CN111305834A - 基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法 - Google Patents

基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法 Download PDF

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CN111305834A CN202010116809.6A CN202010116809A CN111305834A CN 111305834 A CN111305834 A CN 111305834A CN 202010116809 A CN202010116809 A CN 202010116809A CN 111305834 A CN111305834 A CN 111305834A
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Abstract

本发明实施例提供了一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法及系统，所述方法首先获取测井曲线，并基于测井曲线对目的层进行分层；然后基于分层结果，对测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；最后对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。通过对测井曲线中的视电阻率进行校正，可以获取更贴近于真实地层的真电阻率，并作为基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型的电阻率。通过本发明实施例中提供的方法，可以解决现有技术中初始模型精度不高的问题，可以有效的减少反演的迭代次数，加快整个三维反演流程，可为储层评价与薄油层分布提供技术保障。

Description

基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法
技术领域
本发明涉及多探测模式电阻率测井技术领域，更具体地，涉及基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法。
背景技术
随着石油天然气等资源的地球物理勘查工作的推进，如何获取地底下真实地层分布至关重要。
现有技术中通常通过正演和反演相结合的方式确定最终的地层模型，由于反演是通过不断改变地层模型进行正演并与视电阻率的测量值进行对比，初始模型的选取对反演收敛速度至关重要。常规初始模型的选取方法通常是直接采用测井所得到的视电阻率值作为初始模型或者通过一个均质体作为初始模型，通过这种方法，由于初始模型和真实地层相差过远，会大大加大反演迭代次数，使得反演效率低下。
因此，现急需提供一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法。
发明内容
为克服上述问题或者至少部分地解决上述问题，本发明实施例提供了一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法。
第一方面，本发明实施例提供了一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，包括：
获取测井曲线，并基于所述测井曲线对目的层进行分层；
基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；
对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。
优选地，所述基于所述测井曲线对目的层进行分层，具体包括：
对所述测井曲线中的视电阻率进行方差分析，确定所述测井曲线的拐点和半幅点，将所述拐点和所述半幅点处对应的位置作为所述目的层的界面；或者，
基于所述测井曲线中的视电阻率与所述目的层的预设电阻率，将所述测井曲线中与预设电阻率相同的视电阻率对应的位置进行归并，以对所述目的层进行分层；或者，
基于统计方法，对所述目的层进行分层。
优选地，所述基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率，具体包括：
基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行层厚-围岩影响校正；
对层厚-围岩影响校正后的视电阻率进行井眼影响校正；
对井眼影响校正后的视电阻率进行伪几何因子约束校正，得到真电阻率。
优选地，所述基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行层厚-围岩影响校正，具体包括：
建立基于多探测模式电阻率测井的多层地层模型，并基于所述多层地层模型，正演出不同地层的层厚及不同地层的电阻率变化时的视电阻率并建立层厚-围岩影响校正图版；
基于分层结果，确定所述目的层内中间地层的层厚，并根据所述层厚-围岩影响校正图版，对所述测井曲线中的视电阻率进行层厚-围岩影响校正。
优选地，所述对层厚-围岩影响校正后的视电阻率进行井眼影响校正，具体包括：
建立基于多探测模式电阻率测井的多层地层模型，并基于所述多层地层模型，正演出不同地层电阻率变化时的视电阻率并建立井眼影响校正图版；
根据所述井眼影响校正图版，对层厚-围岩影响校正后的视电阻率进行井眼影响校正。
优选地，所述对井眼影响校正后的视电阻率进行伪几何因子约束校正，得到真电阻率，具体包括：
基于井眼影响校正后的视电阻率，通过伪几何因子公式以及目标约束条件确定不同探测模式下的侵入带电阻率，并将所述侵入带电阻率作为所述真电阻率。
优选地，所述对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值，具体包括：
将所述真电阻率进行预处理，得到每个纵向水平面的面电阻率，并基于每个所述面电阻率计算实验变异函数并对所述实验变异函数进行拟合，得到理论变异函数；
基于所述理论变异函数确定用于进行克里金插值的权系数，并基于所述权系数对所述真电阻率进行克里金插值；
确定正演所需的有限元网格，并基于克里金插值得到的结果，对所述有限元网格进行电阻率赋值。
第二方面，本发明实施例提供了一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建系统，包括：分层模块、校正模块和赋值模块。其中，
分层模块用于获取测井曲线，并基于所述测井曲线对目的层进行分层；
校正模块用于基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；
赋值模块用于对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。
第三方面，本发明实施例提供了一种电子设备，包括：存储器、处理器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如第一方面所述的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法的步骤。
第四方面，本发明实施例提供了一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如第一方面所述的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法的步骤。
本发明实施例提供的一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法及系统，所述方法首先获取测井曲线，并基于测井曲线对目的层进行分层；然后基于分层结果，对测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；最后对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。通过对测井曲线中的视电阻率进行校正，可以获取更贴近于真实地层的电阻率值，并作为基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型的电阻率值。通过本发明实施例中提供的方法，可以解决现有技术中初始模型精度不高的问题，可以有效的减少反演的迭代次数，加快整个三维反演流程，可为储层评价与薄油层分布提供技术保障。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法中某探测模式下测井曲线的具体示意图；
图3为本发明实施例提供的一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法中层厚-围岩影响校正图版的具体示意图；
图4为本发明实施例提供的一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法中井眼影响校正图版的具体示意图；
图5为本发明实施例提供的一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法中伪几何因子约束校正后得到的真电阻率曲线示意图；
图6为本发明实施例提供的一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法中原始真实地层电阻率曲线示意图；
图7为本发明实施例提供的一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法中克里金插值的流程示意图；
图8为本发明实施例提供的一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建系统的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明实施例提供了一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，包括：
S1，获取测井曲线，并基于所述测井曲线对目的层进行分层；
S2，基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；
S3，对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。
具体地，本发明实施例提供的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，其执行主体为服务器，具体可以是电脑或云端服务器，本发明实施例中对此不作具体限定。
首先执行步骤S1，本发明实施例中可以通过测井响应得到测井曲线，某探测模式下测井曲线的具体示意图如图2所示，横坐标为纵向深度，单位为m，纵坐标为视电阻率，单位为Ω·m。视电阻率用于表征多探测模式电阻率测井响应特征。结合测井曲线，对目的层进行分层，即找到目的层的上下层界面，将目的层划分为不同属性的多个地层。
然后执行步骤S2，分层结果中可以包括分层得到的各地层以及每个地层的层厚，可以根据分层结果对测井曲线中的视电阻率进行校正，校正方法具体可以包括层厚-围岩影响校正、井眼影响校正以及伪几何因子约束校正，校正后得到的真电阻率更贴近于真实地层的电阻率，可将其作为基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型中的电阻率。
最后执行步骤S3，由于步骤S2得到的真电阻率是离散的，需要采用克里金插值法进行插值得到连续的真电阻率，并将得到的真电阻率赋值给正演所需的有限元网格，得到基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型。也就是说，本发明实施例中基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型的构建过程，就是确定三维反演初始模型中电阻率的过程。
本发明实施例中提供的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，首先获取测井曲线，并基于所述测井曲线对目的层进行分层；然后基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；最后对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。通过对测井曲线中的视电阻率进行校正，可以获取更贴近于真实地层的电阻率值，并作为基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型的电阻率值。通过本发明实施例中提供的方法，可以解决现有技术中初始模型精度不高的问题，可以有效的减少反演的迭代次数，加快整个三维反演流程，可为储层评价与薄油层分布提供技术保障。
在上述实施例的基础上，本发明实施例中提供的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，所述基于所述测井曲线对目的层进行分层，具体包括：
对所述测井曲线中的视电阻率进行方差分析，确定所述测井曲线的拐点和半幅点，将所述拐点和所述半幅点处对应的位置作为所述目的层的界面；或者，
基于所述测井曲线中的视电阻率与所述目的层的预设电阻率，将所述测井曲线中与预设电阻率相同的视电阻率对应的位置进行归并，以对所述目的层进行分层；或者，
基于统计方法，对所述目的层进行分层。
具体地，本发明实施例中提供了三类方法实现对目的层进行分层，例如：1)对各测井曲线的视电阻率值进行方差分析，并在测井曲线上找拐点和半幅点。测井曲线上方差小的地方必定对应于目的层内，而方差大的地方一定对应目的层的界面处。与此同时，通过微分、斜率极值点在测井曲线上寻找拐点和半幅点，将拐点和半幅点处对应的位置作为目的层的界面。2)根据测井曲线中的视电阻率与目的层的预设电阻率进行地层属性的判定，把同种地层进行归并，从而实现分层。3)基于统计方法，对目的层进行分层，统计方法具体可以包括层内差异法、有序聚类分析法、极值方差聚类法、最小二乘法、极大似然估计法、活度函数法和小波变换法等以及人工智能法中的模糊数学和神经网络方法等。
在上述实施例的基础上，本发明实施例中提供的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，所述基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率，具体包括：
基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行层厚-围岩影响校正；
对层厚-围岩影响校正后的视电阻率进行井眼影响校正；
对井眼影响校正后的视电阻率进行伪几何因子约束校正，得到真电阻率。
具体地，本发明实施例中，对测井曲线中的视电阻率进行校正时，可以根据分层结果，按先后顺序依次对测井曲线中的视电阻率进行层厚-围岩影响校正、井眼影响校正以及伪几何因子约束校正，可以分别减少围岩影响、井眼影响以及侵入带影响。
在上述实施例的基础上，本发明实施例中提供的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，所述基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行层厚-围岩影响校正，具体包括：
建立基于多探测模式电阻率测井的多层地层模型，并基于所述多层地层模型，正演出不同地层的层厚及不同地层的电阻率变化时的视电阻率并建立层厚-围岩影响校正图版；
基于分层结果，确定所述目的层内中间地层的层厚，并根据所述层厚-围岩影响校正图版，对所述测井曲线中的视电阻率进行层厚-围岩影响校正。
具体地，本发明实施例中，多层地层模型具体可以是三层地层模型。层厚-围岩影响校正图版的具体示意图如图3所示，横坐标为纵向深度，单位为m，纵坐标为校正系数Rt/Ra，Rt为目的层真电阻率，Ra为目的层视电阻率。已知某一探测模式下目的层视电阻率为Rat，围岩视电阻率为Ras，假设视电阻率即为真电阻率，则计算Rt/Rs＝Rat/Ras。
基于分层结果，确定所述目的层内中间地层的层厚，通过层厚-围岩影响校正图版，可求得校正系数Rt/Ra，已知Ra，根据校正系数乘Ra求得Rt作为校正后测井曲线中的视电阻率。需要说明的是，此时校正的是目的层内中间地层的视电阻率，将目的层内其他层的视电阻率均等于目的层内中间地层校正后的视电阻率。
在上述实施例的基础上，本发明实施例中提供的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，所述对层厚-围岩影响校正后的视电阻率进行井眼影响校正，具体包括：
建立基于多探测模式电阻率测井的多层地层模型，并基于所述多层地层模型，正演出不同地层电阻率变化时的视电阻率并建立井眼影响校正图版；
根据所述井眼影响校正图版，对层厚-围岩影响校正后的视电阻率进行井眼影响校正。
具体地，本发明实施例中，多层地层模型具体可以是三层地层模型。井眼影响校正图版的具体示意图如图4所示，横坐标为Ra/Rm，纵坐标为校正系数Rt/Ra，Rm为泥浆电阻率，Ra为各探测模式下的视电阻率，Rt为地层真电阻率。已知Rm和Ra，计算Ra/Rm。通过井眼影响校正图版，可求得校正系数Rt/Ra，根据校正系数乘Ra求得Rt作为井眼影响校正后的视电阻率。
在上述实施例的基础上，本发明实施例中提供的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，所述对井眼影响校正后的视电阻率进行伪几何因子约束校正，得到真电阻率，具体包括：
基于井眼影响校正后的视电阻率，通过伪几何因子公式以及目标约束条件确定不同探测模式下的侵入带电阻率，并将所述侵入带电阻率作为所述真电阻率。
具体地，本发明实施例中，伪几何因子公式如公式(1)所示。
Figure BDA0002391730920000101
其中Ry为原状地层电阻率，RXOn为第n个探测模式下侵入带电阻率，Ran为第n个探测模式下的视电阻率，n为探测模式数。
在公式(1)中，有n个方程，但是有n+1个未知数。
引入目标约束条件，如公式(2)所示。
max{|RXO1-Ra1|2+|RXO2-Ra2|2+...+|RXOn-Ran|2} (2)
由于公式(1)中每个方程均可表示为公式(3)的形式：
Figure BDA0002391730920000102
其中RXO为某一探测模式下侵入带电阻率，Ra为某一探测模式下的视电阻率。因此公式(2)可化简为公式(4)的形式：
max{|Ra1-Ry|2+|Ra2-Ry|2+...+|Ran-Ry|2} (4)
对公式(4)中的Ry进行求导，并令导数为0，则有：
Figure BDA0002391730920000103
将公式(5)代入至公式(1)中，解出不同探测模式下的侵入带电阻率RXO1、RXO2……、RXOn，以侵入带电阻率作为真电阻率，也即作为基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型的电阻率。伪几何因子约束校正后得到的真电阻率曲线如图5所示，横坐标为纵向深度，单位为m，纵坐标为电阻率，单位为Ω·m。如图6所示，为原始真实地层电阻率曲线示意图，横坐标为纵向深度，单位为m，纵坐标为电阻率，单位为Ω·m。图5和图6对比可知，经本发明实施例中的校正操作后得到的真电阻率更接近于原始真实地层的电阻率。
在上述实施例的基础上，本发明实施例中提供的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，所述对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值，具体包括：
将所述真电阻率进行预处理，得到每个纵向水平面的面电阻率，并基于每个所述面电阻率计算实验变异函数并对所述实验变异函数进行拟合，得到理论变异函数；
基于所述理论变异函数确定用于进行克里金插值的权系数，并基于所述权系数对所述真电阻率进行克里金插值；
确定正演所需的有限元网格，并基于克里金插值得到的结果，对所述有限元网格进行电阻率赋值。
具体地，本发明实施例中，首先将校正后得到的真电阻率进行预处理，得到每个纵向平面的面电阻率。
基于每个面电阻率，通过如下公式(6)计算实验变异函数。
Figure BDA0002391730920000111
其中，i表示面电阻率的序号，N(h)表示相距h的纵向平面的面电阻率数量；Z(xi)表示位置xi处的面电阻率；Z(xi+h)表示与位置xi之间距离为h处的面电阻率，γ*(h)为相距h的纵向平面的实验变异函数。
选择理论变异函数模型，对实验变异函数γ*(h)在离散的距离h上的取值进行拟合，得到理论变异函数γ(h)。
求出变程，当待插点与已知点距离小于变程时，求出权系数，对待插点进行克里金插值。
克里金方程组用矩阵形式如公式(7)：
Figure BDA0002391730920000121
其中，γij＝γ(xi-xj)是利用各向异性变异函数套合方法计算出的综合变异函数，求出权系数λi(i＝1,2,...,n)，μ为拉格朗日常数，n为克里金插值邻域内的已知视电阻率数量。
待插点的取值，即克里金估计值Z*是克里金插值邻域内n个已知视电阻率Zi的线性组合，如公式(8)所示：
Figure BDA0002391730920000122
需要说明的是，本发明实施例中采用的理论变异函数模型是球状模型，具体如公式(9)所示：
Figure BDA0002391730920000123
其中：C0、C、a为常数，h为两位置间的距离。
如图7所示，为本发明实施例中提供的克里金插值的流程示意图，首先对校正后的视电阻率进行预处理，然后计算实验变异函数，拟合实验变异函数，接着判断待插点与已知点距离是否小于变程，如果小于，则计算权系数，进行克里金插值后结束。如果待插点与已知点距离大于等于变程，则不参与计算权系数，直接结束。
最后，通过正演得到有限元网格信息，以有限元网格重心坐标作为有限元网格的待插点，通过克里金插值对所有有限元网格的电阻率进行三维线性插值，实现赋值。
如图8所示，在上述实施例的基础上，本发明实施例中提供了一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建系统，包括：分层模块81、校正模块82和赋值模块83。其中，
分层模块81用于获取测井曲线，并基于所述测井曲线对目的层进行分层；
校正模块82用于基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；
赋值模块83用于对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。
具体地，本发明实施例中提供的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建系统中各模块的作用与上述方法类实施例中各步骤的操作流程是一一对应的，实现的效果也是一致的，具体参见上述实施例，本发明实施例中对此不再赘述。
图9所示，在上述实施例的基础上，本发明实施例中提供了一种电子设备，包括：处理器(processor)901、存储器(memory)902、通信接口(Communications Interface)903和通信总线904；其中，
所述处理器901、存储器902、通信接口903通过通信总线904完成相互间的通信。所述存储器902存储有可被所述处理器901执行的程序指令，处理器901用于调用存储器902中的程序指令，以执行上述各方法实施例所提供的方法，例如包括：获取测井曲线，并基于所述测井曲线对目的层进行分层；基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。
需要说明的是，本实施例中的电子设备在具体实现时可以为服务器，也可以为PC机，还可以为其他设备，只要其结构中包括如图9所示的处理器901、通信接口903、存储器902和通信总线904，其中处理器901、通信接口903和存储器902通过通信总线904完成相互间的通信，且处理器901可以调用存储器902中的逻辑指令以执行上述方法即可。本实施例不对电子设备的具体实现形式进行限定。
存储器902中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
进一步地，本发明实施例公开一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括存储在非暂态计算机可读存储介质上的计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，当所述程序指令被计算机执行时，计算机能够执行上述各方法实施例所提供的方法，例如包括：获取测井曲线，并基于所述测井曲线对目的层进行分层；基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。
在上述实施例的基础上，本发明实施例还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各实施例提供的传输方法，例如包括：获取测井曲线，并基于所述测井曲线对目的层进行分层；基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，其特征在于，包括：
获取测井曲线，并基于所述测井曲线对目的层进行分层；
基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；
对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。
2.根据权利要求1所述的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，其特征在于，所述基于所述测井曲线对目的层进行分层，具体包括：
对所述测井曲线中的视电阻率进行方差分析，确定所述测井曲线的拐点和半幅点，将所述拐点和所述半幅点处对应的位置作为所述目的层的界面；或者，
基于所述测井曲线中的视电阻率与所述目的层的预设电阻率，将所述测井曲线中与预设电阻率相同的视电阻率对应的位置进行归并，以对所述目的层进行分层；或者，
基于统计方法，对所述目的层进行分层。
3.根据权利要求1所述的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，其特征在于，所述基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率，具体包括：
基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行层厚-围岩影响校正；
对层厚-围岩影响校正后的视电阻率进行井眼影响校正；
对井眼影响校正后的视电阻率进行伪几何因子约束校正，得到真电阻率。
4.根据权利要求3所述的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，其特征在于，所述基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行层厚-围岩影响校正，具体包括：
建立基于多探测模式电阻率测井的多层地层模型，并基于所述多层地层模型，正演出不同地层的层厚及不同地层的电阻率变化时的视电阻率并建立层厚-围岩影响校正图版；
基于分层结果，确定所述目的层内中间地层的层厚，并根据所述层厚-围岩影响校正图版，对所述测井曲线中的视电阻率进行层厚-围岩影响校正。
5.根据权利要求3所述的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，其特征在于，所述对层厚-围岩影响校正后的视电阻率进行井眼影响校正，具体包括：
建立基于多探测模式电阻率测井的多层地层模型，并基于所述多层地层模型，正演出不同地层电阻率变化时的视电阻率并建立井眼影响校正图版；
根据所述井眼影响校正图版，对层厚-围岩影响校正后的视电阻率进行井眼影响校正。
6.根据权利要求3所述的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，其特征在于，所述对井眼影响校正后的视电阻率进行伪几何因子约束校正，得到真电阻率，具体包括：
基于井眼影响校正后的视电阻率，通过伪几何因子公式以及目标约束条件确定不同探测模式下的侵入带电阻率，并将所述侵入带电阻率作为所述真电阻率。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法，其特征在于，所述对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值，具体包括：
将所述真电阻率进行预处理，得到每个纵向水平面的面电阻率，并基于每个所述面电阻率计算实验变异函数并对所述实验变异函数进行拟合，得到理论变异函数；
基于所述理论变异函数确定用于进行克里金插值的权系数，并基于所述权系数对所述真电阻率进行克里金插值；
确定正演所需的有限元网格，并基于克里金插值得到的结果，对所述有限元网格进行电阻率赋值。
8.一种基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建系统，其特征在于，包括：
分层模块，用于获取测井曲线，并基于所述测井曲线对目的层进行分层；
校正模块，用于基于分层结果，对所述测井曲线中的视电阻率进行校正，得到真电阻率；
赋值模块，用于对所述真电阻率进行克里金插值，并基于克里金插值得到的结果，对正演所需的有限元网格进行电阻率赋值。
9.一种电子设备，包括：存储器、处理器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1-7中任一项所述的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法的步骤。
10.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一项所述的基于多探测模式电阻率测井的三维反演初始模型构建方法的步骤。
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