CN111309705A - 基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法 - Google Patents
基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111309705A CN111309705A CN201910132398.7A CN201910132398A CN111309705A CN 111309705 A CN111309705 A CN 111309705A CN 201910132398 A CN201910132398 A CN 201910132398A CN 111309705 A CN111309705 A CN 111309705A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- defect
- lift
- database
- distortion rate
- electrode capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 202
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000013139 quantization Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000011002 quantification Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 14
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 241000270295 Serpentes Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9515—Objects of complex shape, e.g. examined with use of a surface follower device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法，涉及无损检测信号处理领域，包括：基于模型仿真并插值构建带被测试件材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系，根据对已知尺寸缺陷的实验检测结果修正模型和实验的关系，利用未知缺陷检测结果呈现的多提离下畸变率特征以反演开口缺陷深度h和宽度d，以实现单对电极电容成像用于开口缺陷的定量化检测。本发明通过仿真建立数据库，实验修正数据库，最后再应用于实验量化中，实验表明该方法合理有效且具有较高的量化精度，为缺陷的三维重构提供精确的缺陷二维量化尺寸以最终结合蛇形面扫描数据实现缺陷三维重构。
Description
技术领域
本发明涉及无损检测信号处理领域，尤其涉及一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法。
背景技术
电容成像是一种新型的无损检测技术，其利用共面电容极板间的边缘场实现单边的非接触、非侵入式检测，实现将共面电容作为检测探头在被测试件上方扫查并对检测结果直接成像，检测结果直观形象且适用于广泛的非金属材料和金属材料表面的无损探伤，对于解决如绝缘包覆下管道腐蚀、非金属材料多类型缺陷等现实科技难题具有重要的科学研究和实际应用意义。
现有技术中，对于电容成像无损检测技术的研究已经从无到有取得了一些阶段性的成功，建立了相对完善的探头设计原则，开发了功能完善的软硬件检测系统，形成一套适用不同材料应用的解决方案以及缺陷识别方法。作为一种全新的无损检测技术，电容成像正处于理论体系完善和技术推广的阶段，已经可以初步实现缺陷的检出，再通过结合提离效应理论实现对不同类型缺陷的区分，然而对于检测领域中缺陷识别至关重要的最后一步缺陷尺寸量化方法的研究却较为匮乏。缺陷识别包括实现缺陷的检出、缺陷种类的区分以及缺陷尺寸的量化，然而现有技术中仅仅通过对检测成像结果的肉眼观察来定性判断缺陷的大小，从未对缺陷大小的量化给出适当的解决方案。然而缺陷的尺寸大小对于实际应用却极为关键，尤其在一些特殊的领域例如航空航天军事领域或石油工业领域，对材料或者结构的无损检测不仅仅限于检出缺陷的存在与否，更提出了定量无损检测的概念与要求。即要求能够定量给出所测缺陷的相关特征参数，例如缺陷的大小、位置、埋藏深度等，对于缺陷的量化研究也就变得至关重要。当利用电容成像探头对一个任意形状开口缺陷如图1所示扫描时，扫描路径为蛇形面扫描如图2所示。对于整个缺陷的俯视图截面可以看成若干个矩形叠加而成。因此我们对于蛇形扫描路径中的每一条越过缺陷的线扫描结果忽略沿Y轴尺寸，需要我们量化的缺陷特征参数则缩减为一个沿X轴的宽度和沿Z轴的深度。而所忽略的Y轴误差取决于蛇形扫描Y轴方向设置的步长精度和所用探头的Y轴宽度。如果我们可以组成整个蛇形面扫描的检测数据中的每一条越过缺陷的线扫描精确量化出宽度和深度信息，则可以结合Y轴的扫描步长勾勒出缺陷轮廓信息即完成了缺陷的定量化。同时基于电容成像技术的原理，其用于金属材料检测时可以测得的是金属表面缺陷，其用于非金属材料检测时，表面缺陷检出的效果更明显。
因此，有必要提出一种针对开口缺陷单对电极电容成像每条线扫描的合理的、高精度的缺陷宽度和深度两个方向尺寸的量化方法。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法，基于仿真模型构建带被测试件材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系，同时根据对已知尺寸缺陷的实验检测修正模型和实验关系，最后利用未知缺陷检测结果呈现的多提离下畸变率特征以反演开口缺陷深度h和宽度d，以实现单对电极电容成像用于开口缺陷的定量化检测。
本发明提供了一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法，应用于基于多次提离下单对电极电容成像检测到的缺陷信号的量化，包括：仿真构建带被测试件材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系粗数据库，其中所述多提离包含有限n个依次增大的提离距离(L1<L2<……<Ln-1<Ln)；根据量化精度的需求对所述粗数据库插值构建开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库；对已知尺寸缺陷进行多提离单对电极电容成像检测；处理检测结果，获取所测已知尺寸缺陷多提离下畸变率；从所述构建的细数据库中找出所述已知尺寸缺陷深度h和宽度d对应的仿真缺陷畸变率，拟合实验与仿真畸变率关系拟合校正曲线；依据实验与仿真畸变率关系校正拟合曲线映射新的开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库；对欲量化检测的未知尺寸缺陷进行多提离单对电极电容成像检测；处理检测结果，获取所测未知尺寸缺陷多提离下畸变率；遍历所述新的细数据库，通过对所述获取的未知尺寸缺陷多提离下畸变率配比所述新的细数据库反演对应的开口缺陷深度h和宽度d。
所述有限n个依次增大的提离距离，包括：至少两个(n≥2)依次增大的提离距离，且n越多，量化的缺陷深度h和宽度d的偶然误差越低。
所述对已知尺寸缺陷进行多提离单对电极电容成像检测，包括：至少两个已知尺寸缺陷；已知缺陷深度h和宽度d在所述构建的粗数据库范围内。
所述拟合实验与仿真畸变率关系拟合校正曲线采用线性拟合。
所述遍历所述新的细数据库，通过对所述获取的未知尺寸缺陷多提离下畸变率配比所述新的细数据库反演对应的开口缺陷深度h和宽度d，包括：所述遍历数据库采用matlab编程设计联动多个提离进行配比，所述配比方法采用找寻所述获取的所测未知尺寸缺陷多提离下畸变率在某一开口缺陷深度h和宽度d情况下与对应每个提离下所述映射后新的细数据库之间距离和最短，所述某一开口缺陷深度h和宽度d即为缺陷尺寸量化结果。
本发明的有益效果是：提供了一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法，应用于基于多次提离下单对电极电容成像检测技术的缺陷检测信号；将量化的维度从三维降为二维，缺陷特征参数简化缩减为一个沿X轴的宽度和沿Z轴的深度；利用多个提离下的缺陷畸变率特征量去反解开口缺陷深度h和宽度d，两个未知量通过两个提离即可给出唯一的解且利用的提离越多求解的精度越高即量化误差越小；利用开口槽模型采用仿真构建带被测试件材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系粗数据库；再根据量化精度的需求对所述粗数据库插值构建开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库；利用两个及以上已知尺寸缺陷的电容成像多提离检测实验畸变率和细数据库中对应的仿真缺陷畸变率去拟合实验与仿真畸变率关系拟合校正曲线，利用拟合校正曲线方程修正数据库，解决仿真中电容畸变率与实验系统测得的探头输出电压畸变率的对应关系问题；对未知尺寸缺陷实验畸变率遍历修正后的数据库，实现未知尺寸缺陷的深度h和宽度d的量化，为缺陷的三维重构提供精确的缺陷二维量化尺寸以最终结合蛇形面扫描数据实现缺陷三维重构。
附图说明
图1为本发明背景技术提供的任一形状开口缺陷示意图；
图2为本发明背景技术提供的电容成像探头应用于任一形状开口缺陷蛇形扫描示意图；
图3为本发明实施例提供的基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法示意图；
图4为本发明实施例提供的带被测试件材料属性的欲量化的开口槽缺陷电容成像检测模型示意图；
图5为本发明实施例提供的带被测试件材料属性的无缺陷电容成像检测模型示意图；
图6为本发明实施例提供的基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法构建的带被测试件材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系粗数据库；
图7为本发明实施例提供的基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法构建的带被测试件材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库；
图8为本发明实施例提供的2mm提离三个已知尺寸缺陷电容成像实验与仿真畸变率关系拟合校正曲线；
图9为本发明实施例提供的4mm提离三个已知尺寸缺陷电容成像实验与仿真畸变率关系拟合校正曲线；
图10为本发明实施例提供的依据实验与仿真畸变率关系校正拟合曲线映射新的开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例只是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下获取的其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中，所述方法应用于基于多次提离下单对电极电容成像检测技术的缺陷检测信号；利用多个提离下的缺陷畸变率特征量去量化开口缺陷深度h和宽度d；采用仿真建立数据库，实验修正数据库，最后再应用于实验量化中，计算量化误差以验证该方法的有效性。
图3为本发明实施例提供的基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法示意图，如图所示，包括：
S101，仿真构建带被测试件材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系粗数据库，其中所述多提离包含有限n个依次增大的提离距离(L1<L2<……<Ln-1<Ln)；S102，插值构建开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库。
具体的，仿真构建带被测试件材料属性的欲量化开口槽缺陷电容成像检测模型如图4所示，设置被测材料属性并在模型中对槽缺陷的深度h和宽度d做参数化扫描以获得不同深度h和宽度d的电容探头输出值，再仿真构建带被测试件材料属性的欲量化的无缺陷电容成像检测模型如图5所示以获得无缺陷时电容探头输出值；借助数据处理软件，利用获取的不同深度h和宽度d缺陷的电容探头输出值与无缺陷时电容探头输出值求出不同深度h和宽度d对应的缺陷畸变率；改变图4和图5两个模型的提离距离即改变探头与被测试件的距离，使得构建的数据库至少包括两个及以上提离；本实施例给出的模型采用铝板被测材料即开口缺陷为金属表面开口缺陷，构建的数据库选取两个提离距离分别为2mm和4mm，缺陷深度h范围为1mm至10mm，缺陷宽度d范围为4mm至16mm；图6为本发明实施例提供的基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法构建的带被测试件材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系粗数据库；再根据量化精度需求，借助数据处理软件对所述粗数据库插值处理构建开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库；图7为本发明实施例提供的基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法构建的带被测试件材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库；
S103，对两个及以人工预制已知尺寸缺陷且缺陷深度h和宽度d在构建的数据库范围内进行多提离单对电极电容成像检测；S104，处理检测结果，获取所测已知尺寸缺陷多提离下畸变率；S105，从所述构建的细数据库中找出所述已知尺寸缺陷深度h和宽度d对应的仿真缺陷畸变率，拟合实验与仿真畸变率关系拟合校正曲线；
具体的，选取三个人工预制已知尺寸且尺寸在所构建的数据库范围内的铝槽缺陷，尺寸分别选取h1＝1mm，d1＝12mm、h2＝2mm，d2＝12mm、h3＝3mm，d3＝12mm；对选取的三个缺陷进行2mm提离和4mm提离单对电极电容成像检测；借助数据处理软件，处理检测结果，获取所测三个已知尺寸缺陷在2mm提离和4mm提离下畸变率；从所述构建的细数据库中找出所述三个已知尺寸缺陷对应的仿真缺陷畸变率；汇总实验与仿真畸变率对比结果如表1和表2所示；根据表1和表2分别采用线性拟合2mm和4mm实验与仿真畸变率关系拟合校正曲线如图8和图9所示。
表1：2mm提离三个已知尺寸缺陷电容成像实验与仿真畸变率对比
表2：4mm提离三个已知尺寸缺陷电容成像实验与仿真畸变率对比
S106，依据实验与仿真畸变率关系校正拟合曲线映射新的开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库如图10所示；
S107，对欲量化检测的未知尺寸缺陷进行多提离单对电极电容成像检测；S108，处理检测结果，获取所测未知尺寸缺陷多提离下畸变率；S109，遍历所述新的细数据库，通过对所述获取的未知尺寸缺陷多提离下畸变率配比所述新的细数据库反演对应的开口缺陷深度h和宽度d。
具体的，选取一个欲量化的未知尺寸缺陷在2mm和4mm提离下进行单对电极电容成像检测；借助数据处理软件，处理检测结果，获取所测未知尺寸缺陷在2mm和4mm提离下的畸变率如表3所示：
表3：未知尺寸缺陷在2mm和4mm提离下的畸变率
通过对所述获取的未知尺寸缺陷多提离下畸变率配比所述新的细数据库反演对应的开口缺陷深度h和宽度d；所述遍历数据库采用matlab编程设计联动多个提离进行配比，所述配比方法采用找寻所述获取的所测未知尺寸缺陷多提离下畸变率在某一开口缺陷深度h和宽度d情况下与对应每个提离下所述映射后新的细数据库之间距离和最短，所述某一开口缺陷深度h和宽度d即为缺陷尺寸量化结果；通过后期对未知尺寸缺陷的测量，尺寸测量结果为h＝3mm，d＝10mm，计算量化误差结果如表4所示，计算结果表明该方法合理有效且具有较高的量化精度。
表4：反演对应的开口缺陷深度h和宽度d结果
本发明提供了一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法，应用于基于多次提离下单对电极电容成像检测技术的缺陷检测信号；将量化的维度从三维降为二维，缺陷特征参数简化缩减为一个沿X轴的宽度和沿Z轴的深度；利用多个提离下的缺陷畸变率特征量去反解开口缺陷深度h和宽度d，两个未知量通过两个提离即可给出唯一的解且利用的提离越多求解的精度越高即量化误差越小；利用开口槽模型采用仿真构建带被测试件材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系粗数据库；再根据量化精度的需求对所述粗数据库插值构建开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库；利用两个及以上已知尺寸缺陷的电容成像多提离检测实验畸变率和细数据库中对应的仿真缺陷畸变率去拟合实验与仿真畸变率关系拟合校正曲线，利用拟合校正曲线方程修正数据库，解决仿真中电容畸变率与实验系统测得的探头输出电压畸变率的对应关系问题；对未知尺寸缺陷实验畸变率遍历修正后的数据库，实现未知尺寸缺陷的深度h和宽度d的量化，为缺陷的三维重构提供精确的缺陷二维量化尺寸以最终结合蛇形面扫描数据实现缺陷三维重构。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (5)
1.一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法，应用于基于多次提离下单对电极电容成像检测技术检测到的缺陷信号的量化，其特征在于，包括：
仿真构建带被测材料属性的欲量化开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系粗数据库，其中所述多提离包含有限n个依次增大的提离距离(L1<L2<……<Ln-1<Ln)；根据量化精度的需求对所述粗数据库插值构建开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库；
对已知尺寸缺陷进行多提离单对电极电容成像检测；处理检测结果，获取所测已知尺寸缺陷多提离下畸变率；从所述构建的细数据库中找出所述已知尺寸缺陷深度h和宽度d对应的仿真缺陷畸变率，拟合实验与仿真畸变率关系拟合校正曲线；
依据实验与仿真畸变率关系校正拟合曲线映射新的开口缺陷深度h和宽度d与多提离下单对电极电容成像检测缺陷畸变率ΔC关系细数据库；
对欲量化检测的未知尺寸缺陷进行多提离单对电极电容成像检测；处理检测结果，获取所测未知尺寸缺陷多提离下畸变率；遍历所述新的细数据库，通过对所述获取的未知尺寸缺陷多提离下畸变率配比所述新的细数据库反演对应的开口缺陷深度h和宽度d。
2.根据权利要求1所述的一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法，其特征在于，所述有限n个依次增大的提离距离，包括：
至少两个(n≥2)依次增大的提离距离，且n越多，量化的缺陷深度h和宽度d的偶然误差越低。
3.根据权利要求1所述的一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法，其特征在于，所述对已知尺寸缺陷进行多提离单对电极电容成像检测，包括：
至少两个已知尺寸缺陷；
已知缺陷深度h和宽度d在所述构建的粗数据库范围内。
4.根据权利要求1所述的一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法，其特征在于，所述拟合实验与仿真畸变率关系拟合校正曲线采用线性拟合。
5.根据权利要求1所述的一种基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法，其特征在于，所述遍历所述新的细数据库，通过对所述获取的未知尺寸缺陷多提离下畸变率配比所述新的细数据库反演对应的开口缺陷深度h和宽度d，包括：
所述遍历数据库采用matlab编程设计联动多个提离进行配比，所述配比方法采用找寻所述获取的所测未知尺寸缺陷多提离下畸变率在某一开口缺陷深度h和宽度d情况下与对应每个提离下所述映射后新的细数据库之间距离和最短，所述某一开口缺陷深度h和宽度d即为缺陷尺寸量化结果。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910132398.7A CN111309705A (zh) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910132398.7A CN111309705A (zh) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111309705A true CN111309705A (zh) | 2020-06-19 |
Family
ID=71144697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910132398.7A Pending CN111309705A (zh) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111309705A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114035013A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-02-11 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 缺陷诊断方法和缺陷诊断装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104458834A (zh) * | 2014-12-05 | 2015-03-25 | 燕山大学 | 一种材料缺陷检测设备以及材料缺陷检测方法 |
| CN106940343A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-07-11 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种基于阵列电磁传感器的材料微损伤检测方法及系统 |
| CN107422002A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-12-01 | 燕山大学 | 基于局部分形维的平面阵列电容成像缺陷检测定位方法 |
| CN108362746A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-08-03 | 中国石油大学(华东) | 基于单对电极电容成像检测技术提离效应的缺陷判别方法 |
| US20180275099A1 (en) * | 2017-03-22 | 2018-09-27 | Tsinghua University | Method for reconstructing defect |
| CN108828009A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-11-16 | 中国石油大学(华东) | 一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法 |
-
2019
- 2019-02-22 CN CN201910132398.7A patent/CN111309705A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104458834A (zh) * | 2014-12-05 | 2015-03-25 | 燕山大学 | 一种材料缺陷检测设备以及材料缺陷检测方法 |
| US20180275099A1 (en) * | 2017-03-22 | 2018-09-27 | Tsinghua University | Method for reconstructing defect |
| CN106940343A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-07-11 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种基于阵列电磁传感器的材料微损伤检测方法及系统 |
| CN107422002A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-12-01 | 燕山大学 | 基于局部分形维的平面阵列电容成像缺陷检测定位方法 |
| CN108362746A (zh) * | 2018-02-01 | 2018-08-03 | 中国石油大学(华东) | 基于单对电极电容成像检测技术提离效应的缺陷判别方法 |
| CN108828009A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-11-16 | 中国石油大学(华东) | 一种基于多对电极电容成像检测技术判别非导体缺陷深度的方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| YIN XIANKANG 等: "LIFT-OFF EFFECT FOT CAPACITIVE IMAGING SENSORS" * |
| 李伟 等: "U型ACFM探头精确建模和实验测试" * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114035013A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-02-11 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 缺陷诊断方法和缺陷诊断装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6188218B1 (en) | Absolute property measurement with air calibration | |
| Dziczkowski | Elimination of coil liftoff from eddy current measurements of conductivity | |
| US8374803B2 (en) | Damage detection apparatus, damage detection method and recording medium | |
| CN110231394A (zh) | 基于交流电磁场的非铁磁性材料不规则裂纹成像方法 | |
| CN111023960A (zh) | 一种基于透明导电薄膜电极材料的非接触式漆膜厚度无损检测系统及检测方法 | |
| CN111309705A (zh) | 基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法 | |
| CN113640369B (zh) | 适用于金属表面裂纹的交流电磁场提离效应补偿方法 | |
| CN111999378B (zh) | 一种基于tmr传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法 | |
| Chen et al. | Sub-pixel dimensional measurement with Logistic edge model | |
| Stępień | Testing the accuracy of surface roughness measurements carried out with a portable profilometer | |
| CN111044604B (zh) | 一种acfm单轴磁信号评估方法 | |
| CN113075289B (zh) | 一种金属圆柱缺陷参数检测方法及系统 | |
| Martens et al. | Fast precise eddy current measurement of metals | |
| Betta et al. | Calibration and adjustment of an eddy current based multi-sensor probe for non-destructive testing | |
| JPH02205701A (ja) | コンクリート構造物における鉄筋位置測定方法 | |
| Ding et al. | 3D visual reconstruction of corrosion in underwater structure using alternating current field measurement technique | |
| Davoust et al. | Robust estimation of flaw dimensions using remote field eddy current inspection | |
| Huang et al. | Magnetic Flux Leakage: Theories and Imaging Technologies | |
| Ansari et al. | Single-frequency apparent eddy current conductivity assessment of metallic coating thicknesses over nonmagnetic metals | |
| Danzl et al. | Optical roughness measurements on specially designed roughness standards | |
| Lv et al. | Analytical modelling for edge effects and impedance characteristics of the transverse eddy current displacement sensors with rectangular coils | |
| Ma et al. | Imaging and quantitative detection of complex defects with a flexible electromagnetic array sensor | |
| JPH0989750A (ja) | 導電性多孔質体の気孔率評価方法及びその装置 | |
| CN111780695B (zh) | 一种用dvc变形算法来评价ct尺寸测量精度的方法 | |
| CN109029200A (zh) | 一种变厚度汽车板的离线检测方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| AD01 | Patent right deemed abandoned |
Effective date of abandoning: 20231229 |
|
| AD01 | Patent right deemed abandoned |