示出了使用紫外辐射照射的对象的实例；
图4示出了系统的实例；
图5示出了方法的实例；以及
图6示出了方法的实例。
具体实施方式
由于实施本发明的装置大部分由本领域技术人员已知的光学部件和电路组成，因此为了理解和了解本发明的基础概念以及不混淆或分散本发明的教导，将不以任何比所认为必要的范围更大的范围来解释电路细节。
在下面的说明书中，将参考本发明的实施例的具体实例来描述本发明。然而，显而易见的是，在不脱离所附权利要求中所阐述的本发明的更广泛的精神和范围的情况下，可以对其进行各种修改和改变。
词语“包括”并不排除存在与权利要求中所列的要素或步骤相比的其它要素或步骤。应当理解，在适当的情况下如此使用的术语是可互换的，以便本文所描述的本发明的实施例例如能够在本文所示或以其它方式描述的以外的方向上操作。
术语“选择”和“确定”以可互换的方式使用。
术语“配置为”可以是“构造和设置为”。配置为可以包括被编程、设置、调谐为等。
术语“紫外照射”和“紫外辐射”可以可互换的方式使用。
提供了一种检查对象的顶部再分配层导体的方法，该方法可以包括(i)用辐射照射对象；其中，顶部RDL位于至少一个下RDL之上和至少一个下介电层之上；其中，至少一个下介电层显著吸收辐射；(ii)通过检测器产生代表从对象反射的辐射的检测信号；以及(iii)通过处理器处理检测信号以提供关于顶部RDL的信息；其中，处理包括区分与顶部RDL相关的检测信号和与至少一个下的RDL相关的检测信号。
术语显著可指至少允许区分与顶部RDL相关的检测信号和与至少一个下RDL相关的检测信号的量。
术语显著吸收量可以是指吸收至少为10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％甚至更多。
在下列实例中，用于照射对象的辐射称为紫外辐射。这种紫外辐射的光谱范围将被一个或多个介质对象显著衰减。应注意的是，紫外辐射只是辐射的一个非限制性实例，并且对象可能被非紫外辐射(例如紫色，一些蓝色变体)照射，这将基于介电层的至少一个吸收特性来选择。
还应注意的是，尽管一些测试涉及RDL和介电层，但对象可能包括附加层——例如，其底层可能是硅衬底或其它非RDL且非介电层的层。
本发明提供了一种系统、非暂时性计算机可读介质和方法用于由介电层分离的RDL的缺陷检查。该系统可包括成像光学部件和照射，其中照射谱基于(例如，匹配或基本上匹配)介电层的至少一个吸收特性来选择。
存在各种类型的介电层，每种类型包括根据其组成的特定光学特性等。以该观点，介电材料的谱吸收和透射率与这些特性有关。一个共同的特征是它们在UV区域是光敏的，因此在紫外谱范围内表现出吸收。尽管在UV范围内，甚至在UV范围外，不同类型的吸收谱分布可能有所不同。
给定RDL的特定的晶片或面板并且无论上述特性是否已知，需要选择和控制辐射的最佳辐射谱范围的阶段。
应注意的是，辐射谱范围的选择可能是次优的。
优化阶段可包括在不同照射源之间进行选择，每个源具有其特定的谱发射(例如，具有各种峰值波长的LED)。
优化阶段也可以通过过滤光谱(例如，宽带照射源，例如，氙弧灯和各种谱过滤器)来完成。
辐射照射路径可以是共轴的(亮场)和/或其它仰角/方位角(暗场)。
该系统可包括可视和介电层吸收照射光学部件(适于输出将被对象的至少一个下介电层显著吸收的辐射的光学部件)，以根据改善图像中的当前RDL对比度和外观的相关性来选择和/或组合。
由对象的至少一个下介电层显著吸收的辐射也称为介电层吸收辐射。
图1示出对象20，其包括(从下到上)第一RDL 31、第一介电层21、第二RDL 32、第二介电层22和第三RDL 33(其是顶部RDL)。
图1还示出了可见光40和分别来自第三RDL 33、第二RDL 32和第一RDL的可见光反射43、42和41对于对象20的照射。
第一和第二介电层21和22对可见光是透明的，并且不同的反射形成这样的图像，其中来自顶部RDL 33的反射43与来自下RDL(第一和第二RDL 31和32)的反射41和42不能区分。
图2示出了介电层吸收辐射50、来自第三RDL 33的反射53以及来自下RDL(第一和第二RDL 31和32)的衰减反射51和52(由于第一和第二介电层21和21的衰减)对于对象20的照射。
如果适当选择了介电层吸收辐射的谱范围，则第一和第二介电层将吸收高百分比的介电层吸收辐射，即使衰减反射离开对象20-他们将弱于反射53而因显著抑制而不会被成像或只是被模糊成像。
(介电层吸收辐射的)优化阶段被进行，以允许来自顶部RDL的反射与来自下RDL的反射之间有足够的对比度。
图3示出对象29，其包括(从下到上)第一RDL 31、第一介电层21、第二RDL 32、第二介电层22、第三RDL 33(其为顶部RDL)以及第三介电层。
图3示出了介电层吸收辐射60、来自第三RDL 33的反射63(具有强度I1)、来自第三介电层23顶表面的反射64(具有强度I2)、来自下RDL(第一和第二RDL31和32)的衰减反射61(具有强度I4)和62(具有强度I3)对于对象29的照射。衰减由第一、第二和第三介电层21、22和23施加。
