CN111276865A - Ld白光装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种LD白光装置及其制备方法，属于半导体技术领域。LD白光装置包括基板、环形的导热围坝、发光芯片和荧光透镜。基板上设置有置晶区。导热围坝设置于基板且凸出基板的表面，使导热围坝与基板之间形成凹槽。发光芯片被配置成能够产生蓝光，发光芯片安装于置晶区，且发光芯片位于凹槽内。荧光透镜焊接于导热围坝的远离基板的一侧，且荧光透镜覆盖发光芯片和置晶区。此白光装置的发光芯片发蓝光，与荧光透镜结合以后得到白光，不需要使用荧光粉。且荧光透镜焊接于导热围坝上进行封装，不需要有机胶的使用，改善了因荧光粉和有机胶的使用产生的发光效率降低、封装失效等问题。

Description

LD白光装置及其制备方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种LD白光装置及其制备方法。

背景技术

LD(Laser Diode)，激光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件。LD激光二极管最终能够应用在日常生活中，需要对LD激光二极管进行封装。LD白光装置发出的白光光源具有亮度高、响应速度快和传输距离远等优点，在汽车照明、显示、工业照明及高铁舰船等远程照明领域获得广泛应用。

然而，LD白光装置长时间使用以后，会出现发光效率降低、封装失效等问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种LD白光装置及其制备方法，改善了LD白光装置长时间使用以后，产生的发光效率降低、封装失效等问题。

第一方面，本申请实施例提供一种LD白光装置，包括基板、环形的导热围坝、发光芯片和荧光透镜。基板上设置有置晶区。导热围坝设置于基板且凸出基板的表面，使导热围坝与基板之间形成凹槽。发光芯片被配置成能够产生蓝光，发光芯片安装于置晶区，且发光芯片位于凹槽内。荧光透镜焊接于导热围坝的远离基板的一侧，且荧光透镜覆盖发光芯片和置晶区。

通过导热围坝的设置，不仅可以形成具有安装发光芯片的空间，还可以通过导热围坝进行散热，并可以实现荧光透镜的焊接，不需要使用有机胶进行黏合就能够实现荧光透镜的封装，避免了有机黏合胶的黄化或裂化等问题，改善了因有机胶的使用产生的封装失效问题；且使用荧光透镜与发光芯片配合发出白光，避免了荧光粉的使用，改善了因荧光粉的耐热效果差造成的发光效率降低的问题。

在一种可能的实施方式中，还包括第一热沉台和第二热沉台，第一热沉台和第二热沉台间隔设置于基板且位于凹槽内，发光芯片分别与第一热沉台和第二热沉台导通，第一热沉台和第二热沉台与导热围坝不导通，第一热沉台被配置成与第一电极导通，第二热沉台被配置成与第二电极导通。

将第一热沉台和第二热沉台分开设置，主要作用是能够使发光芯片与外界电源导通，不需要使用金线来实现发光芯片与电路的电性连接，避免了由于金线的长时间使用造成的金线容易断裂的问题。同时还具有一定的散热作用，发光芯片工作时产生的热量先导热至热沉台上，再通过导热围坝导出，使LD白光装置的散热效果更好。

在一种可能的实施方式中，还包括金属导电片，发光芯片的第一电性连接点焊接于第一热沉台，金属导电片的两端分别焊接于第二热沉台和发光芯片的第二电性连接点。

通过金属导电片将发光芯片和第二热沉台电性连接，并使发光芯片直接与第一热沉台电性连接，从而通过金属导电片、第一热沉台和第二热沉台的共同作用使发光芯片导通，替代现有的导通发光芯片的金丝，可以改善由于金丝的长时间使用而造成的金丝断裂的问题。

在一种可能的实施方式中，发光芯片位于凹槽的中部，第一热沉台和第二热沉台均为扇形板，扇形板的弧形面靠近导热围坝且与导热围坝之间具有间隙，发光芯片与第一热沉台的靠近尖端的部分面连接，金属导电片的一端与发光芯片面连接，金属导电片的远离发光芯片的一端与第二热沉台的靠近尖端的部分面连接。

