CN111326462A - 真空吸附平台及真空吸附系统 - Google Patents
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- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 title claims abstract description 145
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 37
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 44
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明提供的真空吸附平台及系统,用于与抽真空装置连接,以吸附晶片,其包括:平台本体,包括用于承载晶片的承载位,且在真空吸附平台中设置有吸附通孔,吸附通孔的一端位于承载位中,吸附通孔的另一端与抽真空装置连接;封堵件;以及,驱动机构,与封堵件连接,用于驱动封堵件移动,以封堵或者解除封堵吸附通孔。通过本发明提供的驱动真空吸附系统,借助驱动机构驱动封堵件移动,使得没有被晶片覆盖的吸附通孔被封堵,而被晶片覆盖的吸附通孔解除封堵,从而提高真空吸附平台的真空度。
Description
技术领域
本发明属于半导体制作领域,具体涉及一种真空吸附平台及真空吸附系统。
背景技术
在目前的光伏生产过程中,通常会利用真空吸附平台对产品(例如,薄膜电池、硅衬底或面板等)进行分拣、排布或者清洁,目的是将产品按相应规格或者等级分类、组合成各种形状,并用清洁气体吹扫产品表面的颗粒。通过真空吸附的方式能有效减少运动部件与产品工作面的接触,不但能保证产品定位,还不会因机械压力过大导致产品划伤或破损。
传统的真空吸附平台,只有当整个平台上所有真空吸附孔全部被覆盖住,才会发挥最大作用。但是,在实际应用中,往往只有少数产品放置在真空吸附台上,此时,一部分的吸附孔没有被覆盖,导致真空度不够,无法实现稳定吸附。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种真空吸附平台及真空吸附系统。
为解决上述问题,本发明提供了一种真空吸附平台,用于与抽真空装置连接,以吸附晶片,其包括:
平台本体,包括用于承载晶片的承载位,且在所述平台本体中设置有吸附通孔,所述吸附通孔的一端位于所述承载位中,所述吸附通孔的另一端与所述抽真空装置连接;
封堵件;
驱动机构,与所述封堵件连接,用于驱动所述封堵件移动,以封堵或者解除封堵所述吸附通孔。
进一步地,在所述平台本体中还设置有抽气通道,所述抽气通道用于将所述吸附通孔与所述抽真空装置连通;
在所述驱动机构的驱动下,所述封堵件移动至所述抽气通道中的能够封堵所述吸附通孔与所述抽真空装置之间的通路的第一位置;或者,移动至能够解除封堵所述吸附通孔与所述抽真空装置之间的通路的第二位置。
进一步地,所述承载位为多个,多个所述承载位呈矩形阵列排布,且所述矩形阵列的行数和列数均大于或等于1;
所述吸附通孔为多个,且每个所述承载位对应设置有至少一个所述吸附通孔;
所述抽气通道的数量与所述矩形阵列的行数或者列数相同,且各个所述抽气通道一一对应地与各行或者各列上的所有所述承载位所对应的所述吸附通孔连通。
进一步地,每个所述抽气通道包括第一端口、第二端口和第三端口,其中,
所述第一端口与所述抽真空装置连接;
所述第二端口的数量和与所述抽气通道对应的行或列上的所述吸附通孔的数量相同,且所述第二端口与所述吸附通孔的另一端一一对应地连接;
所述第三端口用于供所述封堵件移出所述抽气通道。
进一步地,在垂直于所抽气通道的延伸方向的投影上,所述封堵件的投影形状与所述抽气通道的投影形状相同。
进一步地,所述封堵件的长度满足能够封堵与所述抽气通道对应的行或列上的所有的所述吸附通孔与所述抽真空装置之间的通路。
进一步地,所述驱动机构包括旋转驱动源和直线传动机构,其中,
所述旋转驱动源用于提供旋转动力;
所述直线传动机构分别与所述旋转驱动源和所述封堵件连接,用于将所述旋转驱动源的旋转动力转换为直线动力,并传递至所述封堵件。
进一步地,所述驱动机构包括直线驱动源,所述直线驱动源与所述封堵件连接,以驱动所述封堵件进行直线往复运动。
进一步地,所述直线传动机构还包括联轴器,所述旋转驱动源通过所述联轴器与所述丝杠连接。
本发明还提供一种真空吸附系统,其包括抽真空装置和真空吸附平台,所述真空吸附平台与所述抽真空装置连接,以吸附置于所述真空吸附平台上的晶片,其中,所述真空吸附平台为本发明提供的真空吸附平台。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供的真空吸附平台,用于与抽真空装置连接,以吸附晶片,其包括:平台本体,包括用于承载晶片的承载位,且在真空吸附平台中设置有吸附通孔,吸附通孔的一端位于承载位中,吸附通孔的另一端与抽真空装置连接;封堵件;以及,驱动机构,与封堵件连接,用于驱动封堵件移动,以封堵或者解除封堵吸附通孔。通过本发明提供的驱动真空吸附系统,借助驱动机构驱动封堵件移动,使得没有被晶片覆盖的吸附通孔被封堵,而被晶片覆盖的吸附通孔解除封堵,从而提高真空吸附平台的真空度。
本发明提供的真空吸附系统,包括抽真空装置和真空吸附平台,真空吸附平台与所述抽真空装置连接,以吸附置于真空吸附平台上的晶片,其中,真空吸附平台为本发明提供的真空吸附平台。通过使用本发明提供的真空吸附平台,借助驱动机构驱动封堵件移动,使得没有被晶片覆盖的吸附通孔被封堵,而被晶片覆盖的吸附通孔解除封堵,从而提高真空吸附平台的真空度。
附图说明
图1为本发明实施例提供的真空吸附系统的结构示意图;
图2为本发明实施例中采用的真空吸附平台的结构示意图;
图3a为本发明采用的一种抽气通道和封堵件的结构示意图;
图3b为本发明采用的另一种抽气通道和封堵件的结构示意图;
图3c为本发明采用的再一种抽气通道和封堵件的结构示意图;
图4为图1中真空吸附系统的主视图;
图5为图1中采用的真空吸附平台的俯视图。
其中:
1-平台本体;2-承载位;3-吸附通孔;4-封堵件;5-驱动机构;51-旋转驱动源;52-直线传动机构;53-联轴器;6-抽气通道;61-第一端口;62-第二端口;63-第三端口;64-密封圈;71-真空泵;72-真空腔室;73-真空气管;8-晶片;9-固定支架;91-轴承座。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图来对本发明提供的真空吸附平台及真空吸附系统进行详细描述。
图1为本发明实施例提供的真空吸附系统的结构示意图;图4为图1中真空吸附系统的主视图。
如图1和图4所示,本发明提供了一种真空吸附平台,用于与抽真空装置连接,以吸附晶片,其包括:平台本体1、封堵件4和驱动机构。其中,平台本体1包括用于承载晶片8的承载位2,且在平台本体1中设置有吸附通孔3,吸附通孔3的一端位于承载位2中,吸附通孔3的另一端与抽真空装置连接;驱动机构与封堵件4连接,用于驱动封堵件4移动,以封堵或者解除封堵吸附通孔3。
通过本发明提供的真空吸附平台,借助驱动机构驱动封堵件4移动,使得没有被晶片8覆盖的吸附通孔3被封堵,而被晶片8覆盖的吸附通孔3解除封堵,从而提高真空吸附平台的真空度。
图2为本发明实施例中采用的真空吸附平台的结构示意图。如图2所示,在平台本体1中还设置有抽气通道6,抽气通道6用于将吸附通孔3与抽真空装置连通。
在驱动机构的驱动下,封堵件4移动至抽气通道6中的能够封堵吸附通孔3与抽真空装置之间的通路的第一位置;或者,移动至能够解除封堵吸附通孔3与抽真空装置之间的通路的第二位置。
在本实施例中,如图1和图2所示,承载位2的数量为多个,多个承载位2呈矩形阵列排布,且矩形阵列的行数和列数均大于或等于1;吸附通孔3的数量为多个,且每个承载位2对应设置有至少一个吸附通孔3。
下面对几种抽气通道与封堵件的具体结构进行详细说明。
图3a为本发明采用的一种抽气通道和封堵件的结构示意图。如图3a所示,抽气通道6一一对应的连接至吸附通孔3,抽气通道6具有渐变的内径,可以是如图3a中所示,越靠近吸附通孔3内径越小,当然也可以越靠近吸附通孔3内径越大。此时,第一位置即是如图3a中所示的将封堵件4移动至抽气通道6的内径与封堵件4的内径相同的位置,以对吸附通孔3进行封堵;第二位置是指,将封堵件4移动至抽气通道6的内径大于封堵件4的内径的位置。
图3b为本发明采用的另一种抽气通道和封堵件的结构示意图。如图3b所示,抽气通道3的数量与矩形阵列的行数或者列数相同,且各个抽气通道3一一对应地与各行或者各列上的所有承载位2所对应的吸附通孔3连通。在抽气通道6的轴向方向上,封堵件4的形状和尺寸均与抽气通道6的形状和尺寸相同,每个抽气通道6包括第一端口61、第二端口62和第三端口63,其中,第一端口61与抽真空装置连接,第二端口62的数量和与抽气通道6对应的行或列上的吸附通孔3的数量相同,且第二端口62与吸附通孔3的另一端一一对应地连接,第三端口63用于供封堵件4移出抽气通道6。此时,第一位置是指,当封堵件4移动至抽真空装置与吸附通孔3之间的位置,例如,图3b中,对于位于封堵件4的右侧的吸附通孔3而言,封堵件4位于其第一位置;第二位置是指,当封堵件4移动至离开抽真空装置与吸附通孔3之间的位置,例如,图3b中,对于位于封堵件4的左侧的吸附通孔3而言,封堵件4位于其第二位置。
图3c为本发明采用的再一种抽气通道和封堵件的结构示意图。如图3c所示,抽气通道3的数量与矩形阵列的行数或者列数相同,且各个抽气通道3一一对应地与各行或者各列上的所有承载位2所对应的吸附通孔3连通。在图3c所示的实施例中,每一承载位2对应一抽真空装置。每个抽气通道6包括第一端口61、第二端口62和第三端口63,其中,第一端口61与抽真空装置连接,第一端口61的数量与承载位2的数量相同,第二端口62的数量和与抽气通道6对应的行或列上的吸附通孔3的数量相同,且第二端口62与吸附通孔3的另一端一一对应地连接,第三端口63用于供封堵件4移出抽气通道6。此时,第一位置是指,当封堵件4移动至抽真空装置与吸附通孔3之间的位置,例如,图3c中,对于右侧的吸附通孔3而言,封堵件4位于其第一位置;第二位置是指,当封堵件4移动至离开抽真空装置与吸附通孔3之间的位置,例如,图3c中,对于左侧的吸附通孔3而言,封堵件4位于其第二位置。
综上,抽气通道6与封堵件4的设置方式多种多样,本发明并不限定抽气通道6与封堵件4的具体设置方式,只要能够实现,封堵件4移动至抽气通道6中的能够封堵吸附通孔3与抽真空装置之间的通路的第一位置,或者,移动至能够解除封堵吸附通孔3与抽真空装置之间的通路的第二位置,即属于本发明的保护范围。
在本实施例中,图1所示的真空吸附系统中采用的抽气通道和封堵件的结构为图3c中所示结构。此时,封堵件4的长度应满足能够封堵与抽气通道6对应的行或列上的所有的吸附通孔3与抽真空装置之间的通路。
其中,封堵件4的数量可以为一个,也可以为多个。
在本实施例中,在抽气通道6的轴向投影上,封堵件4的投影形状与抽气通道6的投影形状相同。其中,抽气通道6在其轴向上的投影形状包括:圆形、方形或者椭圆形;相应地,封堵件4在抽气通道6的轴向上的投影形状包括:圆形、方形或者椭圆形。
在本实施例中,如图1所示,驱动机构包括旋转驱动源51和直线传动机构52,其中,旋转驱动源51用于提供旋转动力,直线传动机构52分别与旋转驱动源51和封堵件4连接,用于将旋转驱动源51的旋转动力转换为直线动力,并传递至封堵件4,以驱动封堵件4移动。
其中,直线传动机构52包括丝杠,其中,丝杠与旋转驱动源51连接,封堵件4上设置有与丝杠相适配的内螺纹。
进一步地,直线传动机构52还包括联轴器53,旋转驱动源51通过联轴器53与丝杠连接。
进一步地,旋转驱动源51包括步进电机。通过使用步进电机,控制封堵件4每次进给均为相同长度,以便于驱动机构的控制。
需要说明的是,在本实施例中,驱动机构包括旋转驱动源51和直线传动机构52,但是本发明并不局限于此,在实际应用中,驱动机构还可以包括直线驱动源,直线驱动源与封堵件连接,以驱动封堵件进行直线往复运动。因此,本发明对驱动机构的具体种类并不做限定,只要能够使封堵件在封堵或者解除封堵的为之间切换即可。
图5为图1中采用的真空吸附平台的俯视图。如图5所示,真空吸附平台2上的吸附通孔3采用圆周对称交错排布,从而能够有效吸附方形或者圆形的晶圆,满足多种规格的生产工作。
作为本发明的另一方面,本发明还提供了一种真空吸附系统,包括抽真空装置和真空吸附平台,真空吸附平台与所述抽真空装置连接,以吸附置于真空吸附平台上的晶片,其中,真空吸附平台为本发明提供的真空吸附平台。
通过使用本发明提供的真空吸附平台,借助驱动机构驱动封堵件移动,使得没有被晶片覆盖的吸附通孔被封堵,而被晶片覆盖的吸附通孔解除封堵,从而提高真空吸附平台的真空度。
如图1所示,在本实施例中,真空吸附系统包括固定支架9,其用于固定平台本体1、丝杠以及旋转驱动源51,其中,丝杠的两端通过轴承座91固定在固定支架9上。
进一步地,抽真空装置包括真空泵71、真空腔室72和真空气管73,其中,真空气管73分别与吸附通孔3的另一端和真空腔室72连接;真空泵71与真空腔室连接。
进一步地,在抽气通道6的第一端口61和第三端口63还设置有密封圈64,位于第一端口61处的密封圈64用于密封真空气管73与抽气管道6之间的缝隙,位于第三端口63出的密封圈64用于密封丝杠与封堵件4之间的缝隙。
下面对本发明提供的真空吸附系统的使用方法进行详细介绍。
首先,在真空吸附系统未进行吸附工作时,每个抽气通道6都会被相对应的封堵件4完全堵住。工艺开始时,开启真空泵71,真空泵71对真空吸附平台抽真空。在工艺过程中,每放置一片晶片8在承载位2上,旋转驱动源51带动丝杠转动,以驱动封堵件4向外一段一段地移动,以使真空泵71对晶片8进行吸附;并且,每取走一片晶片8,旋转驱动源51带动丝杠转动,以驱动封堵件4向内一段一段地移动,以使封堵件4封堵该承载位2对应的吸附通孔3,从而提高真空度。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种真空吸附平台,用于与抽真空装置连接,以吸附晶片,其特征在于,包括:
平台本体,包括用于承载晶片的承载位,且在所述平台本体中设置有吸附通孔,所述吸附通孔的一端位于所述承载位中,所述吸附通孔的另一端与所述抽真空装置连接;
封堵件;
驱动机构,与所述封堵件连接,用于驱动所述封堵件移动,以封堵或者解除封堵所述吸附通孔。
2.根据权利要求1所述的真空吸附平台,其特征在于,在所述平台本体中还设置有抽气通道,所述抽气通道用于将所述吸附通孔与所述抽真空装置连通;
在所述驱动机构的驱动下,所述封堵件移动至所述抽气通道中的能够封堵所述吸附通孔与所述抽真空装置之间的通路的第一位置;或者,移动至能够解除封堵所述吸附通孔与所述抽真空装置之间的通路的第二位置。
3.根据权利要求2所述的真空吸附平台,其特征在于,所述承载位为多个,多个所述承载位呈矩形阵列排布,且所述矩形阵列的行数和列数均大于或等于1;
所述吸附通孔为多个,且每个所述承载位对应设置有至少一个所述吸附通孔;
所述抽气通道的数量与所述矩形阵列的行数或者列数相同,且各个所述抽气通道一一对应地与各行或者各列上的所有所述承载位所对应的所述吸附通孔连通。
4.根据权利要求3所述的真空吸附平台,其特征在于,每个所述抽气通道包括第一端口、第二端口和第三端口,其中,
所述第一端口与所述抽真空装置连接;
所述第二端口的数量和与所述抽气通道对应的行或列上的所述吸附通孔的数量相同,且所述第二端口与所述吸附通孔的另一端一一对应地连接;
所述第三端口用于供所述封堵件移出所述抽气通道。
5.根据权利要求4所述的真空吸附平台,其特征在于,在垂直于所述抽气通道的轴向投影上,所述封堵件的投影形状与所述抽气通道的投影形状相同。
6.根据权利要求4所述的真空吸附平台,其特征在于,所述封堵件的长度满足能够封堵与所述抽气通道对应的行或列上的所有的所述吸附通孔与所述抽真空装置之间的通路。
7.根据权利要求1-6中任一所述的真空吸附平台,其特征在于,所述驱动机构包括旋转驱动源和直线传动机构,其中,
所述旋转驱动源用于提供旋转动力;
所述直线传动机构分别与所述旋转驱动源和所述封堵件连接,用于将所述旋转驱动源的旋转动力转换为直线动力,并传递至所述封堵件。
8.根据权利要求7所述的真空吸附平台,其特征在于,所述驱动机构包括直线驱动源,所述直线驱动源与所述封堵件连接,以驱动所述封堵件进行直线往复运动。
9.根据权利要求8所述的真空吸附平台,其特征在于,所述直线传动机构还包括联轴器,所述旋转驱动源通过所述联轴器与所述丝杠连接。
10.一种真空吸附系统,其特征在于,包括抽真空装置和真空吸附平台,所述真空吸附平台与所述抽真空装置连接,以吸附置于所述真空吸附平台上的晶片,其中,所述真空吸附平台为权利要求1-9中任一所述的真空吸附平台。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811525769.XA CN111326462A (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 真空吸附平台及真空吸附系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811525769.XA CN111326462A (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 真空吸附平台及真空吸附系统 |
Publications (1)
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---|---|
CN111326462A true CN111326462A (zh) | 2020-06-23 |
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ID=71170066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811525769.XA Pending CN111326462A (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 真空吸附平台及真空吸附系统 |
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