CN111341732B

CN111341732B - 带密封垫圈加强结构的半导体器件及具有其的电子设备

Info

Publication number: CN111341732B
Application number: CN201811551346.5A
Authority: CN
Inventors: 张孟伦; 庞慰; 杨清瑞
Original assignee: Tianjin University; ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd
Current assignee: Tianjin University; ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd
Priority date: 2018-12-18
Filing date: 2018-12-18
Publication date: 2023-06-23
Anticipated expiration: 2038-12-18
Also published as: WO2020125350A1; CN111341732A

Abstract

本发明涉及一种用于半导体器件的封装结构，所述半导体器件包括对置的功能基底和封装基底，所述功能基底设置有功能器件，所述封装结构包括：密封垫圈结构，所述密封垫圈结构适于设置在所述功能基底与所述封装基底之间，功能基底、封装基底与密封垫圈结构适于围合成容纳空间，所述功能器件适于设置在所述容纳空间内，其中：所述密封垫圈结构包括第一密封垫圈以及封装加强结构。本发明也涉及一种具有该封装结构的半导体器件以及具有该半导体器件的电子设备。

Description

带密封垫圈加强结构的半导体器件及具有其的电子设备

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种具有密封垫圈结构的半导体器件，以及一种具有该半导体器件的电子设备。

背景技术

图1与图2示出了现有技术中的薄膜体声波谐振器的封装结构的示意图。如图2所示，该封装结构包括功能基底F212(对应于图1中的F202)，封装基底C111；构建于功能基底F212之上的核心功能部分F211(对应于图1中的F201)；封装基底C111在靠近自身边缘的两侧各形成单个凸起(垫圈结构)GK100，并且在该凸起上覆盖有粘附层F214；在F212与凸起GK100相对的表面同样覆盖有粘附层F213(对应于图1中的F203)。

进行封装时，功能基底F212和封装基底C111在高温和压力的作用下通过粘附层形成一个整体，从而将核心功能部分F211(F201)封闭在空间C115之中。不过，上述的单一垫圈结构存在如下问题：(1)对封装时形成的剪切应变抗性不足；(2)封装后可靠性不足。

此外，滤波器的技术指标通常对最终的封装成型的结构的外形尺寸有一定要求，而该要求通常是基于现有的满足一定的性能指标要求的谐振器核心器件的尺寸设定的，这导致在核心器件周围没有足够的空间添加封装改进结构。

发明内容

为缓解或解决使用现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。

本发明提出了用于半导体器件的封装结构，所述半导体器件包括对置的功能基底和封装基底，所述功能基底设置有功能器件，所述封装结构包括：密封垫圈结构，所述密封垫圈结构适于设置在所述功能基底与所述封装基底之间，功能基底、封装基底与密封垫圈结构适于围合成容纳空间，所述功能器件适于设置在所述容纳空间内，其中：所述密封垫圈结构包括第一密封垫圈以及封装加强结构。

可选的，所述封装加强结构包括第二密封垫圈。

可选的，所述第二密封垫圈与第一密封垫圈间隔开设置。

可选的，第一密封垫圈与第二密封垫圈的宽度范围为10-150μm，且两者之间的距离范围为10-150μm。进一步可选的，第一密封垫圈与第二密封垫圈的宽度彼此不同。可选的，第一密封垫圈与第二密封垫圈的宽度范围为20-100μm，且两者之间的距离范围为20-100μm。

可选的，所述第一密封垫圈和第二密封垫圈均为矩形密封垫圈。

可选的，第一密封垫圈与第二密封垫圈之间设置有连接在两者之间的多个连接肋，所述多个连接肋将第一密封垫圈与第二密封垫圈之间的空间分为多个独立密封子空间。

可选的，第一密封垫圈与第二密封垫圈均为矩形垫圈；所述多个独立密封子空间包括多个条形密封空间。

或者可选的，第一密封垫圈为矩形密封垫圈，所述第二密封垫圈为椭圆形密封垫圈或者圆形密封垫圈且设置在第一密封垫圈之内；所述多个独立密封子空间包括多个三角形密封空间。进一步的，所述多个独立密封子空间包括至少8个三角形密封空间。

可选的，所述封装加强结构包括具有波浪曲线边缘的第二密封垫圈，所述第二密封垫圈与第一密封垫圈在所述波浪曲线边缘的波峰或者波谷处相接，且第一密封垫圈与第二密封垫圈之间形成多个独立的密封子空间。可选的，所述第一密封垫圈的内角为圆角；且所述密封子空间为类三角形状且内角为圆角。

