CN111293052A - 晶圆的检测方法和检测设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种晶圆的检测方法和检测设备。该检测方法包括：在待检测晶圆的表面形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；向所述阻挡层的表面照射所述检测光信号；接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到的反射光信号；根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

Description

晶圆的检测方法和检测设备

技术领域

本申请实施例涉及半导体技术，涉及但不限于一种晶圆的检测方法和检测设备。

背景技术

在半导体器件的生产过程中，需要对晶圆进行多道复杂的处理工序，采用多层沉积、光刻等方法在晶圆表面形成图形化的薄膜，然后构成各种电学元器件以及电路结构等。在此过程中，需要保证每一层工艺的品质，及时发现不良点，因此，晶圆的检测是半导体制造工艺中不可缺少的重要环节。相关技术中，可以通过光学方法检测晶圆的表面形貌，进而实现晶圆表面的缺陷的检测，然而，现有的表面形貌检测方法受限于检测表面膜层的材料类型，对于透明膜层难以实现准确检测。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种晶圆的加工设备和加工系统。

第一方面，本申请提供一种晶圆的检测方法，包括：

在待检测晶圆的表面形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；

向所述阻挡层的表面照射所述检测光信号；

接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到的反射光信号；

根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

在一些实施例中，所述在待检测晶圆的表面形成阻挡层，包括：

至少在所述待检测晶圆的表面上消光系数低于预设值的区域的所述待检测晶圆的表面，形成所述阻挡层。

在一些实施例中，所述在待检测晶圆的表面形成阻挡层，包括：

在所述待检测晶圆的表面沉积氮化钨，形成所述阻挡层。

在一些实施例中，所述根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

在一些实施例中，所述方法还包括：

将与所述检测光信号具有相同频率和相位的参考光信号照射至参考面；

接收所述参考面反射所述参考光信号得到的所述参考反射光。

在一些实施例中，所述根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

根据所述反射光信号与所述参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆表面的不同位置的高度信息；

根据所述高度信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

在一些实施例中，所述根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

通过将所述反射光信号与所述参考反射光汇聚形成干涉条纹，并通过干涉条纹计算出两束光的光程差，确定所述阻挡层表面各点到反射光信号检测位置之间的距离信息；

根据所述距离信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

第二方面，本申请提供另一种晶圆的检测方法，包括：

在待检测晶圆的表面形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；

在平行于所述晶圆表面的平面内，形成参考面；

向所述阻挡层的表面以及参考面照射所述检测光信号；

接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到反射光信号；

接收所述参考面反射所述检测光信号得到参考光信号；

根据所述反射光信号和所述参考光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

在一些实施例中，所述在所述待检测晶圆的部分区域形成所述参考面，包括：

在所述待检测晶圆的所述阻挡层的部分区域进行研磨，形成所述参考面。

在一些实施例中，所述根据所述反射光信号和所述参考光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

根据所述反射光信号与参考光信号形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

第三方面，本申请实施例提供一种晶圆的检测设备，包括：

晶圆承载位，水平放置于所述检测设备内部，用于承载待检测的晶圆；

沉积组件，位于所述检测设备内部，用于在晶圆的表面沉积形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；

发射组件，位于所述晶圆承载位的上方区域，用于向所述阻挡层的表面照射检测光信号；

接收组件，位于所述晶圆承载位的上方区域，用于接收所述阻挡层的反射光信号；

信息处理组件，与所述接收组件具有信号连接，用于根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

在一些实施例中，所述检测设备还包括：

膜层检测组件，用于检测所述待检测晶圆的表面是否具有消光系数低于预设值的材料膜层；

控制组件，与所述膜层检测组件和所述沉积组件连接，用于在所述膜层检测组件确定具有所述材料膜层时，控制所述沉积组件在所述待检测晶圆的表面形成所述阻挡层。

在一些实施例中，所述阻挡层的材料包括：氮化钨。

在一些实施例中，所述检测设备还包括：

参考面，设置于所述检测设备内部；

所述发射组件，还用于向所述参考面照射与所述检测光信号具有相同频率和相位的参考光信号；

所述接收组件，还用于接收所述参考面反射所述参考光信号得到的参考反射光；

所述信息处理组件，用于根据所述反射光信号与所述参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

本申请实施例所提供的技术方案，通过在待检测的晶圆样品的表面形成阻挡层，来作为表面形貌检测的膜层，然后再通过光学方式进行检测。这样，一方面减少了不同膜层带来的检测差异，便于实现检测参数的统一化设定；另一方面对于透明材料的膜层也能够实现采用光学方式的表面形貌检测，大大提升了检测效率。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种晶圆的检测方法的流程图一；

