CN111351821B - 电阻整合式气体传感器 - Google Patents
电阻整合式气体传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111351821B CN111351821B CN201910870056.5A CN201910870056A CN111351821B CN 111351821 B CN111351821 B CN 111351821B CN 201910870056 A CN201910870056 A CN 201910870056A CN 111351821 B CN111351821 B CN 111351821B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal oxide
- gas sensor
- metal
- integrated gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 79
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/128—Microapparatus
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/045—Circuits
- G01N27/046—Circuits provided with temperature compensation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/407—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
- G01N27/4071—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases using sensor elements of laminated structure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/407—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
- G01N27/4077—Means for protecting the electrolyte or the electrodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
本发明提供了一种电阻整合式气体传感器,包括基板、第一金属氧化物层,绝缘层,接触金属层,接触空穴,第二金属氧化物层以及指叉状电极层。第一金属氧化物层配置于基板中。绝缘层配置于基板及第一金属氧化物层上。接触金属层及接触空穴配置于绝缘层中。第二金属氧化物层配置于绝缘层上。指叉状电极层的一部分配置于绝缘层上,另一部分配置于第二金属氧化物层中。接触金属层及接触空穴连接第一金属氧化物层与指叉状电极层。
Description
技术领域
本发明是有关于一种气体传感器,且特别是有关于一种电阻整合式气体传感器。
背景技术
气体传感器组件通常由加热器及气体传感器本体所组成,通常还需另外搭配其他配件(例如:参考电阻、电压随耦器(Voltage follower)、模拟数字转换器(ADC)或计算器(Computer)等),才能使气体传感器应用于生活中。
加热器具有耗能的问题,且具有潜在的操作危险性,因此,在气体传感器的研发过程中,藉由移除加热器,以达到降低耗能及成本的效果。然而,在应用上仍需串联外接电阻达成电阻匹配,外接串联电阻的缺点如下:1)越不匹配的电阻,需要越高分辨率的ADC;2)外接电路无法避免环境噪声。如此一来,高分辨率的ADC会增加使用成本,噪声会造成判断上的误差,且气体传感器的感测薄膜材料电阻值较大,例如需要数百万奥姆(MΩ)至数十亿奥姆(GΩ),因此,SMD电阻不易匹配,都是此类型气体传感器会遇到的问题。
基于上述,发展出一种电阻整合式气体传感器,以减少环境噪声及外部电路的使用面积,进而降低使用成本以及误差,为目前所需研究的重要课题。
发明内容
本发明提供一种堆栈型的电阻整合式气体传感器,配合特定材料,使外接电阻整合至气体传感器中,减少外部电路的使用,使其可以直接与电压随耦器甚至模拟数字转换器整合,以减少环境噪声及外部电路的使用面积,进而降低使用成本以及判断误差。
本发明的电阻整合式气体传感器包括基板、第一金属氧化物层、第一绝缘层、接触金属层、第一接触空穴、第二金属氧化物层以及指叉状电极层。第一金属氧化物层配置于基板中。第一绝缘层配置于基板及第一金属氧化物层上。接触金属层配置于第一绝缘层中。第一接触空穴配置于第一绝缘层中,且位于接触金属层上。第二金属氧化物层配置于第一绝缘层上。指叉状电极层具有第一部分及第二部分,第一部分配置于第一绝缘层上,第二部分配置于第二金属氧化物层中。接触金属层及第一接触空穴连接第一金属氧化物层与指叉状电极层。
在本发明的一实施例中,电阻整合式气体传感器更包括配置于第一绝缘层与指叉状电极层之间的第二绝缘层,第二接触空穴及金属加热层配置于第二绝缘层中,且第二接触空穴位于金属加热层上,金属加热层及第二接触空穴连接第一接触空穴与指叉状电极层。
在本发明的一实施例中,第一金属氧化物层为蛇状结构。
在本发明的一实施例中,第一金属氧化物层为倒三角结构。
在本发明的一实施例中,第一金属氧化物层及第二金属氧化物层的材料相同。
在本发明的一实施例中,第一金属氧化物层及第二金属氧化物层的材料包括氧化锌、氧化钼、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化钨或其掺杂物。
在本发明的一实施例中,形成第二金属氧化物层的方法包括3D打印工艺。
在本发明的一实施例中,基板经刻蚀以具有凹槽,凹槽用以配置第一金属氧化物层,刻蚀深度为10纳米至10微米。
基于上述,本发明提供一种堆栈型的电阻整合式气体传感器,其中第一金属氧化物层及第二金属氧化物层的材料相同,上层的第二金属氧化物层用于感测,下层的第一金属氧化物层作为内电阻使用,使外接电阻整合至气体传感器中,而不用另外配置外部电阻。如此一来,可减少外部电路的使用,使其可以直接与电压随耦器甚至模拟数字转换器整合,以减少环境噪声及外部电路的使用面积,进而降低使用成本以及判断误差。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1A是依照本发明的第一实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。
