CN111342829B - 一种宽带射频开关及其开关方法、开关模块、电路模块 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种宽带射频开关及其开关方法、开关模块、电路模块。宽带射频开关的开关支路模块包括多条结构相同的开关支路，每条开关支路包括一条串联开关臂和一条并联开关臂。本发明在开关支路模块中采用层叠晶体管结构作为基础结构，将每个晶体管的栅端与体端通过反向二极管进行连接，利用二极管在不同偏置电压下的导通与关断，实现层叠晶体管体端电压的自偏置，所需控制信号数量仅为传统结构中的1/2，简化了控制器模块中电平转换电路的设计，同时此结构还具有低损耗、高线性度和占用面积小的特点。开关支路模块中每个开关晶体管漏端与源端之间采用大电阻连接，平衡了各层叠晶体管上的交流电压分布，提升了电路的大信号处理能力。

Description

一种宽带射频开关及其开关方法、开关模块、电路模块
技术领域
本发明涉及射频集成电路技术领域中的一种宽带射频开关，尤其涉及一种采用二极管连接体端自偏置技术的宽带射频开关、所述宽带射频开关的开关方法、具有所述宽带射频开关的宽带射频开关模块和宽带射频电路模块。
背景技术
近些年来，无线通信技术的发展取得了令人瞩目的成果，随着通信终端趋向于多功能化，单一通信设备往往需要兼容多种通信标准，同时由于通信设备趋向于小型化，集成多种功能的射频前端模组被广泛应用于移动通信设备中。而作为射频前端模组中重要的电路模块，射频开关主要用于控制射频信号的传输路径，对于射频前端模组乃至整个通信系统功能的实现具有十分关键的作用。
射频开关电路的主要性能指标包括插入损耗、隔离度、线性度(主要是0.1dB压缩点和谐波性能)等。由于同一工艺下场效应晶体管的品质因数Ron*Coff不随晶体管尺寸变化，射频开关电路的插入损耗与隔离度之间存在折衷关系。而随着CMOS工艺特征尺寸的不断缩小，晶体管的击穿电压不断下降，如何增强射频开关电路的大信号处理能力成为一个亟待解决的问题。基于以上原因，高性能射频开关电路的设计成为了目前射频电路设计领域的一个重难点。
基于阻性浮体技术的负压偏置结构是一种较为常用的射频开关结构，负压偏置的方式显著增强了射频开关的大信号处理能力，同时连接在体端的大电阻有效抑制了体端与漏端/源端之间寄生二极管导通而形成的漏电流，进一步提升了射频开关的线性度。请参阅图1，来自参考文献【1】(Ahn M,Cha J,Cho C,et al.“Ultra low loss and highlinearity SPMT antenna switch using SOI CMOS process,”inIEEEEuropeanMicrowave Conference,Jun.2010,pp.652-655.)在开关晶体管体端连接大电阻，开关支路处于隔离状态时，对串联开关臂的晶体管栅端和体端施加负电压，对并联开关臂的晶体管栅端施加正电压，体端接地，开关支路处于传输状态时反之。该结构具有较好的大信号处理能力，但对于晶体管栅端和体端的控制信号数量较多，使得控制器中电平转换电路的设计较为复杂。
直流电压抬升(dc-lifting)技术是基于阻性浮体技术的负压偏置结构做出的一种改进，其控制信号不包含负电压，大大简化了控制器电路的设计。请参阅图2，来自参考文献【2】(Im D,Kim B K,Im D K,et al.“A stacked-FET linear SOI CMOS cellularantenna switch with an extremely low-power biasing strategy”IEEETransactionson Microwave Theory and Techniques,vol.63,no.6,pp.1964-1976,Jun.2015.)在开关支路处于隔离状态时，将串联开关臂的晶体管栅端和体端接地，对漏端和源端施加正电压，同时将并联开关臂的晶体管漏端、源端与体端接地，栅端施加正电压，开关支路处于传输状态时反之。该结构与负压偏置结构等效，而其控制器电路不需要内置负压产生电路，结构较为简单，但是这种结构需要容值较大的隔直电容，占用芯片面积较大。
发明内容