可选的，第一密封垫圈和第二密封垫圈中的一个设置有适于加强抗应变性能的粘附层，第一密封垫圈和第二密封垫圈中的另一个设置有适于加强防水汽性能的粘附层。

可选的，所述第一密封垫圈为矩形密封垫圈；且所述第二密封垫圈为椭圆形密封垫圈或者圆形密封垫圈且设置在第一密封垫圈之内。

可选的，所述封装加强结构包括自所述第一密封垫圈径向向外延伸的至少一个延伸肋。进一步可选的，所述第一密封垫圈为矩形密封垫圈，所述封装加强结构包括从该矩形密封垫圈的每条边的中间部分垂直其延伸出的延伸肋以及从该矩形密封垫圈的每个矩形顶点以45度角度斜向延伸的延伸肋。

可选的，所述第一密封垫圈为矩形密封垫圈；所述封装加强结构包括多个延伸肋，所述多个延伸肋中的每一个设置在第一密封垫圈内且与第一密封垫圈相连而形成三角形结构，所述多个延伸肋围绕所述功能器件设置。可选的，所述直角三角形结构的直角边的边长为其所连接的第一密封垫圈的边长的1/10到1/2的范围内。

根据本发明的实施例的另一方面，提出了一种半导体器件，包括：上述的封装结构；功能基底，设置有功能器件；以及封装基底，与功能基底相对布置。

可选的，所述半导体器件为体声波滤波器；所述功能基底设置有构成反射镜的空腔，所述功能器件包括由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构，所述三明治结构覆盖于所述空腔上。

可选的，所有谐振器均设置于功能基底上；且所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的2/3，进一步的1/2。

可选的，所述压电层掺杂有如下元素中的一种或多种：钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥；且掺杂元素的原子分数范围为1％-40％，进一步的，3％-20％。

可选的，所述压电层为氮化铝压电层、氧化锌压电层、铌酸锂压电层或钛锆酸铅压电层。

本发明还涉及一种电子设备，包括上述的半导体器件或者上述的封装结构。

附图说明

以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：

图1为现有技术中的薄膜体声波谐振器的封装结构的示意性俯视图；

图2为沿图1中的封装结构的AOA’线剖得的示意性剖视图；

图3为根据本发明的一个示例性实施例的用于半导体器件的封装结构的俯视示意图；

图4为图3中的封装结构的示意性立体图；

图5为根据本发明的一个示例性实施例的用于半导体器件的封装结构的俯视示意图；

图6为图5中的封装结构的示意性立体图；

图7为根据本发明的一个示例性实施例的用于半导体器件的封装结构的俯视示意图；

图8为图7中的封装结构的示意性立体图；

图9为根据本发明的一个示例性实施例的用于半导体器件的封装结构的俯视示意图；

图10为图9中的封装结构的示意性立体图；

图11为根据本发明的一个示例性实施例的用于半导体器件的封装结构的俯视示意图；

图12为图11中的封装结构的示意性立体图；

图13为根据本发明的一个示例性实施例的用于半导体器件的封装结构的俯视示意图；

图14为图13中的封装结构的示意性立体图；

图15为体声波谐振器的三明治结构示意图；以及

图16为体声波谐振器的机电耦合系数Nkt与比例r之间的关系曲线图。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。

现有的半导体器件包括功能基底，设置有功能器件；封装基底，与功能基底相对布置；密封垫圈结构，所述密封垫圈结构设置在所述功能基底与所述封装基底之间，功能基底、封装基底与密封垫圈结构围合成容纳空间，所述功能器件设置在所述容纳空间内。

在本发明中，除了现有的作为封装结构的密封垫圈之外，还设置了封装加强结构，以克服或者缓解单一垫圈结构存在的问题。

下面参照附图3-14描述示例性描述本发明。

下面参照图3-4描述根据本发明的一个示例性实施例A100的半导体器件的封装结构。

如图3-4所示，封装基板C100上设置有两个矩形密封垫圈G110和G100。明显，该结构有助于对剪切应力的分散；显然，采用多于2个的密封垫圈的密封垫圈结构也在本发明的保护范围之内。

在图3中，虚线部分示意性表示位于功能基底上的核心器件，仅用于说明该器件相对于本发明的密封结构在俯视图中的相对位置，虚线部分并不存在于图3或图4中的封装基底上，在本发明的其他实施例中也是如此，不再复述。

在本发明中，密封结构可以设置在封装基底上，也可以设置在功能基底上。

考虑到封装结构稳定性和核心器件避让，可以对密封垫圈的尺寸和间距进行限定。

在具体的实施例中，每个密封垫圈的宽度范围为10-150μm，优选范围为20-100μm，且矩形密封也可采用不等宽设计，密封垫圈的宽度可以为10μm、20μm、60μm、100μm、120μm或者150μm；垫圈厚度2-30μm，优选范围4-20μm，且保证内外圈等厚，垫圈厚度可以为2μm、4μm、10μm、20μm、25μm、30μm等；垫圈间距10-150μm，优选范围20-100μm，垫圈间距可以为10μm、20μm、30μm、100μm、130μm、150μm等。

为加强应力抗性，加强防水汽渗透性能，还可以设置在不同垫圈上的粘附层的材料进行设定。具体的，两个垫圈对应的粘附层使用不同材料，例如，内圈的粘附层可采用二氧化硅以加强抗应变性能，而外圈的粘附层可选用金以加强防水汽性能。不过，也可交换上述内外圈的粘附材料；或者；可选用性能类似的其他材料，这些均在本发明的保护范围之内。

下面参照图5-6描述根据本发明的一个示例性实施例A200的半导体器件的封装结构。

实施例A200的封装结构包含具有加强结构的单矩形垫圈结构，其中C200为封装基板，G210为垫圈，G200为加强结构。该加强结构有助于加强矩形垫圈中对应力敏感的部位的强度。如图5-6所示，更具体的，加强结构G200包括从该矩形密封垫圈的每条边的中间部分垂直其延伸出的延伸肋以及从该矩形密封垫圈的每个矩形顶点以45度角度斜向延伸的延伸肋。

在具体的实施例中，垫圈宽度范围10-150μm，优选范围20-100μm。矩形垫圈也可采用不等宽设计。垫圈厚度2-30μm，优选范围4-20μm。

需要指出的是，封装加强结构(即延伸肋)与矩形密封垫圈连接处的宽度不小于垫圈宽度，垂直于上述宽度方向上的长度范围为10-200μm，优选范围20-150μm。加强结构的厚度可与垫圈厚度相等。

基于以上，所述封装加强结构可包括自密封垫圈径向向外延伸的至少一个延伸肋，这里的密封垫圈可以是矩形垫圈，也可以是其他形状的垫圈。

下面参照图7-8描述根据本发明的一个示例性实施例A300的半导体器件的封装结构。

图7-8所示的封装结构包含具有加强结构的双矩形垫圈结构，其中C300为封装基板，G300为外垫圈，G310为内垫圈，G311为加强结构。该加强结构一方面有助于加强对应变敏感的部位的强度，同时该结构还可使应力在内外圈分布更为均匀。

实施例A300的垫圈和间距尺寸可设定为与图3-4中实施例一致。图7-8中的加强结构可采用矩形或其他形状，其与垫圈连接处的宽度不小于垫圈宽度，垂直于上述宽度方向上的长度范围为垫圈间距范围。加强结构的厚度可等于垫圈厚度。

实施例A300的垫圈对应的粘附层材料设定与实施例A100中一致。

如图8所示，两个密封垫圈G300与G310之间设置有连接在两者之间的多个连接肋L1，所述多个连接肋L1将两个密封垫圈之间的空间分为多个独立密封子空间S1。

如图8所示，多个独立密封子空间S1包括条形密封空间。

下面参照图9-10描述根据本发明的一个示例性实施例A400的半导体器件的封装结构。

实施例A400中，封装结构包含具有加强结构的单矩形垫圈结构，其中C400为封装基板，G400为垫圈，G411为加强结构。该结构通过在矩形垫圈内部通过加强结构形成稳定的三角形结构以加强结构强度并对应力进行分散。

实施例A400的矩形垫圈宽度范围10-150μm，优选范围20-100μm，且矩形垫圈也可采用不等宽设计；垫圈厚度2-30μm，优选范围4-20μm。

实施例A400的加强结构宽度和厚度设定同其垫圈。其中，三角形结构的直角边不小于该直角边所在矩形垫圈边长的1/10，不超过所在矩形边长的1/2，该比例可以为1/10,1/5,1/2等。

A400的垫圈结构所对应的粘附层材料优选金(可用等效材料代替)，加强结构对应的粘附材料优选二氧化硅，也可采用与垫圈相同的粘附材料。

下面参照图11-12描述根据本发明的一个示例性实施例A500的半导体器件的封装结构。

实施例A500包含具有加强结构的双垫圈结构，其中C500为封装基板，G500为外垫圈，G510为内垫圈，G511为加强结构。该加强结构通过采用椭圆形内垫圈和在内外垫圈之间构建多个三角形稳定结构来进一步加强结构的抗应力性能。

实施例A500的矩形垫圈和椭圆垫圈宽度和厚度设定同实施例A100。实施例A500中的椭圆垫圈外侧与矩形垫圈内侧最近的距离范围为20-150μm。

实施例A500的垫圈间的三角形结构数量不少于8个，不要求对称分布。

实施例A500的垫圈对应的粘附层材料可与实施例A100相同，实施例A500的加强结构对应的粘附层材料可与实施例A500的外垫圈或内垫圈的对应粘附材料相同。

下面参照图13-14描述根据本发明的一个示例性实施例A600的半导体器件的封装结构。

实施例A600中的封装结构包含具有曲线边缘的垫圈结构，其中C600为封装基板，G600为垫圈。该结构通过曲线边缘将内外垫圈进行融合变形，并形成若干个类三角形稳定结构。由于在大部分边缘和内角处都采用了曲线形，垫圈整体对应力的分散性能将进一步提高。

实施例A600中的垫圈结构的宽度范围20-300μm，中部矩形倒角的圆弧半径不小于10μm，周边类三角形的倒角圆弧不小于2μm。垫圈厚度2-30μm，优选范围4-20μm。

实施例A600中，粘附层的粘附材料可使用单一材料，优选金；也可使用多种材料。在以可选的实施例中，由垫圈内边缘向外扩展10-150μm宽度，形成内粘附层区域，并在该区域内使用二氧化硅粘附层，在剩余外侧区域内使用金。在可选的实施例中，可交换内粘附区域和剩余外侧区域的粘附材料。

基于以上，本发明提出了一种用于半导体器件的封装结构，所述半导体器件包括对置的功能基底和封装基底，所述功能基底设置有功能器件，所述封装结构包括：密封垫圈结构，所述密封垫圈结构适于设置在所述功能基底与所述封装基底之间，功能基底、封装基底与密封垫圈结构适于围合成容纳空间，所述功能器件适于设置在所述容纳空间内，其中：所述密封垫圈结构包括第一密封垫圈以及封装加强结构。

基于封装加强结构，可以提高封装结构对剪切应变的抗性。

在封装加强结构采用不同材料的粘附层的情况下，还可以获得对于水汽等的密封性，从而提高封装的可靠性。

本发明也涉及一种半导体器件，包括：上述的封装结构；功能基底，设置有功能器件；以及封装基底，与功能基底相对布置。在可选的实施例中，所述半导体器件为体声波滤波器；所述功能基底设置有构成反射镜的空腔，所述功能器件包括由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构，所述三明治结构覆盖于所述空腔上。

鉴于在现有技术中，体声波滤波器(一种半导体器件)的技术指标通常对最终的封装成型的结构的外形尺寸有一定要求(而该要求通常是基于现有的满足一定的性能指标要求的谐振器核心器件的尺寸设定的)，这导致在核心器件周围没有足够的空间添加封装改进结构，因此，本发明还提出了以减小作为体声波滤波器的组成部件的谐振器的有效区域的面积的方式为体声波滤波器的封装留出足够的空间的技术方案。

具体的，在一个实施例中，体声波滤波器的该功能器件包括体声波谐振器(具有压电层、底电极和顶电极)，通过在例如氮化铝(AlN)压电层的压电层中参入杂质元素，使谐振器的有效区域的面积缩小，这导致谐振器的尺寸变小，从而为体声波滤波器的封装留出足够的空间。为体声波滤波器的封装留出足够的空间的方案可以与附图3-14中示出的实施例相结合。

下面参照附图15-16具体说明利用元素掺杂降低体声波谐振器的有效区域的面积的原理。

机电耦合系数(Nkt)是体声波谐振器的重要性能指标之一，该性能参数和如下因素有密切关系：(1)压电薄膜参入杂质元素的比例；以及(2)三明治结构中电极层和压电层的厚度比例。

图15所示的体声波谐振器的三明治结构包含厚度为t的顶电极TE、底电极BE以及厚度为d的压电层PZ。此处定义比例

对于特定的未掺杂的谐振器，其归一化的机电耦合系数Nkt和比例r之间的关系可用图16所示的特性曲线C0描述。

如图16所示，当对该谐振器的压电层掺杂时，特性曲线C0向上移动形成曲线C1。若未掺杂之前，具有厚度比r₀的谐振器的机电耦合系数为Nkt₀,那么掺杂之后该系数升高至Nkt₁。

通常机电耦合系数受到滤波器相对带宽及滚降特性的技术指标限制而需保持不变，因此在掺杂的情况下，需要通过调节比例r来将机电耦合系数恢复到未掺杂的水平。注意到曲线C1有一个最大值，因此对比例r的调节有两种方式，可使比例r从r₀缩小到r₂或增大至r₁。但由于缩小r意味着电极层变薄阻抗增大，从而造成器件损耗上升，因此选择增大比例r至r₁。

另一方面，谐振器的频率f受滤波器中心频率技术指标约束而需固定不变。频率f与三明治结构的总体厚度有如下简化关系：

其中D是将电极材料(Mo)等效为压电材料的等效总厚度，具体为D＝2tv₁/v₂+d，其中，v₂是电极材料中纵波声速，v₁是压电材料中纵波声速。将公式(1)带入公式(2)中，可以得到：

由于掺杂带来的声速v₁降低，同时，r增大，那么若要求频率f不发生变化，那么压电层厚度d应减小。

此外，对谐振器的阻抗也有限制(50欧姆)的技术要求，而阻抗Z与压电层厚度d之间由下式相联系：

其中，ε是压电材料的介电常数，A是谐振器的有效面积，j是表示相位的虚数单位。

当要求阻抗Z不变时，若压电层厚度d变小时，有效面积A也必须变小。

基于以上，可以通过向压电层添加杂质元素使得压电层厚度d变小，从而减小谐振器的有效面积A。在实施例中，所述压电层掺杂有如下元素中的一种或多种：钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥；且掺杂元素的原子分数范围为1％-40％，进一步的，为3％-20％。具体的原子分数可以为1％、3％、6％、20％、30％、40％等。

所述压电层可为氮化铝压电层、氧化锌压电层、铌酸锂压电层或钛锆酸铅压电层。

在本发明中，通过一定的技术手段(掺杂)在不扩大现有基底尺寸(不增大封装尺寸)的前提下，缩小了核心器件部分(图2中的F211)的横向尺寸，从而为封装结构的设计(例如前面实施例中的封装加强结构)预留更充足的空间。在缩小核心器件的尺寸以及使用了上述的封装加强结构的情况下，可以在不增加现有基底的尺寸的情况下，提高半导体器件对剪切应变的抗性。此外，在缩小核心器件的尺寸以及使用了上述的封装加强结构且采用多种材料的粘附层的情况下，可以在不增加现有基底的尺寸的情况下，不仅可以提高半导体器件对剪切应变的抗性，还可以获得对于水汽等的密封性，从而提高封装的可靠性。

在本发明中，密封垫圈的材料可选但不限于：单晶硅(Si)、蓝宝石、石英、砷化镓(GaS)等。

在本发明中，粘附层材料可选但不限于：金、钨、钼、铂、钌、铱、钛、钛钨、铝、铬、砷掺金、二氧化硅、聚二甲基硅氧烷、聚氨酯等。

在本发明中，顶电极和底电极材料可选但不限于：钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬等或以上金属的复合或其合金。

在一个可选的实施例中，所有谐振器均设置于功能基底上；且所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的2/3，进一步的1/2。需要指出的是，这里的功能基底的表面的面积为其一个表面的整个面积(包括了过孔以及功能器件所在的面积)。

本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的封装结构或者半导体器件。需要指出的是，这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims

1.一种用于半导体器件的封装结构，所述半导体器件包括对置的功能基底和封装基底，所述功能基底设置有功能器件，所述封装结构包括：

密封垫圈结构，所述密封垫圈结构适于设置在所述功能基底与所述封装基底之间，功能基底、封装基底与密封垫圈结构适于围合成容纳空间，所述功能器件适于设置在所述容纳空间内，

其中：

所述密封垫圈结构包括第一密封垫圈以及封装加强结构，第一密封垫圈以及封装加强结构与所述功能基底和/或所述封装基底接触部分的表面为平坦面；

所述封装加强结构包括第二密封垫圈；第一密封垫圈与第二密封垫圈之间设置有连接在两者之间的多个连接肋，所述多个连接肋将第一密封垫圈与第二密封垫圈之间的空间分为多个独立密封子空间。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其中：

所述第二密封垫圈与第一密封垫圈间隔开设置。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其中：

第一密封垫圈与第二密封垫圈的宽度范围为10-150μm，且两者之间的距离范围为10-150μm。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其中：

第一密封垫圈与第二密封垫圈的宽度彼此不同。

5.根据权利要求3所述的封装结构，其中：

第一密封垫圈与第二密封垫圈的宽度范围为20-100μm，且两者之间的距离范围为20-100μm。

6.根据权利要求3所述的封装结构，其中：

所述第一密封垫圈和第二密封垫圈均为矩形密封垫圈。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其中：

第一密封垫圈与第二密封垫圈均为矩形垫圈；

所述多个独立密封子空间包括多个条形密封空间。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其中：

第一密封垫圈为矩形密封垫圈，所述第二密封垫圈为椭圆形密封垫圈或者圆形密封垫圈且设置在第一密封垫圈之内；

所述多个独立密封子空间包括多个三角形密封空间。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其中：

所述多个独立密封子空间包括至少8个三角形密封空间。

10.根据权利要求1所述的封装结构，其中：

所述封装加强结构包括具有波浪曲线边缘的第二密封垫圈，所述第二密封垫圈与第一密封垫圈在所述波浪曲线边缘的波峰或者波谷处相接，且第一密封垫圈与第二密封垫圈之间形成多个独立的密封子空间。

11.根据权利要10所述的封装结构，其中：

所述第一密封垫圈的内角为圆角；且

所述密封子空间为类三角形状且内角为圆角。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的封装结构，其中：

第一密封垫圈和第二密封垫圈中的一个设置有适于加强抗应变性能的粘附层，第一密封垫圈和第二密封垫圈中的另一个设置有适于加强防水汽性能的粘附层。

13.根据权利要求1所述的封装结构，其中：

所述封装加强结构包括自所述第一密封垫圈径向向外延伸的至少一个延伸肋。

14.根据权利要求13所述的封装结构，其中：

所述第一密封垫圈为矩形密封垫圈，所述封装加强结构包括从该矩形密封垫圈的每条边的中间部分垂直其延伸出的延伸肋以及从该矩形密封垫圈的每个矩形顶点以45度角度斜向延伸的延伸肋。

15.根据权利要求1所述的封装结构，其中：

所述第一密封垫圈为矩形密封垫圈；

所述封装加强结构包括多个延伸肋，所述多个延伸肋中的每一个设置在第一密封垫圈内且与第一密封垫圈相连而形成直角三角形结构，所述多个延伸肋围绕所述功能器件设置。

16.根据权利要求15所述的封装结构，其中：

所述直角三角形结构的直角边的边长为其所连接的第一密封垫圈的边长的1/10到1/2的范围内。

17.一种半导体器件，包括：

根据权利要求1-16中任一项所述的封装结构；

功能基底，设置有功能器件；以及

封装基底，与功能基底相对布置。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中：

所述半导体器件为体声波滤波器；

所述功能基底设置有构成反射镜的空腔，所述功能器件包括由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构，所述三明治结构覆盖于所述空腔上。

19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中：

所有谐振器均设置于功能基底上；且

所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的的2/3。

20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中：

所有谐振器的有效区域的面积之和不大于所述功能基底的一个表面的面积的1/2。

21.根据权利要求18-20中任一项所述的半导体器件，其中：

所述压电层掺杂有如下元素中的一种或多种：钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥；且

掺杂元素的原子分数范围为1％-40％。

22.根据权利要求21所述的半导体器件，其中：

所述压电层为氮化铝压电层、氧化锌压电层、铌酸锂压电层或钛锆酸铅压电层。

23.根据权利要求21所述的半导体器件，其中：

掺杂元素的原子分数范围为3％-20％。

24.一种电子设备，包括根据权利要求1-16中任一项所述的封装结构或者根据权利要求17-23中任一项所述的半导体器件。