TW201419771A - 切換電路及射頻切換電路及其切換方法 - Google Patents

Abstract

本揭露揭露一種射頻切換電路，其包括有天線端、發射機端、接收機端、第一切換模組、第二切換模組、第一切換元件以及第二切換元件。其中第一切換模組連接於天線端與發射機端之間。第二切換模組連接於天線端與接收機端之間。第一切換模組與第二切換模組分別包括複數個電晶體，每一電晶體包括閘極端、汲極端、源極端與基體。第一切換元件具有第一陽極端與閘極端相接，第一陰極端與汲極端相接。第二切換元件具有第二陽極端與閘極端相接，第二陰極端與源極端相接。

Description

切換電路及射頻切換電路及其切換方法

本揭露係關於一種切換器，特別是一種切換電路及射頻切換電路及其切換方法。

在無線通訊系統中，射頻前端的射頻切換器是一個關鍵元件。在單一射頻系統中，一個單刀雙擲的射頻切換器用於發射機至天線以及天線至接收機兩種訊號路徑的切換；在現代的多頻多模的無線系統中，一個單刀多擲的射頻切換器進一步負責不同通訊系統之間的切換。

『第1圖』為一傳統的射頻切換器10架構，其中串聯的電晶體Q1與Q2負責兩個訊號路徑的切換，而並聯電晶體Q3與Q4的功用是提升隔離度，其中每一電晶體閘極端都連接一電阻R，當天線端(Ant)至發射機端(TX)的路徑導通時，控制電壓單元10會把電晶體Q2與Q3導通，把電晶體Q1與Q4關閉，由於在無線通訊系統中，發射機端(TX)會輸出功率為半瓦特至數瓦特之射頻訊號，因此電晶體Q1與Q4在關閉時，必須能承受高功率而維持關閉的狀態不被導通。為避免關閉的電晶體隨著交流訊號功率的提升而導通，習知的作法是利用兩個以上的電晶體串聯，分散每個電晶體所承受的交流電壓。這個習知方法的示意圖如『第2A圖』所示，其中串聯兩電晶體Q5與Q6，每一電晶體閘極端都連接一電阻R至控制電壓單元，『第2A圖』說明一個將兩個關閉的電晶體串聯的架構，相對於單一電晶體的架構，理論上可多承受3dB 的功率。『第2B圖』顯示多閘極電晶體的架構，其將兩個閘極整併在同一個電晶體Q7，而電晶體的兩個閘極端都連接一電阻R至控制電壓單元，這種電晶體已被普遍實現在砷化鎵的標準製程中，其功用類似於『第2A圖』架構，可提升電晶體在關閉狀態時的承受功率，但是比起多個電晶體串接的方式，能有效的減少電路的面積與額外的寄生電容。

互補式金氧半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)製程相對砷化鎵製程有低電子移動率，高損耗與低隔離度的基板以及低崩潰電壓等本質上的劣勢。依照傳統的切換器設計方法，互補式金氧半導體射頻切換器通常無法在較高的功率範圍。當使用標準的互補式金氧半導體製程來設計操作在高功率的射頻切換器時，如上所述，將多個電晶體串接以在電晶體關閉時承受大的功率是常見的作法，這個習知方法的示意圖如『第2C圖』所示，其中串接電晶體Q8、Q9與Q10，並於兩側加上第五前饋電容C5與第六前饋電容C6，每一電晶體閘極端都連接一電阻R，但是這個作法會有電路面積過大與性能衰退的限制。

為了改善尺寸的問題，使用多個串接電晶體搭配前饋電容為一在互補式金氧半導體製程實現高功率的架構，這個架構一個重要的優勢是前饋電容的加入可以多提升數dB的最大操作功率，因此就相同的操作功率規格，這個架構相對於單純的串接電晶體的架構可以使用較少的串接數目。然而，前饋電容的加入，會使第一個與最後一個串接的電晶體分擔較大的交流電壓，進而面臨可 靠度的問題，這對崩潰電壓相對較低的互補式金氧半導體製程來說，是一個重要的問題。