为了解决现有射频开关控制器电路较复杂、线性度较差、插入损耗较大的问题，本发明提供一种采用二极管连接体端自偏置技术的宽带射频开关、所述宽带射频开关的开关方法、具有所述宽带射频开关的宽带射频开关模块和宽带射频电路模块。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案实现：
一种宽带射频开关，其包括开关支路模块，开关支路模块用于控制射频信号在射频端口与天线端口之间、或与公共射频端之间的传输路径，开关支路模块包括多条结构相同的开关支路，每条开关支路包括一条串联开关臂和一条并联开关臂；
所述串联开关臂和所述并联开关臂均包括多个场效应晶体管，以及与所述多个场效应晶体管相对应的多个二极管、多个电阻一、多个电阻二；所述串联开关臂的多个场效应晶体管串联在所述射频端口与所述天线端口之间、或与所述公共射频端之间，且相应栅端经由相应的一个所述电阻一接收一个控制信号一；所述并联开关臂的多个场效应晶体管串联在所述射频端口与地之间，且相应栅端经由相应的一个所述电阻一接收一个控制信号二；每个场效应晶体管的源端和漏端之间串联相应的一个所述电阻二，每个场效应晶体管的栅端与体端之间串联相应的一个所述二极管，所述二极管的阳端和阴端分别电性连接相应场效应晶体管的体端和栅端以构成体端电压自偏置结构；
其中，通过控制所述控制信号一和所述控制信号二，使开关支路模块在同一时刻仅有一条开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，且所述开关支路处于传输状态时，相应的串联开关臂导通同时相应的并联开关臂关断，所述开关支路处于隔离状态时，相应的串联开关臂关断同时相应的并联开关臂导通。
作为上述方案的进一步改进，多个控制信号一组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号一设为控制位；多个控制信号二也组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号二也设为控制位，两个控制位在相应序列中的位数相同且电压相反；具有控制位的开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，控制位为正电压的开关臂导通，控制位为负电压的开关臂关断。
作为上述方案的进一步改进，所述宽带射频开关还包括控制器模块，控制器模块用于输出所述控制信号一和所述控制信号二以分别控制串联开关臂和并联开关臂的导通与截止。
进一步地，控制器模块包括译码电路、电平转换电路、负压产生电路；所述译码电路用于将输入的控制位转换为多位译码输出信号；所述负压产生电路用于产生负电压信号；所述电平转换电路用于在所述负电压信号控制下将所述多位译码输出信号转换为所述控制信号一和所述控制信号二。
再进一步地，所述负压产生电路包括振荡器与电荷泵，所述振荡器用于控制所述电荷泵充放电从而产生所述负电压信号。
作为上述方案的进一步改进，每个应场效应晶体管为NMOS开关管。
本发明还提供一种宽带射频开关的开关方法，所述宽带射频开关为上述任意宽带射频开关，所述开关方法为：
多路开关支路模块在同一时刻仅有一条开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，且所述开关支路处于传输状态时，相应的串联开关臂导通同时相应的并联开关臂关断，所述开关支路处于隔离状态时，相应的串联开关臂关断同时相应的并联开关臂导通。
作为上述方案的进一步改进，将多个控制信号一组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号一设为控制位；多个控制信号二也组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号二也设为控制位，两个控制位在相应序列中的位数相同且电压相反；
选择其中一个控制信号作为控制位，具有控制位的开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，控制位为正电压的开关臂导通，控制位为负电压的开关臂关断。
本发明还提供一种宽带射频开关模块，其内部采用上述任意宽带射频开关，所述宽带射频开关模块具有n个射频信号输入端、n个射频信号输出端、2n个控制信号输入端，n为正整数；