用于设置介电层吸收辐射的标准的实例可以包括：
a.I1高于光学传感器灵敏度阈值
b.I1>>I2
c.I1>>I3>I4
图4是对象29和用于评估对象的系统100的实例。
该系统可以包括光学部件170、照射模块180、传感器188和处理器/控制器160。
该系统100可以亮场和/或暗场配置使用介电层吸收辐射来照射对象29，例如箭头191表示亮场照射，箭头192表示暗场照射。反射束被表示为195。照射和/或集合(collection)可以与光学部件170和/或对象29成任何角度。
光学部件170可以包括分束器172或任何其它光学元件。
照射模块180可以包括一个或多个辐射源(包括至少一个介电层吸收辐射源)和/或可包括一个或多个滤波器。在图5中，存在介电层吸收辐射源181和可调滤波器182。
处理器/控制器160可以是处理器、控制器或两者。处理器可以与控制器分离。处理器/控制器160可以基于来自传感器188的检测信号来执行对象的评估。处理器/控制器160可控制系统的操作和/或可选择希望的介电层吸收辐射谱范围。处理器/控制器可包括一个或多个集成电路和/或一个或多个处理电路，例如，一个或多个图形处理单元、一个或多个通用单元、一个或多个数字处理单元、一个或多个现场可编程门阵列等。
该系统100可以被配置为执行说明书中所示的任何方法(例如方法200和300)。
系统100可以优化或以其它方式选择辐射的谱范围，或者可以从另一个系统接收谱范围值。
图5是方法200的实例。
方法200可以包括步骤205、210和220。步骤205可包括优化光谱以允许所检查的顶部RDL与背景之间足够的对比度。应选择光谱(谱范围)，以便至少一个下介电层(在顶部RDL下方)显著吸收辐射。
步骤210可以包括用辐射照射包括多个RDL和位于多个RDL之间的多个介电层的基板的一个或多个区域。步骤210还可以包括获取一个或多个区域的一个或多个图像。
步骤220可以包括处理一个或多个图像以发现RDL中的至少一个的缺陷。
该处理可涉及应用任何缺陷检测和/或测量方法，例如与黄金参考的比较、与设计信息的比较、另一晶片或PCB的RDL导体之间的比较等。
图6是方法300的实例。
方法300可以从基于对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定辐射的谱范围的步骤310开始。
应选择光谱(谱范围)，以便至少一个下介电层(在顶部RDL下方)显著吸收辐射。
步骤310可包括基于对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定辐射的谱范围。
至少一个吸收特性可以是形成对象的至少一个介电层的介电材料的吸收谱。因此，辐射谱应落在当介电材料衰减辐射时的频率上。
至少一个吸收特性可以是对象的介电层中的至少一个的厚度。相同材料的较厚介电层提供较大的衰减。
该确定可基于下列中的至少一个：(a)已知或估计的介电层的至少一个吸收特性，或(a)用不同谱范围的辐射测试对象(或相类对象)并确定不同谱范围的选择的谱范围的结果。
该确定可基于估计当被不同谱范围的辐射照射时从对象反射的反射辐射并确定不同谱范围的选择的谱范围。
确定可包括选择位于辐射源和对象之间的滤波器的滤波特性。
确定可包括从多个源中选择辐射源。
步骤310可接着用辐射照射对象的步骤320。顶部再分布层(RDL)位于至少一个下RDL之上和至少一个其它介电层之上。
应选择辐射的光谱(谱范围)，以便至少有一个下介电层(在顶部RDL以下)显著吸收辐射。
步骤320可接着通过检测器产生从对象发射的检测信号辐射的步骤330。检测信号可以形成一个或多个图像，或者可形成非图像信息。
步骤330可以接着由处理器处理检测信号以提供关于顶部RDL的信息的步骤340。
该处理可涉及应用任何缺陷检测和/或测量方法，例如与黄金参考的比较、与设计信息的比较、另一晶片或PCB的RDL导体之间的比较等。
处理可包括区分与顶部RDL相关的检测信号和与至少一个下RDL相关的检测信号。
区分可以基于检测信号的强度。与顶部RDL相关的检测信号比与至少一个下RDL相关的检测信号更强。相关意味着来自反射的来自顶部RDL导体的检测信号。
这里使用的术语“一”或“一个”被定义为一个或多个。此外，在权利要求中使用“至少一个”和“一个或多个”等介绍性短语不应被解释为暗示由不定冠词“一”或“一个”引入的另一个权利要求要素将包含该引入的权利要求要素的任何特定权利要求限制为仅包含一个此类要素的发明，即使同一权利要求包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”和“一”或“一个”等不定冠词，对定冠词的使用也是如此。除非另有说明，否则“第一”和“第二”等术语用于任意区分此类术语所描述的元素。
因此，这些术语不一定旨在表示这样的要素的时间或其它优先级。某些措施在相互不同的权利要求中被列举，这一事实并不意味着这些措施的组合不能有力地使用。

Claims (20)

1.一种用于检查对象的顶部再分配层(RDL)的方法，所述方法包括：
用辐射照射所述对象；其中，所述顶部RDL位于至少一个下RDL之上和至少一个下介电层之上；其中，所述至少一个下介电层显著吸收所述辐射；
通过检测器产生代表从所述对象反射的辐射的检测信号；
通过处理器处理所述检测信号以提供关于所述顶部RDL的信息；其中，所述处理包括区分与所述顶部RDL相关的检测信号和与所述至少一个下RDL相关的检测信号。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述区分基于所述检测信号的强度，并且其中与所述顶部RDL相关的所述检测信号比与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号强。
3.根据权利要求1所述的方法，包括基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一个吸收特性是形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一个吸收特性是所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一个吸收特性是(a)形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱，以及(b)所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。
7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述确定基于使用不同谱范围的紫外辐射测试所述对象和选择所述不同谱范围的选择的谱范围。
8.根据权利要求3所述的方法，其中，所述确定基于估计当被不同谱范围的紫外辐射照射时从所述对象反射的反射紫外辐射和选择所述不同谱范围的选择的谱范围。
9.根据权利要求3所述的方法，其中，所述确定包括选择位于紫外辐射源和所述对象之间的滤波器的滤波特性。
10.根据权利要求3所述的方法，其中，所述确定包括从多个紫外源中选择紫外源。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述顶部RDL位于顶部介电层之下。
12.一种非暂时性的计算机可读介质，其存储用于下列步骤的指令：
用辐射照射对象；其中，所述对象包括顶部再分配层，所述RDL位于至少一个下RDL之上和至少一个下介电层之上；其中，所述至少一个下介电层显著吸收所述辐射；
通过检测器产生代表从所述对象反射的辐射的检测信号；
通过处理器处理所述检测信号以提供关于所述顶部RDL的信息；其中，所述处理包括区分与所述顶部RDL相关的检测信号和与所述至少一个下RDL相关的检测信号。
13.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读介质，其中，所述区分基于所述检测信号的强度，并且其中与所述顶部RDL相关的所述检测信号比与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号强。
14.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读介质，其存储用于基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围的指令。
15.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读介质，其中，所述至少一个吸收特性是形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱。
16.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述至少一个吸收特性是所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。
17.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读介质，其中，所述至少一个吸收特性是(a)形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱，以及(b)所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。
18.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读介质，其中，所述确定基于使用不同谱范围的紫外辐射测试所述对象和选择所述不同谱范围的选择的谱范围。
19.一种用于检查对象的系统，所述系统包括：
照射模块，其被配置为用辐射照射对象，其中所述对象的顶部再分配层(RDL)位于至少一个下RDL之上和至少一个其它介电层之上；
检测器，其被配置为产生表示从所述对象反射的辐射的检测信号；其中，与所述顶部RDL相关的所述检测信号比与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号强；其中，所述至少一个下介电层显著吸收辐射；以及
处理器，其被配置为处理所述检测信号以提供关于所述顶部RDL的信息，其中所述处理器被配置为区分与所述顶部RDL相关的所述检测信号和与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号。
20.根据权利要求19所述的系统，其被配置为基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围。
CN201911366313.8A 2018-12-26 2019-12-26 测量掩埋层 Active CN111380827B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862784838P 2018-12-26 2018-12-26
US62/784838 2018-12-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111380827A true CN111380827A (zh) 2020-07-07
CN111380827B CN111380827B (zh) 2024-06-28