发光芯片位于凹槽的中部，发光芯片发出的光经过荧光透镜折射以后，发出基本平行的白光。发光芯片在凹槽的中部时，第一热沉台和第二热沉台均为扇形板，可以使第一热沉台和第二热沉台的面积较大，第一热沉台和第二热沉台的散热效果更好。且设置于凹槽中部的发光芯片与扇形的靠近尖端的部位面连接，可以使凹槽中部的发光芯片牢固连接的同时能够使热沉台的散热面积较大。

在一种可能的实施方式中，扇形板的圆心角约为90°，导热围坝为圆环形，弧形面与导热围坝的内壁的间隔距离为0.25-0.8mm。

尽可能增大第一热沉台和第二热沉台的面积，但是不影响发光芯片的安装，且保证热沉台和导热围坝不导通。

在一种可能的实施方式中，基板为绝缘基板，基板上具有贯穿基板的两个表面的第一导电通孔和第二导电通孔，第一电极通过第一导电通孔与第一热沉台导通，第二电极通过第二导电通孔与第二热沉台导通。

通过贯穿绝缘基板的第一导电通孔和第二导电通孔，使第一热沉台和第二热沉台与外部电源导通，从而使发光芯片工作。

在一种可能的实施方式中，还包括第一导电柱和第二导电柱，第一导电柱安装于第一导电通孔内且第一导电柱的一端部与第一热沉台导通，第一导电柱的远离第一热沉台的一端被配置成与第一电极导通，第二导电柱安装于第二导电通孔内且第二导电柱的一端部与第二热沉台导通，第二导电柱的远离第二热沉台的一端被配置成与第二电极导通。

通过第一导电柱和第二导电柱的设置，可以使导电柱与热沉台直接形成可靠的电性连接，以便与外界电源导通。

在一种可能的实施方式中，绝缘基板的背离导热围坝的表面上间隔设置有第一电极焊盘和第二电极焊盘，第一电极焊盘与第一导电柱导通且被配置成连接第一电极，第二电极焊盘与第二导电柱导通且被配置成连接第二电极。

通过电极焊盘的设置，可以使LD白光装置与外界电源的连接更加牢固，且连接效果更好。

在一种可能的实施方式中，导热围坝包括连接的内环和外环，外环的远离基板的端面凸出内环的远离基板的端面，荧光透镜焊接于内环的远离基板的端面。

内环进行荧光透镜的安装，外环可以对荧光透镜的外表面具有一定的限定作用，可以使荧光透镜的安装更加牢固，且，不容易脱落。

可选地，内环和外环的远离荧光透镜的端面均设置于基板的可焊镀层上。可以先在基板上形成一层可焊镀层，再焊接导热围坝，以使LD白光装置的封装效果更好。

第二方面，本申请实施例提供一种LD白光装置的制备方法，包括如下步骤：在荧光透镜的边缘形成环形的可焊层。在基板上设置环形的导热围坝，使导热围坝凸出基板的表面，导热围坝与基板之间形成凹槽。将发光芯片放在凹槽内并安装于凹槽内的置晶区。将荧光透镜覆盖于发光芯片和置晶区上，可焊层与导热围坝的远离基板的一侧焊接。

此方法可以通过焊接的方式安装荧光透镜，不需要有机胶和荧光粉的使用，改善了因荧光粉和有机胶的使用产生的发光效率降低、封装失效等问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图也属于本申请的保护范围。

图1为本申请实施例提供的LD白光装置的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的LD白光装置的爆炸图；

图3为本申请实施例提供的LD白光装置的第一视图；

图4为本申请实施例提供的LD白光装置的第一剖视图；

图5为本申请实施例提供的LD白光装置的第二剖视图；

图6为本申请实施例提供的LD白光装置的制备流程图。

图标：10-基板；20-导热围坝；30-发光芯片；40-荧光透镜；21-内环；22-外环；23-凹槽；11-绝缘基板；12-可焊镀层；51-第一热沉台；52-第二热沉台；60-金属导电片；111-第一导电通孔；112-第二导电通孔；71-第一导电柱；72-第二导电柱；81-第一电极焊盘；82-第二电极焊盘。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。

LD白光装置长时间使用以后，会出现发光效率降低、封装失效等问题。发明人研究发现，LD白光装置产生白光的原理是通过LD芯片产生的蓝光激发荧光粉产生黄光，并与蓝光混合合成白光，且LD白光装置中透镜主要是通过有机胶进行黏合封装的。由于荧光粉和有机胶的耐热效果比较差，所以LD白光装置长时间使用以后易产生热淬灭，发光效率降低；有机胶长时间使用后易产生黄化、裂化等问题，容易造成封装失效。

图1为本实施例提供的LD白光装置的结构示意图；图2为本实施例提供的LD白光装置的爆炸图。请参阅图1和图2，本实施例中，LD白光装置包括基板10、导热围坝20、发光芯片30和荧光透镜40。其中，荧光透镜40和发光芯片30配合可以产生白光。

图3为本申请实施例提供的LD白光装置的第一视图；图4为本申请实施例提供的LD白光装置的第一剖视图。请参阅图3和图4，本实施例中，基板10主要起支撑作用，基板10上设置有置晶区。导热围坝20是环形的，导热围坝20设置于基板10且凸出基板10的表面，使导热围坝20与基板10之间形成凹槽23；发光芯片30安装于置晶区，且发光芯片30位于凹槽23内。荧光透镜40焊接于导热围坝20的远离基板10的一侧，且荧光透镜40覆盖发光芯片30和置晶区。

通过导热围坝20的设置，不仅可以形成具有安装发光芯片30的空间，还可以通过导热围坝20进行散热，并可以实现荧光透镜40的焊接，不需要使用有机胶就能够实现荧光透镜40的安装。

为了方便将荧光透镜40焊接在导热围坝20上，可选地，荧光透镜40的边缘镀有一圈可焊层(图未示)，通过可焊层将荧光透镜40焊接在导热围坝20上，实现荧光透镜40的安装。

可选地，可焊层包括金可焊层、银可焊层、锡可焊层、及其合金可焊层中的一种。可焊层为圆环形结构，可焊层的宽度(其中，可焊层的宽度是指圆环形的可焊层的外壁半径与内壁半径之间的差值)为1.5-2.5mm。例如：可焊层的宽度为1.5mm、2mm或2.5mm。可焊层的厚度(可焊层的上表面与下表面之间的高度差)为0.15-0.25mm。例如：可焊层的厚度为0.15mm、0.2mm或0.25mm。

为了对荧光透镜40进行安装，进一步地，导热围坝20包括连接的内环21和外环22，外环22的远离基板10的端面凸出内环21的远离基板10的端面，使得导热围坝20的剖面呈台阶状，荧光透镜40焊接于内环21的远离基板10的端面，在对荧光透镜40进行焊接的时候，不仅可以焊接在荧光透镜40的下端面，还可以有部分焊接在荧光透镜40的外表面的靠近下端面的部分(也就是与导热围坝20的外环22的内壁焊接)，从而可以使荧光透镜40的封装效果更好。

可选地，荧光透镜40的边缘上设置的可焊层与导热围坝20的内环21的远离基板10的端面以及导热围坝20的外环22的内壁焊接，从而实现荧光透镜40的焊接安装，并不需要有机胶进行荧光透镜40的黏合就能够实现荧光透镜40的安装。

为了将导热围坝20安装于基板10上，可选地，基板10包括绝缘基板11和可焊镀层12，可焊镀层12位于绝缘基板11和导热围坝20之间，可焊镀层12上还设置有通孔(可焊镀层12的中部为通孔结构)，使发光芯片30和置晶区暴露于荧光透镜40的覆盖范围。可选地，内环21和外环22的远离荧光透镜40的端面均焊接于绝缘基板11上的可焊镀层12，以实现导热围坝20的封装。

本实施例中，绝缘基板11为高导热的绝缘基板，例如：氮化铝基板或氧化铝基板等，不仅能够起到支撑作用，还能够起到绝缘和导热的作用。进一步地，可焊镀层12可以是铜镀层或银镀层，可以在镀层的表面镀金，从而实现导热围坝20的焊接。

本实施例中，导热围坝20为金属导热围坝(例如：金属导热围坝的材料为铜或铝)，其既能够形成安装发光芯片30的空间，又能够将发光芯片30工作产生的热量导出，具有一定的散热作用。