本揭露提出一種切換電路及射頻切換電路及其切換方法，係藉由切換路徑的設計以保護切換電路中的電晶體不被交流訊號導通。

根據本揭露實施例所揭露之一種切換電路，切換電路包括有一電晶體、一第一切換元件以及一第二切換元件。其中電晶體包括一閘極端、一汲極端、一源極端與一基體；鈍化層形成於基板之一表面；第一切換元件具有一第一陽極端與一第一陰極端，第一陽極端與閘極端相接，第一陰極端與汲極端相接；以及第二切換元件具有一第二陽極端與一第二陰極端，第二陽極端與閘極端相接，第二陰極端與源極端相接。

根據本揭露實施例所揭露之一種射頻切換電路，射頻切換電路包括有一天線端、一發射機端、一接收機端、一第一切換模組、以及一第二切換模組。其中第一切換模組連接於天線端與發射機端之間；第二切換模組連接於天線端與接收機端之間；第一切換模組與第二切換模組分別包括複數個串接的電晶體，其中複數個電晶體包括一閘極端、一汲極端、一源極端與一基體；鈍化層形成於基板之一表面；第一切換元件具有一第一陽極端與一第一陰極端，第一陽極端與閘極端相接，第一陰極端與汲極端相接；以及第二切換元件具有一第二陽極端與一第二陰極端，第二陽極端與閘極端相接，第二陰極端與源極端相接。

根據本揭露實施例所揭露之一種射頻切換電路切換之方法，包括提供一第一切換路徑，其中第一切換路徑係電性連接於一電晶體之一閘極端與一汲極端之間。提供一第二切換路徑，其中第二切換路徑係電性連接於電晶體之閘極端與一源極端之間。提供一交流射頻訊號，其中交流射頻訊號具有一正半週期與一負半週期。第二切換路徑回應交流射頻訊號之正半週期而導通，第一切換路徑回應交流射頻訊號之正半週期而成為高阻抗狀態。第一切換路徑回應交流射頻訊號之負半週期而導通，第二切換路徑回應交流射頻訊號之負半週期而成為高阻抗狀態。

根據本揭露之射頻切換電路，其提出一種新的前饋電容的實現方法，並且將其設計在每個串接的電晶體上，當射頻切換電路操作在高功率範圍時，每個串聯的電晶體會平均分攤訊號的交流電壓，進而明顯的提高電路的可操作功率與可靠度。此外，本揭露之射頻切換電路，可實現於標準的互補式金氧半導體製程，其藉由兩個切換元件來保護電晶體不被交流訊號導通，用於改善傳統前饋電容架構的可靠度。

以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本揭露之精神與原理，並且提供本揭露之專利申請範圍更進一步之解釋。

以下在實施方式中詳細敘述本揭露之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本揭露之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何 熟習相關技藝者可輕易地理解本揭露相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本揭露之觀點，但非以任何觀點限制本揭露之範疇。

請參考『第3圖』，係為一種切換電路30的電路圖。切換電路30包括有一電晶體100、一第一切換元件121、一第二切換元件122、一第一電阻111以及一第二電阻112。

如圖所示，電晶體100包括一閘極端、一汲極端、一源極端與一基體；第一切換元件121，其具有一第一陽極端與一第一陰極端，第一陽極端與閘極端相接，第一陰極端與汲極端相接；第二切換元件122，其具有一第二陽極端與一第二陰極端，第二陽極端與閘極端相接，第二陰極端與源極端相接。另外，切換電路30中第一電阻111連接於電晶體100的基體(bulk)及一系統接地端之間，使其基體相對射頻訊號成為一個開路的狀況。電晶體100的閘極端連接第二電阻112，經由第二電阻112接至控制電壓。

切換電路30的電路架構圖中，電晶體100在關閉時可承受較大射頻訊號，此電晶體100通常被設計於射頻切換器電路中的天線端與接收機端之間的串聯電晶體，或是發射機端與系統接地之間的並聯電晶體。本揭露是透過在電晶體100的汲極端與閘極端之間以及源級端與閘極端之間，各連接一個第一切換元件121及第二切換元件122，第一切換元件121及第二切換元件122為陽極端連接在一起的共陽極二極體對，此共陽極二極體對的功能是隨著跨在電晶體汲極端與源極端之間的射頻訊號的正負週期的改變，分別導通，進而限制閘極端與汲極端/源級端之間的跨壓，達 到保護電晶體本身不被交流訊號導通的效果。

如『第4圖』訊號波形圖所示，本揭露提供一種射頻切換電路切換之方法，第一切換元件121提供一第一切換路徑，第二切換元件122提供一第二切換路徑，當此電晶體100應用在射頻切換器電路中作為一個關閉的路徑，此時源極端接地，汲極通過一個射頻的交流訊號V_GS，此電晶體100汲極端與閘極端之間的交流電壓為V_DG，閘極端與源極端之間的的交流電壓為V_GS。當交流訊號V_DS的正半周期通過時，第二切換元件122之第二切換路徑會因順偏而導通，第一切換元件121之第一切換路徑會因逆偏而等效成一個高阻抗的電阻，因此閘極端和源極端之間的電壓會被壓抑而小於電晶體的導通電壓V_th，而在交流訊號的負半周期，也是相同的機制。這個機制可以顯著的改善電晶體100在大的交流訊號下被導通的問題，而提升射頻切換器的線性操作功率，此電路架構造成的效果類似傳統以電容實現在多個串接電晶體的前饋電容技術，但是本揭露可以實現在單一個電晶體上。

請參考『第5圖』，其中第一切換元件121及/或該第二切換元件122為一接成二極體型式之電晶體(diode connected transistor)。『第5圖』說明『第3圖』在互補式金氧半導體製程上實現的一個實施架構，也就是使用接成二極體型式之電晶體(diode connected transistor)來實現『第3圖』之二極體，接成二極體型式之電晶體(diode connected transistor)的等效阻抗在很大的偏壓範圍下，都具有可調的特性，因而適合用來實現本揭露所提出的架構。

請參考『第6圖』，其中第一切換元件121及/或該第二切換元件122為一電晶體基體與源極端或汲極端之間之寄生二極體。『第6圖』說明『第3圖』另一個可實施的架構，將電晶體100的基體(bulk)與閘極端相接，其利用電晶體100內部的基體(bulk)產生的一第一寄生二極體211及一第二寄生二極體212來取代外加的第一切換元件121及/或該第二切換元件122，可以利用第一寄生二極體211及第二寄生二極體212的導通來限制閘極端與汲極端/源級端之間的跨壓，達到保護電晶體本身不被交流訊號導通的效果。

本揭露除了可以提升單一電晶體在關閉狀態時的操作功率，當射頻切換器需要操作在更高的功率範圍，例如瓦特等級的功率範圍，本揭露也可以應用在多個串接的電晶體架構上。當本揭露應用在多個串接的電晶體架構上，其可操作功率與電路的可靠度，相對於習知的多個串接的電晶體架構或是多個串接的電晶體配合前饋電容的架構，都有顯著的進步。以兩個電晶體串接的基礎架構為例，當其使用於射頻切換器的關閉路徑時，每個電晶體電極之間承受電壓比較如下所述。如第『第2A圖』所示，電路是單純的兩個3.3伏特電晶體的串接，電晶體的閘極端長度是0.35微米，閘極端的總寬度為480微米，模擬結果顯示，頻率為2.4GHz時，相對於小訊號的輸入功率，當交流訊號的輸入功率增加至23.8dBm時，這兩個關閉的串接電晶體因為開始導通而造成0.5dB的額外的插入損耗，亦即其Pin0.5dB=23.8dBm。當加上第一前饋電容C1=0.5pF與第二前饋電容C2=0.5pF於兩側，其Pin0.5dB相對於第一種架構提升至30dBm，值得注意的是當輸入功率為 30dBm時，當交流訊號的正半週通過時，由於前饋電容C2的使用，第四電晶體Q4的源極端與閘極端之間的承受了大部分的交流跨壓，同樣的，當交流訊號的負半週通過時，由於前饋電容C1的使用，第三電晶體Q3的汲極端與閘極端之間的承受了大部分的交流跨壓，這對射頻切換器的可靠度，特別是互補式金氧半導體製程的射頻切換器電路會造成可靠度的問題。若使用『第5圖』中利用接成二極體型式之電晶體(diode connected transistor)來實現的架構，舉例來說，同樣的兩個3.3伏特電晶體的串接，電晶體的閘極端長度是0.35微米，閘極端的總寬度為480微米，外加的接成二極體型式之電晶體為3.3伏特之電晶體，且其閘極端長度是0.35微米，閘極端的總寬度為80微米，模擬結果顯示，此電路一樣可以把操作功率提升至30dBm，由於兩個串接的電晶體都使用共陽極二極體對，在30dBm的大功率操作下，所以兩個電晶體的跨壓幾乎是平均分配的，因此當交流訊號的正半週或負半週通過時，兩個電晶體的閘極端與汲極端或源級端之間的最大電壓比起第『第2A圖』的電路，小了很多，這將有效改善電晶體在高功率操作的可靠度。若使用『第6圖』中利用電晶體本身的寄生二極體來實現的此架構，同樣的兩個3.3伏特電晶體的串接，電晶體的閘極端長度是0.35微米，閘極端的總寬度為480微米，兩個電晶體的基體分別與其汲極端以及源極端相接，在相同的30dBm交流功率下，則兩個電晶體的閘極端與汲極端或源級端之間的最大電壓同樣小於第『第2A圖』的電路，其線性操作功率甚至提升至36.8dBm。

