CN111261754B - 一种发光二极管及其制作方法 - Google Patents

Abstract

一种发光二极管的制作方法，包括：（1）通过外延生长工艺形成发光二极管的外延层以及待剥离牺牲层，待剥离牺牲层位于外延层的一面侧；（2）通过光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层，形成牺牲层图形，在牺牲层图形周围外延层的所述一面侧被部分暴露；（3）在牺牲层图形的表面以及外延层的所述一面侧覆盖一层待图形化的绝缘层；（4）通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层表面的绝缘层，形成图形化的绝缘层。

Description

一种发光二极管及其制作方法

技术领域

涉及一种在半导体材料层上通过剥离工艺形成图形化结构的方法，具体的涉及一种发光二极管的图形化绝缘层制作方法。

背景技术

在半导体和微电子机械系统的制造工艺中经常应用到图形化技术，例如形成图形化的金属电极、薄膜层等。目前图形化技术主要有：湿法腐蚀、干法腐蚀、剥离三种。

中国专利文献CN101136327A公开了一种图形化铂/钛金属薄膜的剥离制备方法，在基片上制备牺牲层；通过光刻和刻蚀技术图形化牺牲层，将来Pt/Ti金属薄膜保留的地方，牺牲层被刻蚀掉，将来Pt/Ti金属薄膜被剥离的地方，牺牲层被保留；在图形化后的牺牲层上制备Pt/Ti金属薄膜；释放牺牲层，剥离出Pt/Ti金属薄膜图形。

现有发光二极管之增光工艺，经常通过键合工艺在芯片外延层与基板之间制作反射镜面，藉此避免芯片内发光被基板吸收，并将其反射至出光面提升整体亮度。镜面结构的反射率一般采用低折射率材料(例如MgF2)以使折射率差异更大，增加全反射机率以增加反射率。然而低射率材料的化学特性与目前普遍使用的介电质材料SiO2有着明显的不同。以MgF2来说，它具不易使用化学溶液蚀刻的特性，因此多采用剥离的方式定义镜面反射层的图形。

发明内容

本发明提供一种发光二极管的制作方法，该方法适用于任何发光二极管上需要采用剥离的制程，例如氧化物、薄膜或者金属等。

具体的，所述的制作方法包括：（1）通过外延生长工艺形成发光二极管的外延层以及待剥离牺牲层，待剥离牺牲层位于外延层的一面侧；

（2）通过光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层，形成牺牲层图形，在牺牲层图形周围外延层的所述一面侧被部分暴露；

（3）在牺牲层图形的表面以及外延层的所述一面侧覆盖一层待图形化的绝缘层；

（4）通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层图形表面的绝缘层，形成图形化的绝缘层在外延层的所述一面侧。

优选地，所述的外延层包括与外延牺牲层接触的顶层，所述的步骤（2）为湿法蚀刻，所述的顶层在步骤（2）中为蚀刻截止层。

优选地，所述的绝缘层为氟化物。

优选地，其中位于所述的外延层的一面侧，所述外延牺牲层依次包括第一牺牲层和第二牺牲层，通过步骤（2）的湿法蚀刻工艺使所述的外延牺牲层在外延层的一面侧呈上宽下窄状。

优选地，所述第一牺牲层的厚度高于所述第二牺牲层的厚度，其中所述的第一牺牲层相对于第二牺牲层更接近外延层。

优选地，所述的第一牺牲层和第二牺牲层在步骤（2）湿法蚀刻工艺中采用不同的蚀刻液进行蚀刻或者采用相同的蚀刻溶液蚀刻但是不同蚀刻速率。

优选地，所述的第一牺牲层和第二牺牲层为相同元素组成，但是所述的第一牺牲层为高In百分含量的外延层，所述的第二牺牲层为低In百分含量的外延层。

优选地，所述的第一牺牲层为含In组分不含Al的外延层，所述的第二牺牲层为含Al不含In组分的外延层。

优选地，所述的步骤（1）通过外延生长工艺获得的外延层，按照生长顺序依次包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，其中第二导电型半导体层包括最紧邻所述牺牲层的顶层，所述的顶层为欧姆接触层GaP。

