CN111312624B - 退火装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种退火装置。退火装置包括：退火腔室，用于容纳待处理基板，并对待处理基板退火处理，退火腔室具有进气端与出气端；供气设备，用于向退火腔室提供目标气体，供气设备包括多个加热管道，多个加热管道阵列排布，多个加热管道的连接口分散分布于进气端，各加热管道均通过连接口与退火腔室连通；控制器，用于分别控制加热管道对目标气体进行加热，以使进入加热管道的目标气体加热后输送至退火腔室。本发明公开的退火装置能够提高退火腔室内温度的均一性。

Description

退火装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种退火装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示具有成本低、视角宽、驱动电压低、响应速度快、发光色彩丰富、制备工艺简单、可实现大面积柔性显示等优点，被认为最具发展前景的显示技术之一。
在制备OLED显示器件的过程中，需要将基板在退火装置的退火腔室中进行退火处理，在退火处理过程中，退火腔室内温度的均一性直接影响基板的质量。
发明内容
本发明实施例提供了一种退火装置，旨在提升退火腔室内温度的均一性。
本发明提供一种退火装置，包括：一种退火装置，其特征在于，包括：退火腔室，用于容纳待处理基板，并对待处理基板退火处理，退火腔室具有进气端与出气端；供气设备，用于向退火腔室提供目标气体，供气设备包括多个加热管道，多个加热管道阵列排布，多个加热管道的连接口分散分布于进气端，各加热管道均通过连接口与退火腔室连通；控制器，用于分别控制加热管道对目标气体进行加热，以使进入加热管道的目标气体加热后输送至退火腔室。
根据本发明的一个方面，进一步包括流量调节器，流量调节器与加热管道一一对应设置，以检测各加热管道的流量；控制器进一步用于分别控制流量调节器，以调节各加热管道的输送至退火腔室的目标气体的流量。
根据本发明的一个方面，供气设备进一步包括预热管道，预热管道与各加热管道连通，以向加热管道提供预加热的目标气体；控制器进一步用于控制预热管道对目标气体进行加热，以使进入预热管道的目标气体经预加热后输送至各加热管道。
根据本发明的一个方面，进一步包括第一温度检测组件，用于检测目标气体的温度；控制器进一步用于根据第一检测组件的检测结果调节预热管道与加热管道的加热温度。
根据本发明的一个方面，第一温度检测组件包括第一温度检测器，第一温度检测器与加热管道一一对应设置，以检测各加热管道内的目标气体的温度；和/或，温度检测组件包括第二温度检测器，第二温度检测器与预热管道连接，第二温度检测器用于检测预热管道内的目标气体的温度。
根据本发明的一个方面，进一步包括多个第二温度检测组件，多个第二温度检测组件设置于退火腔室内，多个第二温度检测组件用于检测退火腔室内不同区域的温度；控制器进一步用于根据第二温度检测组件的检测结果，调节各加热管道的加热温度和/或各加热管道的输送至退火腔室的目标气体的流量。
根据本发明的一个方面，退火腔室内设置有多个分流板，以将退火腔室分为相互隔离且沿进气端至出气端方向延伸的多个子腔室，每个子腔室设置有至少一个第二温度检测组件。
根据本发明的一个方面，加热管道与预热管道均包括电磁感应加热管道，电磁感应加热管道用于对目标气体加热；优选的，加热管道与预热管道均具有沿自身延伸方向贯穿设置的多个通道。
根据本发明的一个方面，进一步包括循环管道，循环管道连接于供气设备与退火腔室的出气端之间，以使退火腔室的出气端排出的气体经循环管道进入供气设备；优选的，循环管道内设置有过滤器，过滤器用于对经退火腔室的出气端排出的气体进行过滤。
根据本发明的一个方面，每个加热管道均对应设置有一个连接口。
本实施例的退火装置，供气设备包括多个加热管道，多个加热管道通过分散排布的连接口连接至退火腔室的进气端，且与退火腔室连通，能够向退火腔室的不同区域输送加热的目标气体。通过控制器能够分别控制各加热管道，以控制各加热管道向退火腔室输入的目标气体的温度，通过向退火腔室的不同区域输送不同温度的目标气体，使加热后的目标气体调节退火腔室内的温度，以达到退火腔室内各个区域的温度一致，进而能够提高待处理基板的退火效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的退火装置的俯视结构示意图；
图2是本发明一实施例提供的退火腔室的结构示意图；
图3是本发明另一实施例提供的退火装置的俯视结构示意图；
图4是本发明一实施例提供的预热管道和加热管道的截面图；
图5是本发明又一实施例提供的退火装置的俯视结构示意图；
图6是本发明一实施例提供的过滤器与循环管道连接的结构示意图。
图中：
100-退火装置；10-退火腔室；11-进气端；12-出气端；13-分流板；14-子腔室；20-供气设备；21-加热管道；22-预热管道；23-分流器；24-通道；25-连接口；30-流量调节器；41-第二温度检测组件；42-第一温度检测器；43-第二温度检测器；50-循环管道；60-过滤器；61-过滤网；X-前后方向；Y-高度方向；Z-进气端至出气端方向。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合图1至图6对本发明实施例的退火装置进行详细描述。
请参阅图1所示，图1是本发明一实施例提供的退火装置的俯视结构示意图。退火装置100包括退火腔室10、供气设备20和控制器(图中未示出)。
退火腔室10用于容纳待处理基板，并对待处理基板退火处理，退火腔室具有进气端11和出气端12。本实施例中，对于待处理基板的类型不做限制，例如可以为低温多晶硅(low temperature poly-silicon，LTPS)基板，也可以为低温多晶氧化物(LowTemperature Polycrystalline Oxide，LTPO)基板。
供气设备20用于向退火腔室10提供目标气体，供气设备20包括多个加热管道21，各加热管道21阵列排布在退火腔室的进气端11，多个加热管道21的连接口25分散分布于进气端11，各加热管道21均通过连接口25与退火腔室10连通。加热管道21能够对目标气体加热后将目标气体通过连接口25输送至退火腔室10。本实施例中，目标气体是指不会在退火腔室10内与待处理基板产生如化学反应、也不会在退火腔室10内因高温爆炸燃烧的气体，目标气体例如可以为惰性气体或氮气。通过供气设备20向退火腔室10的进气端11输入目标气体，目标气体通过退火腔室10后从出气端输出12，可以通过目标气体带走退火过程中退火腔室10内的杂质，以对退火腔室10进行净化。此外，向退火腔室10内输送目标气体，还可以对退火腔室10内氧气的含量进行调节，以防止待处理基板在退火腔室内发生氧化反应。
控制器可以对各加热管道21分别进行控制，使各加热管道21内的目标气体加热后输送至退火腔室10。本实施例中，对于控制器的设置位置不做限定。
本实施例的退火装置100，供气设备20包括多个加热管道21，多个加热管道21通过分散排布的连接口25连接至退火腔室10的进气端11，且与退火腔室10连通，能够向退火腔室10的不同区域输送加热的目标气体。通过控制器能够分别控制各加热管道21，以控制各加热管道21向退火腔室10输入的目标气体的温度，通过向退火腔室10的不同区域输送不同温度的目标气体，使加热后的目标气体调节退火腔室10内的温度，以达到退火腔室10内各个区域的温度一致，进而能够提高待处理基板的退火效果。
控制器可以根据退火腔室10内温度的分布情况控制输入退火腔室10内的不同区域的目标气体的温度，以调整退火腔室10内各区域温度一致。在一些可选的实施例中，退火腔室10内温度的分布情况可以是通过多次实验获取的退火腔室10内温度分布数据，控制器根据这些实验的数据，调整对应位置的加热管道21的加热温度。在另一些可选的实施例中，可以通过温度传感器实时检测退火腔室10内不同区域的温度，控制器根据温度传感器的检测结果调节各加热管道21的加热温度。
需要说明的是，图1仅示出了本实施例提供的退火装置的俯视结构示意图，各加热管道21可以分为多行多列设置于退火腔室10的进气端11。对于其具体的分布方式，本发明不做限制。
在一些可选的实施例中，加热管道21的连接口25有多个，其中，多个加热管道21可以通过一个连接口25与退火腔室连通，可以增加向退火腔室10内输入目标气体的总量。在另一些可选的实施例中，请继续参阅图1所示，每个加热管道21可以均对应设置有一个连接口25，每个加热管道21均通过一个对应的连接口25与退火腔室连通，可以增加在退火腔室10的进气端11设置的连接口25的数量，实现对退火腔室10内温度的精确调节。
在一些可选的实施例中，退火装置100还包括多个流量调节器30，流量调节器30与加热管道21一一对应设置，以分别检测各加热管道21的流量。控制器可以分别控制各流量调节器30，以调节对应的加热管道21的输送至退火腔室10内的目标气体的流量。通过控制各加热管道21的输送至退火腔室10的目标气体的流量，以对退火腔室10内不同区域的温度进行调控，实现退火腔室10内各区域温度的一致性。例如，对于退火腔室10内温度较低区域，控制器可以通过调整流量调节器使对应于该区域的加热管道21的目标气体的流量增大，向该区域输送较多的温度相对较高的目标气体，以使该区域的温度升高。本实施例中，可以对加热管道21的目标气体的温度和流量共同调节，实现对退火腔室10内不同区域的温度的精确调控。以长方体的退火腔室10为例，可以参阅图2所示，图2是本发明一实施例提供的退火腔室的结构示意图。退火腔室10的前后方向X不同区域的温度差异以及竖直方向Y不同区域的温度差异可以主要通过控制目标气体的温度来实现退火腔室10内温度的调节；对于沿进气端11至出气端12方向Z不同区域的温度差异，可以主要通过控制目标气体的流量和温度来实现退火腔室10内温度的调节，例如，可以在一定温度下，增加目标气体进入退火腔室10的流量，以使退火腔室10内从进气端11到出气端12方向Z上的温度更加均一。本实施例中，控制器根据退火腔室10内温度的需求对加热管道21的加热温度和流量进行调节。
在一些可选的实施例中，请参阅图3所示，图3是本发明另一实施例提供的退火装置的俯视结构示意图。本实施例中，供气设备20还包括预热管道22，预热管道22与各加热管道21连通，以向加热管道21提供预加热的目标气体。控制器还可以控制预热管道22，以对进入预热管道22的目标气体进行预加热后输送至各加热管道21。在目标气体输送至各加热管道21前先进行预热处理，能够提高目标气体的加热效率。本实施例中，各加热管道21可以直接连接至预热管道22的出气口；还可以通过分流器23实现各加热管道21与预热管道22的连接，以提高连接稳定性。
进一步的，在一些可选的实施例中，预热管道22的加热温度与退火腔室10的初始设定温度一致。在待处理基板进入退火腔室10之前，需要对退火腔室10进行预热处理，使其达到初始设定温度后再将待处理基板放入退火腔室10进行退火处理。退火处理过程中，退火腔室10内温度逐渐升温至退火温度，因此，在未放入待处理基板前，向退火腔室10内输送的目标气体温度最好与退火腔室10的初始设定温度一致，以防止目标气体对退火腔室10温度造成影响，从而影响待处理基板的退火效果。
在另一些可选实施例中，退火装置100还可以包括第一温度检测组件，第一温度检测组件可以检测目标气体的温度，以使控制器可以根据检测组件的检测结果调节加热管道21和预热管道22的加热温度。
可选的，第一温度检测组件可以包括第一温度检测器42，第一温度检测器42与加热管道21一一对应设置，以分别检测各加热管道21内的目标气体的温度。本实施例中，第一温度检测器42可以设置在加热管道21的与退火腔室10的进气端11的连接口25处，使得第一温度检测器42可以较为准确的测出从加热管道21输送至退火腔室10内的温度，以便于更精确地对退火腔室10内的温度进行调控。
可选的，温度检测组件可以包括第二温度检测器43，第二温度检测器43与预热管道22连接，第二温度检测器43用于检测预热管道22内的目标气体的温度。第二温度检测器43可以设置在预热管道22的出口位置，以便于精确地检测从预热管道22输送至加热管道21的目标气体的温度。
可选的，退火装置100可以包括第二温度检测组件41，多个第二温度检测组件41设置于退火腔室10内。多个第二温度检测组件41用于检测退火腔室10内不同区域的温度。控制器根据第二温度检测组件41检测的结果调节各加热管道21的加热温度和/或加热管道21的输送至退火腔室10的目标气体的流量。本实施例中，将多个第二温度检测组件41设置于退火腔室10的不同区域，便于对退火腔室10的不同区域的温度实时监控，提高了对退火腔室10内的温度调控的精确度和效率。
进一步的，请继续参阅图2所示，退火腔室10内还可以设置有多个分流板13，以将退火腔室10分为相互隔离且沿退火腔室10的进气端11至出气端12方向Z延伸的多个子腔室14，每个子腔室14内设置有至少一个第二温度检测组件41。通过分流板13将退火腔室10分为多个子腔室14，每个子腔室14内可以放置至少一个待处理基板，能够保证位于各子腔室14内的待处理基板在同时进行退火处理过程中，相互之间不受影响。通过连接于各子腔室14的加热管道21对相应的子腔室14内的温度进行调控，提高了温度调控的精度。本实施例的分流板13可以为隔热板，以进一步提高各子腔室14工作的独立性，防止各子腔室14温度的相互影响。
本实施例中，每个子腔室14外可以对应连接有至少一排加热管道21，各子腔室14外连接的加热管道21的数量和排布方式可以相同也可以不同。各子腔室14内第二温度检测组件41的数量和设置位置可以相同也可以不同。通常，在退火腔室10内，沿高度方向Y，上方温度高于下方的温度，因此，沿退火腔室的高度方向Y，从上至下，加热管道21的排布密度可以逐渐增大。
在一些可选的实施例中，加热管道21和预热管道22均包括电磁感应加热管道，目标气体在电磁感应加热管道中进行加热。电磁感应加热管道包括金属管道和缠绕在金属管道外周侧的线圈，通过对线圈外加交变电流产生交变磁场，金属管道置于其中切割交变磁力线，从而在金属管道产生涡流加热其内部的目标气体，能够提高加热速度和加热效率，节省电能。可选的，金属管道可以采用铜管道。
进一步的，请参阅图4所示，图4是本发明一实施例提供的预热管道和加热管道的截面图。图4所示的截面图为沿垂直于管道的延伸方向的截面图。加热管道21和预热管道22均具有沿自身延伸方向贯穿设置的多个通道24，能够增大管道内壁与目标气体的接触面积，进一步提高加热效率。图中仅以加热管道21和预热管道22的截面为圆形示意，可以理解的是，加热管道21和预热管道22的截面也可以为其他形状，例如矩形、椭圆形或不规则形状，对此，本发明不做限制。
可以理解的是，加热管道21和预热管道22可以全部采用电磁感应加热管道，也可以采用普通管道与电磁感应加热管道拼接形成，普通管道例如可以为石英玻璃管。
在一些可选的实施例中，请参阅图5所示，图5是本发明又一实施例提供的退火装置的俯视结构示意图。退火装置100还可以包括循环管道50，循环管道50连接于供气设备20与退火腔室10的出气端12之间，退火腔室10的出气端12排出的气体经循环管道50进入供气设备20，实现对退火腔室10内排出气体的循环利用，且能够提高热能利用率。对于循环管道50的材质本发明不做限制，例如可以为石英玻璃管。
进一步的，为了避免退火腔室10的出气端12排出的气体内所包含的杂质沿循环管道50和供气设备20再次进入退火腔室10内，在循环管道50内可以设置过滤器60，以除去退火腔室10排出气体内的杂质，提高退火装置100各管道内的目标气体的纯净度。
对于过滤器60的类型本发明不做限制，例如，可以参阅图6所示，图6是本发明一实施例提供的过滤器与循环管道连接的结构示意图。过滤器60连接于循环管道50之间，图示箭头方向为循环管道50内气体的流向，气体沿循环管道50的延伸方向流动，当流动至过滤器60时，气体向上流入过滤器60的中间区域，经过滤器60的过滤网61进行过滤后，沿过滤网61的周侧向循环管道50的靠近供气设备20的一端移动，完成气体的过滤。本实施例提供的过滤器60能够增加气体与过滤网61的接触面积，提高过滤效率。
在上述实施例中，各管道外周侧还可以设置有保温壳体(图中未示出)，保温壳体例如可以采用保温棉，以对各管道进保温，防止热量散失，提高热能利用率。
依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (12)

1.一种退火装置，其特征在于，包括：
退火腔室，用于容纳待处理基板，并对所述待处理基板退火处理，所述退火腔室具有进气端与出气端；
供气设备，用于向所述退火腔室提供目标气体，所述供气设备包括多个加热管道，多个所述加热管道阵列排布，多个所述加热管道的连接口分散分布于所述进气端，各所述加热管道均通过所述连接口与所述退火腔室连通，所述加热管道包括电磁感应加热管道，所述电磁感应加热管道用于对所述目标气体加热，所述加热管道具有沿自身延伸方向贯穿设置的多个通道；
控制器，用于分别控制所述加热管道对所述目标气体进行加热，以使进入所述加热管道的目标气体加热后输送至所述退火腔室。
2.根据权利要求1所述的退火装置，其特征在于，进一步包括流量调节器，所述流量调节器与所述加热管道一一对应设置，以检测各所述加热管道的流量；
所述控制器进一步用于分别控制所述流量调节器，以调节各所述加热管道的输送至所述退火腔室的所述目标气体的流量。
3.根据权利要求1所述的退火装置，其特征在于，所述供气设备进一步包括预热管道，所述预热管道与各所述加热管道连通，以向所述加热管道提供预加热的目标气体；
所述控制器进一步用于控制所述预热管道对所述目标气体进行加热，以使进入所述预热管道的所述目标气体经预加热后输送至各所述加热管道。
4.根据权利要求3所述的退火装置，其特征在于，进一步包括第一温度检测组件，用于检测所述目标气体的温度；
所述控制器进一步用于根据所述第一温度检测组件的检测结果调节所述预热管道与所述加热管道的加热温度。
5.根据权利要求4所述的退火装置，其特征在于，所述第一温度检测组件包括第一温度检测器，所述第一温度检测器与所述加热管道一一对应设置，以检测各所述加热管道内的所述目标气体的温度；
和/或，
所述温度检测组件包括第二温度检测器，所述第二温度检测器与所述预热管道连接，所述第二温度检测器用于检测所述预热管道内的所述目标气体的温度。
6.根据权利要求3或4所述的退火装置，其特征在于，进一步包括多个第二温度检测组件，多个所述第二温度检测组件设置于所述退火腔室内，多个所述第二温度检测组件用于检测所述退火腔室内不同区域的温度；
所述控制器进一步用于根据所述第二温度检测组件的检测结果，调节各所述加热管道的加热温度和/或各所述加热管道的输送至所述退火腔室的所述目标气体的流量。
7.根据权利要求6所述的退火装置，其特征在于，所述退火腔室内设置有多个分流板，以将所述退火腔室分为相互隔离且沿所述进气端至出气端方向延伸的多个子腔室，每个所述子腔室设置有至少一个所述第二温度检测组件。
8.根据权利要求3所述的退火装置，其特征在于，所述加热管道与所述预热管道均包括电磁感应加热管道，所述电磁感应加热管道用于对所述目标气体加热。
9.根据权利要求8所述的退火装置，其特征在于，所述加热管道与所述预热管道均具有沿自身延伸方向贯穿设置的多个通道。
10.根据权利要求1所述的退火装置，其特征在于，进一步包括循环管道，所述循环管道连接于所述供气设备与所述退火腔室的出气端之间，以使所述退火腔室的出气端排出的气体经所述循环管道进入所述供气设备。
11.根据权利要求10所述的退火装置，其特征在于，所述循环管道内设置有过滤器，所述过滤器用于对经所述退火腔室的出气端排出的气体进行过滤。
12.根据权利要求1所述的退火装置，其特征在于，每个所述加热管道均对应设置有一个所述连接口。
CN202010123013.3A 2020-02-27 2020-02-27 退火装置 Active CN111312624B (zh)

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US10276411B2 (en) * 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
CN207651457U (zh) * 2017-12-22 2018-07-24 昆山成功环保科技有限公司 一种晶圆热处理装置
CN207904321U (zh) * 2018-03-09 2018-09-25 昆山国显光电有限公司 一种退火系统
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