請參考『第7圖』，係為一種應用前述實施例所揭露之切換電路的射頻切換電路300的電路圖。射頻切換電路300包括有一天線端Ant、一發射機端TX、一接收機端RX、一第一切換模組301、一第二切換模組302、第三切換模組303、第四切換模組304。

如圖所示，第一切換模組301連接於天線端Ant與發射機端TX之間；第二切換模組302連接於天線端Ant與接收機端RX之間；第三切換模組303連接於發射機端TX與系統接地端之間；第四切換模組304連接於接收機端RX與系統接地端之間。

第一切換模組301包含一第一電晶體101，第四切換模組304包含一第二電晶體102。其中第一電晶體101連接一第三電阻123，第二電晶體102連接一第四電阻124。

第二切換模組302與第三切換模組303係由複數個前述實施例所揭露之切換電路組成，第二切換模組302中的切換電路係以串聯方式連接，第三切換模組303的切換電路係以串聯方式連接。其中第二切換模組302與第三切換模組303分別包括複數個電晶體100、複數個第一切換元件121、複數個第二切換元件122，其中每一電晶體100，包括一閘極端、一汲極端、一源極端與一基體；每一第一切換元件121，其具有一第一陽極端與一第一陰極端，第一陽極端與閘極端相接，第一陰極端與汲極端相接；每一第二切換元件122，其具有一第二陽極端與一第二陰極端，第二陽極端與閘極端相接，第二陰極端與源極端相接。其中第一切換元件121及/或該第二切換元件122可以為一接成二極體型式之電晶體(diode connected transistor)或一電晶體基體之寄生二極體。

請繼續參考『第7圖』，說明依據本揭露技術的射頻切換電路300的電路架構實施例，其主要是實現一個天線端Ant與一個發射機端TX以及一個接收機端RX之間不同路徑的切換。為了在發射機端TX與天線端Ant之間的路徑導通時，可以承受較高的功率，此射頻切換電路300將串接的電晶體100設計在天線端Ant與接收機端RX之間，或是發射機端TX與系統接地之間。為了提升操作功率與可靠度，這些串接的電晶體100都外加如『第5圖』之第一切換元件121及第二切換元件122，其為接成二極體型式之電晶體(diode connected transistor)。另外，電路中必須外加多個一第一開關電路311、一第二開關電路312、一第三開關電路313與一第四開關電路314，第一開關電路311連接於第二切換模組302與接收機端RX之間，第二開關電路312連接於第二切換模組302與天線端Ant之間，第三開關電路313連接於第三切換模組303與發射機端TX之間，第四開關電路314連接於第四切換模組304與接地端之間，這是為了避免這些串接電晶體100轉換成導通模態時，亦即天線端Ant與接收端導通時，所加的控制電壓會藉由這些二極體饋入到系統接地而短路。

請參考『第8圖』，說明依據本揭露技術的射頻切換電路300的另一個電路架構實施例，其主要是實現一個天線端Ant與一個發射機端TX以及一個接收機端RX之間不同路徑的切換。此處相同的標號表示與前述實施例相同的元件。為了在發射機端TX與天線端Ant之間的路徑導通時，可以承受較高的功率，此射頻切換電路300將串接的電晶體100設計在天線端Ant與接收機端RX 之間，或是發射機端TX與系統接地之間。為了提升操作功率與可靠度，這些串接的電晶體100都如『第6圖』將閘極端與基體(bulk)相連，其利用內部的基體(bulk)產生的一第一寄生二極體211及一第二寄生二極體212來取代外加的第一切換元件121及/或第二切換元件122。為了簡化圖式，此處並未將寄生二極體繪製於圖式中。另外，電路中必須外加一第五開關電路315、一第六開關電路316、一第七開關電路317、一第八開關電路318、一第九開關電路319與一第十開關電路320，每一開關電路位於基體與閘極端之間。亦即每一開關電路係對應連接於未繪示於本圖之第一切換元件之陽極端與第二切換元件之陽極端，以及對應的電晶體100的閘極端之間。這是為了避免這些串接電晶體100轉換成導通模態時，亦即天線端Ant與接收端導通時，所加的控制電壓會藉由這些二極體饋入到系統接地而短路。