Family

ID=

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2406139A1 (en) * 2000-04-17 2001-10-25 Becton Dickinson And Company Method for analyzing substance mixtures
US20120038921A1 (en) * 2010-08-10 2012-02-16 Camtek Ltd. Method and system for inspecting beveled objects
CN104051437A (zh) * 2013-03-14 2014-09-17 英特尔Ip公司 半导体器件
CN105572059A (zh) * 2014-11-03 2016-05-11 三星电子株式会社 光谱仪、生物计量传感器、感测方法、生物信号传感器
CN106164986A (zh) * 2014-04-08 2016-11-23 英诺薄膜有限公司 设备及方法
WO2017062506A1 (en) * 2015-10-07 2017-04-13 Synaptics Incorporated Image sensor structures for fingerprint sensing
US20170344697A1 (en) * 2016-05-30 2017-11-30 Yuri Postolov Inspecting a wafer using image and design information
CN108107013A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 三星电子株式会社 用于生物组织样品的非侵入式测量的紧凑光谱仪系统
CN108369183A (zh) * 2015-12-09 2018-08-03 迪亚蒙泰克有限公司 用于分析材料的装置和方法
US20190003971A1 (en) * 2015-12-07 2019-01-03 Shenzhen Genorivision Technology Co., Ltd. A biosensor

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2406139A1 (en) * 2000-04-17 2001-10-25 Becton Dickinson And Company Method for analyzing substance mixtures
US20120038921A1 (en) * 2010-08-10 2012-02-16 Camtek Ltd. Method and system for inspecting beveled objects
CN104051437A (zh) * 2013-03-14 2014-09-17 英特尔Ip公司 半导体器件
CN106164986A (zh) * 2014-04-08 2016-11-23 英诺薄膜有限公司 设备及方法
CN105572059A (zh) * 2014-11-03 2016-05-11 三星电子株式会社 光谱仪、生物计量传感器、感测方法、生物信号传感器
WO2017062506A1 (en) * 2015-10-07 2017-04-13 Synaptics Incorporated Image sensor structures for fingerprint sensing
CN108352396A (zh) * 2015-10-07 2018-07-31 辛纳普蒂克斯公司 用于指纹感测的图像传感器结构
US20190003971A1 (en) * 2015-12-07 2019-01-03 Shenzhen Genorivision Technology Co., Ltd. A biosensor
CN108369183A (zh) * 2015-12-09 2018-08-03 迪亚蒙泰克有限公司 用于分析材料的装置和方法
US20170344697A1 (en) * 2016-05-30 2017-11-30 Yuri Postolov Inspecting a wafer using image and design information
TW201809642A (zh) * 2016-05-30 2018-03-16 肯提克有限公司 使用影像及設計資訊檢驗晶圓之技術
CN108107013A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 三星电子株式会社 用于生物组织样品的非侵入式测量的紧凑光谱仪系统

Also Published As

Publication number Publication date
TW202043737A (zh) 2020-12-01
JP7401294B2 (ja) 2023-12-19
KR20200081311A (ko) 2020-07-07
US20200279775A1 (en) 2020-09-03
US11682584B2 (en) 2023-06-20
JP2020106530A (ja) 2020-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7751037B2 (en) Method and apparatus for detecting defects
US8492721B2 (en) Systems and methods for near infra-red optical inspection
KR20150005405A (ko) 광학검사에 이용되는 조명시스템, 그것을 이용하는 검사시스템 및 검사방법
JP2005536732A (ja) 物体を検査するための装置及び方法
JP2013061185A (ja) パターン検査装置およびパターン検査方法
KR20170049266A (ko) 비전검사장치 및 비전검사방법
JP6034343B2 (ja) 重複露光を運用した多重露光画像ミキシングの検査方法
JP2008244197A (ja) 検査装置及び検査方法
JP4637642B2 (ja) パターン間の欠陥検査装置および方法
US9255793B2 (en) Defect inspection method and device thereof
KR20150133259A (ko) 복수의 선택가능한 스펙트럼 대역을 갖는 병렬 이미징 경로를 포함하는 검사 시스템
JPS61278737A (ja) 螢光性基板上の薄膜中の欠陥検出方法
WO2010113232A1 (ja) 検査方法及び検査装置
US8986913B2 (en) Method and apparatus for inspecting a mask substrate for defects, method of manufacturing a photomask, and method of manufacturing a semiconductor device
CN111380827B (zh) 测量掩埋层
US8699783B2 (en) Mask defect inspection method and defect inspection apparatus
JP7401294B2 (ja) 埋め込み層の測定
US20140022541A1 (en) Systems and methods for near infra-red optical inspection
JP2008164399A (ja) 異常検査装置
JPH05196568A (ja) 鍍金検査装置
US6046803A (en) Two and a half dimension inspection system
JP7264520B2 (ja) 容器の検査方法及び装置
JP3607163B2 (ja) びん検査装置およびびん検査方法
JPH0339608A (ja) プリント基板の欠陥検出方法
JP2009283977A (ja) 検査装置及び検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant