CN111308319B - 倒装芯片测试的方法及系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种倒装芯片测试的方法及系统。该方法包括：获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片；通过倒装机台和正装机台分别获取N个倒装芯片的第一组亮度值和第二组亮度值；获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值及亮度比值的平均值；获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；获取波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值；根据第三亮度值、算术平均值及第一修正值的乘积获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；其中，N为大于等于2的整数。通过该方法可以对正装机台的亮度测试值进行修正，进而达到利用正装机台测试倒装产品的亮度值的目的，从而提高正装机台的利用率，降低生产成本。

Description

倒装芯片测试的方法及系统
技术领域
本发明涉及光电技术领域，特别是涉及一种倒装芯片测试的方法及一种倒装芯片测试的系统。
背景技术
传统的倒装芯片由于本身结构的特性背面出光，使用正装测试机台不能进行芯片参数的准确测试，只能使用倒装测试机台进行测试，与使用正装测试机台和倒装测试机台同时测试芯片相比芯片测试的效率较低，测试成本较高。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题，提供一种新的倒装芯片测试的方法及新的倒装芯片测试的系统。
一种倒装芯片测试的方法,包括：
获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片；
使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值；
使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值；
根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取所述N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；
根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；
使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值；
根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；
其中，N为大于等于2的整数。
在其中一个实施例中，获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片的步骤包括：
获取全波段范围内的N个不同波长的倒装芯片；
将所述N个不同波长的倒装芯片排列在蓝膜上形成所述校准方片。
在其中一个实施例中，所述全波段范围的N个倒装芯片包括波长大于等于445纳米且小于等于465纳米的倒装芯片。
在其中一个实施例中，根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取所述波长为第一数值的倒装芯片的第一实际亮度值之前还包括步骤：
获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片；
使用所述倒装机台测试所述第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度后，获取所述M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值；
使用所述正装机台测试所述M个倒装芯片的亮度后，获取所述M个倒装芯片的亮度值的第二亮度平均值；
根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平均值的比值与1的差值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值；
根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值还包括：
根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值及所述第一修正值的乘积，获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值；
其中，M为大于等于2的整数。
在其中一个实施例中，使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值步骤还包括：
使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长，得到所述N个倒装芯片主波长的第一波长平均值；
使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值的步骤还包括：
使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长，得到所述N个倒装芯片主波长的第二波长平均值；
所述倒装芯片测试的方法还包括：
根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值，获取所述N个倒装芯片主波长对应的第三修正值；
使用所述正装机台测试波长为第二数值的任意倒装芯片的主波长后，获得第一波长值；
根据所述第一波长值和所述第三修正值之和，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值；
其中，所述第二数值等于所述N个倒装芯片中任意倒装芯片的波长。
在其中一个实施例中，根据所述第一波长值和所述第三修正值之和，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值之前还包括步骤：
获取形成有波长为第二数值的倒装芯片的第二圆片；
使用所述倒装机台测试所述第二圆片上的任意L个倒装芯片的主波长后，获取所述L个倒装芯片的主波长的第三波长平均值；
使用所述正装机台测试所述L个倒装芯片的亮度后，获取所述L个倒装芯片的主波长的第二波长平均值；
根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值，获取波长为第二数值的倒装芯片的主波长的第四修正值；
所述根据所述第一波长值和所述第三修正值之和，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值还包括：
根据所述第一波长值和所述第三修正值之和与所述第四修正值之差，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第二实际主波长值；
其中，所述L为大于等于2的整数。
在其中一个实施例中，所述使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值的步骤包括：
获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第三圆片；
使用所述正装机台测试所述第三圆片上的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值。
上述倒装芯片测试的方法，包括获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片；使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值；使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值；根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取所述N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值；根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；其中，N为大于等于2的整数。本申请分别通过倒装机台和正装机台测试校准方片上具有不同波长的N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值和N个第二亮度值构成的第二组亮度值，根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值中各个芯片对应的亮度值，获取对应的亮度比值及亮度比值的算术平均值，根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度得到的第三亮度值后，即可根据得到的第三亮度值、N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值及波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值，获取该倒装芯片的第一实际亮度值，通过该方法可以对正装机台的亮度测试值进行修正，进而达到利用正装机台测试倒装产品的亮度值的目的，从而提高正装机台的利用率，降低生产成本。
一种倒装芯片测试的系统，用于正装机台的测试，所述系统包括：
测试模块，所述测试模块用于测试倒装芯片的亮度后得到对应的亮度值；
输入模块，所述输入模块用于输入使用倒装机台测试倒装芯片后获取的亮度值；
计算模块，所述计算模块用于获取所述测试模块测试校准方片得到的第二组亮度值和所述输入模块输入的第一组亮度值，所述计算模块还用于根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值分别获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；所述计算模块还用于根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；所述计算模块还用于获取所述测试模块测试得到的波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值，并对所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值取乘积后得到亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；
其中，所述校准方片上形成有不同波长的N个倒装芯片，所述第二组亮度值由测试模块分别测试N个倒装芯片的亮度得到的N个第二亮度值构成的，所述第一组亮度值由输入模块输入的使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度值后得到的N个第一亮度值构成的，N为大于等于2的整数。
在其中一个实施例中，所述校准方片上的N个倒装芯片包括波长大于等于445纳米且小于等于465纳米的倒装芯片。
在其中一个实施例中，所述计算模块还用于获取通过所述输入模块输入的使用倒装机台测试形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度值后计算获得所述M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值；所述计算模块还用于获取测试模块测试所述M个倒装芯片的亮度值后计算获得所述M个倒装芯片的亮度值的第二亮度平均值；所述计算模块还用于根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平均值的比值与1的差值获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值；所述计算模块还用于根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值及所述第一修正值的乘积获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值；
其中，M为大于等于2的整数。
上述系统，用于正装机台的测试，该系统包括测试模块，所述测试模块用于测试倒装芯片的亮度后得到对应的亮度值；输入模块，所述输入模块用于输入使用倒装机台测试倒装芯片后获取的亮度值；计算模块，所述计算模块用于获取所述测试模块测试校准方片得到的第二组亮度值和所述输入模块输入的第一组亮度值；所述计算模块还用于根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；所述计算模块还用于根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；所述计算模块还用于获取所述测试模块测试得到的波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值，并对所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值取乘积后，得到亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；其中，所述校准方片上形成有不同波长的N个倒装芯片，所述第二组亮度值由测试模块分别测试N个倒装芯片的亮度得到的N个第二亮度值构成的，所述第一组亮度值由输入模块输入的使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度得到的N个第一亮度值构成的，所述N为大于等于2的整数。本系统通过计算模块获取测试模块测试获得的校准方片上具有不同波长的N个倒装芯片的亮度后，得到的N个第二亮度值构成的第二组亮度值，通过输入模块输入的使用倒装机台测试所述N个倒装芯片的亮度得到的N个第一亮度值构成的第一组亮度值，并根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值中各个倒装芯片对应的亮度值，获取对应的亮度比值及亮度比值的算术平均值，该计算模块还用于根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值，然后对获取的测试模块测试得到的波长为第一数值的任意倒装芯片的亮度得到的第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值取乘积后，得到亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值，通过该系统可以实现对正装机台的亮度测试值进行修正，进而达到利用正装机台测试倒装产品的亮度值的目的，从而提高正装机台的利用率，降低生产成本。
附图说明
图1为一实施例中倒装芯片测试的方法的流程图；
图2为一实施例中获取校准方片的流程图；
图3为一实施例中获取波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值的流程图；
图4为一实施例中获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值之前的流程图；
图5为一实施例中倒装芯片测试的方法的流程图；
图6为一实施例中获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值之前的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本发明的范围。
如图1所示，在一个实施例中，提供一种倒装芯片测试的方法,该方法包括：
S102,获取校准方片。
获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片，其中，N为大于等于2的整数。
如图2所示，在一个实施例中，步骤S102包括：
S202，获取全波段范围内的N个不同波长的倒装芯片。
在一个实施例中，所述全波段范围的N个倒装芯片包括波长大于等于445纳米且小于等于465纳米的倒装芯片，例如波长为445纳米、447纳米、449纳米、451纳米、453纳米、455纳米的倒装芯片。在实际工艺制程中，可以根据实际需要选取具有不同波长的倒装芯片。
在一个实施例中，所述校准方片上波长相邻的两个倒装芯片的波长差相同，例如，波长差为1纳米、2纳米、3纳米、5纳米等。在其他实施例中，所述校准方片上波长相邻的两个倒装芯片的波长差不同。
S204，将所述N个不同波长的倒装芯片排列在蓝膜上形成所述校准方片。
具体为，将S202获取N个不同波长的倒装芯片排列在同一个蓝膜上，形成校准方片。
S104，获取所述N个倒装芯片的第一组亮度值。
使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值。
S106，获取所述N个倒装芯片的第二组亮度值。
使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值。
S108，获取所述N个倒装芯片对应的亮度比值及亮度比值的平均值。
根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取所述N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值。具体为，首先，分别获取每个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度之后，获取第一亮度值和第二亮度的比值作为该倒装芯片的亮度比值，依次获取N个倒装芯片对应的亮度比值，然后，对N个倒装芯片的亮度比值取算术平均得到所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值。
S110，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值。
根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值。
在一个实施例中，第一数值为工艺制程中需要测量亮度的倒装芯片的波长。
S112，获取波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值。
使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到该倒装芯片的第三亮度值。
如图3所示，在一个实施例中，步骤S112包括：
S302，获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第三圆片。
S304，使用所述正装机台测试所述第三圆片上的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值。
S114，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值。
根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值。
如图4所示，在一个实施例中，步骤S114之前还包括：
S402，获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片。
S404，获取所述第一圆片上任意M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值。
使用所述倒装机台测试所述第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度后，获取所述M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值，其中，M为大于等于2的整数。
S406，获取所述M个倒装芯片的亮度值的第二亮度平均值。
使用所述正装机台测试所述M个倒装芯片的亮度后，获取所述M个倒装芯片的亮度值的第二亮度平均值。
S408，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值。
根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平均值的比值与1的差值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值。
步骤S114还包括：根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值及所述第一修正值的乘积，获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值。与第一实际亮度值相比，使用第二修正值修正后获得的第二实际亮度值与亮度为第三亮度值的倒装芯片的真实亮度值更接近，精度更高。
在一个实施例中，步骤S104还包括：使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长，得到所述N个倒装芯片主波长的第一波长平均值。
步骤S106还包括：使用所述倒装机台分别测量所述N个倒装芯片的主波长，得到所述N个倒装芯片主波长的第二波长平均值。
如图5所示，所述倒装芯片测试的方法还包括：
S502，获取所述N个倒装芯片主波长对应的第三修正值。
根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值，获取所述N个倒装芯片主波长对应的第三修正值。
S504，获取波长为第二数值的任意倒装芯片的第一波长值。
使用所述正装机台测试波长为第二数值的任意倒装芯片的主波长后，获得第一波长值，其中，所述第二数值等于所述N个倒装芯片中任意倒装芯片的波长。
S506，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值。
根据所述第一波长值和所述第三修正值之和，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值。
如图6所示，在一个实施例中，步骤S506之前还包括：
S602，获取形成有波长为第二数值的倒装芯片的第二圆片。
S604，获取所述第二圆片上任意L个倒装芯片的主波长的第三波长平均值。
使用所述倒装机台测试所述第二圆片上的任意L个倒装芯片的主波长后，获取所述L个倒装芯片的主波长的第三波长平均值，其中，所述L为大于等于2的整数。
S606，获取所述L个倒装芯片的主波长的第二波长平均值。
使用所述正装机台测试所述L个倒装芯片的亮度后，获取所述L个倒装芯片的主波长的第二波长平均值；
S608，获取波长为第二数值的倒装芯片的主波长的第四修正值。
根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值，获取波长为第二数值的倒装芯片的主波长的第四修正值。
步骤S506还包括：根据所述第一波长值和所述第三修正值之和与所述第四修正值之差，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第二实际主波长值。与第一实际主波长值相比，使用第四修正值修正后获得的第二实际主波长值与波长为第二数值的倒装芯片的的真实主波长值更接近，精度更高。
上述倒装芯片测试的方法，包括获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片；使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值；使用正装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值；根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取所述N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值；根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；其中，N为大于等于2的整数。本申请分别通过倒装机台和正装机台测试校准方片上具有不同波长的N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值和N个第二亮度值构成的第二组亮度值，根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值中各个芯片对应的亮度值，获取对应的亮度比值及亮度比值的算术平均值，根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度得到的第三亮度值后，即可根据得到的第三亮度值、N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值及波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值，获取该倒装芯片的第一实际亮度值，通过该方法可以对正装机台的亮度测试值进行修正，进而达到利用正装机台测试倒装产品的亮度值的目的，从而提高正装机台的利用率，降低生产成本。
在一个实施例中，提供一种倒装芯片测试的系统，所述系统用于正装机台的测试，所述系统包括：
测试模块，所述测试模块用于测试倒装芯片的亮度后得到对应的亮度值。
输入模块，所述输入模块用于输入使用倒装机台测试倒装芯片后获取的亮度值。
计算模块，所述计算模块用于获取所述测试模块测试校准方片得到的第二组亮度值和所述输入模块输入的第一组亮度值；所述计算模块还用于根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；所述计算模块还用于根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；所述计算模块还用于获取所述测试模块测试得到的波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值，并对所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值取乘积后得到亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值。其中，所述校准方片上形成有不同波长的N个倒装芯片，所述第二组亮度值由测试模块分别测试N个倒装芯片的亮度得到的N个第二亮度值构成的，所述第一组亮度值由输入模块输入的使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度值后得到的N个第一亮度值构成的，N为大于等于2的整数。
在一个实施例中，所述校准方片上的N个倒装芯片包括波长大于等于445纳米小于等于465纳米的倒装芯片。
在一个实施例中，所述计算模块还用于获取通过所述输入模块输入的使用倒装机台测试形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度值后，计算获得所述M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值；所述计算模块还用于获取测试模块测试所述M个倒装芯片的亮度值后，计算获得所述M个倒装芯片的亮度值的第二亮度平均值；所述计算模块还用于根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平均值的比值与1的差值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值；所述计算模块还用于根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值及所述第一修正值的乘积，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值；其中，M为大于等于2的整数。
上述系统，用于正装机台的测试，该系统包括测试模块，所述测试模块用于测试倒装芯片的亮度后得到对应的亮度值；输入模块，所述输入模块用于输入使用倒装机台测试倒装芯片后获取的亮度值；计算模块，所述计算模块用于获取所述测试模块测试校准方片得到的第二组亮度值和所述输入模块输入的第一组亮度值；所述计算模块还用于根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；所述计算模块还用于根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；所述计算模块还用于获取所述测试模块测试得到的波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值，并对所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值取乘积后，得到亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；其中，所述校准方片上形成有不同波长的N个倒装芯片，所述第二组亮度值由测试模块分别测试N个倒装芯片的亮度得到的N个第二亮度值构成的，所述第一组亮度值由输入模块输入的使用倒装机台分别测试所述N个倒装芯片的亮度得到的N个第一亮度值构成的，所述N为大于等于2的整数。本系统通过计算模块获取测试模块测试获得的校准方片上具有不同波长的N个倒装芯片的亮度后，得到的N个第二亮度值构成的第二组亮度值，通过输入模块输入的使用倒装机台测试所述N个倒装芯片的亮度得到的N个第一亮度值构成的第一组亮度值，并根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值中各个倒装芯片对应的亮度值，获取对应的亮度比值及亮度比值的算术平均值，该计算模块还用于根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值，然后对获取的测试模块测试得到的波长为第一数值的任意倒装芯片的亮度得到的第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值取乘积后，得到亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值，通过该系统可以实现对正装机台的亮度测试值进行修正，进而达到利用正装机台测试倒装产品的亮度值的目的，从而提高正装机台的利用率，降低生产成本。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种倒装芯片测试的方法,其特征在于，所述方法包括：
获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片；
使用倒装机台分别测试所述校准方片上的N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值；
使用正装机台分别测试所述校准方片上的N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值；
根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值，分别获取所述N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；
根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；
使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值；
根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；
其中，N为大于等于2的整数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片的步骤包括：
获取全波段范围内的N个不同波长的倒装芯片；
将所述N个不同波长的倒装芯片排列在蓝膜上形成所述校准方片。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述全波段范围的N个倒装芯片包括波长大于等于445纳米且小于等于465纳米的倒装芯片。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取所述波长为第一数值的倒装芯片的第一实际亮度值之前还包括步骤：
获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片；
使用所述倒装机台测试所述第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度后，获取所述M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值；
使用所述正装机台测试所述M个倒装芯片的亮度后，获取所述M个倒装芯片的亮度值的第二亮度平均值；
根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平均值的比值与1的差值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值；
所述根据所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值的乘积，获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值还包括：
根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值及所述第一修正值的乘积，获取所述亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值；
其中，所述M为大于等于2的整数。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用倒装机台分别测试所述校准方片上的N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第一亮度值构成的第一组亮度值步骤还包括：
使用所述倒装机台分别测量所述校准方片上的N个倒装芯片的主波长，得到所述N个倒装芯片主波长的第一波长平均值；
使用正装机台分别测试所述校准方片上的N个倒装芯片的亮度后，得到由N个第二亮度值构成的第二组亮度值的步骤还包括：
使用所述倒装机台分别测量所述校准方片上的N个倒装芯片的主波长，得到所述N个倒装芯片主波长的第二波长平均值；
所述方法还包括：
根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值，获取所述N个倒装芯片主波长对应的第三修正值；
使用所述正装机台测试波长为第二数值的任意倒装芯片的主波长后，获得第一波长值；
根据所述第一波长值和所述第三修正值之和，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值；
其中，所述第二数值等于所述N个倒装芯片中任意倒装芯片的波长。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一波长值和所述第三修正值之和，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值之前还包括步骤：
获取形成有波长为第二数值的倒装芯片的第二圆片；
使用所述倒装机台测试所述第二圆片上的任意L个倒装芯片的主波长后，获取所述L个倒装芯片的主波长的第三波长平均值；
使用所述正装机台测试所述L个倒装芯片的亮度后，获取所述L个倒装芯片的主波长的第二波长平均值；
根据所述第二波长平均值和所述第一波长平均值的差值，获取波长为第二数值的倒装芯片的主波长的第四修正值；
所述根据所述第一波长值和所述第三修正值之和，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第一实际主波长值还包括：
根据所述第一波长值和所述第三修正值之和与所述第四修正值之差，获取所述波长为第二数值的倒装芯片的第二实际主波长值；
其中，所述L为大于等于2的整数。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用所述正装机台测试波长为所述第一数值的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值的步骤包括：
获取形成有波长为第一数值的倒装芯片的第三圆片；
使用所述正装机台测试所述第三圆片上的任意倒装芯片的亮度后，得到第三亮度值。
8.一种倒装芯片测试的系统，用于正装机台的测试，其特征在于，所述系统包括：
测试模块，所述测试模块用于测试倒装芯片的亮度后得到对应的亮度值；
输入模块，所述输入模块用于输入使用倒装机台测试倒装芯片后获取的亮度值；
计算模块，所述计算模块用于获取所述测试模块测试校准方片得到的第二组亮度值和所述输入模块输入的第一组亮度值；所述计算模块还用于根据所述第一组亮度值和所述第二组亮度值分别获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值，及所述N个倒装芯片的亮度比值的算术平均值；所述计算模块还用于根据所述N个倒装芯片中波长为第一数值的倒装芯片的亮度比值与所述算术平均值的比值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第一修正值；所述计算模块还用于获取所述测试模块测试得到的波长为第一数值的任意倒装芯片的第三亮度值，并对所述第三亮度值、所述算术平均值及所述第一修正值取乘积后，得到亮度为第三亮度值的倒装芯片的第一实际亮度值；
其中，所述校准方片上形成有不同波长的N个倒装芯片，所述第二组亮度值由测试模块分别测试校准方片上的N个倒装芯片的亮度得到的N个第二亮度值构成的，所述第一组亮度值由输入模块输入的使用倒装机台分别测试所述校准方片上的N个倒装芯片的亮度值后得到的N个第一亮度值构成的，所述N为大于等于2的整数。
9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述校准方片上的N个倒装芯片包括波长大于等于445纳米且小于等于465纳米的倒装芯片。
10.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述计算模块还用于获取通过所述输入模块输入的使用倒装机台测试形成有波长为第一数值的倒装芯片的第一圆片上的任意M个倒装芯片的亮度值后，计算获得所述M个倒装芯片的亮度值的第一亮度平均值；所述计算模块还用于获取测试模块测试所述M个倒装芯片的亮度值后，计算获得所述M个倒装芯片的亮度值的第二亮度平均值；所述计算模块还用于根据所述第二亮度平均值和所述第一亮度平均值的比值与1的差值，获取波长为第一数值的倒装芯片的亮度的第二修正值；所述计算模块还用于根据所述算术平均值和所述第二修正值之差与所述第三亮度值及所述第一修正值的乘积，获取亮度为第三亮度值的倒装芯片的第二实际亮度值；
其中，所述M为大于等于2的整数。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103149524A (zh) * 2013-02-25 2013-06-12 东莞市福地电子材料有限公司 一种倒装led芯片测试机与测试方法
CN103245901A (zh) * 2013-04-26 2013-08-14 东莞市福地电子材料有限公司 一种倒装led芯片测试机和测试方法
CN203217044U (zh) * 2013-02-25 2013-09-25 东莞市福地电子材料有限公司 一种倒装led芯片测试机
KR20160026254A (ko) * 2014-08-29 2016-03-09 (주)큐엠씨 전자부품 검사장치
CN205103368U (zh) * 2015-08-28 2016-03-23 大连德豪光电科技有限公司 一种倒装led芯片光电性能测试装置
CN108414914A (zh) * 2018-06-08 2018-08-17 湖州靖源信息技术有限公司 一种倒装led芯片收光测试机
CN111293050A (zh) * 2020-02-17 2020-06-16 映瑞光电科技(上海)有限公司 芯片亮度值测试的方法及系统

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103149524A (zh) * 2013-02-25 2013-06-12 东莞市福地电子材料有限公司 一种倒装led芯片测试机与测试方法
CN203217044U (zh) * 2013-02-25 2013-09-25 东莞市福地电子材料有限公司 一种倒装led芯片测试机
CN103245901A (zh) * 2013-04-26 2013-08-14 东莞市福地电子材料有限公司 一种倒装led芯片测试机和测试方法
KR20160026254A (ko) * 2014-08-29 2016-03-09 (주)큐엠씨 전자부품 검사장치
CN205103368U (zh) * 2015-08-28 2016-03-23 大连德豪光电科技有限公司 一种倒装led芯片光电性能测试装置
CN108414914A (zh) * 2018-06-08 2018-08-17 湖州靖源信息技术有限公司 一种倒装led芯片收光测试机
CN111293050A (zh) * 2020-02-17 2020-06-16 映瑞光电科技(上海)有限公司 芯片亮度值测试的方法及系统

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