CN111261052B - 显示装置 - Google Patents

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CN111261052B CN201911118739.1A CN201911118739A CN111261052B CN 111261052 B CN111261052 B CN 111261052B CN 201911118739 A CN201911118739 A CN 201911118739A CN 111261052 B CN111261052 B CN 111261052B
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Abstract

公开了显示装置，该显示装置包括：显示面板，包括多个发光元件；第一基板，包括平面线圈并且设置在显示面板下方；第二基板，包括在显示装置的厚度方向上与平面线圈以预定距离间隔开的磁体并且设置在所述显示面板下方；以及电力供应单元，配置成向平面线圈提供交流电力。显示装置利用由平面线圈产生的感应磁场和由磁体产生的磁场来生成声音。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年11月30日提交的第10-2018-0152466号韩国专利申请的优先权和权益，如在本文中完全阐述的，该申请出于所有目的通过引用并入本文中。
技术领域
本发明的示例性实施方式大体上涉及其上安装有声音生成模块的显示面板和包括显示面板的显示装置。
背景技术
显示装置通过在显示屏幕上显示各种图像来将信息提供给用户。通常，显示装置在分配的屏幕上显示信息。显示装置在其中设置有用于驱动显示装置的多个部件。由于部件中的每个的面积、厚度和体积而导致难以实现足够薄的显示装置或者具有薄边框的显示装置。例如，在待安装到显示装置上的部件之中，声音生成模块具有预定体积以产生振动。
在本背景部分公开的上述信息仅用于理解发明构思的背景，并且因此，其可包括不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的示例性实施方式通过其上安装有声音生成模块的显示面板来提供薄的显示装置。
将在接下来的描述中阐述本发明构思的附加特征，且本发明构思的附加特征将通过描述在某种程度上将显而易见，或者可通过实施本发明构思来习得。
本发明的示例性实施方式提供显示装置，该显示装置包括：显示面板，包括多个发光元件；第一基板，包括第一平面线圈并且设置在显示面板下方；第二基板，包括在显示装置的厚度方向上与第一平面线圈以预定距离间隔开的第一磁体并且设置在显示面板下方；以及电力供应单元，配置成向第一平面线圈提供交流电力。
第一平面线圈和第一磁体可在平面上彼此重叠。
第一基板还可包括：第一布线，连接至第一平面线圈的一端部和电力供应单元，并且设置在与第一平面线圈相同的层上；以及第二布线，连接至第一平面线圈的另一端部和电力供应单元，并且设置在与第一平面线圈的层不同的层上。
显示装置还可包括：散热构件，设置在显示面板和第一基板之间，并且包含石墨；以及静电阻挡构件，设置在散热构件和第一基板之间，并且包含金属。第一基板可设置在静电阻挡构件和第二基板之间。
第一平面线圈可与静电阻挡构件接触。第一平面线圈可包括包含金属的布线和围绕布线的绝缘膜。
显示装置还可包括：散热构件，设置在显示面板和第二基板之间，并且包含石墨；以及静电阻挡构件，设置在散热构件和第二基板之间，并且包含金属。第二基板可设置在静电阻挡构件和第一基板之间。
第一基板还可包括基底层和绝缘层。第二布线可设置在基底层上。绝缘层可覆盖第二布线，并且设置在基底层上。第一布线和第一平面线圈可设置在绝缘层上。
第一基板可包括：第一布线，连接至第一平面线圈的一端部和电力供应单元；基底层，其上设置有第一平面线圈和第一布线；绝缘层，配置成覆盖第一平面线圈和第一布线，限定有接触孔并且设置在基底层上；第二平面线圈，设置在绝缘层上，并且包括通过接触孔连接至第一平面线圈的另一端部的一端部；以及第二布线，设置在绝缘层上，并且连接至第二平面线圈的另一端部和电力供应单元。
第二平面线圈的至少一部分可在平面上与第一平面线圈重叠。
第一基板还可包括设置在第一平面线圈和第二平面线圈之间的第三平面线圈。
第一平面线圈的长度和第二平面线圈的长度中的每个可分别大于第三平面线圈的长度。
其中设置有第一平面线圈的区域的面积和其中设置有第二平面线圈的区域的面积中的每个可分别大于其中设置有第三平面线圈的区域的面积。
第二基板还可包括：第二磁体，在显示装置的厚度方向上与第二平面线圈以预定距离间隔开，并且在平面上与第二平面线圈重叠；以及第三磁体，在显示装置的厚度方向上与第三平面线圈以预定距离间隔开，并且在平面上与第三平面线圈重叠。
第一磁体可在第一方向上发射磁场。第二基板还可包括第二磁体、第三磁体、第四磁体和第五磁体。第二磁体可在与第一方向成90度的角度的第二方向上发射磁场，并且邻近于第一磁体。第三磁体可在与第一方向成180度的角度的第三方向上发射磁场，并且邻近于第二磁体。第四磁体可在与第二方向成180度的角度的第四方向上发射磁场，并且邻近于第三磁体。第五磁体可在第一方向上发射磁场并且设置成邻近于第四磁体。
从第一方向到第二方向的改变、从第二方向到第三方向的改变以及从第三方向到第四方向的改变可分别是逆时针方向的。
第一平面线圈可在平面上与第二磁体重叠，并且第一基板还可包括在平面上与第四磁体重叠的第二平面线圈。
第一基板可包含铜(Cu)，第一基板中可限定有开口，并且第一平面线圈可设置在开口中。
显示装置可包括显示面板、冲击吸收构件、感应磁场产生构件、固定磁场产生构件和电力供应单元。
显示面板可包括多个有机发光元件。
冲击吸收构件可设置在显示面板下方并且具有预定弹力。
感应磁场产生构件可包括平面线圈，平面线圈具有各自在第一方向上延伸的多个第一线圈布线和各自在与第一方向相交的第二方向上延伸的多个第二线圈布线。感应磁场产生构件可设置在冲击吸收构件下方，并且多个第一线圈布线可设置在与多个第二线圈布线相同的层上。
固定磁场产生构件可设置在感应磁场产生构件下方，并且可包括在显示装置的厚度方向上与平面线圈以预定距离间隔开的磁体。
电力供应单元可向平面线圈提供交流电力。
显示装置还可包括：散热构件，设置在冲击吸收构件和感应磁场产生构件之间并且包含石墨；以及静电阻挡构件，设置在散热构件和感应磁场产生构件之间并且包含铜(Cu)。
显示装置可通过由固定磁场产生构件产生的固定磁场和由感应磁场产生构件产生的感应磁场来产生振动，并且通过振动产生声音。
将理解，前述一般性描述和以下详细描述二者均为示例性和说明性的，且旨在提供对所请求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
包括了附图以提供对本发明构思的进一步理解，且附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出了本发明构思的示例性实施方式，并且与描述一起用于说明本发明构思的原理。在附图中：
图1是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的立体图；
图2是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的剖视图；
图3A和图3B是图2中所示的显示模块的剖视图；
图4是根据本发明的示例性实施方式的显示面板的平面图；
图5是根据本发明的示例性实施方式的像素的等效电路图；
图6是说明性地示出施加至图5的像素的发光控制信号和扫描信号的视图；
图7示出根据本发明的示例性实施方式的像素的一部分的截面；
图8A是示出根据本发明的示例性实施方式的感应磁场产生构件和电力供应单元的平面图；
图8B是根据本发明的示例性实施方式的固定磁场产生构件的平面图；
图9是沿着图8A中所示的线I-I'截取的剖视图；
图10A是示出根据本发明的示例性实施方式的感应磁场产生构件和电力供应单元的平面图；
图10B是示出根据本发明的示例性实施方式的固定磁场产生构件的平面图；
图11A是示出根据本发明的示例性实施方式的感应磁场产生构件和电力供应单元的平面图；
图11B是沿着图11A的线II-II'截取的剖视图；
图12A是根据本发明的示例性实施方式的静电阻挡构件和平面线圈的视图；
图12B是沿着图12A中的线III-III'截取的平面线圈的剖视图；
图13是示出根据本发明的示例性实施方式的感应磁场产生构件和固定磁场产生构件的平面图；
图14是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的剖视图；
图15是示出根据本发明的示例性实施方式的静电阻挡构件的视图；
图16A是示出根据本发明的示例性实施方式的感应磁场产生构件和电力供应单元的平面图；以及
图16B是示出根据本发明的示例性实施方式的固定磁场产生构件的平面图。
具体实施方式
在以下描述中，出于说明的目的，阐述了诸多具体细节以提供对本发明各种示例性实施方式的透彻理解。如本文中所使用的“示例性实施方式”是对采用本文中公开的发明构思中的一种或多种的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，各种示例性实施方式可在没有这些具体细节或者具有一个或多个等同布置的情况下实施。在其它示例中，公知的结构和装置以框图形式示出，以避免不必要地模糊各种示例性实施方式。另外，各种示例性实施方式可以是不同的，但不一定是排它性的。例如，在不背离本发明构思的情况下，示例性实施方式的具体形状、配置和特性可在另一示例性实施方式中使用或实施。
除非另外指定，否则所示的示例性实施方式应理解为提供本发明构思可在实践中实施的某些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指定，否则在不背离本发明构思的情况下，各种示例性实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地称为或统称为“元件”)可另外组合、分离、互换和/或重新布置。
交叉影线和/或阴影在附图中的使用被一般性地提供以明确邻近元件之间的界限。因此，除非指定，否则交叉影线或阴影的存在或缺失均不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性，和/或元件的其它特性、属性、性质等的偏好或要求。另外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的尺寸和相对尺寸可被夸大。当示例性实施方式可以以不同方式实施时，具体的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。另外，相同的参考标号表示相同的元件。
当诸如层的元件被称为在另一元件或层上、连接至或联接至另一元件或层时，其可以直接在该另一元件或层上、直接连接至或直接联接至该另一元件或层，或者可以存在介于中间的元件或层。然而，当元件或层被称为直接在另一元件或层上，直接连接至或直接联接至另一元件或层时，则不存在介于中间的元件或层。为此，术语“连接”可表示在存在或不存在介于中间的元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。另外，DR1-轴、DR2-轴和DR3-轴不限于矩形坐标系统的三个轴，诸如x-轴、y-轴和z-轴，且可以以更宽的含义来解释。例如，DR1-轴、DR2-轴和DR3-轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同的方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ例。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和所有组合。
虽然术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，这些元件不应受限于这些术语。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，以下所讨论的第一元件可以被称为第二元件。
诸如“下面”、“下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“之上”、“上”、“侧”(例如，如在”侧壁“中)等空间相对术语在本文中可出于描述的目的而使用，且由此描述图中所示的一个与另外的元件的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语还旨在包含设备在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可包含上和下两种定向。另外，设备可以以另外的方式定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且因此本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。
本文中使用的术语出于描述特定示例性实施方式的目的，而不旨在进行限制。如本文中所使用的，单数形式，“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另有明确说明。另外，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。还应注意，如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和其它的类似术语用作近似的术语而非程度术语，并且由此用于为本领域普通技术人员将认识到的所测量、计算和/或提供的值中的固有偏差留有余量。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还应当理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应被理解为具有与其在相关技术领域的语境中的含义一致的含义，并且不应被理解为具有理想化或过于形式化的含义，除非在本文中明确地如此定义。
在下文中，将参考附图描述本发明的示例性实施方式。
图1是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置DD的立体图。
在图1中，显示装置DD示例性地示出为智能电话。然而，本发明构思不限于此。显示装置DD可以是诸如电视机或监视器的大型电子装置，或者是诸如移动电话、平板电脑、车辆导航系统单元、游戏机或智能电话的小型或中型尺寸电子装置。
在显示装置DD中，可限定有显示区域DA和非显示区域NDA。
其上显示图像IM的显示区域DA平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。显示区域DA的法线方向，即显示装置DD的厚度方向由第三方向DR3指示。每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)通过第三方向DR3来划分。然而，由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向仅仅是示例，且可以是不同的方向。在下文中，第一方向至第三方向分别对应于由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向，并且被赋予与第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3相同的参考标号。
图1中所示的显示区域DA的形状仅仅是示例，且显示区域DA的形状可以在必要时不受限制地改变。
非显示区域NDA是邻近于显示区域DA且其上不显示图像IM的区域。显示装置DD的边框区域可由非显示区域NDA限定。
非显示区域NDA可围绕显示区域DA。然而，本发明构思不限于此。显示区域DA的形状和非显示区域NDA的形状可相对地进行设计。
图2是根据本发明的示例性实施方式的显示装置DD的剖视图。图3A和图3B是显示模块DM和DM-1的剖视图，显示模块DM在图2中示出。图2示出由第二方向DR2和第三方向DR3限定的截面。
显示装置DD可包括显示模块DM、多个功能层FC1至FC3、基底膜BF、冲击吸收构件CSH、散热构件RD、静电阻挡构件ESD、感应磁场产生构件IMF、固定磁场产生构件FMF和多个粘合构件AD1至AD8。
在本发明的示例性实施方式中，粘合构件AD1至AD8中的每个可以是压敏粘合剂(PSA)。
功能层FC1至FC3可设置在显示模块DM上。
第一功能层FC1可通过第一粘合构件AD1粘附至显示模块DM。第二功能层FC2可通过第二粘合构件AD2粘附至第一功能层FC1。第三功能层FC3可通过第三粘合构件AD3粘附至第二功能层FC2。
功能层FC1至FC3可各自包含聚合物材料。功能层FC1至FC3可各自呈膜的形式。
在本发明的示例性实施方式中，第一功能层FC1可以是用于使入射光偏振的偏振功能层。第二功能层FC2可以是用于吸收从外部施加的冲击的冲击吸收功能层。第三功能层FC3可以是构成显示装置DD的外表面的窗功能层。在本发明的另一示例性实施方式中，第一功能层FC1至第三功能层FC3中的一些可被省略。
基底膜BF、冲击吸收构件CSH、散热构件RD、静电阻挡构件ESD和感应磁场产生构件IMF设置在显示模块DM下方。
基底膜BF可设置在显示模块DM下方。基底膜BF可通过第四粘合构件AD4粘附至显示模块DM的下部。
基底膜BF可包括聚合物材料。在本发明的示例性实施方式中，基底膜BF可以是黑色膜。
冲击吸收构件CSH可设置在基底膜BF下方。冲击吸收构件CSH可通过第五粘合构件AD5粘附至显示模块DM的下部。
冲击吸收构件CSH可包括聚合物材料。冲击吸收构件CSH可以是用于吸收从外部施加的冲击的层。
在本发明的示例性实施方式中，冲击吸收构件CSH可具有预定弹力，例如，冲击吸收构件CSH可具有0.01MPa至500Mpa的模量。当冲击吸收构件CSH的模量小于0.01Mpa时，冲击吸收构件CSH变软，从而无法有效地吸收来自外部的外部冲击。另外，当冲击吸收构件CSH的模量超过500Mpa时，冲击吸收构件CSH变硬，因此也无法有效地吸收来自外部的外部冲击。
在本发明的示例性实施方式中，冲击吸收构件CSH可包括热塑性聚氨酯或泡沫橡胶。
散热构件RD可设置在冲击吸收构件CSH下方。散热构件RD可通过第六粘合构件AD6粘附至冲击吸收构件CSH的下部。
散热构件RD可以是用于将从显示模块DM产生的热散发到外部的组件。在本发明的示例性实施方式中，散热构件RD可包含石墨或不锈钢。
静电阻挡构件ESD可设置在散热构件RD下方。静电阻挡构件ESD可通过第七粘合构件AD7粘附至散热构件RD的下部。
静电阻挡构件ESD可防止显示模块DM受到从外部施加的静电的影响。静电阻挡构件ESD可包含金属。例如，静电阻挡构件ESD可包含铜(Cu)、铁(Fe)或铝(Al)。
感应磁场产生构件IMF可设置在静电阻挡构件ESD下方。感应磁场产生构件IMF可通过第八粘合构件AD8粘附至静电阻挡构件ESD的下部。
感应磁场产生构件IMF可包括感应磁场产生区域AR1(在下文中，称为第一区域)。在本发明的示例性实施方式中，在第一区域AR1中，可设置用于产生感应磁场的平面线圈PCL(见图8A)。
从第一区域AR1产生的感应磁场的方向可连续地改变。
固定磁场产生构件FMF可设置在感应磁场产生构件IMF下方。固定磁场产生构件FMF可包括固定磁场产生区域AR2(在下文中，第二区域)。在本发明的示例性实施方式中，在第二区域AR2中，可设置用于产生固定磁场的磁体MG(见图8B)。
在本发明的示例性实施方式中，固定磁场产生构件FMF可以是用于容纳显示模块DM、冲击吸收构件CSH、散热构件RD、静电阻挡构件ESD和感应磁场产生构件IMF的支架。
第一区域AR1和第二区域AR2可在第三方向DR3上以预定距离彼此间隔开。
在显示装置DD中，可由于从第一区域AR1产生的感应磁场和从第二区域AR2产生的固定磁场而在感应磁场产生构件IMF和固定磁场产生构件FMF之间反复地产生吸引力和排斥力。
显示装置DD可由于这种吸引力和排斥力而振动，且显示装置DD可利用振动产生声音。
在本发明的另一示例性实施方式中，粘合构件AD1至AD8中的至少一些可被省略。
参照图3A，显示模块DM可包括显示面板DP和输入感测电路ISC。输入感测电路ISC可感测从外部施加的触摸和/或压力。
输入感测电路ISC可直接设置在显示面板DP的薄膜封装层(未示出)上。这里，术语“直接设置”意指输入感测电路ISC在没有单独的粘合构件的情况下设置在显示面板DP上。
参照图3B，可使用显示模块DM-1来代替图3A的显示模块DM，并且显示模块DM-1可包括显示面板DP、输入感测电路ISC和第九粘合构件AD9。显示面板DP和输入感测电路ISC可通过第九粘合构件AD9彼此粘附。
图4是根据本发明的示例性实施方式的显示面板DP的平面图。
显示面板DP在平面上包括显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA。在示例性实施方式中，非显示区域DP-NDA可沿着显示区域DP-DA的边缘限定。显示面板DP的显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA可分别对应于图1中所示显示装置DD的显示区域DA和非显示区域NDA。
显示面板DP可包括扫描驱动单元100、数据驱动单元200、多个扫描线SL、多个发光控制线ECL、多个数据线DL、多个电力线PL和多个像素PX(在下文中，称为像素)。像素PX设置在显示区域DP-DA中。像素PX各自包括有机发光二极管OLED(见图5)和连接至有机发光二极管OLED的像素电路CC(见图5)。
扫描驱动单元100可包括扫描驱动器和发光控制驱动器。
扫描驱动器生成扫描信号并且将生成的扫描信号依次输出至扫描线SL。发光控制驱动器生成发光控制信号并且将生成的发光控制信号输出至发光控制线ECL。
在本发明的另一示例性实施方式中，扫描驱动器和发光控制驱动器在扫描驱动单元100中可以不被划分开，而是可形成为一个电路。
扫描驱动单元100可包括通过与用于形成像素PX的驱动电路的工艺相同的工艺(例如，低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺)形成的多个薄膜晶体管。
数据驱动单元200将数据信号输出至数据线DL。数据信号是与图像数据的灰度对应的模拟电压。
在本发明的示例性实施方式中，数据驱动单元200安装在柔性印刷电路板FPCB上，并且柔性印刷电路板FPCB可连接至设置在数据线DL的一端处的焊盘。然而，本发明构思不限于此。数据驱动单元200可直接设置在显示面板DP上。
扫描线SL在第二方向DR2上延伸，并且可布置在与第二方向DR2相交的第一方向DR1上。在本发明的示例性实施方式中，第二方向DR2和第一方向DR1可以是正交的，但是本发明构思不限于此。
发光控制线ECL在第二方向DR2上延伸，并且可布置在第一方向DR1上。换言之，发光控制线ECL可各自与扫描线SL之中的对应扫描线并排布置。
数据线DL在第一方向DR1上延伸，并且布置在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上。数据线DL可将数据信号提供至对应的像素PX。
电力线PL在第一方向DR1上延伸，并且布置在第二方向DR2上。电力线PL可将第一电力供应电压ELVDD提供至对应的像素PX。
多个像素PX各自连接至扫描线SL之中的对应扫描线、发光控制线ECL之中的对应发光控制线、数据线DL之中的对应数据线以及电力线PL之中的对应电力线。
显示面板DP的非显示区域DP-NDA可包括弯曲区域BA。当显示面板DP相对于弯曲区域BA弯曲时，非显示区域DP-NDA在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上的面积减小，从而可以提供具有薄边框的显示装置DD。换言之，可提供图1中具有小面积的非显示区域NDA的显示装置DD。
图5是根据本发明的示例性实施方式的像素PX的等效电路图。图6示例性地示出施加至图5的像素PX的发光控制信号Ei和扫描信号Si-1、Si和Si+1。图5示例性地示出连接至第i扫描线SLi和第i发光控制线ECLi的像素PX。
像素PX可包括有机发光二极管OLED和像素电路CC。像素电路CC可包括多个晶体管T1至T7和电容器CP。像素电路CC与数据信号对应地控制流经有机发光二极管OLED的电流的量。
有机发光二极管OLED以预定亮度发射与从像素电路CC提供的电流的量对应的光。为此，第一电力供应电压ELVDD的电平可设定为高于第二电力供应电压ELVSS的电平。
多个晶体管T1至T7可各自包括输入电极(或源电极)、输出电极(或漏电极)和控制电极(或栅电极)。在本公开中，为方便起见，输入电极和输出电极中的任一个可称作第一电极，且它们中的另一个可称作第二电极。
第一晶体管T1的第一电极经由第五晶体管T5连接至第一电力供应电压ELVDD，且第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6连接至有机发光二极管OLED的阳电极。在本公开中，第一晶体管T1可称作驱动晶体管。
第一晶体管T1与施加至控制电极的电压对应地控制流经有机发光二极管OLED的电流的量。
第二晶体管T2连接在数据线DL和第一晶体管T1的第一电极之间。此外，第二晶体管T2的控制电极连接至第i扫描线SLi。当第i扫描信号Si提供至第i扫描线SLi时，第二晶体管T2导通并将数据线DL和第一晶体管T1的第一电极电连接。
第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的第二电极和控制电极之间。第三晶体管T3的控制电极连接至第i扫描线SLi。当第i扫描信号Si提供至第i扫描线SLi时，第三晶体管T3导通并将第一晶体管T1的第二电极和控制电极电连接。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1连接为二极管。
第四晶体管T4连接在节点ND和初始化电力产生单元(未示出)之间。此外，第四晶体管T4的控制电极连接至第i-1扫描线SLi-1。当第i-1扫描信号Si-1提供至第i-1扫描线SLi-1时，第四晶体管T4导通并将初始化电压Vint提供至节点ND。
第五晶体管T5连接在电力线PL和第一晶体管T1的第一电极之间。第五晶体管T5的控制电极连接至第i发光控制线ECLi。
第六晶体管T6连接在第一晶体管T1的第二电极和有机发光二极管OLED的阳电极之间。此外，第六晶体管T6的控制电极连接至第i发光控制线ECLi。
第七晶体管T7连接在初始化电力产生单元(未示出)和有机发光二极管OLED的阳电极之间。此外，第七晶体管T7的控制电极连接至第i+1扫描线SLi+1。当第i+1扫描信号Si+1提供至第i+1扫描线SLi+1时，第七晶体管T7导通并将初始化电压Vint提供至有机发光二极管OLED的阳电极。
第七晶体管T7可改善像素PX表达黑色的能力。具体地，当第七晶体管T7导通时，有机发光二极管OLED的寄生电容器(未示出)被放电。然后，当实施黑色亮度时，有机发光二极管OLED由于来自第一晶体管T1的漏电流而不发光，并且由此，可提升表达黑色的能力。
此外，图5示出第七晶体管T7的控制电极连接至第i+1扫描线SLi+1，但是本发明构思不限于此。在本发明的另一示例性实施方式中，第七晶体管T7的控制电极可连接至第i扫描线SLi或第i-1扫描线SLi-1。
虽然图5示出PMOS作为参考，但是本发明构思不限于此。在本发明的另一示例性实施方式中，像素PX可由NMOS形成。在本发明的又一示例性实施方式中，像素PX可由NMOS和PMOS的组合形成。
电容器CP设置在电力线PL和节点ND之间。电容器CP存储与数据信号对应的电压。当第五晶体管T5和第六晶体管T6根据存储在电容器CP中的电压而导通时，可确定流经第一晶体管T1的电流的量。
在本发明构思中，像素PX的结构不限于图5中所示的结构。在本发明的另一示例性实施方式中，像素PX可以以用于使有机发光二极管OLED发光的各种形式实施。
参照图6，发光控制信号Ei可具有高电平E-HIGH或低电平E-LOW。扫描信号SLi-1、SLi和SLi-1可各自具有高电平S-HIGH或低电平S-LOW。
当发光控制信号Ei具有高电平E-HIGH时，第五晶体管T5和第六晶体管T6截止。当第五晶体管T5截止时，电力线PL和第一晶体管T1的第一电极被电隔离。当第六晶体管T6截止时，第一晶体管T1的第二电极和有机发光二极管OLED的阳电极被电隔离。因此，当具有高电平E-HIGH的发光控制信号Ei被提供至第i发光控制线ECLi时，有机发光二极管OLED不发光。
此后，当提供至第i-1扫描线SLi-1的第i-1扫描信号Si-1具有低电平S-LOW时，第四晶体管T4导通。当第四晶体管T4导通时，初始化电压Vint被提供至节点ND。
当被提供至第i扫描线SLi的第i扫描信号Si具有低电平S-LOW时，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通。
当第二晶体管T2导通时，数据信号被提供至第一晶体管T1的第一电极。此时，由于节点ND被初始化到初始化电压Vint，因此第一晶体管T1导通。当第一晶体管T1导通时，与数据信号对应的电压被提供至节点ND。此时，电容器CP存储与数据信号对应的电压。
当被提供至第i+1扫描线SLi+1的第i+1扫描信号Si+1具有低电平S-LOW时，第七晶体管T7导通。
当第七晶体管T7导通时，初始化电压Vint被提供至有机发光二极管OLED的阳电极，使得有机发光二极管OLED的寄生电容器放电。
当被提供至第i发光控制线ECLi的发光控制信号Ei具有低电平E-LOW时，第五晶体管T5和第六晶体管T6导通。当第五晶体管T5导通时，第一电力供应电压ELVDD被提供至第一晶体管T1的第一电极。当第六晶体管T6导通时，第一晶体管T1的第二电极和有机发光二极管OLED的阳电极电连接。然后，有机发光二极管OLED产生与被提供的电流的量对应的具有预定亮度的光。
图7示出根据本发明的示例性实施方式的像素PX(见图5)的一部分的截面。在图7中，示例性地示出了第一晶体管T1和第二晶体管T2。然而，第一晶体管T1的结构和第二晶体管T2的结构不限于此。在图7中，第一晶体管T1的第二电极IED2示出为与有机发光二极管OLED的阳电极AE直接接触。然而，这是呈截面形状的形式且如此示出。实际上，如图5中所示，第一晶体管T1可经由第六晶体管T6连接至有机发光二极管OLED的阳电极AE。然而，本发明构思不限于此。在本发明的另一示例性实施方式中，第一晶体管T1的第二电极IED2可与有机发光二极管OLED的阳电极AE直接接触。
显示面板DP(见图4)可包括基底构件BL、电路层CL、发光元件层ELL和封装层TFE。
电路层CL可包括缓冲层BFL、栅极绝缘层GI1和GI2、层间绝缘层ILD、电路绝缘层VIA以及晶体管T1和T2。
发光元件层ELL可包括有机发光二极管OLED和像素限定膜PDL。
封装层TFE封装发光元件层ELL以保护发光元件层ELL免受外部氧或水分的影响。
在基底构件BL的一个表面上，设置有缓冲层BFL。
缓冲层BFL防止在制造工艺期间存在于基底构件BL中的杂质被引入像素PX中。特别地，缓冲层BFL防止杂质扩散到构成像素PX的晶体管T1和T2的有源部分ACL中。
杂质可从外部引入或者可在基底构件BL热分解时从基底构件BL产生。杂质可以是从基底构件BL释放出的气体或钠。此外，缓冲层BFL阻挡水分从外部被引入像素PX中。
在缓冲层BFL上，设置有分别构成晶体管T1和T2的有源部分ACL。有源部分ACL可各自包含多晶硅或非晶硅。此外，有源部分ACL可各自包含金属氧化物半导体。
有源部分ACL可包括沟道区域以及第一离子掺杂区域和第二离子掺杂区域，其中，沟道区域充当电子或空穴可移动通过的路径，第一离子掺杂区域和第二离子掺杂区域设置成沟道区域插置在它们之间。
在缓冲层BFL上，设置有覆盖有源部分ACL的第一栅极绝缘层GI1。第一栅极绝缘层GI1包括有机膜和/或无机膜。第一栅极绝缘层GI1可包括多个无机膜。多个无机膜可各自包括硅氮化物层和硅氧化物层。
在第一栅极绝缘层GI1上，设置有分别构成晶体管T1和T2的控制电极GE1。第一晶体管T1的控制电极GE1可以是构成电容器CP的两个电极中的任一个。在第一栅极绝缘层GI1上，可设置有发光控制线ECL(见图4)和扫描线SL(见图4)的至少一部分。
在第一栅极绝缘层GI1上，设置有覆盖控制电极GE1的第二栅极绝缘层GI2。第二栅极绝缘层GI2包括有机膜和/或无机膜。第二栅极绝缘层GI2可包括多个无机膜。多个无机膜可包括硅氮化物层和硅氧化物层。
在第二栅极绝缘层GI2上，可设置有构成电容器CP(见图5)的两个电极中的另一电极GE2。换言之，设置在第一栅极绝缘层GI1上的控制电极GE1和设置在第二栅极绝缘层GI2上的电极GE2可彼此重叠以限定图5中所示的电容器CP。然而，其中设置有构成电容器CP的电极的结构不限于此。
在第二栅极绝缘层GI2上，设置有覆盖电极GE2的层间绝缘层ILD。层间绝缘层ILD包括有机膜和/或无机膜。层间绝缘层ILD可包括多个无机膜。多个无机膜可包括硅氮化物层和硅氧化物层。
在层间绝缘层ILD上，可设置有电力线PL(见图4)和数据线DL(见图4)的至少一部分。在层间绝缘层ILD上，可设置有晶体管T1和T2中的每个的第一电极IED1和第二电极IED2。
第一电极IED1和第二电极IED2可各自通过穿过栅极绝缘层GI1和GI2以及层间绝缘层ILD的通孔连接至对应的有源部分ACL。
在层间绝缘层ILD上，设置有覆盖第一电极IED1和第二电极IED2的电路绝缘层VIA。电路绝缘层VIA包括有机膜和/或无机膜。电路绝缘层VIA可提供平坦表面。
在电路绝缘层VIA上，设置有像素限定膜PDL和有机发光二极管OLED。
有机发光二极管OLED可包括阳电极AE、空穴控制层HL、发光层EML、电子控制层EL和阴电极CE。
图8A是示出根据本发明的示例性实施方式的感应磁场产生构件IMF和电力供应单元AMP的平面图。图8B是根据本发明的示例性实施方式的固定磁场产生构件FMF的平面图。图9是沿着图8A中所示线I-I'截取的剖视图。
参照图8A和图9，感应磁场产生构件IMF可包括基底层BS、平面线圈PCL、布线LN1和LN2以及绝缘层IS1和IS2。
平面线圈PCL可包括在与第一方向DR1平行的方向上延伸的第一线圈布线CCL1和在与第二方向DR2平行的方向上延伸的第二线圈布线CCL2。
第一线圈布线CCL1可各自连接至第二线圈布线CCL2之中的对应的第二线圈布线CCL2。
第一线圈布线CCL1和第二线圈布线CCL2可设置在相同的平面上，使得可以实现平面线圈PCL。
由于构成平面线圈PCL的线圈布线CCL1和CCL2设置在相同的平面上，因此可以实现薄线圈。
平面线圈PCL的一端部ED1(或第一端部)可连接至第一布线LN1，并且另一端部ED2(或第二端部)可连接至第二布线LN2。第二布线LN2可设置在与平面线圈PCL和第一布线LN1不同的层上。
参照图9，在本发明的示例性实施方式中，第二布线LN2可设置在基底层BS上。
第一绝缘层IS1覆盖第二布线LN2，并且可设置在基底层BS上。在基底层BS上，可限定有接触孔CTH。
平面线圈PCL和第一布线LN1可设置在第一绝缘层IS1上。
第二绝缘层IS2覆盖平面线圈PCL和第一布线LN1，并且可设置在第一绝缘层IS1上。在本发明的另一示例性实施方式中，第二绝缘层IS2可被省略。
在本发明的示例性实施方式中，基底层BS、第一绝缘层IS1和第二绝缘层IS2可各自包含聚酰亚胺。然而，基底层BS、第一绝缘层IS1和第二绝缘层IS2中的每个所包含的材料不限于此，且具有绝缘性质的任何材料可被使用。
电力供应单元AMP可通过第一布线LN1和第二布线LN2向平面线圈PCL提供交流电力。
由电力供应单元AMP提供的交流电力可对应于从显示装置DD的音频编解码器接收的电信号而产生。
当平面线圈PCL从电力供应单元AMP接收交流电力时，平面线圈PCL可根据安培定律在第三方向DR3上产生反复地改变其方向的感应磁场。
参照图8B，在固定磁场产生构件FMF的第二区域AR2上，可设置有磁体MG。磁体MG可设置成在平面上与平面线圈PCL重叠。
图10A是示出根据本发明的示例性实施方式的感应磁场产生构件IMF-1和电力供应单元AMP-1的平面图。图10B是示出根据本发明的示例性实施方式的固定磁场产生构件FMF-1的平面图。
感应磁场产生构件IMF-1可包括第一平面线圈PCL1、第二平面线圈PCL2和第三平面线圈PCL3。
感应磁场产生构件IMF-1可具有限定在其中的第一区域AR1-1。第一区域AR1-1可包括其中设置有第一平面线圈PCL1的第一子区域AR-S1、其中设置有第二平面线圈PCL2的第二子区域AR-S2以及其中设置有第三平面线圈PCL3的第三子区域AR-S3。
参照图1和图10A，第一平面线圈PCL1和第二平面线圈PCL2各自设置成邻近于非显示区域NDA，并且第三平面线圈PCL3可设置在第一平面线圈PCL1和第二平面线圈PCL2之间。
在本发明的示例性实施方式中，第一平面线圈PCL1的长度和第二平面线圈PCL2的长度中的每个可大于第三平面线圈PCL3的长度。在本发明的示例性实施方式中，第一子区域AR-S1的面积和第二子区域AR-S2的面积中的每个可大于第三子区域AR-S3的面积。
因此，在第一子区域AR-S1和第二子区域AR-S2中的每个中产生的感应磁场的大小可大于在第三子区域AR-S3中产生的感应磁场的大小。
在显示装置DD的边缘部分中，由于在施加力时外部壳体或粘合构件的影响，相比其中央部分中产生更少的振动。因此，如图10A中所示，通过增加在第一子区域AR-S1和第二子区域AR-S2中产生的感应磁场的大小并且通过减小在第三子区域AR-S3中产生的感应磁场的大小，可以解决由这种不平衡导致的任何问题。
参照图10B，固定磁场产生构件FMF-1可包括磁体MG-1。磁体MG-1可包括对应于第一子区域AR-S1的第一磁体MG1、对应于第二子区域AR-S2的第二磁体MG2和对应于第三子区域AR-S3的第三磁体MG3。
在本发明的示例性实施方式中，第一磁体MG1的面积和第二磁体MG2的面积中的每个可大于第三磁体MG3的面积。在本发明的示例性实施方式中，从第一磁体MG1产生的磁场的大小和从第二磁体MG2产生的磁场的大小中的每个可大于从第三磁体MG3产生的磁场的大小。
电力供应单元AMP-1可向平面线圈PCL1、PCL2和PCL3提供交流电力。
图11A是示出根据本发明的示例性实施方式的感应磁场产生构件IMF-2和电力供应单元AMP的平面图。图11B是沿着图11A的线II-II'截取的剖视图。
感应磁场产生构件IMF-2可包括由两个层构成的平面线圈PCL-1。
平面线圈PCL-1可包括下平面线圈PCL-L1和上平面线圈PCL-L2。
下平面线圈PCL-L1可设置在基底层BS-1上。
第一绝缘层IS1-1覆盖下平面线圈PCL-L1，并且可设置在基底层BS-1上。
上平面线圈PCL-L2可设置在第一绝缘层IS1-1上。
第二绝缘层IS2-1覆盖上平面线圈PCL-L2，并且可设置在第一绝缘层IS1-1上。
上平面线圈PCL-L2的第一端部ED1-1可连接至第一布线LN1-1，且下平面线圈PCL-L1的第一端部ED1-2可连接至第二布线LN2-1。因此，第一布线LN1-1设置在与上平面线圈PCL-L2相同的层上，并且第二布线LN2-1可设置在与下平面线圈PCL-L1相同的层上。
上平面线圈PCL-L2的第二端部ED2-1可通过限定在第一绝缘层IS1-1中的接触孔CTH-1连接至下平面线圈PCL-L1的第二端部ED2-2。
在本发明的示例性实施方式中，上平面线圈PCL-L2的至少一部分可与下平面线圈PCL-L1重叠。
当电力供应单元AMP将交流电力施加至平面线圈PCL-1时，从上平面线圈PCL-L2产生的感应磁场的方向和从下平面线圈PCL-L1产生的感应磁场的方向是相同的。因此，可进一步增加从平面线圈PCL-1产生的感应磁场的大小。
图12A是示出根据本发明的示例性实施方式的静电阻挡构件ESD和平面线圈PCL-2的视图。图12B是沿着图12A的线III-III'截取的平面线圈PCL-2的剖视图。
在本发明构思的示例性实施方式中，平面线圈PCL-2可直接附接至静电阻挡构件ESD。
如图12B中所示，平面线圈PCL-2可包括金属线MTL和围绕金属线MTL的绝缘膜IST。
金属线MTL可通过绝缘膜IST与静电阻挡构件ESD绝缘。
图13是示出根据本发明的示例性实施方式的感应磁场产生构件IMF-3和固定磁场产生构件FMF-2的平面图。
固定磁场产生构件FMF-2可包括第一磁体MG1至第五磁体MG5。
第一磁体MG1至第五磁体MG5可设置成顺序地彼此邻近。
在本发明的示例性实施方式中，磁体MG1至MG5的布置可以是海尔贝克(Halbach)阵列。
例如，第一磁体MG1可布置成使得其左侧为N极且其右侧为S极。因此，第一磁体MG1可在左侧方向上发射磁场。
第二磁体MG2可布置成使得其下侧为N极且其上侧为S极。因此，第二磁体MG2可在向下方向上发射磁场。
第三磁体MG3可布置成其右侧为N极且其左侧为S极。因此，第三磁体MG3可在右侧方向上发射磁场。
第四磁体MG4可布置成使得其上侧为N极且其下侧为S极。因此，第四磁体MG4可在向上方向上发射磁场。
第五磁体MG5可布置成使得其左侧为N极且其右侧为S极。因此，第五磁体MG5可在左侧方向上发射磁场。
换言之，从第一磁体MG1朝第五磁体MG5，分别从磁体MG1至MG5发射的磁场的方向可在逆时针方向上改变。
这样，当第一磁体MG1至第五磁体MG5布置成海尔贝克阵列时，形成在固定磁场产生构件FMF-2的上侧上的磁场线MFL-H可具有高密度，且形成在固定磁场产生构件FMF-2的下侧上的磁场线MFL-L可具有低密度。
换言之，利用海尔贝克阵列，可有效地使用由磁体MG1至MG5形成的磁场。
在本发明的示例性实施方式中，感应磁场产生构件IMF-3可包括与第二磁体MG2重叠的限定在第一子区域AR-SS1中的第一平面线圈(未示出)和与第四磁体MG4重叠的限定在第二子区域AR-SS2中的第二平面线圈(未示出)。限定在第一子区域AR-SS1中的第一平面线圈和限定在第二子区域AR-SS2中的第二平面线圈可分别发射感应磁场。
图14是根据本发明的示例性实施方式的显示装置DD-1的剖视图。
在图14中所示的显示装置DD-1中，感应磁场产生构件IMF-4和固定磁场产生构件FMF-3的位置相对于图2中所示的感应磁场产生构件IMF和固定磁场产生构件FMF的位置被调换。
在这种情况下，感应磁场产生构件IMF-4可以是支架。
与图14有关的其它描述由于其与图2中所示的显示装置DD的描述基本上相同而被省略。
图15是示出根据本发明的示例性实施方式的静电阻挡构件ESD-1的视图。
在本发明的示例性实施方式中，静电阻挡构件ESD-1可具有限定在其中的开口OP-ESD。在开口OP-ESD中，可设置有平面线圈PCL-3。
换言之，平面线圈PCL-3可设置在与静电阻挡构件ESD-1相同的层上。
平面线圈PCL-3可使用第一端部ED1-3和第二端部ED2-3来接收交流电力。
图16A是示出根据本发明的示例性实施方式的感应磁场产生构件IMF-5和电力供应单元AMP-2的平面图。图16B是示出根据本发明的示例性实施方式的固定磁场产生构件FMF-4的平面图。
感应磁场产生构件IMF-5可包括第一平面线圈PCL11、多个第二平面线圈PCL12以及多个第三平面线圈PCL13。
感应磁场产生构件IMF-5可具有限定在其中的第一区域AR10。第一区域AR10可包括其中设置有第一平面线圈PCL11的第一子区域AR-S11、其中设置有第二平面线圈PCL12的第二子区域AR-S12、以及其中设置有第三平面线圈PCL13的第三子区域AR-S13。
在本发明的示例性实施方式中，第二平面线圈PCL12的长度可大于第一平面线圈PCL11的长度，且第三平面线圈PCL13的长度可大于第二平面线圈PCL12的长度。
在本发明的示例性实施方式中，第二子区域AR-S12的面积可大于第一子区域AR-S11的面积，且第三子区域AR-S13的面积可大于第二子区域AR-S12的面积。
因此，在第二子区域AR-S12中产生的感应磁场的大小可大于在第一子区域AR-S11中产生的感应磁场的大小，且在第三子区域AR-S13中产生的感应磁场的大小可大于在第二子区域AR-S12中产生的感应磁场的大小。
参照图1和图16A，第三平面线圈PCL13设置成比第二平面线圈PCL12靠近非显示区域NDA，且第二平面线圈PCL12设置成比第一平面线圈PCL11靠近非显示区域NDA。换言之，第三子区域AR-S13设置成比第二子区域AR-S12靠近非显示区域NDA，且第二子区域AR-S12设置成比第一子区域AR-S11靠近非显示区域NDA。
电力供应单元AMP-2可向平面线圈PCL11、PCL12和PCL13提供交流电力。在图16A中，为方便起见，未示出将电力供应单元AMP-2与平面线圈PCL11、PCL12和PCL13连接的布线。
参照图16B，固定磁场产生构件FMF-4可包括磁体MG10。磁体MG10可包括对应于第一子区域AR-S11的第一磁体MG11、对应于第二子区域AR-S12的第二磁体MG12以及对应于第三子区域AR-S13的第三磁体MG13。
在本发明的示例性实施方式中，第二磁体MG12的面积可大于第一磁体MG11的面积，且第三磁体MG13的面积可大于第二磁体MG12的面积。在本发明的示例性实施方式中，从第二磁体MG12产生的磁场的大小大于从第一磁体MG11产生的磁场的大小，且从第三磁体MG13产生的磁场的大小可大于从第二磁体MG12产生的磁场的大小。
显示装置DD中的邻近于非显示区域NDA的部分(即，边缘部分)由固定磁场产生构件FMF-4或单独的粘合构件固定。因此，在向显示装置DD的边缘部分施加预定力时产生的振动量小于在向显示装置DD的中央部分施加相同的预定力时产生的振动量。因此，存在由振动产生的声音的量可能会变化的担忧。因此，如图16A和图16B中所示，通过允许在边缘部分中产生的磁场的强度大于在中央部分中产生的磁场的强度，可在显示装置DD中产生均匀量的声音。
根据本发明的示例性实施方式，可减小显示装置的厚度。
虽然本文中已描述了某些示例性实施方式，但是其它示例性实施方式和变型将通过该描述变得明显。因此，本发明构思不限于这些示例性实施方式，而是如将对于本领域普通技术人员显而易见的，限于所附权利要求和各种明显的变型及等同布置的更宽的范围。

Claims (16)

1.显示装置，包括：
显示面板，包括多个发光元件；
第一基板，包括第一平面线圈，并且设置在所述显示面板下方，所述第一平面线圈位于与所述显示装置的厚度方向垂直的平面上；
第二基板，包括在所述显示装置的厚度方向上与所述第一平面线圈以预定距离间隔开的第一磁体，并且设置在所述显示面板下方；以及
电力供应单元，配置成向所述第一平面线圈提供交流电力，
其中，所述第一平面线圈和所述第一磁体在平面上彼此重叠，
其中，所述第一基板还包括：
第一布线，连接至所述第一平面线圈的一端部和所述电力供应单元，并且设置在与所述第一平面线圈相同的层上；以及
第二布线，连接至所述第一平面线圈的另一端部和所述电力供应单元，并且设置在与所述第一平面线圈不同的层上，
其中，所述显示装置还包括：
散热构件，设置在所述显示面板和所述第一基板之间，并且包括石墨；以及
静电阻挡构件，设置在所述散热构件和所述第一基板之间，并且包括金属，
其中，所述第一基板设置在所述静电阻挡构件和所述第二基板之间。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一平面线圈与所述静电阻挡构件接触。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一平面线圈包括：
布线，包括金属；以及
绝缘膜，围绕所述布线。
4.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
散热构件，设置在所述显示面板和所述第二基板之间，并且包括石墨；以及
静电阻挡构件，设置在所述散热构件和所述第二基板之间，并且包括金属，
其中，所述第二基板设置在所述静电阻挡构件和所述第一基板之间。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一基板还包括：
基底层，所述基底层上设置有所述第二布线；以及
绝缘层，配置成覆盖所述第二布线，设置在所述基底层上，并且所述绝缘层上设置有所述第一布线和所述第一平面线圈。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一基板还包括：
第一布线，连接至所述第一平面线圈的一端部和所述电力供应单元；
基底层，所述基底层上设置有所述第一平面线圈和所述第一布线；
绝缘层，配置成覆盖所述第一平面线圈和所述第一布线，限定有接触孔，并且设置在所述基底层上；
第二平面线圈，设置在所述绝缘层上，并且包括通过所述接触孔连接至所述第一平面线圈的另一端部的一端部；以及
第二布线，设置在所述绝缘层上，并且连接至所述第二平面线圈的另一端部和所述电力供应单元。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二平面线圈的至少一部分在所述平面上与所述第一平面线圈重叠。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一基板还包括：
第二平面线圈；以及
第三平面线圈，设置在所述第一平面线圈和所述第二平面线圈之间。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一平面线圈的长度和所述第二平面线圈的长度中的每个大于所述第三平面线圈的长度。
10.如权利要求8所述的显示装置，其中，设置有所述第一平面线圈的区域的面积和设置有所述第二平面线圈的区域的面积中的每个大于设置有所述第三平面线圈的区域的面积。
11.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二基板还包括：
第二磁体，在所述显示装置的所述厚度方向上与所述第二平面线圈以预定距离间隔开，并且在所述平面上与所述第二平面线圈重叠；以及
第三磁体，在所述显示装置的所述厚度方向上与所述第三平面线圈以预定距离间隔开，并且在所述平面上与所述第三平面线圈重叠。
12.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一磁体在第一方向上发射磁场，并且所述第二基板还包括：
第二磁体，配置成在与所述第一方向成90度的角度的第二方向上发射磁场，并且邻近于所述第一磁体；
第三磁体，配置成在与所述第一方向成180度的角度的第三方向上发射磁场，并且邻近于所述第二磁体；
第四磁体，配置成在与所述第二方向成180度的角度的第四方向上发射磁场，并且邻近于所述第三磁体；以及
第五磁体，配置成在所述第一方向上发射磁场并且设置成邻近于所述第四磁体。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中，从所述第一方向到所述第二方向的改变、从所述第二方向到所述第三方向的改变以及从所述第三方向到所述第四方向的改变各自分别为逆时针旋转90度。
14.如权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一平面线圈在平面上与所述第二磁体重叠，并且所述第一基板还包括在所述平面上与所述第四磁体重叠的第二平面线圈。
15.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一基板包含铜，所述第一基板中限定有开口，并且所述第一平面线圈设置在所述开口中。
16.显示装置，包括：
显示面板，包括多个有机发光元件；
冲击吸收构件，设置在所述显示面板下方并且具有预定弹力；
感应磁场产生构件，包括平面线圈并且设置在所述冲击吸收构件下方，所述平面线圈具有各自在第一方向上延伸的多个第一线圈布线和各自在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的多个第二线圈布线，其中，所述平面线圈位于与所述显示装置的厚度方向垂直的平面上，所述多个第一线圈布线设置在与所述多个第二线圈布线相同的层上；
固定磁场产生构件，设置在所述感应磁场产生构件下方，并且包括在所述显示装置的厚度方向上与所述平面线圈以预定距离间隔开的磁体；
电力供应单元，配置成向所述平面线圈提供交流电力；
散热构件，设置在所述冲击吸收构件和所述感应磁场产生构件之间，并且包括石墨；以及
静电阻挡构件，设置在所述散热构件和所述感应磁场产生构件之间，并且包括铜，
其中，通过由所述固定磁场产生构件产生的固定磁场和由所述感应磁场产生构件产生的感应磁场产生振动，并且通过所述振动生成声音。
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