其中，n个射频信号输入端分别连接n个串联开关臂用于电性连接所述射频端口的一端，n个射频信号输出端分别连接n个所述并联开关臂用于电性连接所述天线端口、或连接所述公共射频端的一端，n个控制信号输入端分别连接n个串联开关臂用于接收所述控制信号一的一端，另外n个控制信号输入端分别连接n个并联开关臂用于接收所述控制信号二的一端。
本发明还提供一种宽带射频电路模块，其包括：
用于输出射频信号的宽带射频电路；
用于输出所述射频信号的天线；
用于控制所述射频信号在所述宽带射频电路与所述天线之间传输的宽带射频开关；
其中，所述宽带射频开关为上述任意宽带射频开关。
本发明利用场效应晶体管栅端与体端之间反向连接的二极管实现了晶体管体端电压的自偏置，实现了较好的线性度。本发明采用层叠晶体管结构，较好的线性度性能有助于减少层叠晶体管的数量，降低射频开关的插入损耗。此外晶体管漏源之间的大电阻保证了各层叠晶体管处于相同的直流偏置，使得交流大电压平均分布在各层叠晶体管上，优化了大信号处理能力。该设计可用于GSM/WCDMA/LTE系统中的射频前端模组。
本发明与现有技术相比的优点主要体现在如下方面：
1.本发明利用反向连接的二极管实现了晶体管体端电压的自偏置，减少了控制信号的数量，简化了控制器电路。
2.本发明采用层叠晶体管结构，显著提升了电路的大信号处理能力。
3.本发明通过体端自偏置的方式对晶体管体端施加负电压，提高了电路的线性度，缓解了层叠晶体管结构中插入损耗与线性度之间性能的折衷。
4.本发明通过在NMOS开关管的漏源两端连接大电阻平衡了各层叠晶体管上分布的交流电压，进一步提升了大信号处理能力。
5.本发明采用二极管替代了传统结构中的大电阻，节省了芯片面积，成本较低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
图1是现有技术中采用阻性浮体技术的射频开关示意图(其他开关支路内部结构同开关支路1)。
图2是现有技术中采用直流电压抬升技术的射频开关示意图(其他开关支路内部结构同开关支路1)。
图3是本发明提供的采用二极管连接体端自偏置技术的宽带射频开关示意图。图中：1为开关支路模块(其他开关支路内部结构同开关支路1)，2为控制器模块。
图4是本发明提出的二极管连接体端自偏置结构的工作原理示意图。
图5是本发明的一个实施例与已有技术的射频开关插入损耗(IL)的对比图像。
图6是本发明的一个实施例与已有技术的射频开关隔离度(ISO)的对比图像。
图7是本发明的一个实施例与已有技术的射频开关线性度(P0.1dB)的对比图像。
图8是本发明的一个实施例与已有技术的射频开关谐波性能(H2、H3)的对比图像。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
请参阅图3，本实施例的宽带射频开关采用二极管连接体端自偏置技术，其主要由开关支路模块1和控制器模块2组成。开关支路模块1用于控制射频信号在射频端口与天线端口之间、或与公共射频端之间的传输路径，开关支路模块1包括多条结构相同的开关支路，每条开关支路包括一条串联开关臂和一条并联开关臂。控制器模块2用于输出所述控制信号一和所述控制信号二以分别控制串联开关臂和并联开关臂的导通与截止。
开关支路模块1控制射频信号的传输路径，通过体端自偏置技术提升射频性能和简化控制信号。所述串联开关臂和所述并联开关臂均包括多个场效应晶体管，以及与所述多个场效应晶体管相对应的多个二极管、多个电阻一、多个电阻二。所述串联开关臂的多个场效应晶体管串联在所述射频端口与所述天线端口之间、或与所述公共射频端之间，且相应栅端经由相应的一个所述电阻一接收一个控制信号一。所述并联开关臂的多个场效应晶体管串联在所述射频端口与地之间，且相应栅端经由相应的一个所述电阻一接收一个控制信号二。每个场效应晶体管的源端和漏端之间串联相应的一个所述电阻二，每个场效应晶体管的栅端与体端之间串联相应的一个所述二极管，所述二极管的阳端和阴端分别电性连接相应场效应晶体管的体端和栅端以构成体端电压自偏置结构。