图1B是依照本发明的第一实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。
图2A是依照本发明的第二实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。
图2B是依照本发明的第二实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。
图3A是依照本发明的第三实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。
图3B是依照本发明的第三实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。
图4A是依照本发明的第四实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。
图4B是依照本发明的第四实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。
图5A是依照本发明的第五实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。
图5B是依照本发明的第五实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。
图6A是依照本发明的第六实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。
图6B是依照本发明的第六实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。
符号说明:
10、10a、10b:基板
20、20a、20b:第一金属氧化物层
30:第一绝缘层
32:第二绝缘层
40:接触金属层
50:第一接触空穴
52:第二接触空穴
60:第二金属氧化物层
70:指叉状电极层
72:第一部分
74:第二部分
80:金属加热层
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1A是依照本发明的第一实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。图1B是依照本发明的第一实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。
请参照图1A及图1B,本实施例的电阻整合式气体传感器包括基板10、第一金属氧化物层20、第一绝缘层30、接触金属层40、第一接触空穴(contact hole)50、第二金属氧化物层60以及指叉状电极层70。更详细而言,第一金属氧化物层20配置于基板10中。第一绝缘层30配置于基板10及第一金属氧化物层20上,通过第一绝缘层30以使第一金属氧化物层20与外部环境隔绝,不受外部气体影响,因此,第一金属氧化物层20作为内电阻时电阻可为固定值。接触金属层40及第一接触空穴50配置于第一绝缘层30中,第一接触空穴50位于接触金属层40上。第二金属氧化物层60配置于第一绝缘层30上。指叉状电极层70具有第一部分72及第二部分74,第一部分72配置于第一绝缘层30上,第二部分74配置于第二金属氧化物层60中。接触金属层40及第一接触空穴50连接第一金属氧化物层20与指叉状电极层70。
本实施例的电阻整合式气体传感器的制造方法,包括下列步骤。首先,刻蚀基板10,基板10的材料可包括陶瓷或硅。基板10经刻蚀以具有凹槽,凹槽可用以配置第一金属氧化物层20,刻蚀深度例如是10纳米至10微米,可通过基板10的刻蚀深度控制作为内电阻的第一金属氧化物层20的电阻大小,并减少修改掩膜的机会。接着,涂布第一金属氧化物层20,再进行化学机械研磨工艺(chemical mechanical polishing,简称CMP)以平坦化。第一金属氧化物层20与第二金属氧化物层60的材料相同,可包括氧化锌、氧化钼、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化钨或其掺杂物:铁、铝、金、铅、铂、铟、磷、硼、铒、钇、锑、铌、钴、镍、铜、银、铬或石墨烯。之后,进行接触金属层40的沉积及刻蚀,接触金属层40的材料可包括铝或金。接下来,沉积第一绝缘层30,再刻蚀并沉积第一接触空穴50,第一接触空穴50的材料可包括钨或铝,并进行化学机械研磨工艺以平坦化。最后,进行指叉状电极层70的沉积及刻蚀,指叉状电极层70的材料可包括铝、金或铂,再形成第二金属氧化物层60。第二金属氧化物层60的形成方法包括3D打印工艺,通过3D打印工艺,可使第二金属氧化物层60的形成更为弹性,而适用配置在不同组件。如此一来,即可完成电阻整合式气体传感器的制作。
在本实施例的电阻整合式气体传感器中,第一金属氧化物层20及第二金属氧化物层60的材料相同,上层的第二金属氧化物层60用于感测,下层的第一金属氧化物20层作为内电阻使用,使外接电阻整合至气体传感器中,而不用另外配置外部电阻。如此一来,可减少外部电路的使用,使其可以直接与电压随耦器甚至模拟数字转换器整合,以减少环境噪声及外部电路的使用面积,举例而言,至少可减少0.58*0.29mm2的外部电路面积,且输出讯号即为分压值,进而降低使用成本以及判断误差。
图2A是依照本发明的第二实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。图2B是依照本发明的第二实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。图2A及图2B所示的第二实施例相似于图1A及图1B所示的第一实施例,故相同组件以相同标号表示且在此不予赘述。
请参照图2A及图2B,本实施例与上述第一实施例不同之处在于,本实施例的电阻整合式气体传感器更包括配置于第一绝缘层30与指叉状电极层70之间的第二绝缘层32,第二接触空穴52及金属加热层80配置于第二绝缘层32中,且第二接触空穴52位于金属加热层80上,金属加热层80及第二接触空穴52连接第一接触空穴50与指叉状电极层70。更详细而言,第二接触空穴52与第一接触空穴50的材料相同,金属加热层80的材料可包括铝、金或铂,通过将金属加热层80整合至气体传感器中,可提高灵敏度且兼顾整合后的微小面积。
图3A是依照本发明的第三实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。图3B是依照本发明的第三实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。图3A及图3B所示的第三实施例相似于图1A及图1B所示的第一实施例,故相同组件以相同标号表示且在此不予赘述。
请参照图3A及图3B,本实施例与上述第一实施例不同之处在于,第一金属氧化物层20a为蛇状结构,且经刻蚀的基板10a用以配置蛇状结构的第一金属氧化物层20a。由于气体传感器的材料特性,湿度亦为影响气体传感器反应的因素,而第一金属氧化物层20a的蛇状结构可视为多个片电阻的串联,相较于电阻整合式气体传感器的单一片电阻,蛇状结构可配合应用环境的湿度来进行设计,倍化其电阻值,使其在不同湿度下仍可分出1/2的电压源。在不具有金属加热层的情况下,湿度的影响会更明显,为了达到1/2的分压效果,第一金属氧化物层20a的蛇状结构设计在无加热盘的气体传感器中扮演重要角色。
图4A是依照本发明的第四实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。图4B是依照本发明的第四实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。图4A及图4B所示的第四实施例相似于图3A及图3B所示的第三实施例,故相同组件以相同标号表示且在此不予赘述。
请参照图4A及图4B,本实施例与上述第三实施例不同之处在于,本实施例的电阻整合式气体传感器更包括配置于第一绝缘层30与指叉状电极层70之间的第二绝缘层32,第二接触空穴52及金属加热层80配置于第二绝缘层32中,且第二接触空穴52位于金属加热层80上,金属加热层80及第二接触空穴52连接第一接触空穴50与指叉状电极层70。更详细而言,第二接触空穴52与第一接触空穴50的材料相同,金属加热层80的材料可包括铝、金或铂,通过将金属加热层80整合至具有蛇状结构的第一金属氧化物层20a的气体传感器中,可提高灵敏度,且可配合应用环境的湿度来进行设计,倍化其电阻值,使其在不同湿度下仍可分出1/2的电压源。
图5A是依照本发明的第五实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。图5B是依照本发明的第五实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。图5A及图5B所示的第五实施例相似于图1A及图1B所示的第一实施例,故相同组件以相同标号表示且在此不予赘述。
请参照图5A及图5B,本实施例与上述第一实施例不同之处在于,第一金属氧化物层20b为倒三角结构,且经刻蚀的基板10b用以配置倒三角结构的第一金属氧化物层20b。利用湿刻蚀的过刻蚀特性,可沿用指叉状电极层70的掩膜,减少额外的掩膜设计。
图6A是依照本发明的第六实施例的一种电阻整合式气体传感器的爆炸分解示意图。图6B是依照本发明的第六实施例的一种电阻整合式气体传感器的剖面示意图。图6A及图6B所示的第六实施例相似于图5A及图5B所示的第五实施例,故相同组件以相同标号表示且在此不予赘述。
请参照图6A及图6B,本实施例与上述第五实施例不同之处在于,本实施例的电阻整合式气体传感器更包括配置于第一绝缘层30与指叉状电极层70之间的第二绝缘层32,第二接触空穴52及金属加热层80配置于第二绝缘层32中,且第二接触空穴52位于金属加热层80上,金属加热层80及第二接触空穴52连接第一接触空穴50与指叉状电极层70。更详细而言,第二接触空穴52与第一接触空穴50的材料相同,金属加热层80的材料可包括铝、金或铂,通过将金属加热层80整合至具有倒三角结构的第一金属氧化物层20b的气体传感器中,可提高灵敏度。
综上所述,本发明提供一种电阻整合式气体传感器,其中第一金属氧化物层及第二金属氧化物层的材料相同,上层的第二金属氧化物层用于感测,下层的第一金属氧化物层作为内电阻使用,使外接电阻整合至气体传感器中,而不用另外配置外部电阻,并通过绝缘层使作为内电阻的第一金属氧化物层与外部环境隔绝,故电阻可为固定值。如此一来,可减少外部电路的使用,使其可以直接与电压随耦器甚至模拟数字转换器整合,以减少环境噪声及外部电路的使用面积,进而降低使用成本以及判断误差。
另一方面,更可调整电阻整合式气体传感器中第一金属氧化物层的结构设计,通过使用蛇状结构以配合应用环境的湿度来进行设计,倍化其电阻值,使其在不同湿度下仍可分出1/2的电压源,或通过倒三角结构沿用指叉状电极层的掩膜,减少额外的掩膜设计。此外,更可在本发明的电阻整合式气体传感器中配置金属加热层,以进一步提高灵敏度。
虽然本发明已以实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (10)
1.一种电阻整合式气体传感器,其特征在于,包括:
基板;
第一金属氧化物层,配置于所述基板中;且所述第一金属氧化物层为内电阻;
第一绝缘层,配置于所述基板及所述第一金属氧化物层上;
接触金属层,配置于所述第一绝缘层中;
第一接触空穴,配置于所述第一绝缘层中,且位于所述接触金属层上;
第二金属氧化物层,配置于所述第一绝缘层上;以及
指叉状电极层,具有第一部分及第二部分,所述第一部分配置于所述第一绝缘层上,所述第二部分配置于所述第二金属氧化物层中,
其中所述接触金属层及所述第一接触空穴连接所述第一金属氧化物层与所述指叉状电极层。
2.根据权利要求1所述的电阻整合式气体传感器,其特征在于:还包括配置于所述第一绝缘层与所述指叉状电极层之间的第二绝缘层,第二接触空穴及金属加热层配置于所述第二绝缘层中,且所述第二接触空穴位于所述金属加热层上,所述金属加热层及所述第二接触空穴连接所述第一接触空穴与所述指叉状电极层。
3.根据权利要求1所述的电阻整合式气体传感器,其特征在于:所述第一金属氧化物层为蛇状结构。
4.根据权利要求3所述的电阻整合式气体传感器,其特征在于:还包括配置于所述第一绝缘层与所述指叉状电极层之间的第二绝缘层,第二接触空穴及金属加热层配置于所述第二绝缘层中,且所述第二接触空穴位于所述金属加热层上,所述金属加热层及所述第二接触空穴连接所述第一接触空穴与所述指叉状电极层。
5.根据权利要求1所述的电阻整合式气体传感器,其特征在于:所述第一金属氧化物层为倒三角结构。
6.根据权利要求5所述的电阻整合式气体传感器,其特征在于:还包括配置于所述第一绝缘层与所述指叉状电极层之间的第二绝缘层,第二接触空穴及金属加热层配置于所述第二绝缘层中,且所述第二接触空穴位于所述金属加热层上,所述金属加热层及所述第二接触空穴连接所述第一接触空穴与所述指叉状电极层。
7.根据权利要求1所述的电阻整合式气体传感器,其特征在于:所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层的材料相同。
8.根据权利要求7所述的电阻整合式气体传感器,其特征在于:所述第一金属氧化物层及所述第二金属氧化物层的材料包括氧化锌、氧化钼、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化钨或其掺杂物。
9.根据权利要求1所述的电阻整合式气体传感器,其特征在于:形成所述第二金属氧化物层的方法包括3D打印工艺。
10.根据权利要求1所述的电阻整合式气体传感器,其特征在于:所述基板经刻蚀以具有凹槽,所述凹槽用以配置所述第一金属氧化物层,刻蚀深度为10纳米至10微米。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107146272A TWI684759B (zh) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | 電阻整合式氣體感測器 |
TW107146272 | 2018-12-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111351821A CN111351821A (zh) | 2020-06-30 |
CN111351821B true CN111351821B (zh) | 2023-02-17 |
Family
ID=70413292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910870056.5A Active CN111351821B (zh) | 2018-12-20 | 2019-09-16 | 电阻整合式气体传感器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11573193B2 (zh) |
CN (1) | CN111351821B (zh) |
TW (1) | TWI684759B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI838806B (zh) * | 2022-08-01 | 2024-04-11 | 崑山科技大學 | 氫氣感測器的製造方法及其用於檢測氫氣發電之完全燃燒的用途 |
CN117825458A (zh) * | 2022-09-27 | 2024-04-05 | 华为技术有限公司 | 气体传感器和电子设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02107956A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサの内部構造 |
WO2017037984A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 気体センサ、及び燃料電池自動車 |
CN107144609A (zh) * | 2017-04-01 | 2017-09-08 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 湿敏传感器的制造方法以及使用该方法制造的湿敏传感器 |
CN107315034A (zh) * | 2016-04-26 | 2017-11-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 气体检测装置以及氢检测方法 |
JP2017211252A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 京セラ株式会社 | センサ基板およびセンサ装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0582830B1 (de) * | 1992-07-31 | 1997-03-19 | Hoechst Aktiengesellschaft | Planarer Sensor aus Keramikmaterial zum Nachweis von brennbaren Gasen |
JP4464801B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-05-19 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ |
JP5832479B2 (ja) | 2012-08-09 | 2015-12-16 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ |
US8865542B2 (en) * | 2012-12-31 | 2014-10-21 | Texas Instruments Incorporated | Embedded polysilicon resistor in integrated circuits formed by a replacement gate process |
WO2015071337A1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-05-21 | Lfoundry S.R.L. | Integrated gas sensor and related manufacturing process |
EP2908341B1 (en) | 2014-02-18 | 2018-07-11 | ams AG | Semiconductor device with surface integrated focusing element |
CN204389426U (zh) * | 2015-01-26 | 2015-06-10 | 苏州纳格光电科技有限公司 | 金属氧化物半导体气体传感器 |
TWI603080B (zh) * | 2016-08-05 | 2017-10-21 | Micro gas sensor and its manufacturing method | |
CN110114662B (zh) * | 2016-12-28 | 2022-03-18 | 新唐科技日本株式会社 | 气体检测装置、气体检测系统、燃料电池汽车及气体检测方法 |
CN108426921B (zh) * | 2017-02-13 | 2021-04-06 | 华邦电子股份有限公司 | 气体传感器 |
JP7070175B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2022-05-18 | Tdk株式会社 | ガスセンサ |
-
2018
- 2018-12-20 TW TW107146272A patent/TWI684759B/zh active
-
2019
- 2019-09-16 CN CN201910870056.5A patent/CN111351821B/zh active Active
- 2019-10-08 US US16/595,471 patent/US11573193B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02107956A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサの内部構造 |
WO2017037984A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 気体センサ、及び燃料電池自動車 |
CN107315034A (zh) * | 2016-04-26 | 2017-11-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 气体检测装置以及氢检测方法 |
JP2017211252A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 京セラ株式会社 | センサ基板およびセンサ装置 |
CN107144609A (zh) * | 2017-04-01 | 2017-09-08 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 湿敏传感器的制造方法以及使用该方法制造的湿敏传感器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200200695A1 (en) | 2020-06-25 |
CN111351821A (zh) | 2020-06-30 |
TWI684759B (zh) | 2020-02-11 |
US11573193B2 (en) | 2023-02-07 |
TW202024625A (zh) | 2020-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111351821B (zh) | 电阻整合式气体传感器 | |
CN109155192B (zh) | 具有可渗透电极的感测电容器 | |
US10241094B2 (en) | Micro heater, micro sensor and micro sensor manufacturing method | |
US9018963B2 (en) | Environment sensor | |
KR101645213B1 (ko) | 용량형 센서 및 이의 제조 방법 | |
JP2006528766A (ja) | ガスセンサ及びガスセンサを製造するための方法 | |
CN110494744B (zh) | 湿度传感器 | |
JPH01109250A (ja) | ガスセンサ | |
US11187666B2 (en) | Method for manufacturing a relative humidity sensor and relative humidity sensor | |
CN108426602B (zh) | 多功能传感器 | |
US10527504B2 (en) | Transparent pressure sensor and manufacturing method thereof | |
CN108846318A (zh) | 超声波指纹识别装置及其制作方法以及应用其的电子装置 | |
WO2000069219A1 (fr) | Plaque chauffante et son procede de fabrication | |
CN107192744A (zh) | 气敏电阻的制造方法及使用该方法制造的气体传感器 | |
JP4984855B2 (ja) | 薄膜チップ抵抗器、薄膜チップコンデンサおよび薄膜チップインダクタの製造方法 | |
US4751492A (en) | Variable resistor | |
CN211479791U (zh) | 一种薄膜电阻器结构 | |
CN103975226A (zh) | 热式空气流量传感器 | |
JP2001004579A (ja) | 容量式感湿素子 | |
US20180233293A1 (en) | Capacitor package structure and anti-oxidation electrode foil thereof | |
US11346800B2 (en) | Inorganic humidity sensor device | |
KR101992022B1 (ko) | 반도체식 가스센서 | |
CN109192810B (zh) | 一种光敏电容及其制作方法 | |
JPH06105235B2 (ja) | 湿度検知素子 | |
US20070234801A1 (en) | Microstructured Chemical Sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |