CN111318964A - 一种延长抛光布使用寿命的处理方法 - Google Patents
一种延长抛光布使用寿命的处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111318964A CN111318964A CN201811529111.6A CN201811529111A CN111318964A CN 111318964 A CN111318964 A CN 111318964A CN 201811529111 A CN201811529111 A CN 201811529111A CN 111318964 A CN111318964 A CN 111318964A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polishing
- cloth
- polishing cloth
- disc
- polishing machine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种延长抛光布使用寿命的处理方法,包括以下步骤:(1)刷盘刷布:将刷盘放置在贴好抛光布的抛光机盘面上,用抛光机的压力头压住刷盘,刷盘与抛光机大盘旋转方向相同;(2)高压水冲洗:用高压水冲洗抛光布表面,用高压水把整张抛光布冲洗一遍;(3)修整环研磨:将修整环放置在抛光布上,用抛光机的压力头压住修整环,修整环与抛光机大盘旋转方向相同,修整环研磨抛光布的时间为10s~5min;然后使修整环与抛光机大盘旋转方向相反,压力范围、转速范围和超纯水流量范围都不变,继续研磨抛光布10s~5min。本发明的方法对抛光布使用寿命的延长效果非常显著,可有效延长抛光布的使用寿命,且始终不会影响硅衬底抛光片的几何形貌水平。
Description
技术领域
本发明涉及一种延长抛光布使用寿命的处理方法,属于半导体材料技术领域。
背景技术
用于化学机械抛光(CMP)的抛光布,普遍采用聚氨酯材料,加工成无纺布结构并密布了微小孔洞。配合含有碱性胶体二氧化硅颗粒的抛光液来完成机械研磨和化学腐蚀交替作用的过程。该过程极易使胶体二氧化硅颗粒抱团凝结,堵塞抛光布表面的微小孔洞,使抛光布失去机械研磨的作用。
传统改善抛光布使用寿命的方法,或者采用机械或化学的方式清除抛光布表面孔洞中的堵塞物,或者使用修整环将抛光布磨薄一层,把堵塞层整个磨掉。前一种清除方式不能有效去除抛光布表面孔洞中的堵塞物,抛光布使用寿命始终维持在几十个小时左右。后一种方法效果显著,但会改变抛光布表面的平整度,进而影响硅衬底抛光片的几何形貌,使产品无法达到客户要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可有效延长抛光布使用寿命的处理方法,且不影响硅衬底抛光片的几何形貌水平。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种延长抛光布使用寿命的处理方法,包括以下步骤:
(1)刷盘刷布:将刷盘放置在贴好抛光布的抛光机盘面上,用抛光机的压力头压住刷盘,压力范围为60~200kg,抛光机大盘转速为15~60rpm,刷盘转速为15~60rpm,刷盘与抛光机大盘旋转方向相同,抛光布上超纯水流量为1~20L/min,刷盘刷布的频率为抛光机每运行1~5个批次刷布一次,每次刷布时间为10s~5min;
(2)高压水冲洗:用高压水冲洗抛光布表面,高压水压强为10~20MPa,高压水喷口距离抛光布5~50mm,用高压水把整张抛光布冲洗一遍;高压水冲洗抛光布的频率为抛光机每运行5~10个批次冲洗一次;
(3)修整环研磨:将修整环放置在抛光布上,用抛光机的压力头压住修整环,压力范围为60~100kg,抛光机大盘转速为15~60rpm,修整环转速为15~60rpm,修整环与抛光机大盘旋转方向相同,抛光布上超纯水流量为1~20L/min,修整环研磨抛光布的时间为10s~5min;然后使修整环与抛光机大盘旋转方向相反,压力范围、转速范围和超纯水流量范围都不变,继续研磨抛光布10s~5min;修整环研磨的频率为抛光机每运行20~30个批次进行一次。
在研发过程中,发明人发现,抛光布使用寿命到期的根本原因是抛光布表面孔洞被抛光过程产生的碎屑填满,变成镜面,失去抛光作用。传统延长抛光布寿命的方式就是刷子刷或高压水冲,或者二者结合着用。但清洁效果有限,还是会有一些碎屑清理不掉。最终抛光布失去抛光作用,更换新布。修整环研磨的方式是把抛光布表面研磨掉薄薄一层,被堵塞的孔洞层也被全部研磨掉,露出全新的孔洞状纤维结构,也能提升抛光布的使用寿命,但修整环研磨的方式会轻微改变抛光布表面的平整度,进而改变硅片抛光后的表面平整度,使硅片的平整度数值变大。抛光布累计研磨次数多了,平整度的改变就是巨大的。最终抛光布不是因为失去抛光作用而更换,而是因为加工出来的硅片平整度太差而更换。而在本发明中,是用轻微程度的修整环研磨,配合刷盘、高压水的冲洗,来有效提升抛光布的使用寿命。
优选地,所述刷盘的直径与抛光机压力头的直径相同,刷盘的刷毛材质为尼龙。每根刷毛直径为0.5~1.5mm,刷毛露出刷盘的长度为5~20mm。
优选地,所述步骤(2)单独进行,或者在进行步骤(2)时,同时进行步骤(1)的操作。即高压水冲洗抛光布可单独进行也可与刷盘刷布同时进行。
优选地,所述修整环的直径与抛光机压力头的直径相同,修整环研磨面上的研磨颗粒的材质为金刚石颗粒、碳化硅颗粒或氧化铝颗粒,研磨颗粒的粒径为100~400目。
优选地,所述步骤(3)单独进行,或者在进行步骤(3)时,同时进行步骤(1)和步骤(2)的操作。即修整环研磨抛光布可单独进行也可与高压水冲洗、刷盘刷布同时进行。
本发明适用于单面抛光机。
本发明的优点在于:
采用本发明的方法对抛光布使用寿命的延长效果非常显著,可有效将抛光布的使用寿命提高到一百小时以上,且始终不会影响硅衬底抛光片的几何形貌水平。
附图说明
图1为显示刷盘刷布、高压水冲洗抛光布、修整环研磨抛光布同时进行的示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明,但并不意味着对本发明保护范围的限制。
如图1所示,在用刷盘刷布时,将刷盘1放置在贴好抛光布的抛光机盘面4上,用抛光机的压力头5压住刷盘。在用高压水冲洗时,用高压水输出装置2向抛光布表面输出高压水。在用修整环研磨抛光布时,将修整环3放置在贴好抛光布的抛光机盘面4上,用抛光机的压力头5压住修整环。
实施例1
抛光机大盘上贴付的抛光布为聚氨酯材质、无纺布结构,型号为Suba 800。抛光机大盘直径为1270mm,刷盘直径为483mm。
抛光机每生产1个批次,就用刷盘按下述方式刷布一次。将与压力头同直径的刷盘放置在贴好抛光布的抛光机盘面上,刷盘的刷毛直径为1.2mm,刷毛露出刷盘18mm,用抛光机的压力头压住刷盘,压力头供给的压力为80kg,抛光机大盘转速为45rpm,刷盘转速为45rpm,两者旋转方向相同。抛光布上的超纯水流量为12L/min,刷布时间为30s。
抛光机每生产5个批次,就用高压水按下述方式冲洗抛光布一次。高压水的压强为17MPa,高压水喷口距离抛光布表面30mm,用高压水冲洗整张抛光布。因为刷盘刷布是每生产1个批次就要进行一次的,此时为保证生产效率,高压水清洗与刷盘刷布同时进行。
抛光机每生产30个批次,就用修整环按下述方式研磨抛光布一次。将修整环放置在贴好抛光布的抛光机盘面上,用抛光机的压力头压住修整环,压力头供给的压力为60kg,抛光机大盘转速为30rpm,修整环转速为30rpm,两者旋转方向相同,抛光布上的超纯水流量为12L/min,研磨时间45s。然后使修整环的转速与抛光机大盘转速相反,压力头供给的压力仍为60kg,抛光机大盘转速仍为30rpm,修整环转速仍为30rpm,抛光布上的超纯水流量仍为12L/min,研磨时间40s。为保证生产效率,每1批次进行一次的刷盘刷布和每5批次进行一次的高压水冲洗,与修整环研磨抛光布同时进行。
在生产过程中,每间隔5个批次,测一次抛光去除速率,当去除速率小于1微米/分钟时,证明抛光布无法满足当前的产能要求,失去抛光能力,判为到达使用寿命。
经过以上步骤,抛光布使用至128小时,运行了750个批次方才失去抛光能力,宣布到达使用寿命。
Claims (7)
1.一种延长抛光布使用寿命的处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)刷盘刷布:将刷盘放置在贴好抛光布的抛光机盘面上,用抛光机的压力头压住刷盘,压力范围为60~200kg,抛光机大盘转速为15~60rpm,刷盘转速为15~60rpm,刷盘与抛光机大盘旋转方向相同,抛光布上超纯水流量为1~20L/min,刷盘刷布的频率为抛光机每运行1~5个批次刷布一次,每次刷布时间为10s~5min;
(2)高压水冲洗:用高压水冲洗抛光布表面,高压水压强为10~20MPa,所用高压水为超纯水,高压水喷口距离抛光布5~50mm,用高压水把整张抛光布冲洗一遍;高压水冲洗抛光布的频率为抛光机每运行5~10个批次冲洗一次;
(3)修整环研磨:将修整环放置在抛光布上,用抛光机的压力头压住修整环,压力范围为60~100kg,抛光机大盘转速为15~60rpm,修整环转速为15~60rpm,修整环与抛光机大盘旋转方向相同,抛光布上超纯水流量为1~20L/min,修整环研磨抛光布的时间为10s~5min;然后使修整环与抛光机大盘旋转方向相反,压力范围、转速范围和超纯水流量范围都不变,继续研磨抛光布10s~5min;修整环研磨的频率为抛光机每运行20~30个批次进行一次。
2.根据权利要求1所述的延长抛光布使用寿命的处理方法,其特征在于,所述刷盘的直径与抛光机压力头的直径相同,刷盘的刷毛材质为尼龙。
3.根据权利要求2所述的延长抛光布使用寿命的处理方法,其特征在于,每根刷毛直径为0.5~1.5mm,刷毛露出刷盘的长度为5~20mm。
4.根据权利要求1所述的延长抛光布使用寿命的处理方法,其特征在于,所述步骤(2)单独进行,或者在进行步骤(2)时,同时进行步骤(1)的操作。
5.根据权利要求1所述的延长抛光布使用寿命的处理方法,其特征在于,所述修整环的直径与抛光机压力头的直径相同,修整环研磨面上的研磨颗粒的材质为金刚石颗粒、碳化硅颗粒或氧化铝颗粒,研磨颗粒的粒径为100~400目。
6.根据权利要求1所述的延长抛光布使用寿命的处理方法,其特征在于,所述步骤(3)单独进行,或者在进行步骤(3)时,同时进行步骤(1)和步骤(2)的操作。
7.根据权利要求1所述的延长抛光布使用寿命的处理方法,其特征在于,所述抛光机为单面抛光机。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811529111.6A CN111318964B (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种延长抛光布使用寿命的处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811529111.6A CN111318964B (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种延长抛光布使用寿命的处理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111318964A true CN111318964A (zh) | 2020-06-23 |
CN111318964B CN111318964B (zh) | 2021-06-22 |
Family
ID=71164821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811529111.6A Active CN111318964B (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种延长抛光布使用寿命的处理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111318964B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115673978A (zh) * | 2021-07-30 | 2023-02-03 | 上海超硅半导体股份有限公司 | 一种抛光布整理辅助装置及使用方法 |
CN115781518A (zh) * | 2022-10-08 | 2023-03-14 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 抛光布修整工艺 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5421768A (en) * | 1993-06-30 | 1995-06-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Abrasive cloth dresser |
KR20030001033A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-06 | 동부전자 주식회사 | 다이아몬드 컨디셔너 세정 장치 |
CN201287294Y (zh) * | 2008-11-04 | 2009-08-12 | 北京有色金属研究总院 | 一种刷抛光大盘用的刷子 |
CN102554783A (zh) * | 2010-12-23 | 2012-07-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 研磨垫清洗方法 |
CN103817600A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种双面抛光用抛光布的修整工艺 |
CN104416466A (zh) * | 2013-08-26 | 2015-03-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种用于化学机械抛光工艺的抛光垫修整方法 |
CN104416462A (zh) * | 2013-08-20 | 2015-03-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 抛光垫修整盘的清洗装置 |
CN204221615U (zh) * | 2014-10-15 | 2015-03-25 | 易德福 | 一种抛光垫自动清理装置 |
KR101597457B1 (ko) * | 2014-09-26 | 2016-02-24 | 현대제철 주식회사 | 폴리싱 패드 세정 장치 |
-
2018
- 2018-12-13 CN CN201811529111.6A patent/CN111318964B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5421768A (en) * | 1993-06-30 | 1995-06-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Abrasive cloth dresser |
KR20030001033A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-06 | 동부전자 주식회사 | 다이아몬드 컨디셔너 세정 장치 |
CN201287294Y (zh) * | 2008-11-04 | 2009-08-12 | 北京有色金属研究总院 | 一种刷抛光大盘用的刷子 |
CN102554783A (zh) * | 2010-12-23 | 2012-07-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 研磨垫清洗方法 |
CN103817600A (zh) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种双面抛光用抛光布的修整工艺 |
CN104416462A (zh) * | 2013-08-20 | 2015-03-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 抛光垫修整盘的清洗装置 |
CN104416466A (zh) * | 2013-08-26 | 2015-03-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种用于化学机械抛光工艺的抛光垫修整方法 |
KR101597457B1 (ko) * | 2014-09-26 | 2016-02-24 | 현대제철 주식회사 | 폴리싱 패드 세정 장치 |
CN204221615U (zh) * | 2014-10-15 | 2015-03-25 | 易德福 | 一种抛光垫自动清理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115673978A (zh) * | 2021-07-30 | 2023-02-03 | 上海超硅半导体股份有限公司 | 一种抛光布整理辅助装置及使用方法 |
CN115781518A (zh) * | 2022-10-08 | 2023-03-14 | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 | 抛光布修整工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111318964B (zh) | 2021-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI680834B (zh) | 晶圓之邊緣研磨裝置以及方法 | |
US9630295B2 (en) | Mechanisms for removing debris from polishing pad | |
US6669538B2 (en) | Pad cleaning for a CMP system | |
CN106984563B (zh) | 修整盘清洗用刷、清洗装置以及清洗方法 | |
CN102553849B (zh) | 一种固定研磨粒抛光垫清洗装置及清洗方法 | |
CN1583842A (zh) | 多孔聚氨基甲酸乙酯抛光片 | |
JP2003211355A (ja) | ポリッシング装置及びドレッシング方法 | |
CN111318964B (zh) | 一种延长抛光布使用寿命的处理方法 | |
CN110314896A (zh) | 一种半导体衬底材料抛光方法 | |
CN103878678A (zh) | 一种晶圆研磨抛光方法 | |
JPH08148453A (ja) | ウエハ保持具 | |
CN113500516A (zh) | 一种研磨装置的清洗方法及系统 | |
JP2001237204A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN204565852U (zh) | 一种电镀金刚石切割线打磨去镍配套设备 | |
CN201287294Y (zh) | 一种刷抛光大盘用的刷子 | |
CN110625528B (zh) | 一种抛光垫的修整装置及修整方法 | |
JP6330628B2 (ja) | ガラス基板の製造方法 | |
JP7534142B2 (ja) | ドレッシング装置及び研磨装置 | |
KR20100052028A (ko) | 양면 연마기의 패드 드레싱 방법 | |
CN210819122U (zh) | 一种气缸加压式环刀型修盘器 | |
JP4058904B2 (ja) | 研磨布のドレッシング方法、半導体ウェーハの研磨方法及び研磨装置 | |
JPH1058306A (ja) | 研磨布のドレッシング装置および研磨布ドレッシング用砥石 | |
CN210819121U (zh) | 一种抛光设备用的配重加压式环刀型修盘器 | |
CN217317569U (zh) | 一种用于清洁抛光盘的装置 | |
JP2007253294A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 101300 south side of Shuanghe Road, Linhe Industrial Development Zone, Shunyi District, Beijing Patentee after: Youyan semiconductor silicon materials Co.,Ltd. Address before: 101300 south side of Shuanghe Road, Linhe Industrial Development Zone, Shunyi District, Beijing Patentee before: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS Co.,Ltd. |
|
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |