CN111371969A - 摄像组件的封装方法 - Google Patents

Abstract

一种摄像组件的封装方法，包括：形成感光单元，包括感光芯片和贴装在感光芯片上的滤光片，感光芯片具有面向滤光片的焊垫；提供第一承载基板，且在其上临时键合功能元件和预制件，功能元件具有焊垫且其焊垫背向第一承载基板，功能元件和预制件露出的区域为塑封区；进行选择性喷涂处理向塑封区喷洒塑封料，且对塑封料进行固化处理形成位于塑封区的塑封层；去除预制件，在塑封层内形成通孔；将感光芯片置于通孔内，且将其临时键合于第一承载基板上，感光芯片焊垫背向第一承载基板，滤光片位于通孔外；在塑封层靠近滤光片一侧形成再布线结构，电连接感光芯片和功能元件的焊垫。本发明提高封装效率和镜头模组性能。

Description

摄像组件的封装方法

技术领域

本发明实施例涉及镜头模组领域，尤其涉及一种摄像组件的封装方法。

背景技术

随着人们生活水平的不断提高，业余生活也更加丰富，摄影逐渐成为人们记录出游以及各种日常生活的常用手段，因此具有拍摄功能的电子设备(例如：手机、平板电脑和照相机等)越来越多地应用到人们的日常生活以及工作中，具有拍摄功能的电子设备逐渐成为当今人们不可或缺的重要工具。

具有拍摄功能的电子设备通常都设有镜头模组，镜头模组的设计水平是决定拍摄质量的重要因素之一。镜头模组通常包括具有感光芯片的摄像组件以及固定于所述摄像组件上方且用于形成被摄物体影像的镜头组件。

而且，为了提高镜头模组的成像能力，相应需具有更大成像面积的感光芯片，且通常还会在所述镜头模组中配置电阻、电容器等被动元件以及外围芯片。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种摄像组件的封装方法，在提高封装效率的同时，提高镜头模组的性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种摄像组件的封装方法，包括：形成感光单元，包括感光芯片和贴装在感光芯片上的滤光片，感光芯片具有面向滤光片的焊垫；提供第一承载基板，在所述第一承载基板上临时键合功能元件和预制件，所述功能元件具有焊垫，所述功能元件的焊垫背向所述第一承载基板，所述功能元件和预制件露出的区域为塑封区；进行选择性喷涂处理，向所述塑封区喷洒塑封料，且对所述塑封料进行固化处理，形成位于所述塑封区的塑封层，所述塑封层覆盖所述第一承载基板且填充于所述功能元件和预制件之间；去除所述预制件，在所述塑封层内形成通孔；将所述感光芯片置于所述通孔内，且将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上，所述感光芯片的焊垫背向所述第一承载基板，所述滤光片位于所述通孔外；将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上之后，在所述塑封层靠近所述滤光片的一侧形成再布线结构，电连接所述感光芯片的焊垫和所述功能元件的焊垫。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例采用选择性喷涂处理的方式形成塑封层，便于直接在需形成塑封层的区域形成所述塑封层，相应提高了封装效率、降低了形成塑封层的工艺复杂度，且有利于避免现有形成塑封层中功能元件受到注塑压力的问题，以防止功能元件发生变形或者破裂；并且，采用选择性喷涂处理的方式能够形成仅覆盖功能元件侧壁的塑封层，因此所述塑封层内部应力小，提高了塑封层与功能元件之间的界面性能，塑封层与功能元件之间的粘附性较强，保证所述塑封层对功能元件具有良好的密封效果；综上，本发明提供的封装方法，在提高封装效率的同时，提高镜头模组的性能。

附图说明

图1至图14是本发明摄像组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

具体实施方式

传统的镜头模组主要由电路板、感光芯片、功能元件(例如：外围芯片)和镜头组件组装而成，且外围芯片通常贴装在外围主板上，感光芯片和功能元件之间相互分离；其中，所述电路板用于对所述感光芯片、功能元件和镜头组件起到支撑作用，且通过所述电路板实现所述感光芯片、功能元件和镜头模组之间的电连接。

但是，随着高像素、超薄镜头模组的要求，镜头模组的成像要求也越来越高，感光芯片的面积相应增加，功能元件也相应增多，从而导致镜头模组的尺寸越来越大，难以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。而且，感光芯片通常设置于镜头模组中的支架内部，外围芯片通常设置于支架外部，因此外围芯片与感光芯片之间具有一定的距离，从而降低了信号传输的速率。而所述外围芯片通常包括数字信号处理器(digital signal processor，DSP)芯片和存储器芯片，因此容易对拍摄速度和存储速度产生不良影响，进而降低镜头模组的性能。

为了改善上述问题，目前提供了一种用于省去电路板的封装方法，将感光芯片和功能元件集成于塑封层中，并使感光芯片和功能元件之间实现电连接，从而在减小镜头模组总厚度的同时，减小感光芯片与功能元件之间的距离。

但是，形成塑封层的工艺通常为注塑工艺(molding)，将感光芯片和功能元件置于模具中后，向模具中的模腔内注入液态塑封料，使塑封料将感光芯片和功能元件包裹，塑封料冷却后固化成型，形成塑封层。在上述注塑工艺中，感光芯片和功能元件会受到较大的注塑压力，所述注塑压力使感光芯片和功能元件易发生变形甚至断裂，从而造成封装结构性能失效，封装失败。

而且，采用注塑工艺形成的塑封层通常以全覆盖的方式包裹感光芯片和功能元件，即塑封层覆盖感光芯片和功能元件的顶部和侧壁，使得塑封层内部具有较大的内应力(stress)，所述内应力也容易导致感光芯片和功能元件发生变形甚至破裂，造成封装失效。

为了解决所述技术问题，本发明实施例采用选择性喷涂处理的方式形成塑封层，便于直接在需形成塑封层的区域形成所述塑封层，相应提高了封装效率、降低了形成塑封层的工艺复杂度，且有利于避免现有形成塑封层中功能元件受到注塑压力的问题，以防止功能元件发生变形或者破裂；并且，采用选择性喷涂处理的方式能够形成仅覆盖功能元件侧壁的塑封层，因此所述塑封层内部应力小，提高了塑封层与功能元件之间的界面性能，塑封层与功能元件之间的粘附性较强，保证所述塑封层对功能元件具有良好的密封效果；综上，本发明提供的封装方法，在提高封装效率的同时，提高镜头模组的性能。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图1至图14是本发明摄像组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

参考图1和图2，图2是图1中一个感光芯片的放大图，提供感光芯片200，所述感光芯片200具有焊垫。

本实施例中，感光芯片200为CMOS图像传感器(CMOS image sensor，CIS)芯片。在其他实施例中，感光芯片还可以为CCD(charge coupled device，电荷耦合器)图像传感器芯片。

本实施例中，感光芯片200具有光信号接收面201(如图2所示)，感光芯片200通过光信号接收面201接收感测光辐射信号。具体地，感光芯片200包括感光区200C以及环绕感光区200C的外围区200E，光信号接收面201位于感光区200C。

感光芯片200包含多个半导体光敏器件(图未示)、位于半导体光敏器件上的多个滤光膜(图未示)、以及位于滤光膜上的微透镜210，微透镜210与半导体光敏器件一一对应，从而将接收的光辐射信号光线聚焦至半导体光敏器件。光信号接收面201相应为微透镜210的顶面。

感光芯片200通常为采用集成电路制作技术所制成的硅基芯片，其具有焊垫，用于实现感光芯片200与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，感光芯片200具有形成于外围区200C的第一芯片焊垫220，位于光信号接收面201同侧的感光芯片200表面露出第一芯片焊垫220。

本实施例中，感光芯片200的横截面形状为第一矩形。在其他实施例中，感光芯片的横截面形状还可以为其他形状，例如：圆形。

为此，本实施例中，第一矩形具有第一边长W1(如图2所示)。其中，第一边长W1指的是：感光芯片200沿平行于光信号接收面201方向的尺寸，第一边长W1包括感光芯片200的长度和宽度。

继续参考图1和图2，并结合参考图3，图3是图1中一个滤光片的放大图，在感光芯片200上贴装滤光片400(如图1所示)。滤光片400和感光芯片200实现贴装后，形成感光单元250(如图1所示)。

滤光片400贴装在感光芯片200上，以免后续封装工艺对光信号接收面201造成污染，且通过相贴装的方式，有利于减小后续镜头模组的整体厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

滤光片400为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。本实施例中，滤光片400为红外滤光玻璃片，还用于消除入射光中的红外光对感光芯片200性能的影响，有利于提高成像效果。

本实施例中，滤光片400包括键合面401以及与键合面401相背的光入射面402。键合面401为用于与感光芯片200实现贴装的面；光入射面402指的是滤光片400中用于使外部入射光进入的面。

如图3所示，滤光片400包括透光区400C以及环绕透光区400C的边缘区400E。透光区400C用于使外部入射光透过，从而使感光芯片200(如图1所示)的光信号接收面201(如图1所示)接收光信号，以保证镜头模组的正常使用功能；边缘区400E为实现滤光片400和感光芯片200的贴装预留空间位置。

如图1所示，本实施例中，滤光片400通过粘合结构410贴装在感光芯片200上，粘合结构410环绕光信号接收面201，用于实现滤光片400和感光芯片200的物理连接，且滤光片400、粘合结构410和感光芯片200围成空腔(未标示)，避免滤光片400与感光芯片200直接接触，从而避免滤光片400对感光芯片200的性能产生不良影响。本实施例中，粘合结构410环绕光信号接收面201，从而使光信号接收面201上方的滤光片400位于感光芯片200的感光路径上，本实施例中，粘合结构410的材料为可光刻的干膜(dry film)。在其他实施例中，粘合结构的材料还可以为可光刻的聚酰亚胺(polyimide)、可光刻的聚苯并恶唑(PBO)或可光刻的苯并环丁烯(BCB)。

本实施例中，为了降低形成粘合结构410的工艺难度、简化工艺步骤、减小粘合结构410的形成工艺对光信号接收面201的影响，在滤光片400上形成粘合结构410。

具体地，如图1所示，贴装步骤包括：提供第三承载基板340；将光入射面402(如图3所示)临时键合于第三承载基板340上；在临时键合步骤后，在滤光片400的边缘区400E(如图3所示)形成环形粘合结构410；使光信号接收面201面向环形粘合结构410，将感光芯片200的外围区200E(如图2所示)贴装于环形粘合结构410上，以形成感光单元250。

本实施例中，第三承载基板340为载体晶圆(carrier wafer)。在其他实施例中，第三承载基板还可以为其他类型的基板。具体地，通过第一临时键合层345将滤光片400临时键合于第三承载基板340上。第一临时键合层345作为剥离层，便于后续将滤光片400和第三承载基板340进行分离

本实施例中，第一临时键合层345为发泡膜。在其他些实施例中，还可以为粘片膜(die attach film，DAF)。

结合参考图4，需要说明的是，形成感光单元250后，还包括：将感光芯片200背向光信号接收面201的面贴附至UV膜310上；在贴附步骤之后，进行第一解键合处理，去除第三承载基板340(如图1所示)。

通过将感光芯片200贴附至UV膜310上，能够在去除第三承载基板340后，对感光单元250提供支撑和固定的作用。而且UV膜310在紫外光的照射下粘附力会减弱，后续易于将感光单元250从UV膜310上取下，从而为后续临时键合步骤做好准备。

本实施例中，第一临时键合层345(如图1所示)为发泡膜，因此采用热解键合工艺进行第一解键合处理。

参考图5，提供第一承载基板320，在第一承载基板320上临时键合功能元件(未标示)和预制件246，功能元件具有焊垫(未标示)，功能元件的焊垫背向第一承载基板320，功能元件和预制件246露出的区域为塑封区I。

塑封区I为待形成塑封层的区域。其中，功能元件和预制件246的排列方向为X方向，平行于第一承载基板320且与X方向相垂直的方向为Y方向。

本实施例中，第一承载基板320为载体晶圆。在其他实施例中，第一承载基板还可以为其他类型基板。具体地，通过第二临时键合层325将功能元件和预制件246临时键合于第一承载基板320上。对第二临时键合层325的具体描述，可参考前述对第一临时键合层345(如图1所示)的描述，在此不再赘述。

预制件246用于为后续形成于塑封层内的通孔占据空间位置，通孔用于容纳感光芯片200。因此，后续形成填充于功能元件和预制件246之间的塑封层之后，通过去除预制件246即可以在塑封层内形成通孔，降低形成通孔的难度。本实施例中，为了降低工艺成本、工艺复杂性和工艺风险，预制件246的材料可以选用Si。

本实施例中，预制件246和功能元件的厚度相等，从而有利于降低后续形成塑封层的工艺难度。其中，将预制件246临时键合于第一承载基板320上后，还包括：在预制件246表面贴附热解膜(图未示)，用于作为预制件246和后续塑封层之间的剥离层。

需要说明的是，本实施例仅示意出了一个预制件246。在其他实施例中，当所形成的镜头模组运用于双摄或阵列模组产品时，预制件数量还可以为多个。

本实施例中，在临时键合步骤之后，功能元件的焊垫均背向第一承载基板320，从而降低后续电连接工艺的复杂度。

需要说明的是，为了降低后续电连接工艺的工艺难度、以及形成塑封层的工艺难度，功能元件和感光芯片200的厚度相等或者厚度差较小；其中，可根据感光芯片200的厚度，形成厚度相匹配的功能元件。本实施例中，功能元件和感光芯片200之间的厚度差值为-2微米至2微米。

功能元件为摄像组件中除感光芯片200之外的具有特定功能元件，功能元件包括外围芯片230和被动元件240中的至少一种。本实施例中，功能元件包括外围芯片230和被动元件240。

外围芯片230为主动元件，用于向感光芯片200提供外围电路，如：模拟供电电路和数字供电电路、电压缓冲电路、快门电路、快门驱动电路等。本实施例中，外围芯片230包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。

外围芯片230也具有焊垫，用于实现外围芯片230与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，外围芯片230包括第二芯片焊垫235；外围芯片230临时键合至第一承载基板320上之后，第二芯片焊垫235背向第一承载基板320。为了便于图示，图5中仅示意出了一个外围芯片230，但外围芯片230的数量不仅限于一个。

被动元件240用于为感光芯片200的感光工作起到特定作用。被动元件240也具有焊垫，用于实现被动元件240与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，被动元件240的焊垫为电极245；被动元件240临时键合至第一承载基板320上之后，电极245背向第一承载基板320。为了便于图示，图5中仅示意出了一个被动元件240，但被动元件240的数量不仅限于一个。

参考图6，进行选择性喷涂处理，向塑封区I喷洒塑封料，且对塑封料进行固化处理，形成位于塑封区I的塑封层350，塑封层350覆盖第一承载基板320且填充于功能元件(未标示)和预制件246之间。

塑封层350对功能元件起到固定作用，用于实现功能元件和感光单元250(如图1所示)的封装集成；塑封层350还能起到绝缘、密封以及防潮的作用，还有利于提高镜头模组的可靠性。其中，通过塑封层350，能够减少镜头组件中支架所占用的空间，且还能省去电路板，从而减小所形成镜头模组的总厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。

本实施例中，塑封层350覆盖功能元件和预制件246的侧壁。通过使塑封层350填充于功能元件和预制件246之间，不仅减小了塑封层350的厚度，并且，相较于塑封层覆盖功能元件背向第二承载基板的表面的方案，本实施例中，形成的塑封层350由于仅覆盖功能元件和预制件246的侧壁，使得塑封层350内部应力小，可以有效的避免由于其内部应力过大而对功能元件施加拉伸应力或者压缩应力，避免功能元件在拉伸应力或者压缩应力的作用下发生变形，且由于塑封层350内部应力小，使得塑封层350与功能元件之间的界面性能好，从而提高塑封层350的密封绝缘效果。

而且，在将感光芯片200贴装于第一承载基板320上之前，形成塑封层350，避免滤光片400在塑封层350的形成过程中发生破裂、以及塑封层350的形成工艺对感光芯片200的性能造成影响，有利于保障镜头模组的使用性能。

后续制程还包括：去除预制件246，在塑封层350内形成通孔，通孔为后续感光芯片200的装配提供空间位置。因此，塑封层350的厚度根据感光芯片200的厚度而定，使得后续将感光芯片200置于对应的通孔内之后，塑封层350能够露出第一芯片焊垫220(如图1所示)，以便于后续电连接工艺的进行。本实施例中，塑封层350的厚度与感光芯片200的厚度相等。

本实施例中，由于感光芯片200的厚度与外围芯片230和被动元件240的厚度相等或相近，因此，塑封层350填充于外围芯片230和被动元件240之间且露出第二芯片焊垫235和电极245，降低了后续电连接工艺的难度。

具体地，采用选择性喷涂处理的方式形成塑封层350，避免了现有技术中形成塑封层过程中会对功能元件施加注塑压力的问题，从而避免注塑压力对功能元件造成的不良影响，防止功能元件发生变形或破裂，保证功能元件的功能完好性。

此外，选择性喷涂处理的工艺灵活度高，不会向塑封区I以外的区域喷洒塑封料，仅向塑封区I喷洒塑封料；与常用的注塑工艺相比，无需设计相匹配的模具，也无需进行平坦化步骤，且通过合理控制选择性喷涂处理喷洒的塑封料的量，控制形成的塑封层350的厚度，易于使塑封层350填充于功能元件和预制件246之间，降低形成塑封层350的工艺复杂度、提高封装效率。

所述塑封料为具有流动性的塑封胶。本实施例中，塑封料为环氧树脂塑封料(EMC，Epoxy Molding Compound)，包括基体树脂、固化剂、偶联剂、填料等，其中，基体树脂为环氧树脂，固化剂为酚醛树脂，偶联剂可以为硅微粉或者二氧化硅粉。在其他实施例中，塑封料还可以采用其他合适的塑封料。

本实施例中，选择性喷涂处理的方法包括：提供可移动的喷头；采用喷头在第一承载基板320上方移动，当喷头移动经过塑封区I上方时，喷头向塑封区I喷洒塑封料。具体地，提供喷涂装置，喷涂装置具有可移动的喷头；将第一承载基板320置于承载台(chuck)上，利用喷涂装置完成选择性喷涂处理。

具体地，在向塑封区I喷洒塑封料时，当预制件246和功能元件露出的第一承载基板320移动至喷头下方时，喷头向塑封区I喷洒塑封料，当预制件246和功能元件移动至喷头下方时，喷头停止喷洒塑封料。

为了提高塑封层350的厚度均匀性，在选择性喷涂处理过程中，喷头移动经过同一塑封区I上方至少两次，以形成塑封层350。由于对于同一塑封区I而言，塑封层350为至少经过两次喷洒塑封料形成的，在进行后一次喷洒塑封料之前，前一次喷洒的塑封料在塑封区I上具有一定的时间和空间进行流动，因此在进行后一次喷洒塑封料时，前一次喷洒的塑封料的厚度均匀性得到了改善，从而提高最终形成的塑封层350的厚度均匀性。

本实施例中，在选择性喷涂处理的过程中，喷头前一次移动经过塑封区I上方时的移动路径为第一方向，喷头后一次移动经过同一塑封区I上方时的路径为第二方向，且第二方向与第一方向不同。这样设置的好处在于：由于来自不同移动路径的喷头向同一塑封区I喷洒的塑封料的厚度分布情形具有差异性，因此，采用具有不同移动路径的喷头向同一塑封区I喷洒塑封料时，具有差异性的厚度分布相互弥补，从而提高进一步提高最终所形成塑封层350的厚度均匀性。

本实施例中，功能元件和预制件246的排列方向为X方向，平行于第一承载基板320且与X方向相垂直的方向为Y方向。相应的，喷头在第一承载基板320上方的移动路径具有的方向包括：+X方向、-X方向、+Y方向或者-Y方向中的一种或多种。

具体地，选择性喷涂处理的步骤包括：至少一次的X方向喷涂步骤，X方向喷涂步骤包括：喷头沿+X方向或者-X方向移动，经过沿X方向的塑封区I上方，直至喷头移动经过所有X方向的塑封区I上方；至少一次的Y方向喷涂步骤，Y方向喷涂步骤包括：喷头沿+Y方向或者-Y方向移动，经过沿Y方向的塑封区I上方，直至喷头移动经过所有Y方向的塑封区I上方。

需要说明的是，为了提高塑封层350的厚度均匀性，且提高塑封层350的致密度等性能，可以交替进行X方向喷涂步骤以及Y方向喷涂步骤，直至形成厚度符合要求的塑封层350。其中，在从X方向喷涂步骤变更为Y方向喷涂步骤时，既可以采用移动喷头的方式实现，也可以利用承载台将第一承载基板320转动90°的方式来实现。

在其他实施例中，选择性喷涂处理的步骤还可以包括：至少两次的X方向喷涂步骤，每一次X方向喷涂步骤包括：喷头沿+X方向移动，经过+X方向的所有塑封区I上方；接着，喷头沿-X方向移动，经过-X方向的所有塑封区I上方；喷头交替沿+X方向和-X方向移动，直至塑封层的厚度满足工艺需求。

还需要说明的是，采用上述的喷涂至少两次的X方向喷涂步骤以完成选择性喷涂处理的方案中，对于塑封区I之外的且未设置有功能元件和预制件246的区域而言，喷头可以对该区域喷洒塑封料；若该区域在后续的切割处理过程中会被切割去除时，也可以不对该区域喷洒塑封料。

相应的，在另一些实施例中，选择性喷涂处理还可以包括至少两次的Y方向喷涂步骤，喷头可以交替沿+Y方向和-Y方向移动，直至塑封层的厚度满足工艺需求。在其他实施例中，喷头的移动路径的方向还可以包括：与X方向呈45°的倾斜方向或者与Y方向呈45°的倾斜方向。

在进行选择性喷涂处理之前，还需要获取第一承载基板320上塑封区I的位置信息；基于获取的位置信息，进行选择性喷涂处理。

本实施例中，获取塑封区I位置信息的步骤包括：基于预设位置信息将功能元件和预制件246置于第一承载基板320上后，将该预设位置信息作为塑封区I的位置信息。在其他实施例中，为了提高位置信息的准确度，避免工艺偏差带来的影响，获取塑封区的位置信息的方法还可以为：在将功能元件和预制件置于第一承载基板上后，对第一承载基板表面进行光照射，采集经第一承载基板表面反射的光信息，以获取塑封区的位置信息。由于第一承载基板与功能元件以及预制件的材料各不同，因此经不同材料反射的光信息不同，采集不同的光信息即可获取塑封区的位置信息，例如，可以采用由摄像机接收反射的光信息，根据摄像机基于光信息生成的图像获取塑封区的位置信息。

具体地，基于获取的位置信息，进行选择性喷涂处理的方法包括：喷头在第一承载基板320上方移动的同时，即时获取喷头在第一承载基板320上的实时位置；基于该实时位置和获取的位置信息，控制喷头在第一承载基板320上移动的过程中向塑封区I喷洒塑封料。其中，实时位置可以是直接获取的，也可以是基于喷头的初始位置、喷头的移动速率以及喷头的移动时间换算获得的。

塑封区I具有相对的第一边界和第二边界，第一边界指向第二边界的方向与喷头移动方向一致，当喷头移动经过第一边界且距离第一边界第一距离时，喷头开始喷洒塑封料；当喷头移动至距离第二边界第二距离且未超过第二边界时，喷头结束喷洒塑封料。

第一距离不宜过大。若第一距离过大，则喷头单次经过同一塑封区I上方的有效喷涂面积过小，使得选择性喷涂处理的效率降低。为此，本实施例中，第一距离范围为0至30mm，例如为5mm、10mm、15mm、25mm。

第二距离不宜过小，也不宜过大。若第二距离过小，则喷头易将塑封料喷洒至不期望喷涂的区域；若第二距离过大，则喷头单次经过同一塑封区I上方的有效喷涂面积过小，降低了选择性喷涂处理的效率。为此，本实施例中，第二距离范围为5nm至30mm，例如为10mm、18mm、23mm、28mm。

在进行选择性喷涂处理的过程中，喷头与第一承载基板320之间的垂直距离不宜过小，也不宜过大。垂直距离越近，则单位时间内喷头喷洒的区域面积越小，单位时间内在塑封区I上喷洒塑封料形成的膜层厚度相应越厚，所形成膜层厚度均匀性也相应越小，不利于提高塑封层350的厚度均匀性；垂直距离越远，喷头喷洒塑封料的位置精确度越难以控制，且容易造成塑封料的损失。为此，本实施例中，喷头与第一承载基板320之间的垂直距离为5mm至30mm，例如为10mm、15mm、20mm、28mm。

并且，在选择性喷涂处理的过程中，对于同一塑封区I，随着塑封区I内的塑封料的量逐渐增加，喷头与第一承载基板320之间的垂直距离逐渐减小，也就是说，喷头下一次经过某一塑封区I时喷头与第一承载基板320之间的垂直距离为第一垂直距离，喷头前一次经过同一塑封区I时喷头与第一承载基板320之间的垂直距离为第二垂直距离，第一垂直距离小于第二垂直距离。

在选择性喷涂处理的过程中，喷头移动的速率不宜过小，也不宜过快。若移动的速率过小，则在喷头喷洒的塑封料流量一定的情况下，喷头单次移动经过塑封区I过程中喷洒的塑封料量较大，则在塑封区单次形成的膜层厚度较厚，膜层的厚度均匀性相对较差，不利于提高最终形成的塑封层350的厚度均匀性；若喷头移动的速率过大，则选择性喷涂处理的喷涂效率低，影响封装效率。为此，本实施例中，在选择性喷涂处理的过程中，喷头移动的速率为0.01m/s至0.1m/s，例如为0.03m/s、0.05m/s、0.07m/s、0.9m/s。

需要说明的是，本实施例中，以提供可移动的喷头来实现选择性喷涂处理作为示例。在其他实施例中，选择性喷涂处理采用的方法还可以包括：提供喷头和可移动载台；将第一承载基板置于该可移动载台上，使第一承载基板在喷头下方移动，当塑封区移动至喷头下方时，喷头向塑封区喷洒塑封料。

本实施例中，在选择性喷涂处理结束后，对位于塑封区I的塑封料进行固化处理，使位于塑封区I的塑封料固化成型，且在固化处理过程中，塑封料内部发生交联反应，以形成具有抗弯性能、抗湿性能以及耐热性能的塑封层350。具体地，固化处理采用的步骤包括：在真空、N₂或者惰性气体环境下，对塑封区的塑封料进行烘烤。

本实施例中，固化处理采用的工艺温度不宜过低，也不宜过高。若工艺温度过低，则在固化处理过程中塑封料内交联反应不完全，影响塑封层350起到的塑封效果；若工艺温度过高，则容易对功能元件的性能造成不良影响，且工艺温度过高，塑封层350内部应力相应较大，易造成塑封层350与功能元件之间的粘附性下降，影响塑封层350的塑封效果。

为此，本实施例中，固化处理采用的工艺温度为120℃至160℃，例如为130℃、140℃、150℃。在该工艺温度范围内进行固化处理，使得位于塑封区I内的塑封料内部交联反应逐渐完全，分子中反应基团和反应活点数目逐渐减少，从而形成具有稳定的三维网状结构的塑封层350，使塑封层350具有高强度以及高硬度，从而保证塑封层350具有高的抗弯性能、抗湿性能以及耐热性能；并且塑封层350内部应力适中，因此塑封层350与功能元件之之间的粘附性强，且塑封层350与第一承载基板330之间的粘附性强。

本实施例中，在进行固化处理之前，还包括：在进行选择性喷涂处理的过程中，对位于塑封区I的塑封料进行加热处理，且加热处理的工艺温度低于固化处理的工艺温度。

在加热处理的过程中，位于塑封区的塑封料的流动性得到改善，有利于提高形成的塑封层350的厚度均匀性；并且，塑封料中存在妨碍交联反应的溶剂分子，加热处理有利于使溶剂从塑封料中挥发出去，进而提高后续固化处理过程中交联反应程度，改善形成的塑封层350的强度和硬度。

加热处理的工艺温度不宜过低，也不宜过高。若工艺温度过低，则塑封料流动性相对较差，且塑封料中会影响交联反应的溶剂挥发程度低；若工艺温度过高，则易造成塑封区中的塑封料过早硬化而出现塑封层350分层的问题。为此，本实施例中，加热处理的工艺温度为20℃至120℃，例如为40℃、60℃、80℃、100℃。

加热处理采用的工艺温度适中，既保证塑封区中的塑封料具有合适的流动性，且尽可能多的使塑封料中的溶剂挥发出去，同时，还能避免由于加热处理的工艺温度过高带来的塑封层350分层的问题。加热处理的方法可以为：通过对承载台进行加热，以完成加热处理。

需要说明的是，在其他实施例中，也可以在进行选择性喷涂处理的过程中，进行固化处理。

参考图7，去除预制件246(如图6所示)，在塑封层350内形成通孔355。

通孔355用于为后续感光芯片200的装配提供空间位置。

本实施例中，通过去除预制件246，即可以在塑封层350内形成通孔355，降低了形成通孔355的工艺难度。具体地，去除预制件246的步骤包括：对热解膜进行加热处理。

在加热处理后，热解膜失去粘性，因此易于去除热解膜，以实现脱膜的效果。相应的，去除热解膜后，预制件246和塑封层350之间形成空隙，从而易于去除预制件246，以形成通孔355；而且，通过脱膜的方式，还有利于提高通孔355的侧壁光滑度。

本实施例中，感光芯片200的横截面形状为第一矩形，通孔355的横截面形状相应为第二矩形，即通孔355具有垂直侧壁。第二矩形具有第二边长W2，第二边长W2根据第一边长W1(如图2所示)而定，且第二边长W2大于第一边长W1，从而降低后续感光芯片200在通孔355内的装配难度，降低其发生损坏的概率。其中，第二边长W2指的是：通孔355沿平行于第一承载基板320表面方向的尺寸，第二边长W2包括通孔355的长度和宽度。

但是，第二边长W2与第一边长W1的差值也不宜过大，否则容易增大后续摄像组件的尺寸，且容易增加后续感光芯片200和塑封层200之间的结合难度。为此，本实施例中，第二边长W2与第一边长W1的差值大于0且小于或等于20微米。其中，差值的最小值只要满足后续感光芯片200能够放入通孔355内即可。在其他实施例中，在装配精度较高的情况下，差值也可以为0。

需要说明的是，在塑封层350的作用下，省去了电路板，起到了减小镜头模组厚度的效果，因此无需对感光芯片200和外围芯片230进行减薄处理，从而提高了感光芯片200和外围芯片230的机械强度和可靠性。在其他实施例中，根据工艺需求，也可以适当减小感光芯片和外围芯片的厚度，但减薄量较小，以保证其机械强度和可靠性不受影响。

还需要说明的是，本实施例仅示意出了一个通孔355。在其他实施例中，塑封层内的通孔数量还可以为多个。

参考图8，将感光芯片200置于通孔355(如图5所示)内，且将感光芯片200临时键合于第一承载基板320上，感光芯片200的焊垫背向第一承载基板320，滤光片400位于通孔355外。

通过将感光芯片200置于通孔355内，从而实现感光芯片200和功能元件的封装集成，为后续实现电学集成提供工艺基础。而且，避免滤光片400在塑封层350的形成过程中发生破裂、以及塑封层350的形成工艺对感光芯片200的性能造成影响，有利于保障镜头模组的使用性能。

具体地，对单个感光单元250位置处的UV膜310(如图4所示)进行紫外光照射，使受到紫外光照射的UV膜310失去粘性，并通过顶针将单个感光单元250顶起，随后通过吸附设备提起感光单元250，依次将感光单元250从UV膜310上剥离下来并放置于对应通孔355露出的第一承载基板320上。其中，通过将感光单元250逐个临时键合于第一承载基板320上的方式，有利于提高感光单元250在通孔355内的位置精准度。

本实施例中，塑封层350的厚度根据感光芯片200厚度而定，因此，将感光芯片200置于通孔355内后，滤光片400位于通孔355外。

需要说明的是，由于通孔355的第二边长W2(如图5所示)大于感光芯片200的第一边长W1(如图2所示)，因此，通孔355侧壁和感光芯片200之间具有间隙351。为此，结合参考图9，封装方法还包括：向间隙351(如图8所示)内填充粘合胶420。

粘合胶420用于实现感光芯片200和塑封层350之间的物理连接，以使感光芯片200固定于塑封层350中。本实施例中，粘合胶420的材料为环氧胶。塑封层350的材料为环氧树脂，通过选用与塑封层350材料相匹配的环氧胶，有利于提高粘合胶420和塑封层350的兼容性。

本实施例中，在感光芯片200上贴装滤光片400之后，将感光芯片200临时键合于第一承载基板320上。在其他实施例中，还可以将感光芯片临时键合于第一承载基板上之后，将滤光片贴装至感光芯片上。

结合参考图10至图13，将感光芯片200临时键合于第一承载基板320上之后，在塑封层350靠近滤光片400的一侧形成再布线(redistribution layer，RDL)结构360(如图11所示)，电连接感光芯片200的焊垫和功能元件(未标示)的焊垫。

再布线结构360用于实现所形成摄像组件的电学集成，且能在减小感光芯片200和功能元件之间距离的同时，提高电连接工艺的可行性；而且，与打线(wire bond)工艺相比，再布线结构360可实现批量化生产，提高封装效率。

本实施例中，感光芯片200和功能元件的焊垫均背向第一承载基板320，因此，在塑封层350靠近滤光片400的一侧形成再布线结构360，以降低电连接工艺的难度。而且，后续将镜头组件装配至所形成的摄像组件上后，再布线结构360位于镜头组件的支架中，有利于提高封装可靠性。具体地，再布线结构360电连接第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245。

本实施例中，形成再布线结构360的步骤包括：

参考图10，提供第二承载基板330，在第二承载基板330上形成互连线361。通过在第二承载基板330上形成互连线361，避免形成互连线361的工艺对滤光片400造成污染。

具体地，在第二承载基板330上形成互连线361的步骤包括：在第二承载基板330上形成第一介质层332；图形化第一介质层，在第一介质层内形成互连沟槽(图未示)；在互连沟槽内形成互连线361；形成互连线361后，去除第一介质层332。

第一介质层332中的互连沟槽用于定义互连线361的形状、位置和尺寸。本实施例中，第一介质层332的材料为光敏材料。具体地，第一介质层332的材料为光敏聚酰亚胺、光敏苯并环丁烯或光敏聚苯并恶唑。

本实施例中，通过电镀工艺，在互连沟槽内形成互连线361。本实施例中，互连线361的材料为铜。在其他实施例中，互连线的材料还可以为其他可适用的导电材料。

本实施例中，前述材料的第一介质层332耐腐蚀性较强，因此，形成互连线361后，通过反应离子刻蚀工艺，去除第一介质层332，使第二承载基板330露出互连线361，从而为后续电连接工艺做好工艺准备。

本实施例中，在第二承载基板330上形成第一介质层332之前，还包括：在第二承载基板330上形成第三临时键合层331；第一介质层332相应形成于第三临时键合层331上。第三临时键合层331用于作为剥离层，便于后续对互连线361和第二承载基板330进行分离。本实施例中，第三临时键合层331可以为发泡膜，对第三临时键合层331的具体描述，可参考前述对第一临时键合层345(如图1所示)的相应描述，在此不再赘述。

在其他实施例中，在第二承载基板上形成第三临时键合层之前，还包括：在第二承载基板上形成钝化层，以免第二承载基板受到污染，使其能够被重复利用。其中，钝化层的材料可以为氧化硅或氮化硅。

本实施例中，滤光片400位于通孔355外，且第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245位于塑封层350的同侧，因此，形成第三临时键合层331之前，还包括：刻蚀第二承载基板330，在第二承载基板330内形成凹槽335，凹槽335用于容纳滤光片400。为此，第三临时键合层331保形覆盖第二承载基板330表面、凹槽335底部和侧壁，第一介质层332保形覆盖第三临时键合层331表面。

形成互连线361之后，光入射面402至光信号接收面201的距离和互连线361厚度之间的差值为第一数值，形成于第二承载基板330内的凹槽335深度H为第二数值，第二数值和第一数值之差大于或等于5微米，保证互连线361能够与第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245实现电连接。

结合参考图11，去除第一介质层332(如图10所示)后，在互连线361上形成导电凸块365。本实施例中，导电凸块365和互连线361构成再布线结构360。

通过导电凸块365，以提高后续互连线361与焊垫之间的键合可靠性。而且，导电凸块365具有一定的高度，通过导电凸块365，能够减小形成于第二承载基板330内的凹槽335的深度H(如图10所示)，甚至可以避免在第二承载基板330内形成凹槽，有利于降低工艺复杂度。

具体地，形成导电凸块365的步骤包括：形成保形覆盖第三临时键合层331的第二介质层333，第二介质层还覆盖互连线361；图形化第二介质层333，在第二介质层333内形成导电通孔(图未示)，导电通孔露出部分互连线361；在导电通孔内形成导电凸块365；去除第二介质层333。

第二介质层333中的导电通孔用于定义导电凸块365的形状、位置和尺寸。对第二介质层333的具体描述，可参考前述对第一介质层332的相关描述，在此不再赘述。

本实施例中，通过电镀工艺在导电通孔内形成导电凸块365。本实施例中，为了提高导电凸块365和互连线361的兼容性、再布线结构360的导电性能，导电凸块365和互连线361的材料为铜。在其他实施例中，还可以采用其他可适用的导电材料。

本实施例中，形成导电凸块365后，通过反应离子刻蚀工艺去除第二介质层333。

结合参考图12和图13，将导电凸块365键合于对应的焊垫上，与对应的焊垫电连接。具体地，将导电凸块365置于对应的第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245上后，利用金属键合工艺进行键合步骤。其中，将导电凸块365置于对应的第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245上后，将滤光片400置于凹槽335(如图12所示)内。

本实施例中，金属键合工艺为热压键合工艺。在金属键合工艺的过程中，导电凸块365与对应焊垫的接触面在压强的作用下发生塑性变形，使得接触面的原子相互接触，且接触面的原子会随着键合温度的升高而加速扩散，实现跨界扩散；当达到一定的键合时间后，接触面的晶格发生重组，从而实现键合，且键合强度、导电导热性能、耐电迁移性能以及机械连接性能较高。

在实际工艺过程中，可合理调节键合温度、压强和键合时间，并相互配合，从而保证金属键合质量和效率。需要说明的是，为了降低接触面发生氧化或污染的概率，可在真空环境下进行金属键合工艺。

此外，在其他实施例中，也可以分别在感光芯片的焊垫和功能元件的焊垫上形成导电凸块，导电凸块电连接焊垫。具体地，形成再布线结构的步骤还包括：提供第二承载基板，在第二承载基板上形成互连线；分别在感光芯片的焊垫和功能元件的焊垫上形成导电凸块；将互连线键合于导电凸块上，键合后的导电凸块和互连线构成再布线结构。

通过在焊垫上形成导电凸块，有利于提高导电凸块的位置精准度，降低了形成导电凸块的工艺难度。在该实施例中，利用植球工艺形成导电凸块，有利于提高各芯片和元件与再布线结构之间的信号传输可靠性。具体地，导电凸块的材料可以为锡。

如图13所示，本实施例中，再布线结构360与对应的第一芯片焊垫220、第二芯片焊垫235和电极245实现电连接之后，进行第二解键合处理，去除第二承载基板330(如图12所示)和第三临时键合层331(如图12所示)。

通过去除第二承载基板330和第三临时键合层331，露出再布线结构360，从而为后续工艺做好工艺准备。对第二解键合处理的具体描述，可参考前述对第一解键合处理的相关描述，在此不再赘述

参考图14，进行第三解键合处理，去除第一承载基板320(如图13所示)。

第一承载基板320用于为塑封层350的形成以及感光芯片200(如图1所示)在通孔355(如图7所示)内的装配提供工艺平台，因此将感光芯片200固定于塑封层350中后，即可去除第一承载基板320。

本实施例中，在再布线结构360与各焊垫实现电连接之后，去除第一承载基板320，提高键合工艺的可操作性和工艺稳定性。在其他实施例中，也可以在将感光芯片装配于通孔内之后，形成再布线结构之前，去除第一承载基板。

本实施例中，第三解键合处理的步骤包括：依次去除第一承载基板320和第二临时键合层325(如图13所示)。对第三解键合处理的具体描述，可参考前述对第二解键合处理的相关描述，在此不再赘述。

需要说明的是，去除第一承载基板320之后，还包括：对塑封层350进行划片(dicing)处理，以形成尺寸符合需求的单个摄像组件260，从而为后续镜头组件的装配做好工艺准备。本实施例中，采用激光切割工艺进行划片处理。

本实施例中，进行第三解键合处理后，进行划片处理。其他实施例中，可以在划片处理后，进行第三解键合处理，第一承载基板相应能为划片处理提供工艺平台。

继续参考图14，形成电连接焊垫的再布线结构360之后，还包括：在再布线结构360上键合FPC板(flexible printed circuit board，柔性电路板)510。

键合FPC板510用于在省去电路板的情况下，实现摄像组件260与后续镜头组件之间的电连接、以及所形成镜头模组与其他元件之间的电连接，且后续形成镜头模组后，镜头模组还能通过FPC板510与电子设备中的其他元件电连接，从而实现电子设备的正常拍摄功能。本实施例中，FPC板510上具有电路结构，因此通过金属键合工艺，在再布线结构360上键合FPC板510。

需要说明的是，FPC板510上形成有连接器(connector)520，用于电连接FPC板510与其他电路元件的电连接。当镜头模组运用于电子设备时，电连接器520电连接于该电子设备的主板上，从而实现镜头模组与电子设备中其他元件之间的信息传输。具体地，连接器520可以为金手指连接器。

还需要说明的是，为了提高工艺可行性，在划片处理以及第二解键合处理之后，在再布线结构360上键合FPC板510。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (20)

1.一种摄像组件的封装方法，其特征在于，包括：

形成感光单元，包括感光芯片和贴装在感光芯片上的滤光片，感光芯片具有面向滤光片的焊垫；

提供第一承载基板，在所述第一承载基板上临时键合功能元件和预制件，所述功能元件具有焊垫，所述功能元件的焊垫背向所述第一承载基板，所述功能元件和预制件露出的区域为塑封区；

进行选择性喷涂处理，向所述塑封区喷洒塑封料，且对所述塑封料进行固化处理，形成位于所述塑封区的塑封层，所述塑封层覆盖所述第一承载基板且填充于所述功能元件和预制件之间；

去除所述预制件，在所述塑封层内形成通孔；

将所述感光芯片置于所述通孔内，且将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上，所述感光芯片的焊垫背向所述第一承载基板，所述滤光片位于所述通孔外；

将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上之后，在所述塑封层靠近所述滤光片的一侧形成再布线结构，电连接所述感光芯片的焊垫和所述功能元件的焊垫。

2.权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述选择性喷涂处理的步骤包括：提供可移动的喷头；

采用所述喷头在所述第一承载基板上方移动，当所述喷头移动经过所述塑封区上方时，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。

3.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述喷头移动经过同一塑封区上方至少两次，以形成所述塑封层；且所述喷头前一次移动经过所述塑封区上方时的移动路径具有第一方向，所述喷头后一次移动经过同一塑封区上方时的移动路径具有第二方向，所述第二方向与第一方向不同。

4.如权利要求2或3所述的封装方法，其特征在于，在所述第一承载基板上临时键合功能元件和预制件之后，所述功能元件和预制件的排列方向为X方向，平行于所述第一承载基板且与所述X方向相垂直的方向为Y方向；所述喷头的移动路径具有的方向包括：+X方向、-X方向、+Y方向或者-Y方向中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述喷头的移动路径具有的方向还包括：与X方向呈45°的倾斜方向或者与Y方向呈45°的倾斜方向。

6.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在进行所述选择性喷涂处理之前，获取所述塑封区的位置信息；基于获取的所述位置信息，进行所述选择性喷涂处理。

7.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，获取所述塑封区的位置信息的方法包括：基于预设位置信息将所述预制件和功能元件置于所述第一承载基板上，将所述预设位置信息作为所述第一承载基板上的塑封区的位置信息；或者，在将所述预制件和功能元件置于所述第一承载基板上后，对所述第一承载基板表面进行光照射，采集经第一承载基板表面反射的光信息，获取所述塑封区的位置信息。

8.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，基于获取的所述位置信息，进行所述选择性喷涂处理的方法包括：所述喷头在所述第一承载基板上方移动的同时，即时获取所述喷头在所述第一承载基板上的实时位置；基于所述实时位置和获取的位置信息，控制所述喷头在所述第一承载基板上移动的过程中向所述塑封区喷洒塑封料。

9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述选择性喷涂处理的步骤包括：提供喷头和可移动载台；

在所述第一承载基板上临时键合功能元件和预制件之后，将所述第一承载基板置于所述可移动载台上，使所述第一承载基板在喷头下方移动，当所述塑封区移动至所述喷头下方时，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。

10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述选择性喷涂处理结束后，进行所述固化处理。

11.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，在进行所述固化处理之前，还包括：在进行所述选择性喷涂处理的过程中，对位于所述塑封区的塑封料进行加热处理，且所述加热处理的工艺温度低于所述固化处理的工艺温度。

12.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述加热处理的工艺温度范围为20℃至120℃；所述固化处理的工艺温度范围为120℃至160℃。

13.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在所述选择性喷涂处理的步骤中，所述喷头与所述第一承载基板之间的垂直距离为5mm至30mm，所述喷头移动的速率为0.01m/s至0.1m/s，所述喷头喷洒塑封料的流量为1ml/s至10ml/s。

14.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述形成再布线结构的步骤包括：提供第二承载基板，在所述第二承载基板上形成互连线；分别在所述感光芯片的焊垫和功能元件的焊垫上形成导电凸块；将所述互连线键合于所述导电凸块上，键合后的所述导电凸块和所述互连线构成所述再布线结构；

或者，所述形成再布线结构的步骤包括：提供第二承载基板，在所述第二承载基板上形成互连线；在所述互连线上形成导电凸块，所述导电凸块和所述互连线构成所述再布线结构；将所述导电凸块键合于对应的所述焊垫上。

15.如权利要求14所述的封装方法，其特征在于，在所述第二承载基板上形成互连线的步骤包括：在所述第二承载基板上形成第一介质层；

图形化所述第一介质层，在所述第一介质层内形成互连沟槽；

在所述互连沟槽内形成所述互连线；

去除所述第一介质层。

16.如权利要求15所述的封装方法，其特征在于，形成所述第一介质层之前，还包括：刻蚀所述第二承载基板，在所述第二承载基板内形成凹槽，所述凹槽用于容纳所述滤光片；

在所述键合的步骤中，将所述滤光片置于所述凹槽内。

17.如权利要求16所述的封装方法，其特征在于，所述感光芯片具有光信号接收面，所述滤光片具有光入射面，在所述感光芯片上贴装所述滤光片后，所述光入射面背向所述光信号接收面；

在所述第二承载基板上形成所述互连线后，所述光入射面至所述光信号接收面的距离和所述互连线厚度之间的差值为第一数值；

在所述第二承载基板内形成所述凹槽后，所述凹槽的深度为第二数值，且所述第二数值和第一数值的差值大于或等于5微米。

18.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述再布线结构之后，还包括：去除所述第一承载基板；

或者，将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上之后，形成所述再布线结构之前，还包括：去除所述第一承载基板。

19.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，将所述感光芯片临时键合于所述第一承载基板上后，所述通孔侧壁和所述感光芯片之间具有间隙；

形成所述再布线结构之前，还包括：向所述缝隙内填充粘合胶。

20.如权利要求19所述的封装方法，其特征在于，所述感光芯片的横截面为第一矩形，所述通孔的横截面形状为第二矩形，所述第二矩形和第一矩形的边长差值大于0且小于或等于20微米。

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