图2为本申请实施例提供的一种晶圆的检测方法的流程图二；

图3为本申请实施例提供的一种晶圆的检测方法的流程图三；

图4为本申请实施例提供的一种晶圆的检测方法的流程图四；

图5为本申请实施例提供的一种晶圆的检测设备的结构示意图；

图6A为本申请实施例提供的光学检测方式发生底层信号干扰时的信号波形示意图；

图6B为本申请实施例提供的光学检测方式发生底层信号干涉相消时的信号波形示意图；

图7为本申请实施例提供的晶圆的检测方法进行检测时的信号波形示意图；

图8为本申请实施例提供的检测方法检测晶圆得到的晶圆形貌的示意图。

具体实施方式

图1为本申请实施例提供的一种晶圆的检测方法的流程图，如图1所示，该方法包括：

步骤S101、在待检测晶圆的表面形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；

步骤S102、向所述阻挡层的表面照射所述检测光信号；

步骤S103、接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到的反射光信号；

步骤S104、根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

半导体制造工艺中，采用多层沉积、光刻等方法在晶圆表面形成图形化的薄膜，然后构成各种电学元件，以及电路结构。由于晶圆表面的器件图形具有规律的特征，因此，在每一层薄膜形成后或者每一次光刻完成后，可以通过检测晶圆表面的形貌来检测缺陷。例如，当光刻存在残留时，残留处的表面高于正常值；当出现过刻时，刻蚀掉的区域低于正常值。因此，通过表面形貌可以直观地找出异常点的位置，便于分析和处理。

在一些实施例中，表面形貌的检测可以采用AFM(Atomic Force Microscope，原子力显微镜)来实现，通过显微探针在样品表面的受力大小变化换算出样品表面的高度，从而获得样品表面形貌的信息。然而，AFM的检测速率极慢，校测效率低，难以应对大量的样品检测，仅适用于少量小面积的样品检测。

在本申请实施例中，采用光学检测的方法来检测样品表面形貌的检测，通过射向样品表面的光线以及样品表面反射的反射光信号等，实现样品表面形貌的检测。这种方法可以实现多点检测，检测速率远高于AFM。然而，如果待检测的晶圆表面膜层为氮化硅或者氧化硅等能够透光的材料时，晶圆的膜层表面与膜层底层都能够产生光的反射信号，从而发生干涉，影响检测结果的准确性。

因此，这里首先在待测试的晶圆样品表面形成一层厚度一致的均匀的阻挡层，用于阻挡光线透过。当进行光学检测时，检测光信号照射在阻挡层的表面，阻挡层形成反射光信号。这样，通过检测光信号与反射光信号的运算，就能够确定出晶圆上阻挡层的表面形貌，进而得到晶圆表面膜层的表面形貌而不会受到膜层底层反射光的干涉影响。

需要说明的是，形成的阻挡层是一层厚度均匀的薄膜，不同位置的薄膜厚度差异需要控制在一定的范围内。也就是说，阻挡层的各个位置的膜厚基本一致，这样，阻挡层的表面仍能够体现晶圆原有膜层表面的形貌。

在一些实施例中，所述在待检测晶圆的表面形成阻挡层，包括：

至少在所述待检测晶圆的表面上消光系数低于预设值的部分或者全部区域的所述待检测晶圆的表面，形成所述阻挡层。

材料的透明程度可以通过消光系数来确定，消光系数大于预设值的材料，透光程度低，当光信号照射在材料表面时，材料底层的反射光较少；相反，小光系数小于预设值的材料，透光程度高，当光信号照射在材料表面时，光信号会透光材料到达材料底面并在底面形成反射光。

因此，当晶圆的表面膜层材料的消光系数低于预设值时，则需要在表面覆盖一层阻挡层。阻挡层的消光系数较高，可以阻挡光线的透射过所述晶圆表面的透明膜层，提升检测的准确性，减少由于膜层底层反射光的干扰造成的表面形貌检测不准确的情况。

如果晶圆表面只有部分区域具有消光系数低于预设值的膜层，那么也可以在这部分区域形成上述阻挡层，便于提升这部分区域检测的准确性。或者，在检测过程中，为了便于操作，也可以在晶圆的整个表面形成厚度均一的阻挡层，便于对晶圆整体表面的形貌进行检测。

在一些实施例中，如图2所示，上述步骤S101中，所述在待检测晶圆的表面形成所述阻挡层，包括：

步骤S201、在所述待检测晶圆的表面沉积氮化钨，形成所述阻挡层。

由于氮化钨(WN)材料具有消光系数高、粘附性高以及良好的薄膜连续性的特点，这里采用氮化钨作为阻挡层的材料。通过物理气相沉积(PVD，Physical VapourDeposition)的方法将氮化钨材料沉积在晶圆膜层的表面，形成一层致密的薄膜，并且保留由原有的最上层膜层表面的形貌。

这样，在进行晶圆表面形貌的检测时，直接对氮化钨薄膜的表面进行检测，就能够反应晶圆原有的最上层膜层表面的形貌。

上述阻挡层的材料也可以是具有消光系数高、粘附性高以及薄膜连续性等特点的其他材料，例如，金属钛或其他钛合金、钨合金以及化合物材料等。在实际应用中，可以根据需求或者应用场景来选择最合适的材料。

在一些实施例中，如图3所示，上述步骤S104中，所述根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

步骤S301、根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

在通过光学检测晶圆表面形貌时，可以向晶圆上的阻挡层表面以及参考面同时照射检测光信号，阻挡层表面形成反射光信号，参考面形成参考反射光。通过反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，可以计算出两路光的光程差，进而计算出阻挡层表面的高度信息。

这里，参考面可以是平行于晶圆表面的平面，也可以是位于其他位置的平面，这里不做限定。

通过上述方法测量阻挡层表面各点的高度信息，就可以得到表面形貌信息，形成表面形貌图像。分析晶圆表面整体的形貌图像，就能够找到膜层异常凸出或凹陷的位置，进而确定膜层的缺陷。

在一些实施例中，所述方法还包括：

将与所述检测光信号具有相同频率和相位的参考光信号照射至参考面；

接收所述参考面反射所述参考光信号得到的所述参考反射光。

由于相干的光信号需要具有相同的频率和相位，因此，为了形成反射光信号与参考反射光的干涉信息，这里需要将与检测光信号具有相同频率和相位的参考光信号照射至参考面。例如，利用分光镜将光源发射的光信号分光形成检测光信号和参考光信号，并分别照射至晶圆的阻挡层表面和参考面。

然后，阻挡层表面与参考面分别将光信号进行反射，形成反射光信号与参考反射光。通过将这两束光汇聚形成干涉条纹，并通过干涉条纹计算出两束光的光程差，就能够计算得到待测试阻挡层表面各点到反射光信号检测位置之间的距离信息。

将阻挡层表面各点的距离信息，整合形成表面形貌图像，就能够直观地反映晶圆表面膜层的成膜情况。

在一些实施例中，所述根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

根据所述反射光信号与所述参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆表面的不同位置的高度信息；

根据所述高度信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

根据上述方法检测得到的阻挡层表面各点的距离信息，并确定一个基准距离，就能够得到阻挡层表面的高度信息。根据不同位置的高度信息，可以绘制晶圆表面的形貌图形，例如，等高线图形或者由不同颜色代表不同高度值范围的各点构成的图形等等。这样，就能够得到直观的晶圆表面形貌信息，便于找到并分析异常的点位，为半导体工艺的改进以及参数的调整等提供了便利。