請參考『第9圖』，係為本揭露所揭露之一種射頻切換電路切換之方法之流程圖。本揭露所揭露之一種射頻切換電路切換之方法，包括提供一第一切換路徑，其中第一切換路徑係電性連接於一電晶體之一閘極端與一汲極端之間(步驟S1)。提供一第二切換路徑，其中第二切換路徑係電性連接於電晶體之閘極端與一源極端之間(步驟S2)。提供一交流射頻訊號，其中交流射頻訊號具有一正半週期與一負半週期(步驟S3)。第二切換路徑回應交流射頻訊號之正半週期而導通，第一切換路徑回應交流射頻訊號之正半週期而成為高阻抗狀態(步驟S4)。第一切換路徑回應交流射頻訊號之負半週期而導通，第二切換路徑回應交流射頻訊號之負半週 期而成為高阻抗狀態(步驟S5)。

根據本揭露之射頻切換電路，其提出一種新的前饋電容的實現方法，並且將其設計在每個串聯的電晶體上，當射頻切換電路操作在高功率範圍時，每個串聯的電晶體會平均分攤訊號的交流電壓，進而明顯的提高電路的可操作功率與可靠度。

雖然本揭露以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露。在不脫離本揭露之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本揭露之專利保護範圍。關於本揭露所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。

10‧‧‧射頻切換器

Ant‧‧‧天線端

TX‧‧‧發射機端

RX‧‧‧接收機端

Q1‧‧‧電晶體

Q2‧‧‧電晶體

Q3‧‧‧電晶體

Q4‧‧‧電晶體

Q5‧‧‧電晶體

Q6‧‧‧電晶體

Q7‧‧‧電晶體

Q8‧‧‧電晶體

Q9‧‧‧電晶體

Q10‧‧‧電晶體

R‧‧‧電阻

30‧‧‧切換電路

100‧‧‧電晶體

101‧‧‧第一電晶體

102‧‧‧第二電晶體

111‧‧‧第一電阻

112‧‧‧第二電阻

121‧‧‧第一切換元件

122‧‧‧第二切換元件

123‧‧‧第三電阻

124‧‧‧第四電阻

211‧‧‧第一寄生二極體

212‧‧‧第二寄生二極體

300‧‧‧射頻切換電路

301‧‧‧第一切換模組

302‧‧‧第二切換模組

303‧‧‧第三切換模組

304‧‧‧第四切換模組

311‧‧‧第一開關電路

312‧‧‧第二開關電路

313‧‧‧第三開關電路

314‧‧‧第四開關電路

315‧‧‧第五開關電路

316‧‧‧第六開關電路

317‧‧‧第七開關電路

318‧‧‧第八開關電路

319‧‧‧第九開關電路

320‧‧‧第十開關電路

V_DS‧‧‧交流訊號

V_DG‧‧‧交流電壓

V_DS‧‧‧交流電壓

V_th‧‧‧導通電壓

第1圖，係為先前技術之傳統射頻切換器之電路圖。

第2A圖，係為先前技術之電晶體串聯架構之電路圖。

第2B圖，係為先前技術之多閘極電晶體架構之電路圖。

第2C圖，係為先前技術之標準互補式金屬氧化物半導體製程來設計射頻切換器之電路圖。

第3圖，係為本揭露所揭露之切換電路的電路圖。

第4圖，係為本揭露所揭露之電路訊號波形圖。

第5圖，係為本揭露所揭露之接成二極體型式之電晶體切換電路之電路圖。

第6圖，係為本揭露所揭露之電晶體基體之寄生二極體切換電路之電路圖。

第7圖，係為本揭露所揭露之射頻切換電路的電路圖。

第8圖，係為本揭露所揭露之另一實施例之射頻切換電路的電路 圖。

第9圖，係為本揭露所揭露之一種射頻切換電路切換之方法之流程圖。

30‧‧‧切換電路

100‧‧‧電晶體

111‧‧‧第一電阻

112‧‧‧第二電阻

121‧‧‧第一切換元件

122‧‧‧第二切換元件

Claims (16)

1. 一種切換電路，其包括：一電晶體，包括一閘極端、一汲極端、一源極端與一基體；一第一切換元件，其具有一第一陽極端與一第一陰極端，該第一陽極端與該閘極端相接，該第一陰極端與該汲極端相接；以及一第二切換元件，其具有一第二陽極端與一第二陰極端，該第二陽極端與該閘極端相接，該第二陰極端與該源極端相接。
2. 如請求項1所述之切換電路，更包括有一第一電阻，該第一電阻連接於該電晶體之該基體及一系統接地端之間。
3. 如請求項1所述之切換電路，更包括有一第二電阻，電性連接於該電晶體之該閘極端。
4. 如請求項1所述之切換電路，其中該第一切換元件及/或該第二切換元件為一接成二極體型式之電晶體。
5. 如請求項1所述之切換電路，其中該第一切換元件及/或該第二切換元件為該電晶體之該基體與該源極端或該汲極端之間之一寄生二極體，且該第一切換元件之陽極端與該第二切換元件之陽極端與該閘極端之間以一開關電路相接。
6. 一種射頻切換電路，其包括：一天線端；一發射機端；一接收機端； 一第一切換模組，連接於該天線端與該發射機端之間；以及一第二切換模組，連接於該天線端與該接收機端之間；其中該第二切換模組包括複數個切換模組，每一該切換模組包括有：一電晶體，包括一閘極端、一汲極端、一源極端與一基體；一第一切換元件，其具有一第一陽極端與一第一陰極端，該第一陽極端與該閘極端相接，該第一陰極端與該汲極端相接；以及一第二切換元件，其具有一第二陽極端與一第二陰極端，該第二陽極端與該閘極端相接，該第二陰極端與該源極端相接。
7. 如請求項6所述之射頻切換電路，更包括有複數個第一電阻，每一該第一電阻對應連接於每一該電晶體之該基體及一系統接地端之間。
8. 如請求項6所述之射頻切換電路，更包括有複數個第二電阻，每一該第二電阻對應連接於每一該電晶體之該閘極端。
9. 如請求項6所述之射頻切換電路，其中該第一切換元件及/或該第二切換元件為一接成二極體型式之電晶體。
10. 如請求項6所述之射頻切換電路，其中該第一切換元件及/或該第二切換元件為一電晶體基體與源極端或汲極端之間之一寄生二極體。
11. 如請求項10所述之射頻切換電路，更包括有一開關電路，電 性連接於該第一切換元件之陽極端與該第二切換元件之陽極端以及該電晶體之該閘極端之間。
12. 如請求項6所述之射頻切換電路，其中該第一切換模組包含一第一電晶體。
13. 如請求項7所述之射頻切換電路，其中包括一第三切換模組，連接於該發射機端與該系統接地端之間，該第三切換模組包含複數個如該第二切換模組中之該切換模組。
14. 如請求項7所述之射頻切換電路，其中包括一第四切換模組，連接於該接收機端與該系統接地端之間，該第四切換模組包含一第二電晶體。
15. 如請求項7所述之射頻切換電路，其中包括一第一開關電路、一第二開關電路、一第三開關電路與一第四開關電路，其中該第一開關電路連接於該第二切換模組與該接收機端之間，該第二開關電路連接於該第二切換模組與該天線端之間，該第三開關電路連接於該第三切換模組與該發射機端之間，該第四開關電路連接於該第四切換模組與該系統接地端之間。
16. 一種射頻切換電路切換之方法，其包括：提供一第一切換路徑，其中該第一切換路徑係電性連接於一電晶體之一閘極端與一汲極端之間；提供一第二切換路徑，其中該第二切換路徑係電性連接於該電晶體之該閘極端與一源極端之間；提供一交流射頻訊號，其中該交流射頻訊號具有一正半週期與一負半週期； 該第二切換路徑回應該交流射頻訊號之該正半週期而導通，該第一切換路徑回應該交流射頻訊號之該正半週期而成為高阻抗狀態；以及該第一切換路徑回應該交流射頻訊號之該負半週期而導通，該第二切換路徑回應該交流射頻訊號之該負半週期而成為高阻抗狀態。