优选地，通过所述的步骤（2）中的光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层以及所述的顶层，形成牺牲层的图形和所述顶层的图形，所述的牺牲层和所述顶层的图形位置一致。

优选地，所述的步骤（1）通过外延生长工艺获得的外延层，按照生长顺序依次包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，通过所述的步骤（2）中的光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层以及所述的第二导电型半导体层和发光层，形成牺牲层的图形和所述的第二导电型半导体层和发光层的图形，所述的牺牲层和所述第二导电型半导体层和发光层的图形位置一致。

优选地，所述第二导电型半导体层和发光层的图形为柱状或锥形台结构，柱状或锥形台结构周围的凹部底部为第一导电型半导体层。

优选地，还包括形成反射层覆盖在柱状结构或锥形台结构的侧壁以及第二导电型半导体层的一侧。

本发明同时提供一种发光二极管，其包括基板、基板上的反射层、反射层上的外延层，外延层自反射层一侧开始依次堆叠有第二导电型半导体层、发光层和第一导电型半导体层，发光层和第二导电型半导体层呈隔离的多个柱状，多个柱状结构的侧壁被反射层覆盖。

所述的第一导电型半导体层远离基板的一面侧为出光面。

本发明具有至少以下有益效果：（1）利用与发光二极管的外延层相同的工艺形成外延牺牲层，无需额外的牺牲层制作工艺，使得剥离流程较为简便；（2）通过第一牺牲层和第二牺牲层同时可以获得较佳的剥离形貌，保留的图案边缘不易残留或掀起；（3）能应用于更多特殊需要，如高温、强酸强碱保护外延层等；（4）提供一个单一发光方向的发光二极管。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1为一种制造发光二极管的方法的流程图。

图2~5为实施例一提及的一种发光二极管的表面上形成透明介电层结构的过程示意图。

图6~9为实施例二提及的一种发光二极管结构的制作方法的结构示意图。

图10~14为实施三提及的一种发光二极管的制作方法的结构示意图。

图15为传统的一种发光二极管的结构示意图。

图16~18为实施四提及的一种发光二极管的制作方法的结构示意图。

附图标记：

100：n型外延层；101：发光层；102：p型外延层；103：外延牺牲层；104：光罩图形；105：透光绝缘层；106：欧姆接触层；107：反射层；108：键合层；109：基板；110：第一电极；111：第二电极；112：柱状或锥形台结构。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明所公开的牺牲层结构及采用该牺牲层结构剥离材料层形成图形化结构的方法进行详细说明。

实施例一

图1公开了根据本发明实施例一的一种制造发光二极管的方法的流程图，包括制作发光二极管的图形化绝缘层，其具体包括步骤：

（1）通过外延生长工艺形成发光二极管的外延层以及待剥离牺牲层，待剥离牺牲层位于外延层的一面侧；

（2）通过光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层，形成牺牲层图形，在牺牲层图形周围外延层的所述一面侧被部分暴露；

（3）在牺牲层图形的表面以及外延层的所述一面侧覆盖一层待图形化的绝缘层；

（4）通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层图形表面的绝缘层，形成图形化的绝缘层在外延层的所述一面侧。

下面将结合附图2~5进行详细描述。

步骤S1:通过外延生长工艺形成发光二极管的外延层以及待剥离牺牲层，待剥离牺牲层位于外延层的一面侧。

如图2所示，以半导体发光二极管（LED）为例，通过外延生长工艺获得外延层以及外延牺牲层，外延牺牲层位于外延层的一面侧，定义为顶面侧。具体的，外延层一般包括n型外延层100（即第一导电型半导体层）、p型外延层101（第二导电型半导体层）和夹在两者之间的发光层102。外延生长工艺包括但不限于是MOCVD生长工艺。其中外延层牺牲层103位于P型外延层101的一面侧。

以AlGalnP系LED为例，在一个临时基底或永久基底上，通过外延生长工艺依次生长n型外延层100、P型外延层102和夹在两者之间的发光层101，n型外延层100、P型外延层102和夹在两者之间的发光层101分别采用AlxGa1-xlnP的材料（0≤x≤1）。发光层101可提供红光范围的光谱辐射。在P型外延层102上继续生长一层外延牺牲层103。

步骤S2：通过光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层，形成牺牲层图形，在牺牲层图形周围外延层的所述一面侧被部分暴露。

如图3所示，首先采用光罩工艺在外延牺牲层103的表面形成光刻胶的光罩图形104，光罩图形104使部分外延牺牲层103表面被暴露出。

接着，可采用湿法蚀刻对外延牺牲层选择性蚀刻，所述湿法蚀刻所用到的溶液对外延牺牲层进行选择性蚀刻，并且蚀刻停止于外延层的顶面。以AlGalnP系LED为例，n型外延层100、P型外延层102和夹在两者之间的发光层101分别采用AlxGa1-xlnP的材料制作（0≤x≤1），P型外延层的顶层对外延牺牲层的湿法蚀刻工艺是几乎不反应的，为湿法蚀刻的工艺的蚀刻截止层，例如所述的蚀刻截止层为P型欧姆接触层GaP。

所述的外延牺牲层103可以是InGaP或者AlGaAs或者GaAs等其中之一种材料。所述的湿法蚀刻溶液，InGaP可以是磷酸和或盐酸的溶液；AlGaAs与GaAs可以是磷酸和或双氧水的溶液。

蚀刻完成后，去除光罩图形104，露出外延牺牲层103图形，形成的外延牺牲层图形103。

步骤S3：通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层表面的绝缘层，形成图形化的绝缘层。

以AlGalnP系LED为例，外延层的一侧可制作镜面层，镜面层将外延层辐射至其表面或内部的光反射回外延层内，提升外延层另一侧的出光效率。镜面层通常是图形化透光绝缘层与非图形化的金属晶面层搭配，所述的绝缘层可以是例如氟化物，其透光度高，并且折射率低，与金属镜面例如金或银搭配可保证高反射率，被广泛运用于AlGalnP系LED结构中。氟化物包括但不限于是氟化镁或氟化钙。

可采用蒸镀工艺，将透光绝缘层105例如氟化物覆盖在外延牺牲层103图形的表面以及外延层的顶面，如图4所示。

步骤S4：通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层表面的材料层，形成图形化的材料层在外延层的所述一面侧。

以AlGalnP系LED为例，通过湿法蚀刻工艺去除牺牲层图形，使牺牲层图形以及位于牺牲层230图形上的透光绝缘层105被自动剥离，形成图形化的透光绝缘层105。如图5所示。后续可在透光绝缘层105上制作金属镜面层以完成LED的镜面制作。

本发明具有至少以下有益效果：（1）能应用于特殊需要，如高温、强酸强碱保护外延层等，例如氟化物，其为耐酸碱腐蚀的材料，难以通过常规的湿法或干法蚀刻工艺形成图形化膜层，目前比较广泛的采用剥离工艺，因此本发明的工艺较佳的适用于对氟化物进行图形化处理。（2）利用与发光二极管的外延层相同的工艺形成外延牺牲层，无需额外的牺牲层制作工艺，使得剥离流程较为简便。

实施例二

在实施例一的基础上对所述的方法工艺做如下改进。

步骤S1：通过外延生长工艺形成发光二极管的外延层以及待剥离牺牲层，待剥离牺牲层位于外延层的一面侧。

如图6所示，其中自所述的外延层的顶面，所述外延牺牲层依次包括第一牺牲层1031和第二牺牲层1032。

其中第一牺牲层1031和第二牺牲层1032的总厚度大于待形成的图形化材料层的厚度，第一牺牲层的厚度的100~2000nm，第二牺牲层1032的厚度为10~200nm。

以AlGalnP系LED为例，所述的外延牺牲层可以是InGaP或者AlGaAs或者GaAs等其中之一种材料。第一牺牲层1031和第二牺牲层1032采用不同材料构成，可采用不同的蚀刻液分别进行选择性蚀刻，或者第一牺牲层和第二牺牲层在同一蚀刻溶液中具有不同的蚀刻速率。例如所述的第一牺牲层为含In组分不含Al的外延层，所述的第二牺牲层为含Al不含In组分的外延层。作为一个实施方式，所述的第一牺牲层为InGaP，所述的第二牺牲层为AlGaAs，可采用不同的蚀刻液分别进行选择性蚀刻。或者所述的第一牺牲层和第二牺牲层为相同元素组成，但是第一牺牲层为高In百分含量的外延层，所述的第二牺牲层为低In百分含量的外延层。例如所述的第一牺牲层1031为高In含量的InGaP，第二牺牲层1032较第一牺牲层为低In含量的InGaP，可采用同一蚀刻溶液进行蚀刻，但是具有不同的蚀刻速率。所述的湿法蚀刻溶液可以是磷酸和或盐酸的溶液。

步骤S2：通过光罩图形和湿法蚀刻工艺处理所述牺牲层，形成牺牲层图形，在牺牲层图形周围外延层的所述一面侧被部分暴露，所述的第一牺牲层和第二牺牲层在外延层上呈上宽下窄状。

为了形成如图7所示的所述的第一牺牲层1031和第二牺牲层1032在外延层的顶面上呈上宽下窄状，使用第一蚀刻液蚀刻第二牺牲层，接着使用第二蚀刻液蚀刻第一牺牲层1031，其中第二蚀刻液基本上不对第二牺牲层1032进行蚀刻，利用不同蚀刻溶液蚀刻不同牺牲层，且控制蚀刻速率和蚀刻的时间使其双牺牲层形成上长下短的蘑菇状的形貌。先使用第一蚀刻液蚀刻第二牺牲层1032，接着使用第二蚀刻液蚀刻第一牺牲层1031，其中第二蚀刻液基本上不对第二牺牲层1032进行蚀刻，利用不同蚀刻溶液蚀刻不同牺牲层，且控制蚀刻速率和蚀刻的时间使其双牺牲层形成上长下短的蘑菇状的形貌。例如所述的第一牺牲层为InGaP，所述的第二牺牲层为AlGaAs。第一牺牲层InGaP用磷酸和盐酸混合溶液进行蚀刻，第二牺牲层AlGaAs用磷酸和双氧水混合溶液蚀刻。

步骤S3：在牺牲层图形的表面以及外延层的顶面上覆盖一层待图形化的绝缘层。

以AlGalnP系LED为例，在外延层的顶面以及牺牲层图形的表面通过蒸镀工艺形成氟化镁透光绝缘层105。

由于牺牲层呈上宽下窄状，使得透光绝缘层105覆盖在牺牲层图形表面的部分与覆盖在LED外延层顶面的部分断开，如图8所示。

步骤S4：通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层表面的材料层，形成图形化的材料层在外延层的所述一面侧。如图9所示，以AlGalnP系LED为例，通过湿法蚀刻工艺去除牺牲层图形，使牺牲层图形以及位于牺牲层230图形上的透光绝缘层105被自动剥离，形成图形化的透光绝缘层105。

在本实施例中，由于牺牲层呈蘑菇状设计，可以有效的避免定义图型边缘残留，此外其上下长度以及高度的落差，搭配薄膜蒸镀机台的蒸镀特性，达到自动剥离的效果。

实施例三

对实施一的方法进一步改进，步骤（1）不同于与实施例一，所述的外延层包括顶层，顶层为一欧姆接触层1021，所述的欧姆接触层1021为第二导电型半导体层的一部分，所述的欧姆接触层1021可以是P型GaP，用于欧姆接触，厚度为20~100nm，掺杂浓度为5e19以上。顶层欧姆接触层1021上同时外延生长有一层待剥离的外延牺牲层103。

