CN111240149A - 掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法 - Google Patents

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Abstract

一种掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法，掩膜版包括：基板，所述基板对于曝光光线具有透光性；遮光膜，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主图形及辅助图形，所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移。本发明能够在保证主图形正常转移的同时降低所述掩膜版的透光率。

Description

掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法。
背景技术
光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为曝光光线，以掩膜版为中间媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。
光刻掩膜版是光刻工艺所使用的图形母版，是由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构。掩膜版的应用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都有应用，如IC(Integrated Circuit，集成电路)、FPD(Flat Panel Display，平板显示器)、PCB(PrintedCircuit Boards，印刷电路板)制造领域等。
但是，现有掩膜版的结构仍有待改进。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法，在保证主图形正常转移的同时能够降低所述掩膜版的透光率。
为解决上述问题，本发明提供一种掩膜版，包括：基板，所述基板对于曝光光线具有透光性；遮光膜，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主图形及辅助图形，所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移。
可选的，所述辅助图形呈直线状、点状或者曲线状。
可选的，所述辅助图形的宽度小于所述曝光光线波长的四分之一。
可选的，所述辅助图形与所述主图形距离大于所述曝光光线波长的二分之一。
可选的，所述辅助图形的数量为一个或者多个。
可选的，当所述辅助图形的数量为多个时，相邻所述辅助图形间距大于所述曝光光线波长的三分之一。
相应的，本发明还提供一种上述掩膜版的版图，包括所述主图形及辅助图形。
相应的，本发明还提供一种光刻系统，包括：光源，适于发出曝光光线；掩膜版，适于接收所述曝光光线，输出携带所述主图形的图像信息的处理光线；投影光学系统，适于接收所述处理光线并对所述处理光线进行投影；晶片，适于接收所述投影光学系统投影的所述处理光线，形成与所述主图形对应的转移图形。
可选的，所述晶片包括基底及覆盖所述基底表面的光刻胶层。
相应的，本发明还提供一种所述光刻系统的光刻工艺方法，包括：所述光源发出曝光光线；所述掩膜版接收所述曝光光线，并输出携带所述主图形的图像信息的处理光线；所述投影光学系统接收所述处理光线，并将所述处理光线投影至所述晶片表面上；所述晶片接收所述投影光学系统投影的所述处理光线，形成与所述主图形对应的转移图形。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
所述掩膜版包括基板及遮光膜，所述基板对于曝光光线具有透光性，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面。所述遮光膜形成主图形及辅助图形。由于所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，因而所述主图形可通过曝光过程转移至晶片上。由于所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移，因此所述辅助图形不会转移至晶片上，因而不会影响到所述主图形的正常转移过程。再者，由于所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性，因此所述辅助图形能够降低曝光光线照射所述掩膜版的透光率，从而防止位于所述掩膜版与晶片间的投影光学系统发热过快，更好地保护投影光学系统，延长该系统的使用寿命。
附图说明
图1是本发明一实施例的掩膜板的结构示意图；
图2是本发明一实施例的主图形及辅助图形的结构示意图；
图3是本发明另一实施例的主图形及辅助图形的结构示意图；
图4是本发明又一实施例的主图形及辅助图形的结构示意图；
图5是本发明其他实施例的主图形及辅助图形的结构示意图；
图6是本发明一实施例的光刻系统的结构示意图；
图7及图8是本发明光刻工艺方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，现有掩膜版的结构仍有待提高。
现结合一种掩膜版进行分析，所述掩膜版包括基板及遮光膜，所述基板对于曝光光线具有透光性，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面。所述遮光膜形成对于曝光光线具有遮光性且可转移的几何图形。所述掩膜版对所述曝光光线具有高透光率，容易造成位于所述掩膜版与晶片间的投影光学系统发热过快。
发明人对上述掩膜版进行了研究，经创造性劳动，发明人注意到，通过形成包括主图形及辅助图形的遮光膜，能够降低掩膜版的透光率且可避免对主图形正常转移造成影响。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参考图1，一种掩膜版100，包括：基板110及遮光膜200，所述遮光膜200覆盖所述基板110部分底部表面。
所述基板110对于曝光光线具有透光性。本实施例中，所述基板110材料为透明玻璃。具体的，所述基板110材料为石英玻璃、苏打玻璃或者低膨胀玻璃。
在其他实施例中，所述基板110的材料还可以为透明树脂。
图2是本发明一实施例的主图形210及辅助图形220的结构示意图。
参考图2，本实施例中，所述基板110表面形状呈长方形，所述长方形包括沿第一方向x延伸的第一侧边及沿第二方向y延伸的第二侧边，所述第一侧边长度大于所述第二侧边长度。
所述遮光膜200对于曝光光线具有遮光性。本实施例中，所述遮光膜200材料为铬。在其他实施例中，所述遮光膜200材料为氧化铁、硅化钼或者硅；此外，所述遮光膜200材料还可以为乳胶。
所述遮光膜200形成主图形210及辅助图形220，所述主图形210对于曝光光线具有遮光性且可转移，所述辅助图形220对于曝光光线具有遮光性但不可转移。
所述主图形210为待转移图形，所述主图形210的尺寸大于光刻系统的分辨率，因而所述主图形210能够转移到晶片上。
所述辅助图形220对于曝光光线具有遮光性但不可转移，因此所述辅助图形220能够起到降低所述掩膜版100的透光率的作用。
所本实施例中，所述辅助图形220呈直线状。在其他实施例中，所述辅助图形220呈点状或者曲线状；其中，所述辅助图形220呈点状时，所述辅助图形220可以呈圆形或者不规则图形状。
所述辅助图形220的尺寸小于光刻系统的分辨率，因而所述辅助图形220不会被转移到晶片上，从而能够避免对所述主图形210的转移造成影响，保证所述主图形210转移的正常进行。
本实施例中，所述辅助图形220延伸方向平行于所述第二方向y。在其他实施例中，所述辅助图形220延伸方向平行于所述第一方向x，或者，所述辅助图形220延伸方向相对所述第一方向x及所述第二方向y倾斜。
所述辅助图形220的宽度W1小于所述曝光光线波长的四分之一。若所述辅助图形的宽度值过大，所述辅助图形的尺寸大于光刻系统的分辨率，所述辅助图形经曝光过程能够转移到晶片上，影响晶片的制造质量。
本实施例中，所述辅助图形220呈直线状，所述直线状图形的宽度W1小于所述曝光光线波长的四分之一。
具体的，本实施例中，所述辅助图形220的宽度W1为50nm。
本实施例中，所述辅助图形220与所述主图形210的距离大于所述曝光光线波长的二分之一。
本实施例中，所述辅助图形220呈连续直线状。在其他实施例中，所述直线状图形还可以包括多个相间隔的分段。
所述辅助图形220的数量为一个或者多个。本实施例中，所述辅助图形220的数量为一个。所述主图形210的数量为两个，所述辅助图形220位于两个所述主图形210之间。
在其他实施例中，当所述辅助图形220呈点状时，所述点状图形的直径作为所述辅助图形220的宽度。
本实施例中，如图2所示，所述主图形210与所述辅助图形220之间的间距H0，大于所述曝光光线波长的二分之一。若所述主图形210与辅助图形220间距过小，所述辅助图形220间容易连通形成组合图形，所述组合图形的宽度具有超过光刻系统的分辨率的风险，导致所述辅助图形220容易转移到晶片上，影响光刻工艺的正常进行。
图3是本发明另一实施例的主图形及辅助图形的结构示意图。
参考图3，本实施例中，所述辅助图形220呈曲线状，所述曲线状图形的宽度小于所述曝光光线波长的四分之一。
图4是本发明又一实施例的主图形210及辅助图形220的结构示意图。
参考图4，本实施例中，所述辅助图形220的数量为多个，相邻所述辅助图形220间具有间距。
本实施例中，多个所述辅助图形220平行排列，各所述辅助图形220的端部相对齐。
本实施例中，相邻所述辅助图形220的间距H1大于所述曝光光线波长的三分之一，若相邻所述辅助图形220间距过小，相邻所述辅助图形220间容易连通形成组合图形，所述组合图形的宽度具有超过光刻系统的分辨率的风险，导致所述组合图形容易转移到晶片上，影响光刻工艺的正常进行。
具体的，本实施例中，相邻所述辅助图形220的间距H1为100nm。
本实施例中，单个所述辅助图形220的宽度小于所述曝光光线波长的四分之一。
本实施例中，所述辅助图形220与所述主图形210距离大于所述曝光光线波长的二分之一。
在其他实施例中，所述辅助图形220还可以分散排布于所述主图形210周围。
图5是本发明其他实施例的主图形210及辅助图形220的结构示意图。
参考图5，本实施例中，所述辅助图形220延伸方向平行于所述第一方向x。
本实施例中，所述辅助图形220与所述主图形210的距离H2大于等于所述曝光光线波长的二分之一。若所述辅助图形220与所述主图形210距离过小，所述辅助图形220容易对所述主图形210的正常转移造成干扰，影响光刻质量。
具体的，本实施例中，所述辅助图形220与所述主图形210的距离H2为125nm。
本实施例中，所述辅助图形220的宽度小于所述曝光光线波长的四分之一。
在其他实施例中，所述辅助图形包括若干个第一辅助图形以及若干个第二辅助图形，所述第一辅助图形延伸方向平行于所述第一方向x，所述第二辅助图形延伸方向平行于所述第二方向y。
本发明还提供一种上述掩膜版100的版图，包括所述主图形210及辅助图形220。
所述辅助图形220呈直线状、点状或者曲线状。本实施例中，所述辅助图形220呈直线状。
所述辅助图形220的宽度小于所述曝光光线波长的四分之一。本实施例中，所述辅助图形220的宽度为50nm。
所述辅助图形220与所述主图形210距离大于所述曝光光线波长的二分之一。本实施例中，所述辅助图形220与所述主图形210距离为150nm。
本实施例中，所述辅助图形220的数量为多个，相邻所述辅助图形220间具有间距。
本实施例中，相邻所述辅助图形220间距大于所述曝光光线波长的三分之一，具体的，相邻所述辅助图形220间距为100nm。
图6是本发明一实施例的光刻系统10的结构示意图。
参考图6，本发明还提供一种光刻系统10，包括：光源(图中未示出)，适于发出曝光光线300；掩膜版100，适于接收所述曝光光线300，输出携带所述主图形210(参考图2)的图像信息的处理光线310；投影光学系统400，适于接收所述处理光线310并对所述处理光线310进行投影；晶片500，适于接收所述投影光学系统400投影的所述处理光线310，形成与所述主图形210对应的转移图形。
本实施例中，所述晶片500包括基底510及覆盖所述基底510表面的光刻胶层520。所述光刻胶层520形成与所述主图形210对应的转移图形。
本发明还提供一种光刻系统10所述光刻系统10的光刻工艺方法。
参考图7，所述光源发出曝光光线300，所述掩膜版100接收所述曝光光线300，并输出携带所述主图形210的图像信息的处理光线310。
本实施例中，所述曝光光线300为紫外光。
ARF曝光机发出的曝光光线300波长为193nm，KRF曝光机发出的曝光光线300波长为248nm，I线曝光机发出的曝光光线300波长为365nm。本实施例中，采用KRF曝光机发出的曝光光线300。
参考图8，所述投影光学系统400接收所述处理光线310，并将所述处理光线310投影至所述晶片500表面上。所述晶片500接收所述投影光学系统400投影的所述处理光线310，形成与所述主图形210对应的转移图形。
本实施例中，所述晶片500包括基底510及覆盖所述基底510表面的光刻胶层520。
所述光刻胶层520接收所述投影光学系统400投影的所述处理光线310，形成与所述主图形210对应的转移图形。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：
基板，所述基板对于曝光光线具有透光性；
遮光膜，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主图形及辅助图形，所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形呈直线状、点状或者曲线状。
3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形的宽度小于所述曝光光线波长的四分之一。
4.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形与所述主图形距离大于所述曝光光线波长的二分之一。
5.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形的数量为一个或者多个。
6.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，当所述辅助图形的数量为多个时，相邻所述辅助图形间距大于所述曝光光线波长的三分之一。
7.如权利要求1所述的掩膜版的版图，其特征在于，包括所述主图形及辅助图形。
8.一种光刻系统，其特征在于，包括：
光源，适于发出曝光光线；
如权利要求1所述的掩膜版，适于接收所述曝光光线，输出携带所述主图形的图像信息的处理光线；
投影光学系统，适于接收所述处理光线并对所述处理光线进行投影；
晶片，适于接收所述投影光学系统投影的所述处理光线，形成与所述主图形对应的转移图形。
9.如权利要求8所述的光刻系统，其特征在于，所述晶片包括基底及覆盖所述基底表面的光刻胶层。
10.如权利要求8所述的光刻系统的光刻工艺方法，其特征在于，包括：
所述光源发出曝光光线；
所述掩膜版接收所述曝光光线，并输出携带所述主图形的图像信息的处理光线；
所述投影光学系统接收所述处理光线，并将所述处理光线投影至所述晶片表面上；
所述晶片接收所述投影光学系统投影的所述处理光线，形成与所述主图形对应的转移图形。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112255883A (zh) * 2020-11-12 2021-01-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 改善光刻图形垂直度的方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114326339B (zh) * 2022-01-12 2024-02-02 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 一种提高投影透镜套刻精度的方法及装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107490931A (zh) * 2016-06-12 2017-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜版图形的修正方法
CN110491776A (zh) * 2019-08-09 2019-11-22 长江存储科技有限责任公司 一种掩模版以及半导体器件的制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107490931A (zh) * 2016-06-12 2017-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜版图形的修正方法
CN110491776A (zh) * 2019-08-09 2019-11-22 长江存储科技有限责任公司 一种掩模版以及半导体器件的制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112255883A (zh) * 2020-11-12 2021-01-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 改善光刻图形垂直度的方法
CN112255883B (zh) * 2020-11-12 2023-11-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 改善光刻图形垂直度的方法

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