在本实施例中，开关支路模块1主要由N个相同的开关支路组成。在开关支路内部，NMOS开关管M1a,M2a……Mna串联构成串联开关臂，NMOS开关管M1a的源端接射频端口RF1，NMOS开关管Mna的漏端接天线端口ANT或公共射频端RFC；NMOS开关管M1b,M2b……Mnb串联构成并联开关臂，NMOS开关管M1b的漏端接射频端口RF1，NMOS开关管Mnb的源端接地。二极管D1a,D2a……Dna与D1b,D2b……Dnb的阴极和阳极分别连接于NMOS开关管M1a,M2a……Mna与M1b,M2b……Mnb的栅端和体端。NMOS开关管M1a,M2a……Mna与M1b,M2b……Mnb的栅端分别通过大电阻RG,1a,RG,2a……RG,na与RG,1b,RG,2b……RG,nb和控制信号VG,series与VG,shunt相连，其漏端与源端之间通过大电阻RDS,1a,RDS,2a……RDS,na,RDS,1b,RDS,2b……RDS,nb相连。
控制器模块2将输入控制电平转换为控制信号，并通过负压产生电路产生负压信号，其产生的控制信号使得开关支路模块同一时刻仅有一条支路处于传输状态，其他支路处于隔离状态。所述控制器模块2主要由译码电路、负压产生电路和电平转换电路组成。译码电路将外部控制位转换为N位译码输出信号输出至电平转换电路，负压产生电路通过振荡器与电荷泵产生负压信号输出至电平转换电路，电平转换电路将译码输出信号转换为2N路控制信号与N路开关支路的串联开关臂与并联开关臂相连。
对于上述的实施例，如图4所示，当晶体管M1栅端施加正电压时，栅端与体端之间的二极管D1处于反偏状态，而漏/源端与体端之间的寄生二极管处于正偏状态，对栅-D1-寄生二极管-漏/源路径应用KVL可知，二极管D1上分得了近似等于VDD的电压降，使得体端电压为近似等于GND的较小正电压。当晶体管M1栅端施加负电压时，D1处于正偏状态，而漏/源端与体端之间的寄生二极管处于反偏状态，同样对栅-D1-寄生二极管-漏/源路径应用KVL可知，寄生二极管上分得了近似等于-VDD的电压降，使得体端电压近似等于-VDD。其它晶体管同理。
由此分析可知，本发明提出的二极管连接体端自偏置结构实现了体端电压的自偏置，在移除了体端控制信号的情况下，可以实现与体端采用负压关断的传统结构相比拟的射频性能，因此简化了控制器结构中电平转换电路的设计。
此外，晶体管通过自偏置的方式对体端采用负压关断，使得寄生二极管在施加大信号的情况下不易导通，提升了电路的大信号处理能力，使得本发明能够以较少的层叠晶体管实现预期线性度性能，从而减小了开关的导通电阻，优化了插入损耗性能。
图5-图8为本发明的一个GF 130-nm SOI CMOS工艺实施例与已有技术的射频开关的性能对比结果，可以看到本发明在0.5-3GHz实现了0.20-0.45dB的插入损耗以及高达38.5dBm的P0.1dB，并具有较好的谐波性能与隔离度。
在其他实施例中，控制器模块2可以不设置。宽带射频开关只包括开关支路模块，只要通过控制所述控制信号一和所述控制信号二，实现以下功能即可：使开关支路模块(1)在同一时刻仅有一条开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，且所述开关支路处于传输状态时，相应的串联开关臂导通同时相应的并联开关臂关断，所述开关支路处于隔离状态时，相应的串联开关臂关断同时相应的并联开关臂导通。因此只要能实现这个相应的功能，控制器模块2可以不设置，如直接提供控制信号一和控制信号二即可。多个控制信号一组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号一设为控制位；多个控制信号二也组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号二也设为控制位，两个控制位在相应序列中的位数相同且电压相反；具有控制位的开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，控制位为正电压的开关臂导通，控制位为负电压的开关臂关断。总之，实现本实施功能的控制信号一和控制信号二，并非控制器模块2才可以实现。
宽带射频开关在使用时，其相应的开关方法为：多路开关支路模块1在同一时刻仅有一条开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，且所述开关支路处于传输状态时，相应的串联开关臂导通同时相应的并联开关臂关断，所述开关支路处于隔离状态时，相应的串联开关臂关断同时相应的并联开关臂导通。
宽带射频开关在设计时，可将多个控制信号一组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号一设为控制位；多个控制信号二也组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号二也设为控制位，两个控制位在相应序列中的位数相同且电压相反；再选择其中一个控制信号作为控制位，具有控制位的开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，控制位为正电压的开关臂导通，控制位为负电压的开关臂关断。即可做到：开关支路模块同一时刻仅有一条支路处于传输状态，其他支路处于隔离状态；开关支路处于传输状态时，串联开关臂导通同时并联开关臂关断，开关支路处于隔离状态时反之。
实施例2
本实施例介绍了宽带射频开关模块，所述宽带射频开关模块可采用实施例1的宽带射频开关，也可采用没有控制器模块的宽带射频开关。无论如何，宽带射频开关需要包括开关支路模块，开关支路模块用于控制射频信号在射频端口与天线端口之间、或与公共射频端之间的传输路径，开关支路模块包括n条结构相同的开关支路，每条开关支路包括一条串联开关臂和一条并联开关臂。n为正整数。
所述串联开关臂和所述并联开关臂均包括n个场效应晶体管，以及与所述n个场效应晶体管相对应的n个二极管、n个电阻一、n个电阻二。所述串联开关臂的n个场效应晶体管串联在所述射频端口与所述天线端口之间、或与所述公共射频端之间，且相应栅端经由相应的一个所述电阻一接收一个控制信号一。所述并联开关臂的多个场效应晶体管串联在所述射频端口与地之间，且相应栅端经由相应的一个所述电阻一接收一个控制信号二。每个场效应晶体管的源端和漏端之间串联相应的一个所述电阻二，每个场效应晶体管的栅端与体端之间串联相应的一个所述二极管，所述二极管的阳端和阴端分别电性连接相应场效应晶体管的体端和栅端以构成体端电压自偏置结构。
其中，通过控制所述控制信号一和所述控制信号二，使开关支路模块(1)在同一时刻仅有一条开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，且所述开关支路处于传输状态时，相应的串联开关臂导通同时相应的并联开关臂关断，所述开关支路处于隔离状态时，相应的串联开关臂关断同时相应的并联开关臂导通。
所述宽带射频开关模块具有n个射频信号输入端、n个射频信号输出端、2n个控制信号输入端。
其中，n个射频信号输入端分别连接n个串联开关臂用于电性连接所述射频端口的一端，n个射频信号输出端分别连接n个所述并联开关臂用于电性连接所述天线端口、或连接所述公共射频端的一端，n个控制信号输入端分别连接n个串联开关臂用于接收所述控制信号一的一端，另外n个控制信号输入端分别连接n个并联开关臂用于接收所述控制信号二的一端。
将宽带射频开关设计成宽带射频开关模块，可方便宽带射频开关在市场中的推广与应用，方便本领域技术人员快速的使用宽带射频开关，只需要对着产品说明书，对模块进行线路连接即可。
实施例3
本实施例介绍了宽带射频电路模块，宽带射频电路模块包括：用于输出射频信号的宽带射频电路；用于输出所述射频信号的天线；用于控制所述射频信号在所述宽带射频电路与所述天线之间传输的宽带射频开关。其中，宽带射频开关可为实施例1的宽带射频开关，也可置换成实施例2的宽带射频开关模块。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种宽带射频开关，其包括开关支路模块(1)，开关支路模块(1)用于控制射频信号在射频端口与天线端口之间、或与公共射频端之间的传输路径，开关支路模块(1)包括多条结构相同的开关支路，每条开关支路包括一条串联开关臂和一条并联开关臂；其特征在于，
所述串联开关臂和所述并联开关臂均包括多个场效应晶体管，以及与所述多个场效应晶体管相对应的多个二极管、多个电阻一、多个电阻二；所述串联开关臂的多个场效应晶体管串联在所述射频端口与所述天线端口之间、或与所述公共射频端之间，且相应栅端经由相应的一个所述电阻一接收一个控制信号一；所述并联开关臂的多个场效应晶体管串联在所述射频端口与地之间，且相应栅端经由相应的一个所述电阻一接收一个控制信号二；每个场效应晶体管的源端和漏端之间串联相应的一个所述电阻二，每个场效应晶体管的栅端与体端之间串联相应的一个所述二极管，所述二极管的阳端和阴端分别电性连接相应场效应晶体管的体端和栅端以构成体端电压自偏置结构；
其中，通过控制所述控制信号一和所述控制信号二，使开关支路模块(1)在同一时刻仅有一条开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，且所述开关支路处于传输状态时，相应的串联开关臂导通同时相应的并联开关臂关断，所述开关支路处于隔离状态时，相应的串联开关臂关断同时相应的并联开关臂导通。
2.如权利要求1所述的宽带射频开关，其特征在于，多个控制信号一组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号一设为控制位；多个控制信号二也组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号二也设为控制位，两个控制位在相应序列中的位数相同且电压相反；具有控制位的开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，控制位为正电压的开关臂导通，控制位为负电压的开关臂关断。
3.如权利要求1所述的宽带射频开关，其特征在于，所述宽带射频开关还包括控制器模块(2)，控制器模块(2)用于输出所述控制信号一和所述控制信号二以分别控制串联开关臂和并联开关臂的导通与截止。
4.如权利要求3所述的宽带射频开关，其特征在于，控制器模块(2)包括译码电路、电平转换电路、负压产生电路；所述译码电路用于将输入的控制位转换为多位译码输出信号；所述负压产生电路用于产生负电压信号；所述电平转换电路用于在所述负电压信号控制下将所述多位译码输出信号转换为所述控制信号一和所述控制信号二。
5.如权利要求4所述的宽带射频开关，其特征在于，所述负压产生电路包括振荡器与电荷泵，所述振荡器用于控制所述电荷泵充放电从而产生所述负压信号。
6.如权利要求1所述的宽带射频开关，其特征在于，每个应场效应晶体管为NMOS开关管。
7.一种宽带射频开关的开关方法，所述宽带射频开关为如权利要求1至6中任意一项所述的宽带射频开关，其特征在于，所述开关方法为：
多路开关支路模块(1)在同一时刻仅有一条开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，且所述开关支路处于传输状态时，相应的串联开关臂导通同时相应的并联开关臂关断，所述开关支路处于隔离状态时，相应的串联开关臂关断同时相应的并联开关臂导通。
8.如权利要求7所述的宽带射频开关的开关方法，其特征在于，
将多个控制信号一组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号一设为控制位；多个控制信号二也组成一个多位控制信号序列一，其中一个控制信号二也设为控制位，两个控制位在相应序列中的位数相同且电压相反；
选择其中一个控制信号作为控制位，具有控制位的开关支路处于传输状态，其余开关支路处于隔离状态，控制位为正电压的开关臂导通，控制位为负电压的开关臂关断。
9.一种宽带射频开关模块，其特征在于，其内部采用如权利要求1至至6中任意一项所述的宽带射频开关，所述宽带射频开关模块具有n个射频信号输入端、n个射频信号输出端、2n个控制信号输入端，n为正整数；
其中，n个射频信号输入端分别连接n个串联开关臂用于电性连接所述射频端口的一端，n个射频信号输出端分别连接n个所述并联开关臂用于电性连接所述天线端口、或连接所述公共射频端的一端，n个控制信号输入端分别连接n个串联开关臂用于接收所述控制信号一的一端，另外n个控制信号输入端分别连接n个并联开关臂用于接收所述控制信号二的一端。
10.一种宽带射频电路模块，其包括：
用于输出射频信号的宽带射频电路；
用于输出所述射频信号的天线；
用于控制所述射频信号在所述宽带射频电路与所述天线之间传输的宽带射频开关；
其特征在于，所述宽带射频开关为如权利要求1至6中任意一项所述的宽带射频开关。
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