由于GaP吸光度较高，因此为了降低最终发光二极管的GaP的吸光度，不同于实施例一的时，本实施例执行如下步骤（2），通过光罩工艺和干法蚀刻工艺处理所述牺牲层以及所述的欧姆接触层，以形成牺牲层图形和欧姆接触层的图形，并且牺牲层图形和欧姆接触层的图形的位置对应，牺牲层图形和欧姆接触层的图形周围暴露其余的第二导电型半导体层102。如图10所示，首先通过光罩工艺在外延牺牲层103上形成光罩图形104。如图11所示，然后通过干法蚀刻工艺蚀刻掉光罩图形104周围的外延牺牲层103和欧姆接触层1021，保留光罩图形104下方的外延牺牲层103和欧姆接触层1021，形成外延牺牲层103和欧姆接触层1021的图形。

去除光罩图形104，执行步骤（3）和步骤（4）：

（3）在牺牲层图形表面以及外延层的所述一面侧覆盖一层待图形化的绝缘层。

如图12所示。本实施例中外延牺牲层103图形下面还包括重叠的欧姆接触层1021图形，外延层的一面侧为欧姆接触层1021图形周围露出的其余的第二导电型半导体层102的一面侧。绝缘层可以是氟化物。

（4）通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层表面的绝缘层，形成图形化的绝缘层在外延层的所述一面侧。

通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层表面的绝缘层后，如图13所示，图形化的欧姆接触层1021和图形化的绝缘层105形成在外延层的同一侧，其中图形化的绝缘层105形成在图形化的欧姆接触层1021周围。

在步骤（4）之后，所述的发光二极管的制作方法还包括在欧姆接触层1021上形成欧姆接触层二106，欧姆接触层二106和绝缘层105上形成反射层107、键合层108和基板109。外延层的第一导电型半导体层100一侧形成第一电极110，基板109上形成第二电极111。其中第一导电型半导体层100远离基板的一侧提供出光面，因此第一电极110未完全覆盖第一导电型半导体层100的一侧。如图14所示。所述的欧姆接触层二106非外延层，可以是透明的导电层，如ITO、IZO等至少一种，通过溅射镀工艺和退火工艺即可形成，或者金属合金或者金属组合物，例如AuGe或者AuZn或者AuGeNi，通过蒸镀工艺和退火工艺即可形成。所述的反射层107可以是金属层例如Ag、Au等至少一种材料。所述的键合层108可以是金属键合层，例如Au/In等材料，所述的基板109为导电基板。

如图15所示的是传统的发光二极管的结构示意图，欧姆接触层1021整面形成在第二导电类型半导体层102一侧。而本实施例的发光二极管，由于欧姆接触层1021被图形化，仅保留欧姆接触层二106与其余的外延层之间的部分，可减少欧姆接触层1021的覆盖面积，减少吸光，提升发光效率。

实施例四

本实施例对实施一的方法进行以下改进，步骤（2）替代为：通过光罩工艺和干法蚀刻工艺处理所述牺牲层以及所述的外延层，以形成牺牲层图形以及第二导电型半导体层102与发光层组成的图形。干法蚀刻工艺的蚀刻截止层为第一导电型半导体层100，并且牺牲层图形和第二导电型半导体层与发光层图形在第一导电型半导体层100上的位置对应，牺牲层图形和第二导电型半导体层102与发光层图形的图形周围暴露第一导电型半导体层100的表面。

按照实施例一的方法执行步骤（3）和步骤（4），获得如图16所示的结构。

所述的第二导电型半导体层102与发光层101组成的图形为隔离的多个柱状或者锥形台结构。

在步骤（4）之后，所述的发光二极管的制作方法还包括在第二导电型半导体层102上形成欧姆接触层二106，欧姆接触层二106和绝缘层105上形成反射层107、键合层108和基板109，基板为导电基板。外延层的第一导电型半导体层100一侧形成第一电极110，基板109上形成第二电极111。其中第一导电型半导体层100远离基板的一侧提供出光面，因此第一电极110未完全覆盖第一导电型半导体层100的一侧。如图17所示。

如图18所示的是图17所示的发光二极管的平面图，自第一导电型半导体层100一侧俯视，所述的第二导电型半导体层102与发光层101组成的多个柱状或锥形台结构112均匀分散间隔的在基板一面侧。

反射层107覆盖柱状或锥形台结构112的侧壁、欧姆接触层二106的一侧以及响铃柱状或锥形台结构112之间的第一导电型半导体层101一侧。由此反射层107可保证每一个柱状结构或锥形台结构112作为一个独立的发光区域，每一个发光区域的发光层辐射的光到达侧壁或者侧壁与欧姆接触层二一侧会被反射层反射，仅到达第一导电型半导体层101一侧的光能够辐射出去。因此本实施例的发光二极管为包括多个独立发光区域的且为单面出光的发光二极管。

相对于传统的结构，本发明的发光二极管光源可提供单一出光方向的辐射，可运用于照明或者指示等或检测等应用领域。

尽管已经描述本发明的示例性实施例，但是理解的是，本发明不应限于这些示例性实施例而是本领域的技术人员能够在如下文的权利要求所要求的本发明的精神和范围内进行各种变化和修改。

Claims (15)

1.一种发光二极管的制作方法，包括：（1）通过外延生长工艺形成发光二极管的外延层以及待剥离牺牲层，待剥离牺牲层位于外延层的一面侧；

（2）通过光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层，形成牺牲层图形，在牺牲层图形周围外延层的所述一面侧被部分暴露；

（3）在牺牲层图形的表面以及外延层的所述一面侧覆盖一层待图形化的绝缘层；

（4）通过湿法蚀刻工艺剥离掉牺牲层图形以及所述牺牲层图形表面的绝缘层，形成图形化的绝缘层在外延层的所述一面侧。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（2）为湿法蚀刻，所述的外延层包括与外延牺牲层接触的顶层，所述的顶层在步骤（2）中为蚀刻截止层。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的绝缘层为氟化物。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：其中位于所述的外延层的一面侧，所述外延牺牲层依次包括第一牺牲层和第二牺牲层，通过步骤（2）的湿法蚀刻工艺使所述的外延牺牲层在外延层的一面侧呈上宽下窄状。

5.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第一牺牲层的厚度高于所述第二牺牲层的厚度，其中所述的第一牺牲层相对于第二牺牲层更接近外延层。

6.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的第一牺牲层和第二牺牲层为相同元素组成，但是所述的第一牺牲层为高In百分含量的外延层，所述的第二牺牲层为低In百分含量的外延层。

7.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的第一牺牲层和第二牺牲层在步骤（2）湿法蚀刻工艺中采用不同的蚀刻液进行蚀刻或者采用相同的蚀刻溶液蚀刻但是不同蚀刻速率。

8.根据权利要求4所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的第一牺牲层为含In组分不含Al的外延层，所述的第二牺牲层为含Al不含In组分的外延层。

9.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（1）通过外延生长工艺获得的外延层，按照生长顺序依次包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，其中第二导电型半导体层包括最紧邻所述牺牲层的顶层，所述的顶层为欧姆接触层GaP。

10.根据权利要求9所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：通过所述的步骤（2）中的光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层以及所述的顶层，形成牺牲层的图形和所述顶层的图形，所述的牺牲层和所述顶层的图形位置一致。

11.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（1）通过外延生长工艺获得的外延层，按照生长顺序依次包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，通过所述的步骤（2）中的光罩工艺和蚀刻工艺处理所述牺牲层以及所述的第二导电型半导体层和发光层，形成牺牲层的图形和所述的第二导电型半导体层和发光层的图形，所述的牺牲层和所述第二导电型半导体层和发光层的图形位置一致。

12.根据权利要求11所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第二导电型半导体层和发光层的图形为柱状或锥形台结构，柱状或锥形台结构周围的凹部底部为第一导电型半导体层。

13.根据权利要求12所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：还包括形成反射层覆盖在柱状结构或锥形台结构的侧壁以及第一导电型半导体层的一侧。

14.一种发光二极管，其包括基板、基板上的反射层、反射层上的外延层，外延层自反射层一侧开始依次堆叠有第二导电型半导体层、发光层和第一导电型半导体层，发光层和第二导电型半导体层呈隔离的多个柱状或者锥形台，所述多个柱状或者锥形台的侧壁被反射层覆盖。

15.根据权利要求14所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的第一导电型半导体层远离基板的一侧为出光面。

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