在一些实施例中，所述根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

通过将所述反射光信号与所述参考反射光汇聚形成干涉条纹，并通过干涉条纹计算出两束光的光程差，确定所述阻挡层表面各点到反射光信号检测位置之间的距离信息；

根据所述距离信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

根据干涉条纹可以计算出两束光的光程，因此，通过阻挡层表面各点反射信号与参考反射光汇聚形成的干涉条纹，可以确定出各点对应的光程差，进而确定阻挡层表面各点到反射光信号检测位置之间的距离信息。这样，如果晶圆表面存在异常凸出或凹陷的位置，则可以通过异常位置的距离信息体现出来。

图4为本申请实施例提供的另一种晶圆的检测方法，包括：

步骤S401、在待检测晶圆的表面形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；

步骤S402、在平行于所述晶圆表面的平面内，形成参考面；

步骤S403、向所述阻挡层的表面以及参考面照射所述检测光信号；

步骤S404、接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到反射光信号；

步骤S405、接收所述参考面反射所述检测光信号得到参考光信号；

步骤S406、根据所述反射光信号和所述参考光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

这里，可以在待检测的晶圆表面所在的平面内形成参考面，将检测光信号同时照射在阻挡层表面以及参考面上。参考面为反光平面，能够将检测光信号直接按照原光路反射。通过参考面的反射光作为上述参考光信号，与阻挡层表面反射得到的反射光信号，可以确定晶圆表面的凸起或者凹陷的位置。进而确定晶圆表面的形貌信息。

在一些实施例中，所述在所述待检测晶圆的部分区域形成所述参考面，包括：

在所述待检测晶圆的所述阻挡层的部分区域进行研磨，形成所述参考面。

上述参考面可以取待检测晶圆表面的部分区域来形成，通过研磨使该区域形成平滑的表面，能够将检测光信号反射。在实际应用中，还可以通过抛光使得该区域的表面呈现镜面效果，尽可能减少漫反射。

形成参考面的区域可以是待检测晶圆表面不存在复杂器件结构的区域，例如，晶圆的边缘区域或者晶圆中各芯片阵列之间的空白区域等。

这样，可以直接将检测光信号照射在晶圆表面，就能够得到待检测的区域阻挡层表面以及参考面，并同时获得两组反射的光信号。

在一些实施例中，所述根据所述反射光信号和所述参考光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

根据所述反射光信号与参考光信号形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

由于上述反射光信号与参考光信号由同一束检测光信号反射形成，具有相同的频率。因此，能够形成干涉并产生干涉条纹。根据反射光信号与参考光信号形成的干涉信息，例如，干涉条纹的宽度等等，就可以通过光程差的计算来确定晶圆表面形貌信息。

图5为本申请实施例提供的一种晶圆的检测设备的结构示意图，如图5所示，该检测设备100包括：

晶圆承载位110，水平放置于所述检测设备内部，用于承载待检测的晶圆10；

沉积组件120，位于所述检测设备内部，用于在晶圆10的表面沉积形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；

发射组件130，位于所述晶圆承载位110的上方区域，用于向所述阻挡层的表面照射检测光信号；

接收组件140，位于所述晶圆承载位110的上方区域，用于接收所述阻挡层的反射光信号；

信息处理组件150，与所述接收组件140具有信号连接，用于根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

这里，利用该晶圆的检测设备来实现上述实施例中的晶圆检测方法。上述晶圆承载位用于盛放待检测的晶圆，这里的晶圆可以是完整的晶圆，也可以是切割后的晶圆的一部分。

上述沉积组件用于在待检测的晶圆表面形成阻挡层，可以通过PVD或CVD(化学气相沉积)等方法来实现沉积。沉积后的晶圆表面会形成一层均匀的薄膜，作为上述阻挡层。

发射组件用于向待检测的晶圆表面照射检测光信号，在发射组件的附近设置有接收组件，用于接收由待检测的晶圆表面反射回的反射光信号。

上述发射组件与接收组件可以是可移动的组件，例如，平行于晶圆表面的平面内移动，用于在晶圆表面上方的不同位置进行检测；又如，在垂直于晶圆表面的方向可以进行上下移动，便于调整检测的参数。

信息处理组件用于将上述光信号进行处理和运算，进而得到晶圆表面的形貌信息。

在一些实施例中，所述检测设备还包括：

膜层检测组件，用于检测所述待检测晶圆的表面是否具有消光系数低于预设值的材料膜层；

控制组件，与所述膜层检测组件和所述沉积组件连接，用于在所述膜层检测组件确定具有所述材料膜层时，控制所述沉积组件在所述待检测晶圆的表面形成所述阻挡层。

膜层检测组件可以用来检测晶圆表面膜层的消光系数，如果晶圆表面不存在消光系数低于预设值的材料膜层，说明晶圆表面的膜层不透明，此时则不需要沉积阻挡层。这样，控制组件就可以控制发射组件等光学检测相关的组件直接在晶圆表面进行光学检测。而对于晶圆表面存在消光系数低于预设值的材料膜层时，则需要沉积阻挡层，并在阻挡层上进行光学检测。如此，减少了不必要的膜层沉积，只对表面膜层不适于光学检测时才进行阻挡层的沉积，进而能够提升检测的效率。

在一些实施例中，所述阻挡层的材料包括：氮化钨。

由于氮化钨材料具有消光系数高、粘附性高以及良好的薄膜连续性的特点，这里采用氮化钨作为阻挡层的材料。在上述检测设备的沉积组件中，可以将氮化钨材料作为沉积所使用的原材料，并通过PVD的方式进行沉积，进而在晶圆表面形成氮化钨的薄膜，作为上述阻挡层。

在一些实施例中，所述检测设备还包括：

参考面，设置于所述检测设备内部；

所述发射组件，还用于向所述参考面照射与所述检测光信号具有相同频率和相位的参考光信号；

所述接收组件，还用于接收所述参考面反射所述参考光信号得到的参考反射光；

所述信息处理组件，用于根据所述反射光信号与所述参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

由于相干的光信号需要具有相同的频率和相位，因此，上述发射组件需要向待测试的晶圆表面与参考面照射相同频率和相位的光信号。上述参考面用于将参考光信号反射形成参考反射光，因此，参考面可以是具有平滑表面的镜面。

当接收组件接收到参考面反射的参考反射光以及待检测的晶圆表面的反射光信号时，由于两束光线具有相同的频率，因此可以形成干涉图像。

信息处理组件根据干涉图像中干涉条纹的分布等干涉信息，可以确定出两束光线的光程差，进而计算晶圆表面各点的距离，形成晶圆表面的形貌信息。

本申请实施例还提供以下示例：

由于晶圆键合的过程需要两片晶圆的表面具有平滑的表面，如果晶圆表面存在凹凸不平的区域，则容易造成晶圆键合的缺陷。因此，晶圆表面的形貌(topography)的两侧对于预测晶圆键合过程中的异常点(weakpoint)、优化制程以及减少晶圆键合过程中气泡的产生以及提升芯片制造的良率等具有重要意义。

在一些实施例中，采用AFM来进行晶圆表面形貌的检测，然而这种方式虽然检测精度高，但是检测速度极慢，短时间内检测的样本数量少，不利于量产产品的快速检测和分析。

而采用光学干涉的方式对晶圆表面进行量测时，如果晶圆表面的膜层为透明膜层，检测信号则会收到底层信号的干扰。若底层的反射信号较强产生干扰，如图6A所示，或者底层的反射信号与表层的反射信号正好干涉相消如图6B所示时，则无法得到正确的晶圆表面形貌。

因此，在本申请实施例中，在晶圆的表面沉积形成一层致密的阻挡层，用于阻挡检测光信号传递至膜层的底层，从而减少膜层底层的反射信号带来的干扰。这样，就能够通过光学检测的方法快速获得晶圆表面的形貌，找到可能存在的缺陷位置，进而为产品的设计和改善提供参考数据。提升产品检测速率，缩短产品研发周期，节约成本。

这里，可以采用氮化钨薄膜作为阻挡层，由于氮化钨薄膜具有较高的K值(消光系数)，同时具有良好的薄膜连续性以及各向同性的特点。因此，沉积很薄的一层氮化钨薄膜就可以阻挡大部分光信号的穿透，并且同时能够最大程度保留晶圆表面原有的微观形貌。

如图7所示为晶圆表面沉积有氮化钨薄膜时检测得到的信号波形，将晶圆表面各点的信号进行运算处理，可以得到如图8所示的表面形貌图。图8中，不同颜色的亮度可以体现出晶圆表面膜层的高度，进而可以看出异常位置20。通过快速检测多个样品，可以进行样品的不良点位置集中性等数据分析，进而为产品、制程以及设备的改善等提供参考。

应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

以上所述，仅为本申请的实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种晶圆的检测方法，其特征在于，包括：

在待检测晶圆的表面形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；

向所述阻挡层的表面照射所述检测光信号；

接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到的反射光信号；

根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述在待检测晶圆的表面形成阻挡层，包括：

至少在所述待检测晶圆的表面上消光系数低于预设值的区域的所述待检测晶圆的表面，形成所述阻挡层。

3.根据权利要求1或2所述的检测方法，其特征在于，所述在待检测晶圆的表面形成阻挡层，包括：

在所述待检测晶圆的表面沉积所述氮化钨，形成所述阻挡层。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

将与所述检测光信号具有相同频率和相位的参考光信号照射至参考面；

接收所述参考面反射所述参考光信号得到的所述参考反射光。

6.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

根据所述反射光信号与所述参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆表面的不同位置的高度信息；

根据所述高度信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

7.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述反射光信号与参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

通过将所述反射光信号与所述参考反射光汇聚形成干涉条纹，并通过干涉条纹计算出两束光的光程差，确定所述阻挡层表面各点到反射光信号检测位置之间的距离信息；

根据所述距离信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

8.一种晶圆的检测方法，其特征在于，包括：

在待检测晶圆的表面形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；

在平行于所述晶圆表面的平面内，形成参考面；

向所述阻挡层的表面以及参考面照射所述检测光信号；

接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到反射光信号；

接收所述参考面反射所述检测光信号得到参考光信号；

根据所述反射光信号和所述参考光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述待检测晶圆的部分区域形成所述参考面，包括：

在所述待检测晶圆的所述阻挡层的部分区域进行研磨，形成所述参考面。

10.根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述反射光信号和所述参考光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息，包括：

根据所述反射光信号与参考光信号形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

11.一种晶圆的检测设备，其特征在于，包括：

晶圆承载位，水平放置于所述检测设备内部，用于承载待检测的晶圆；

沉积组件，位于所述检测设备内部，用于在晶圆的表面沉积形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；

发射组件，位于所述晶圆承载位的上方区域，用于向所述阻挡层的表面照射检测光信号；

接收组件，位于所述晶圆承载位的上方区域，用于接收所述阻挡层的反射光信号；

信息处理组件，与所述接收组件具有信号连接，用于根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息。

12.根据权利要求11所述的检测设备，其特征在于，所述检测设备还包括：

膜层检测组件，用于检测所述待检测晶圆的表面是否具有消光系数低于预设值的材料膜层；

控制组件，与所述膜层检测组件和所述沉积组件连接，用于在所述膜层检测组件确定具有所述材料膜层时，控制所述沉积组件在所述待检测晶圆的表面形成所述阻挡层。

13.根据权利要求11或12所述的检测设备，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氮化钨。

14.根据权利要求11所述的检测设备，其特征在于，所述检测设备还包括：

参考面，设置于所述检测设备内部；

所述发射组件，还用于向所述参考面照射与所述检测光信号具有相同频率和相位的参考光信号；

所述接收组件，还用于接收所述参考面反射所述参考光信号得到的参考反射光；

所述信息处理组件，用于根据所述反射光信号与所述参考反射光形成的干涉信息，确定所述晶圆的表面形貌信息。

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