为了对发光芯片30进行散热并使发光芯片30与外部电源连通，可选地，LD白光装置还包括第一热沉台51和第二热沉台52，第一热沉台51和第二热沉台52间隔设置于基板10且位于凹槽23内(第一热沉台51和第二热沉台52之间不直接导通)，发光芯片30分别与第一热沉台51和第二热沉台52导通(通过发光芯片30使第一热沉台51和第二热沉台52导通)，第一热沉台51和第二热沉台52与导热围坝20不导通，第一热沉台51被配置成与第一电极(图未示)导通，第二热沉台52被配置成与第二电极导通。

第一热沉台51和第二热沉台52不仅能够导电，还可以散热，例如：第一热沉台51和第二热沉台52的材料均为铜或铝。将第一热沉台51和第二热沉台52分开设置，主要作用是能够使发光芯片30与外界电源导通，不需要使用金线来实现发光芯片30与电路的电性连接，避免了由于金线的长时间使用造成的金线容易断裂的问题。且第一热沉台51和第二热沉台52还具有一定的散热作用，发光芯片30工作时产生的热量先导热至热沉台上，再通过导热围坝20导出，使LD白光装置的散热效果更好。

为了进一步使发光芯片30与第一热沉台51和第二热沉台52的连接效果更好，发光芯片30的连接更加牢固。可选地，LD白光装置还包括金属导电片60，发光芯片30的第一电性连接点焊接于第一热沉台51，金属导电片60的两端分别焊接于第二热沉台52和发光芯片30的第二电性连接点。

例如：金属导电片60的材料为铜、铝、金或银等，本实施例不做限定。通过金属导电片60将发光芯片30和第二热沉台52电性连接，并使发光芯片30直接与第一热沉台51电性连接，从而使发光芯片30导通，金属导电片60的强度较大，截面积较宽(例如：金属导电片60的厚度为0.15-0.4mm，金属导电片60的宽度为0.2-1mm)，不容易发生断裂，且第一热沉台51和第二热沉台52也有一定的厚度，正是由于第一热沉台51和第二热沉台52的设置，可以通过金属导电片60实现发光芯片30与热沉台之间的牢固连接，不需要金丝的使用。

而现有技术中，通常是先在基板上设置线路层，为了实现线路层与芯片之间的连接，通常通过有机黏合胶将芯片黏合在线路层上，由于有机黏合胶不导电，所以，通过金丝(金丝的直径大概为0.8-1.2mil之间)将芯片与芯片下方设置的线路层电性连接，在芯片长时间工作以后，金丝的长时间使用会造成金丝断裂的问题。

在其他实施例中，还可以设置两个金属导电片60，一个金属导电片60的两端分别与发光芯片30的第一电性连接点和第一热沉台51连接，另一个金属导电片60的两端分别与发光芯片30的第二电性连接点和第二热沉台52连接。本申请不做限定，只要能够实现发光芯片30的电路连通均在本申请的保护范围之内。

在其他实施例中，还可以设置金属导电柱进行发光芯片30与热沉台之间的连接。可选地，金属导电柱可以不是圆柱形结构，金属导电柱的第一侧面为平面，第二侧面为弧形面，第一侧面和第二侧面连接，第二侧面朝向远离第一侧面的方向凸出，且通过将发光芯片30和第二热沉台52焊接在第一侧面的两端，实现发光芯片30以及第二热沉台52的连接。

进一步地，发光芯片30位于凹槽23的中部，第一热沉台51和第二热沉台52均为扇形板，扇形板的弧形面靠近导热围坝20且与导热围坝20之间具有间隙，发光芯片30与第一热沉台51的靠近尖端的部分面连接，金属导电片60的一端与发光芯片30面连接，金属导电片60的远离发光芯片30的一端与第二热沉台52的靠近尖端的部分面连接。

可选地，导热围坝20可以为圆环形结构，第一热沉台51和第二热沉台52为扇形板，则可以在一定程度上增大热沉台的面积，且也能够方便地使热沉台与导热围坝20之间形成一定的间隙，以实现导热围坝20与热沉台之间的绝缘，避免发光芯片30短路。

发光芯片30位于凹槽23的中部，发光芯片30发出的光经过荧光透镜40折射以后，发出基本平行的光。发光芯片30在凹槽23的中部时，第一热沉台51和第二热沉台52均为扇形板，可以使第一热沉台51和第二热沉台52的面积较大，第一热沉台51和第二热沉台52的散热效果更好。且设置于凹槽23中部的发光芯片30与扇形的靠近尖端的部位面连接，可以使凹槽23中部的发光芯片30牢固连接的同时能够使热沉台的散热面积较大。

进一步地，金属导电片60为长方形的片状结构。第一热沉台51和第二热沉台52均为具有一定厚度的扇形板，金属导电片60的宽度小于扇形板的厚度。发光芯片30为长方体结构，将发光芯片30安装好了以后，正方形的发光面是远离基板10的表面。在安装发光芯片30的时候，先在发光芯片30的相对的两个表面形成可焊层，且两个可焊层分别覆盖发光芯片30的第一电性连接点和第二电性连接点，然后将其中一个可焊层焊接在第一热沉台51的靠近尖端的侧面上，另一可焊层焊接在金属导电片60的一表面的一端(金属导电片60上也可以设置可焊层)，金属导电片60的同一表面的另一端焊接在第二热沉台52的靠近尖端的侧面上，能够实现发光芯片30的牢固导电安装，且不需要有机黏合胶进行黏合，也不需要金丝进行导电连接，还能够使发光芯片30发出的光经过荧光透镜40折射以后形成基本平行的白光。

可选地，扇形板的圆心角约为90°，导热围坝20为圆环形，弧形面与导热围坝20的内壁的间隔距离为0.25-0.8mm。既可以方便发光芯片30的安装，又可以使安装后的发光芯片30能够正常工作，且还能够尽可能地使热沉台的面积较大，热沉台与导热围坝20之间绝缘但又能够进行热量的快速传导，以使LD白光装置的散热效果更好。

在其他实施例中，导热围坝20也可以是方形结构，第一热沉台51和第二热沉台52也可以是方形结构，本申请不做限定，只要能够实现发光芯片30的导电安装，并具有一定的散热作用的热沉台结构均在本申请的保护范围之内。

图5为本实施例提供的LD白光装置的第二剖视图。请参阅图5，为了进一步使第一热沉台51和第二热沉台52通电，其中一种可能的方式是，绝缘基板11上具有贯穿两个表面的第一导电通孔111和第二导电通孔112(第一导电通孔111和第二导电通孔112贯穿绝缘基板11的第一表面和第二表面)，第一电极通过第一导电通孔111与第一热沉台51导通，第二电极通过第二导电通孔112与第二热沉台52导通。

第一热沉台51覆盖第一导电通孔111，第二热沉台52覆盖第二导电通孔112，通过贯穿绝缘基板11的第一导电通孔111和第二导电通孔112，使第一热沉台51和第二热沉台52与外部电源导通，从而使发光芯片30工作。

进一步地，还包括第一导电柱71和第二导电柱72，第一导电柱71安装于第一导电通孔111内且第一导电柱71的一端部与第一热沉台51导通，第一导电柱71的远离第一热沉台51的一端被配置成与第一电极导通，第二导电柱72安装于第二导电通孔112内且第二导电柱72的一端部与第二热沉台52导通，第二导电柱72的远离第二热沉台52的一端被配置成与第二电极导通。

第一导电柱71和第二导电柱72的材料可以为铜或铝，通过第一导电柱71和第二导电柱72的设置，可以使导电柱与热沉台直接形成可靠的电性连接，以便与外界电源导通。

绝缘基板11的背离导热围坝20的表面上间隔设置有第一电极焊盘81和第二电极焊盘82(第一电极焊盘81或第二电极焊盘82的材料可以为铜或铝)，第一电极焊盘81与第一导电柱71导通且被配置成连接第一电极，第二电极焊盘82与第二导电柱72导通且被配置成连接第二电极。

通过电极焊盘的设置，可以使LD白光装置与外界电源的连接更加牢固，且连接效果更好。

在其他实施例中，也可以不使用第一热沉台51和第二热沉台52实现发光芯片30的电路连通，可以在绝缘基板11上设置电路层，然后通过电路层实现发光芯片30的电路连通。本申请不做限定。

本实施例提供的LD白光装置的制备流程图，请一并参阅图1和图6，本实施例提供的LD白光装置的制备方法包括如下步骤：

LD白光装置的制备方法，包括如下步骤：

S10，在荧光透镜40的边缘形成环形的可焊层。可选地，先使用透明荧光陶瓷烧制荧光透镜40，然后在荧光透镜40的边缘形成环形的可焊层。荧光透镜40上的可焊层可以通过电镀或磁控溅射的方式形成。

本实施例中，荧光透镜40由透明荧光陶瓷烧结而成。透明荧光陶瓷的分子式为Y₃Al₅O₁₂:xCe³⁺，其中，x在0-0.05之间，例如：x为0.03。

透明荧光陶瓷的制备方法如下：将陶瓷原料粉体和烧结助剂混合以后，先进行真空烧结，然后进行退火处理，后随炉冷却制备得到。其中，陶瓷原料粉体包括Al₂O₃、Y₂O₃和CeO₂；烧结助剂包括MgO和SiO₂中的至少一种。真空烧结的温度为1730-1800℃，保温时间为5-30h，真空度为10^-3-10^-5Pa；退火处理的条件为：在1200-1500℃的条件下保温5-40h。

进一步地，烧结助剂的用量为陶瓷原料粉体的总质量的0-1％(不包括0)，例如可以为：1％；Al₂O₃、Y₂O₃与CeO₂的摩尔比按照分子式为Y₃Al₅O₁₂:xCe³⁺中元素Al、Y和Ce的化学计量比计算得到。

通过上述制备方法可以得到透明荧光陶瓷，然后将透明荧光陶瓷使用现有的陶瓷透镜的制备方法进行荧光透镜40的制备。

S20，在金属导电片60上镀可焊层。金属导电片60上的可焊层可以通过电镀或磁控溅射的方式形成。

S30，在绝缘基板11上形成可焊镀层12。可选地，在绝缘基板11上形成贯穿氮化铝基板10的两个表面的第一导电通孔111和第二导电通孔112，将第一导电柱71安装在的第一导电通孔111内，第二导电柱72安装在第二导电通孔112内，并在绝缘基板11的一表面上形成可焊镀层12。可选地，绝缘基板11上的可焊镀层12可以通过电镀选镀工艺形成。

S40，安装导热围坝20、第一热沉台51和第二热沉台52。在基板10上设置环形的导热围坝20，使导热围坝20凸出基板10的表面，导热围坝20与基板10之间形成凹槽23；在基板10上设置第一热沉台51和第二热沉台52，使第一热沉台51和第二热沉台52位于凹槽23内，且第一热沉台51与第一导电柱71电性连接，第二热沉台52与第二导电柱72电性连接。

可选地，将导热围坝20焊接在可焊镀层12上，并使第一热沉台51与第一导电柱71连接，第二热沉台52与第二导电柱72连接，实现热沉台和导热围坝20的安装。

S50，安装发光芯片30，并使发光芯片30电性连接。将发光芯片30安装于绝缘基板11上的置晶区，且发光芯片30位于凹槽23内。可选地，先在发光芯片30上形成可焊层，然后通过共晶焊的方式先将发光芯片30焊接在第一热沉台51的靠近尖端的侧面，然后通过共晶焊的方式分别将步骤S20得到的金属导电片60的具有可焊层的表面的两端分别连接第二热沉台52和发光芯片30。

S60，安装荧光透镜40得到LD白光装置。将荧光透镜40覆盖于发光芯片30和置晶区上，可焊层与导热围坝20的远离基板10的一侧焊接，可选地，步骤S10得到的荧光透镜40上的可焊层与导热围坝20的内环21的远离基板10的端面焊接。

通过上述方法制备得到的上述结构的LD白光装置，发光芯片30可以发出蓝光，蓝光穿过荧光透镜40以后，一部分蓝光被荧光透镜40吸收产生黄光，与另一部分蓝光混合以后，产生白光，以通过荧光透镜40和发光芯片30的配合，不需要使用荧光粉就能够使LD白光装置发出能够长时间稳定工作的白光，解决了荧光粉的失效导致的光衰减和色漂移的问题，提高白光的出光效率；且不需要有机黏合胶进行黏合，解决了长时间使用以后封装失效的问题；且不需要使用金丝对发光芯片30进行电性连接，解决了金丝长时间使用以后断裂的问题；且具有很好的散热效果，能够使LD白光装置长时间稳定工作。可应用于照明、显示等领域；可应用在射灯、探照灯、扫海灯等特种照明领域，具有非常广泛的应用前景。

以上所述仅为本申请的一部分实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种LD白光装置，其特征在于，包括：

基板，所述基板上设置有置晶区；

环形的导热围坝，所述导热围坝设置于所述基板且凸出所述基板的表面，使所述导热围坝与所述基板之间形成凹槽；

发光芯片，所述发光芯片被配置成能够产生蓝光，所述发光芯片安装于所述置晶区，且所述发光芯片位于所述凹槽内；

荧光透镜，所述荧光透镜焊接于所述导热围坝的远离所述基板的一侧，且所述荧光透镜覆盖所述发光芯片和所述置晶区。

2.根据权利要求1所述的LD白光装置，其特征在于，还包括第一热沉台和第二热沉台，所述第一热沉台和所述第二热沉台间隔设置于所述基板且位于所述凹槽内，所述发光芯片分别与所述第一热沉台和所述第二热沉台导通，所述第一热沉台和所述第二热沉台与所述导热围坝不导通，所述第一热沉台被配置成与第一电极导通，所述第二热沉台被配置成与第二电极导通。

3.根据权利要求2所述的LD白光装置，其特征在于，还包括金属导电片，所述发光芯片的第一电性连接点焊接于所述第一热沉台，所述金属导电片的两端分别焊接于所述第二热沉台和所述发光芯片的第二电性连接点。

4.根据权利要求3所述的LD白光装置，其特征在于，所述发光芯片位于所述凹槽的中部，所述第一热沉台和所述第二热沉台均为扇形板，所述扇形板的弧形面靠近所述导热围坝且与所述导热围坝之间具有间隙，所述发光芯片与所述第一热沉台的靠近尖端的部分面连接，所述金属导电片的一端与所述发光芯片面连接，所述金属导电片的远离所述发光芯片的一端与所述第二热沉台的靠近尖端的部分面连接。

5.根据权利要求4所述的LD白光装置，其特征在于，所述扇形板的圆心角约为90°，所述导热围坝为圆环形，所述弧形面与所述导热围坝的内壁的间隔距离为0.25-0.8mm。

6.根据权利要求2-5任一项所述的LD白光装置，其特征在于，所述基板为绝缘基板，所述基板上具有贯穿所述基板的两个表面的第一导电通孔和第二导电通孔，所述第一电极通过所述第一导电通孔与所述第一热沉台导通，所述第二电极通过所述第二导电通孔与所述第二热沉台导通。

7.根据权利要求6所述的LD白光装置，其特征在于，还包括第一导电柱和第二导电柱，所述第一导电柱安装于所述第一导电通孔内且所述第一导电柱的一端部与所述第一热沉台导通，第一导电柱的远离第一热沉台的一端被配置成与所述第一电极导通，所述第二导电柱安装于所述第二导电通孔内且所述第二导电柱的一端部与所述第二热沉台导通，第二导电柱的远离所述第二热沉台的一端被配置成与所述第二电极导通。

8.根据权利要求7所述的LD白光装置，其特征在于，所述绝缘基板的背离所述导热围坝的表面上间隔设置有第一电极焊盘和第二电极焊盘，所述第一电极焊盘与所述第一导电柱导通且被配置成连接所述第一电极，所述第二电极焊盘与所述第二导电柱导通且被配置成连接所述第二电极。

9.根据权利要求1-5任一项所述的LD白光装置，其特征在于，所述导热围坝包括连接的内环和外环，所述外环的远离所述基板的端面凸出所述内环的远离所述基板的端面，所述荧光透镜焊接于所述内环的远离所述基板的端面；

可选地，所述内环和所述外环的远离所述荧光透镜的端面均设置于所述基板的可焊镀层上。

10.一种LD白光装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在荧光透镜的边缘形成环形的可焊层；

在基板上设置环形的导热围坝，使导热围坝凸出所述基板的表面，所述导热围坝与所述基板之间形成凹槽；

将发光芯片放在所述凹槽内并安装于凹槽内的置晶区；

将所述荧光透镜覆盖于所述发光芯片和所述置晶区上，所述可焊层与所述导热围坝的远离所述基板的一侧焊接。

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